JPS6295532A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6295532A JPS6295532A JP60238253A JP23825385A JPS6295532A JP S6295532 A JPS6295532 A JP S6295532A JP 60238253 A JP60238253 A JP 60238253A JP 23825385 A JP23825385 A JP 23825385A JP S6295532 A JPS6295532 A JP S6295532A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- rinsing
- film
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、遮光性薄膜や珪酸化物等からなる薄膜を被着
した基板において、その薄膜をエツチングしてパターン
を形成するパターン形成方法に関する。
した基板において、その薄膜をエツチングしてパターン
を形成するパターン形成方法に関する。
〔従来の技術］
従来、パターン形成方法においてフィトマスクの場合に
は、ガラス基板等の透光性基板とその透光性基板上に被
着した遮光性薄膜とからなるフＡｌ・マスク基板の遮光
性薄膜上にレジメ１−を塗布し、そのレジストを露光・
現像して遮光性簿膜上に残存レジス１−パターンを形成
し、この残存レジストパターン付きフォトマスク基板を
リンス処理後、スピン乾燥、ドライエツチング、レジス
ト剥離の各工程を順次行うものがあった。
は、ガラス基板等の透光性基板とその透光性基板上に被
着した遮光性薄膜とからなるフＡｌ・マスク基板の遮光
性薄膜上にレジメ１−を塗布し、そのレジストを露光・
現像して遮光性簿膜上に残存レジス１−パターンを形成
し、この残存レジストパターン付きフォトマスク基板を
リンス処理後、スピン乾燥、ドライエツチング、レジス
ト剥離の各工程を順次行うものがあった。
寸なわら、透光性基板上にＣｒ膜等の遮光性薄膜を被着
してフォトマスク基板を製作し、さらに、その遮光性薄
膜にレジストを塗布してレジスト付きフォトマスク基板
を製作し、そのレジストに所定のレジストパターンを潜
像すべく、所定のパターンを形成した露光マスクを通し
て紫外光で露光し、次に、遮光性薄膜上に所定の残存レ
ジス］−パターンを形成すべく、現像液により所定時間
現像処理し、次に、現像液とは異なるタイプのリンス液
く例：純水）でリンス処理する。その後、この残存レジ
ストパターン付きフオ［・マスク基板を高速回転させ、
遠心力によりリンス液を１辰り飛ばして除去−４るスピ
ン乾燥法によって乾燥し、次に、遮光性薄膜に対応する
反応ガスで所定時間ドライエツチングｌ、て、露出して
いる遮光性簿膜を食刻する。すると、フォトマスク基板
を構成する透光性基板上には、残存レジストパターンと
その下の遮光性薄膜パターンが残る。さらに、レジスト
剥離液中に浸漬して、残存レジストパターンを剥離し、
透光性基板上に遮光性薄膜パターンを形成していた。
してフォトマスク基板を製作し、さらに、その遮光性薄
膜にレジストを塗布してレジスト付きフォトマスク基板
を製作し、そのレジストに所定のレジストパターンを潜
像すべく、所定のパターンを形成した露光マスクを通し
て紫外光で露光し、次に、遮光性薄膜上に所定の残存レ
ジス］−パターンを形成すべく、現像液により所定時間
現像処理し、次に、現像液とは異なるタイプのリンス液
く例：純水）でリンス処理する。その後、この残存レジ
ストパターン付きフオ［・マスク基板を高速回転させ、
遠心力によりリンス液を１辰り飛ばして除去−４るスピ
ン乾燥法によって乾燥し、次に、遮光性薄膜に対応する
