JPS6294998A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
- Publication number
- JPS6294998A JPS6294998A JP23577485A JP23577485A JPS6294998A JP S6294998 A JPS6294998 A JP S6294998A JP 23577485 A JP23577485 A JP 23577485A JP 23577485 A JP23577485 A JP 23577485A JP S6294998 A JPS6294998 A JP S6294998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- multilayer wiring
- weight
- wiring board
- interlayer insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分与〕
本発明は多層配線基板に係り、特にハイブリッドＩＣ等
の高密度に集積化された半導体装置における居間絶縁膜
に関するものである。
の高密度に集積化された半導体装置における居間絶縁膜
に関するものである。
半導体技術の進歩と共に、超しＳｌをはじめ、半導体装
置の高集積化が進められてきており、高精度の微細パタ
ーン形成技術が要求されている。
置の高集積化が進められてきており、高精度の微細パタ
ーン形成技術が要求されている。
素子の微細化が進むにつれて、信頼性低下の原因どなる
さまざまな問題が生じてきている。層間絶縁膜の形成も
その１つであり、従来は、ポリイミド等の樹脂膜を使用
したり、酸化シリコン（ＳｉＯ）膜、窒化シリコン（８
１３Ｎ４）膜、リンガラス（ＰＳＧ）膜等の無機膜を使
用したりしていた。しかしながら樹脂膜については、耐
水性に問題があり、また無機膜については、下層の配線
層の耐熱温度が低い場合、低温下で形成しなければなら
ないが、低温下で形成した膜は、充分な被覆効果を得る
ことができず、また、膜にクラックが発生し易いという
欠点があった。
さまざまな問題が生じてきている。層間絶縁膜の形成も
その１つであり、従来は、ポリイミド等の樹脂膜を使用
したり、酸化シリコン（ＳｉＯ）膜、窒化シリコン（８
１３Ｎ４）膜、リンガラス（ＰＳＧ）膜等の無機膜を使
用したりしていた。しかしながら樹脂膜については、耐
水性に問題があり、また無機膜については、下層の配線
層の耐熱温度が低い場合、低温下で形成しなければなら
ないが、低温下で形成した膜は、充分な被覆効果を得る
ことができず、また、膜にクラックが発生し易いという
欠点があった。
特に、配線材料として、銅等の耐熱温度の低い物質を使
用する場合、低温下で形成できて信頼性の高い層間絶縁
膜の実現が強く望まれていた。
用する場合、低温下で形成できて信頼性の高い層間絶縁
膜の実現が強く望まれていた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、配線材料
として銅を使用した場合に、低温下での形成が可能であ
ると共に絶縁抵抗の高い被覆層（＠間絶縁膜）を設け、
信頼性の高い多層配線基板を提供することを目的とする
。
として銅を使用した場合に、低温下での形成が可能であ
ると共に絶縁抵抗の高い被覆層（＠間絶縁膜）を設け、
信頼性の高い多層配線基板を提供することを目的とする
。
そこで本発明の多層配線基板では、上層の銅配線層と下
層の銅配線層との間に介在せしめられる層間絶縁膜を流
動点８００℃以下の酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスで構成
するようにしている。
層の銅配線層との間に介在せしめられる層間絶縁膜を流
動点８００℃以下の酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスで構成
するようにしている。
例えば、第１図に示す如く、ハイブリッドＩＣの多層配
線回路基板を、絶縁性基板１としてのアルミナ基板１上
にスクリーン印刷および焼成によって銅パターンからな
る第１の配線層２を形成した後、層間絶縁ＷＡ３として
ＺｎＯ系ガラス又は弗素（Ｆ）を混入したＺｎＯ系ガラ
スを主成分とするガラス膜をスクリーン印刷および焼成
によって形成しく焼成温度６００℃、焼成時間３０分）
、更にこの上層にスクリーン印刷および焼成によって銅
パターンからなる第２の配線層４を形成することによっ
て作成する。ここで５は酸化ルテニウムを主成分とする
厚膜抵抗体層、６はフラットパッケージ型のＩＣチップ
である。
線回路基板を、絶縁性基板１としてのアルミナ基板１上
にスクリーン印刷および焼成によって銅パターンからな
る第１の配線層２を形成した後、層間絶縁ＷＡ３として
ＺｎＯ系ガラス又は弗素（Ｆ）を混入したＺｎＯ系ガラ
スを主成分とするガラス膜をスクリーン印刷および焼成
によって形成しく焼成温度６００℃、焼成時間３０分）
、更にこの上層にスクリーン印刷および焼成によって銅