反応ガスで所定時間ドライエツチングｌ、て、露出して
いる遮光性簿膜を食刻する。すると、フォトマスク基板
を構成する透光性基板上には、残存レジストパターンと
その下の遮光性薄膜パターンが残る。さらに、レジスト
剥離液中に浸漬して、残存レジストパターンを剥離し、
透光性基板上に遮光性薄膜パターンを形成していた。
しかし、以上のようにしてパターンを形成した場合、リ
ンス液（例：Ｎ！水）中に異物（例：塵埃。
ンス液（例：Ｎ！水）中に異物（例：塵埃。
バクテリア、金属イオン）が混入していると、残存レジ
ストパターン付きフォトマスク基板をスピン乾燥しても
、その異物はこのフォトマスク基板表面に残存し、付着
してしまう。また、リンス液からこのフォトマスク基板
を取り出した後、このフォトマスク基板上に残存したリ
ンス液が、周囲を浮遊する異物を吸着させ、このフォト
マスク基板に付着させてしまう。したがって、ドライエ
ツチングしても、その異物が付着した部分の下の遮光性
薄膜を食刻ザることができす、透光性基板上に不要の遮
光性ａ９膜が残存して、いわゆる黒欠陥が発生して所望
の遮光性薄膜パターンを形成することができなかった。
ストパターン付きフォトマスク基板をスピン乾燥しても
、その異物はこのフォトマスク基板表面に残存し、付着
してしまう。また、リンス液からこのフォトマスク基板
を取り出した後、このフォトマスク基板上に残存したリ
ンス液が、周囲を浮遊する異物を吸着させ、このフォト
マスク基板に付着させてしまう。したがって、ドライエ
ツチングしても、その異物が付着した部分の下の遮光性
薄膜を食刻ザることができす、透光性基板上に不要の遮
光性ａ９膜が残存して、いわゆる黒欠陥が発生して所望
の遮光性薄膜パターンを形成することができなかった。
本発明は、以上のような事情を鑑みてなされたものであ
り、黒欠陥等の欠陥の発生を防止して所望の遮光性Ｆ＋
’Ｊ膜パターンを形成することができるパターン形成方
法を提供することを目的とする。
り、黒欠陥等の欠陥の発生を防止して所望の遮光性Ｆ＋
’Ｊ膜パターンを形成することができるパターン形成方
法を提供することを目的とする。
本発明は、上記した目的を達成するためになされたしの
であり、７ａ膜を被着した基板の前記薄膜上にレジスト
を塗布し、前記レジストを露光・現像して、前記ｉＷ股
上に残存レジストパターンを形成した前記基板をリンス
処理後、酸又はアルカリ溶液によって表面処理し、再び
リンス処理し、乾燥し、次に前記薄膜をエツチングし、
前記残存レジストパターンを剥離することを特徴とする
パターン形成方法である。
であり、７ａ膜を被着した基板の前記薄膜上にレジスト
を塗布し、前記レジストを露光・現像して、前記ｉＷ股
上に残存レジストパターンを形成した前記基板をリンス
処理後、酸又はアルカリ溶液によって表面処理し、再び
リンス処理し、乾燥し、次に前記薄膜をエツチングし、
前記残存レジストパターンを剥離することを特徴とする
パターン形成方法である。
〔作 用）
薄膜上に残存レジストパターンを形成した基板をリンス
処理後、酸又はアルカリ溶液によって表面処理し、再び
リンス処理でると、リンス液を素早く、かつ完全に除去
することができる。
処理後、酸又はアルカリ溶液によって表面処理し、再び
リンス処理でると、リンス液を素早く、かつ完全に除去
することができる。
（実施例）
本例では、フォトマスクを製作する場合におけるパター
ン形成方法の例を示す。
ン形成方法の例を示す。
先ず、基板として透光性基板（材料：ソーダライムガラ
ス、５ｘ５ｘ Ｏ，０９インチ）を用意し、その一方の
主表面上に、スパッタリング法により遮光性薄膜として
Ｃｒ膜（光学温度：３０．膜厚：９００人）を被着して
フォトマスク基板を製作する。
ス、５ｘ５ｘ Ｏ，０９インチ）を用意し、その一方の
主表面上に、スパッタリング法により遮光性薄膜として
Ｃｒ膜（光学温度：３０．膜厚：９００人）を被着して
フォトマスク基板を製作する。
次に、このＣｒ膜上にポジ型フ第１・レジスト（例：八
ｚ−１３５０（ヘキストシャハン側製）、膜厚： ５０
００人）をスピンコード法によって塗布してレジスト付
きフォトマスク基板を製作する。
ｚ−１３５０（ヘキストシャハン側製）、膜厚： ５０
００人）をスピンコード法によって塗布してレジスト付
きフォトマスク基板を製作する。
次に、所定のパターンを形成した露光マスクを通して、
紫外光でこのレジスト付きフォトマスク基板上のレジス
トに露光して、所定のレジスｌ〜パターンを転写し、次
に現像液（例：へｌＱｔ用ディベロツバ（ヘキストラ１
１パン（株間）中に所定時間（例ニア０秒）浸漬して現
像して、露光部分を除去してＣｒ膜上に所定の残存レジ
ストパターンを形成し、次にリンス液（例：純水）中に
浸漬してリンス処理する。次に、残存レジストパターン
付きフォトマスク基板を過塩素酸と過酸化水素水との混
合液を純水で２倍に希釈して作った混合水溶液中に、所
定時間（例：１分）浸漬して、このフォトマスク基板の
露出したＣｒ膜表層を表面処理し、さらに、＋ｉ０述し
たリンス液中に再び浸漬して再リンス処理した後、遠心
力によりリンス液を振り飛ばして除去するスピン乾燥法
によって乾燥する。
紫外光でこのレジスト付きフォトマスク基板上のレジス
トに露光して、所定のレジスｌ〜パターンを転写し、次
に現像液（例：へｌＱｔ用ディベロツバ（ヘキストラ１
１パン（株間）中に所定時間（例ニア０秒）浸漬して現
像して、露光部分を除去してＣｒ膜上に所定の残存レジ
ストパターンを形成し、次にリンス液（例：純水）中に
浸漬してリンス処理する。次に、残存レジストパターン
付きフォトマスク基板を過塩素酸と過酸化水素水との混
合液を純水で２倍に希釈して作った混合水溶液中に、所
定時間（例：１分）浸漬して、このフォトマスク基板の
露出したＣｒ膜表層を表面処理し、さらに、＋ｉ０述し
たリンス液中に再び浸漬して再リンス処理した後、遠心
力によりリンス液を振り飛ばして除去するスピン乾燥法
によって乾燥する。
次に、Ｃ（４４＋ ０２ガスを反応ガスとしてエツチン
グするプラズマエツチング法によって露出しているｃｒ
膜を食刻する。すると、透光性基板上には、残存レジス
トパターンとその下のＣｒ膜パターンが残る。さらに、
レジスト剥離液（例：濃硫酸と過酸化水素水の混合液）
中に浸漬して残存レジストパターンを剥離し、透光性基
板上にＣｒ膜パターンを形成してフォトマスクを製作す
る。
グするプラズマエツチング法によって露出しているｃｒ
膜を食刻する。すると、透光性基板上には、残存レジス
トパターンとその下のＣｒ膜パターンが残る。さらに、
レジスト剥離液（例：濃硫酸と過酸化水素水の混合液）
中に浸漬して残存レジストパターンを剥離し、透光性基
板上にＣｒ膜パターンを形成してフォトマスクを製作す
る。
本例によれば、残存レジストパターン付きフォトマスク
基板をリンス処理俊、過塩素酸と過酸化水素水とからな
る混合水溶液中に浸；ｄして表面処理することにより露
出したＣｒ膜表層を溶解し、その後、再リンス処理して
いるので、再リンス処理時のリンス液を振り飛ばして素
早く、かつ完全に除去覆ることができる。従って、再リ
ンス処理時のリンス液中に含まれる異物も容易に除去で
き、また、リンス液が残存レジストパターン付きフォト
マスク基板の回りを浮遊する異物を吸着して、このフォ
トマスク基板に付着させることも減少するので、ドライ
エツヂレグ後に、透光性基板上に不要の遮光性簿膜が残
存して黒欠陥が発生することを大幅に抑制できる。
基板をリンス処理俊、過塩素酸と過酸化水素水とからな