パターンからなる第２の配線層４を形成することによっ
て作成する。ここで５は酸化ルテニウムを主成分とする
厚膜抵抗体層、６はフラットパッケージ型のＩＣチップ
である。
このようにして形成された層間絶縁膜は銅パターンとの
密着性が特に良好であり、クラックの発生が大幅に低減
される上、焼成温度も低温であるため下地の銅パターン
に損傷を与えることもなく、温度６０℃、湿度９０％の
高温高湿雰囲気中に１０００時間放置した後も１０９Ω
以上の抵抗値を呈し充分な絶縁性を維持することができ
る。
密着性が特に良好であり、クラックの発生が大幅に低減
される上、焼成温度も低温であるため下地の銅パターン
に損傷を与えることもなく、温度６０℃、湿度９０％の
高温高湿雰囲気中に１０００時間放置した後も１０９Ω
以上の抵抗値を呈し充分な絶縁性を維持することができ
る。
また、弗素を混入せしめることにより、アルミナ基板か
ら拡散した水酸基（ＯＨ）を除去することができ、更に
耐湿性の高い絶縁膜を得ることが可能となる。
ら拡散した水酸基（ＯＨ）を除去することができ、更に
耐湿性の高い絶縁膜を得ることが可能となる。
このように、本発明によれば、銅の配線パターン間に介
在せしめる居間絶縁膜の形成に、流動点８００℃以下の
ＺｎＯ系ガラス又はＺｎＯ系ガラスに弗素を混入した材
料を用いているため、焼成温度が低く、また形成された
層間絶縁膜は耐湿性に優れている上、銅の配線パターン
との密着性が良好であり、更には配線パターンの保護性
も備えており、極めて信頼性の高い多層配線基板を得る
ことが可能となる。
在せしめる居間絶縁膜の形成に、流動点８００℃以下の
ＺｎＯ系ガラス又はＺｎＯ系ガラスに弗素を混入した材
料を用いているため、焼成温度が低く、また形成された
層間絶縁膜は耐湿性に優れている上、銅の配線パターン
との密着性が良好であり、更には配線パターンの保護性
も備えており、極めて信頼性の高い多層配線基板を得る
ことが可能となる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。
説明する。
（実施例１）
Ｚｎ０５６重量％、酸化ｍ （ＳｎＯ）３重量％、酸化
ホウ素〈Ｂ２０３）２６重量％、酸化ケイ素（Ｓｔ０２
）１２重量％、酸化アルミニウム（ＡΩ２０３）３重世
％を加熱溶融せしめ、溶融体を急冷した後、ボールミル
で４００メツシュ程度の篩に通る程度に粉砕し、流動点
Ｔ。
ホウ素〈Ｂ２０３）２６重量％、酸化ケイ素（Ｓｔ０２
）１２重量％、酸化アルミニウム（ＡΩ２０３）３重世
％を加熱溶融せしめ、溶融体を急冷した後、ボールミル
で４００メツシュ程度の篩に通る程度に粉砕し、流動点
Ｔ。
＝６５０℃のガラス粉末を形成する。このガラス粉末に
、バインダー等を加えて絶縁ペーストを形成する。
、バインダー等を加えて絶縁ペーストを形成する。
まず、第２図（ａ）に示す如く、アルミナ基板１上にス
クリーン印刷および焼成によって、酸化ルテニウムを主
成分とする抵抗体層５を形成する。
クリーン印刷および焼成によって、酸化ルテニウムを主
成分とする抵抗体層５を形成する。
続いて、第２図（ｂ）に示す如く、銅ペーストを用いて
スクリーン印刷および焼成を行なうことにより、第１の
配線層２を形成する。
スクリーン印刷および焼成を行なうことにより、第１の
配線層２を形成する。
この後、第２図（Ｃ）に示す如く、前記絶縁ペーストを
用いてスクリーン印刷によるパターン形成を行なった後
焼成（６００℃、３０分）を行ない、＠間絶縁膜３を形
成する。
用いてスクリーン印刷によるパターン形成を行なった後
焼成（６００℃、３０分）を行ない、＠間絶縁膜３を形
成する。
更に、再び銅ペーストを用いてスクリーン印刷および焼
成を行なうことにより、第２の配線層４を形成し、最後
にＩＣチップ６を接続せしめ、第１図に示したようなハ
イブリッドＩＣが完成する。
成を行なうことにより、第２の配線層４を形成し、最後
にＩＣチップ６を接続せしめ、第１図に示したようなハ
イブリッドＩＣが完成する。
このようにして形成されたハイブリッドＩＣでは湿度６
０℃、湿度９０％の雰囲気中で１０００時間放置された
後も、層間絶縁膜の抵抗値はρ＝１０′１３Ωを維持し
ており、クラックの発生もなく、良好な絶縁性を保つこ
とができた。
０℃、湿度９０％の雰囲気中で１０００時間放置された
後も、層間絶縁膜の抵抗値はρ＝１０′１３Ωを維持し
ており、クラックの発生もなく、良好な絶縁性を保つこ
とができた。
（実施例２）
Ｚｎ０５５ｆｆｌｆｆｉ％、５ｎ０３重弔％、Ｂ２０３
２４重量％、５ｉＯ２１４重量％、ＡΩ２０３３重量％
、弗化亜鉛（ＺｎＦ２ ）１重量％を混合して加熱溶融
せしめ急冷した後、ボールミルで４００メツシュ程度の
篩に通る程度に粉砕し、流動点Ｔｆ ＝６４０℃のガラ
ス粉末を形成する。
２４重量％、５ｉＯ２１４重量％、ＡΩ２０３３重量％
、弗化亜鉛（ＺｎＦ２ ）１重量％を混合して加熱溶融
せしめ急冷した後、ボールミルで４００メツシュ程度の
篩に通る程度に粉砕し、流動点Ｔｆ ＝６４０℃のガラ
ス粉末を形成する。
そしてこのガラス粉末にバインダー等を加えて絶縁ペー
ストを形成し、これを（実施例１）のハイブリッドＩＣ