る混合水溶液中に浸；ｄして表面処理することにより露
出したＣｒ膜表層を溶解し、その後、再リンス処理して
いるので、再リンス処理時のリンス液を振り飛ばして素
早く、かつ完全に除去覆ることができる。従って、再リ
ンス処理時のリンス液中に含まれる異物も容易に除去で
き、また、リンス液が残存レジストパターン付きフォト
マスク基板の回りを浮遊する異物を吸着して、このフォ
トマスク基板に付着させることも減少するので、ドライ
エツヂレグ後に、透光性基板上に不要の遮光性簿膜が残
存して黒欠陥が発生することを大幅に抑制できる。
寸法が５ｘ５ｘＯ，０９インチのソーダライムガラスか
らなる透光性基板に、従来の方法でパターンを形成した
場合と、本実施例の方法でパターンを形成した場合とに
おいて、１μｍ以上の寸法を右Ｊる黒欠陥の発生数を比
較すると、上記曲名の場合ではその発生数が数百側程度
あったものが、上記後者の場合では数個〜士数個以下で
あった。
らなる透光性基板に、従来の方法でパターンを形成した
場合と、本実施例の方法でパターンを形成した場合とに
おいて、１μｍ以上の寸法を右Ｊる黒欠陥の発生数を比
較すると、上記曲名の場合ではその発生数が数百側程度
あったものが、上記後者の場合では数個〜士数個以下で
あった。
また、本例では、プラズマエツチング法という乾式エツ
チング法を採用しているので、湿式エツチング法を採用
した場合と比較してサイドエツチングｉ１が少なく、過
剰エツチングに対Ｊるパターン幅変化ら少なかった。
チング法を採用しているので、湿式エツチング法を採用
した場合と比較してサイドエツチングｉ１が少なく、過
剰エツチングに対Ｊるパターン幅変化ら少なかった。
本発明は、上記した実施例に限定されるものではない。
透光性基板の材料はソーダライムガラス以外に、アルミ
ノシリケートやポロシリグー１−等の多成分系ガラス及
び石英ガラスであってもよいし、その用法も適宜決定さ
れつる。また、透光性基板の代わりに珪素やＧａＡｓ簀
からなる基板を使用してもよい。
ノシリケートやポロシリグー１−等の多成分系ガラス及
び石英ガラスであってもよいし、その用法も適宜決定さ
れつる。また、透光性基板の代わりに珪素やＧａＡｓ簀
からなる基板を使用してもよい。
遮光性薄膜としてＣｒ膜の他に、Ｔａ、 Ｎｏ、 Ｎｉ
。
。
Ａｌ、 ＮｉＣｒ等のエツチング可能な金属や、これ等
金属の窒化物、炭化物、酸化物、珪化物等の膜や、これ
簀二以上の多層膜でもよく、また、その膜厚は９００八
に限定されず所定の光学１ＷＩｆｆに従って適宜決定さ
れうる。遮光性薄膜の成膜下段としてスパッタリング法
の他に真空蒸着法やイオンブレーティング法を用いても
よい。また、珪酸化物等からなる薄膜を基板上に被着し
てしよい。
金属の窒化物、炭化物、酸化物、珪化物等の膜や、これ
簀二以上の多層膜でもよく、また、その膜厚は９００八
に限定されず所定の光学１ＷＩｆｆに従って適宜決定さ
れうる。遮光性薄膜の成膜下段としてスパッタリング法
の他に真空蒸着法やイオンブレーティング法を用いても
よい。また、珪酸化物等からなる薄膜を基板上に被着し
てしよい。
ポジ型フォトレジストの代わりに、ネガ型フォトレジス
トや、ポジ型及びネガ型電子線レジスト等のレジストを
用いてもよいし、露光工程では紫外光で露光したが、遠
紫外光や電子線等で露光してもよい。
トや、ポジ型及びネガ型電子線レジスト等のレジストを
用いてもよいし、露光工程では紫外光で露光したが、遠
紫外光や電子線等で露光してもよい。
また、リンス液としては、純水の他にイソプロピルアル
コール等の有機溶剤を用いてもよいし、表面処理時に使
用した過塩素酸と過酸化水素水の混合水溶液の代わりに
、遮光性薄膜や珪酸化物等の薄膜表層を溶解しうる酸又
はアルカリ溶液を使用してもよく、ぞの濃度は適宜決定
されうる。また、本例では浸漬法によって表面処理した
が、スプレィ法によってもよい。
コール等の有機溶剤を用いてもよいし、表面処理時に使
用した過塩素酸と過酸化水素水の混合水溶液の代わりに
、遮光性薄膜や珪酸化物等の薄膜表層を溶解しうる酸又
はアルカリ溶液を使用してもよく、ぞの濃度は適宜決定
されうる。また、本例では浸漬法によって表面処理した
が、スプレィ法によってもよい。
エツチング法としては、プラズマエツチング法以外にス
パッタエツチング法やイオンビームエツチング法等の乾
式エツチング法を採用してもよいし、湿式エツチング法
を採用してもよい。
パッタエツチング法やイオンビームエツチング法等の乾
式エツチング法を採用してもよいし、湿式エツチング法
を採用してもよい。
乾燥方法は、スピン乾燥法に限られず、フォトマスク基
板や、硅素からなる基板上に珪酸化物の薄膜を被着した
半導体基板等の基板を乾燥できる他の乾燥方法でもよい
。また、本発明のパターン形成方法は、珪素からなる基
板上に珪酸化物の薄膜を被着した半と７体基板から、所
定のりソゲラフイエ程を経て集積回路を製作する場合等
の他のパターン形成するとぎにも適用できる。
板や、硅素からなる基板上に珪酸化物の薄膜を被着した
半導体基板等の基板を乾燥できる他の乾燥方法でもよい
。また、本発明のパターン形成方法は、珪素からなる基
板上に珪酸化物の薄膜を被着した半と７体基板から、所
定のりソゲラフイエ程を経て集積回路を製作する場合等
の他のパターン形成するとぎにも適用できる。
本発明のパターン形成方法によれば、再リンス処理時の
リンス液中に含まれる異物を容易に除去し、またリンス
液が基板の回りを浮遊する異物を吸着して基板に付着さ
せることも減少するので、エツチング後に基板上に欠陥
が発生することを防止して所望のパターンを確実に形成
ηることができる。
リンス液中に含まれる異物を容易に除去し、またリンス
液が基板の回りを浮遊する異物を吸着して基板に付着さ
せることも減少するので、エツチング後に基板上に欠陥
が発生することを防止して所望のパターンを確実に形成
ηることができる。
Claims (1)
- （１）薄膜を被着した基板の前記薄膜上にレジストを塗
布し、前記レジストを露光・現像して、前記薄膜上に残
存レジストパターンを形成した前記基板をリンス処理後
、酸又はアルカリ溶液によって表面処理し、再びリンス
処理し、乾燥し、次に前記薄膜をエッチングし、前記残
存レジストパターンを剥離することを特徴とするパター
ン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60238253A JPS6295532A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60238253A JPS6295532A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6295532A true JPS6295532A (ja) | 1987-05-02 |
Family
ID=17027426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60238253A Pending JPS6295532A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6295532A (ja) |
-
1985
- 1985-10-23 JP JP60238253A patent/JPS6295532A/ja active Pending
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