の作成工程における層間絶縁膜の形成に用いる。
ストを形成し、これを（実施例１）のハイブリッドＩＣ
の作成工程における層間絶縁膜の形成に用いる。
このようにして形成されたハイブリッドＩＣでは、温度
６０℃、湿度９０％の雰囲気中で１０００時間放置した
後も、層間絶縁膜は、抵抗値ρ−２×１０９０を維持し
ており、クラックの発生もなく良好な絶縁性を甲してい
る。
６０℃、湿度９０％の雰囲気中で１０００時間放置した
後も、層間絶縁膜は、抵抗値ρ−２×１０９０を維持し
ており、クラックの発生もなく良好な絶縁性を甲してい
る。
（実施例３）
Ｚｎ０５７重量％、５ｎ０２重量％、
Ｂ２ ｏ３２０重量％、５ｉ０２１６重量％、ＡΩ２０
３４重量％、ＺｎＦ２１重遭％ヲ混合して加熱溶融せし
め急冷した後、ボールミルで４００メツシュ程度の篩に
通る程度に粉砕し、流動点Ｔ、＝６２０℃のガラス粉末
を形成する。
３４重量％、ＺｎＦ２１重遭％ヲ混合して加熱溶融せし
め急冷した後、ボールミルで４００メツシュ程度の篩に
通る程度に粉砕し、流動点Ｔ、＝６２０℃のガラス粉末
を形成する。
そしてこのガラス粉末を主成分とする絶縁ベーストを同
様に、（実施例１）のハイブリッドＩＣの作成工程にお
ける層間絶縁膜の形成に用いる。
様に、（実施例１）のハイブリッドＩＣの作成工程にお
ける層間絶縁膜の形成に用いる。
このようにして形成されたハイブリッドＩＣでは、温度
６０℃、湿度９０％の雰囲気中で１０００時間放閣した
後も、層間絶縁膜は抵抗値ρ＝１Ｘ１０１０Ωを維持し
ており、配線層との密着性が良好でクラックの発生もな
く良好な絶縁性を呈しており、信頼性を高めることがで
きた。
６０℃、湿度９０％の雰囲気中で１０００時間放閣した
後も、層間絶縁膜は抵抗値ρ＝１Ｘ１０１０Ωを維持し
ており、配線層との密着性が良好でクラックの発生もな
く良好な絶縁性を呈しており、信頼性を高めることがで
きた。
第１図は、本発明実施例のハイブリッドＩＣを示す図、
第２図（ａ）乃至（Ｃ）は、第１図のハイブリッドＩＣ
１１′）製造工程を示す図である。 １・・・アルミナ基板（絶縁性基板）、２・・・第１の
配線層（銅パターン）、３・・・層間絶縁膜、４・・・
第２の配線層（銅パターン）、５・・・抵抗体層、６・
・・ＩＣチップ。 第１図 ら 第２図（Ｑ） 第２図（ｂ） 第２図（Ｃ）
第２図（ａ）乃至（Ｃ）は、第１図のハイブリッドＩＣ
１１′）製造工程を示す図である。 １・・・アルミナ基板（絶縁性基板）、２・・・第１の
配線層（銅パターン）、３・・・層間絶縁膜、４・・・
第２の配線層（銅パターン）、５・・・抵抗体層、６・
・・ＩＣチップ。 第１図 ら 第２図（Ｑ） 第２図（ｂ） 第２図（Ｃ）
Claims (2)
- （１）上層の銅配線層と下層の銅配線層との間に、介在
せしめられる層間絶縁膜として、流動点８００℃以下の
酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスを用いたことを特徴とする
多層配線基板。 - （２）前記ＺｎＯ系ガラスは、弗素を含有するものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の多
層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23577485A JPS6294998A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23577485A JPS6294998A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6294998A true JPS6294998A (ja) | 1987-05-01 |
Family
ID=16991038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23577485A Pending JPS6294998A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6294998A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008113018A (ja) * | 2007-12-03 | 2008-05-15 | Sony Corp | 固体撮像素子とその製造方法、及び半導体集積回路装置とその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-22 JP JP23577485A patent/JPS6294998A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008113018A (ja) * | 2007-12-03 | 2008-05-15 | Sony Corp | 固体撮像素子とその製造方法、及び半導体集積回路装置とその製造方法 |
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