JPS6293980A - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6293980A JPS6293980A JP60235084A JP23508485A JPS6293980A JP S6293980 A JPS6293980 A JP S6293980A JP 60235084 A JP60235084 A JP 60235084A JP 23508485 A JP23508485 A JP 23508485A JP S6293980 A JPS6293980 A JP S6293980A
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- Japan
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- film
- cds
- conversion element
- photoelectric conversion
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
、本発明はファクシミリや文字画像の読み取り入力装置
に用いて好適な光電変換素子の製造方法に関し、更に詳
細には、大面積基板上の光導電膜の電気的特性及び光学
的特性を均一に向上させる光導電膜の活性化熱処理工程
を改良するようにしたものである。
に用いて好適な光電変換素子の製造方法に関し、更に詳
細には、大面積基板上の光導電膜の電気的特性及び光学
的特性を均一に向上させる光導電膜の活性化熱処理工程
を改良するようにしたものである。
〈従来の技術〉
従来から光導電膜の活性化熱処理方法としてはＣｄＳ、
Ｃｄハロゲン化物等の活性化粉末企陶製の覆いの内面し
て焼結膜として被着し、この陶製の分乞中に活性化熱処
理すべき光導電膜を入れて熱処理する方法や、特公昭５
８−４６１９４号公報に開示されているように、気密ま
たは半気密容器の底部Ｋ ＣｄＳ粉末とＣｄのハロゲン
化物の混合物を仮焼して粉砕した粉末を設置すると共に
この容器内に光導電膜を設置して熱処理する方法が知ら
れている。
Ｃｄハロゲン化物等の活性化粉末企陶製の覆いの内面し
て焼結膜として被着し、この陶製の分乞中に活性化熱処
理すべき光導電膜を入れて熱処理する方法や、特公昭５
８−４６１９４号公報に開示されているように、気密ま
たは半気密容器の底部Ｋ ＣｄＳ粉末とＣｄのハロゲン
化物の混合物を仮焼して粉砕した粉末を設置すると共に
この容器内に光導電膜を設置して熱処理する方法が知ら
れている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、上記した例えば前者の方法においては活性化粉
末全陶製の）ぴいの内面）て焼結膜として被着する作業
が困欝てあり、再現性が悪い等の問題点があった。
末全陶製の）ぴいの内面）て焼結膜として被着する作業
が困欝てあり、再現性が悪い等の問題点があった。
一方、後者の方法１ておいては、特別な気密あるいは半
気密容器を必要とし、また活性化蒸気のムあり、更にＣ
ｄＳ、Ｃｄハロゲン化物の１回の使用器を多量を必要と
する等の問題点があった。
気密容器を必要とし、また活性化蒸気のムあり、更にＣ
ｄＳ、Ｃｄハロゲン化物の１回の使用器を多量を必要と
する等の問題点があった。
本発明は上記の点に鑑みて創案されたもので、従来の方
法では困難であった活性化熱処理工程を改善し、極めて
簡単な構成によって活性化効率を向上させ、光電変換素
子の作製の安定性及び再現性を良くする光電変換素子の
製造方法を提供することを目的としている。
法では困難であった活性化熱処理工程を改善し、極めて
簡単な構成によって活性化効率を向上させ、光電変換素
子の作製の安定性及び再現性を良くする光電変換素子の
製造方法を提供することを目的としている。
〈問題点を解決するための手段〉
上記の目的を達成するため、本発明の光電変換素子の製
造方法は、活性化熱処理すべき光導電膜と略同一の面積
を持つＣｄＳとハロゲン化物の混合体の付着させた基板
と上記の光導電膜とｔ対向させて配置して上記の光導電
膜を活性化熱処理する工程を含んでなるように構成して
いる。
造方法は、活性化熱処理すべき光導電膜と略同一の面積
を持つＣｄＳとハロゲン化物の混合体の付着させた基板
と上記の光導電膜とｔ対向させて配置して上記の光導電
膜を活性化熱処理する工程を含んでなるように構成して
いる。
く作 用〉
上記のような構成により、ＣｄＳとハロゲン化物の混合
体を焼成したときに発生する蒸気が光導電膜面に効果的
に作用して、光導電膜の活性化熱処理工程時の活性化効
率が向上する。
体を焼成したときに発生する蒸気が光導電膜面に効果的
に作用して、光導電膜の活性化熱処理工程時の活性化効
率が向上する。
〈実施例〉
以下、図面を参照して未発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の光電変換素子の製造方法の一実施例の
表面処理法を説明するための基板配置図である。
表面処理法を説明するための基板配置図である。
第１図において、■は光電変換素子側の基板、２はこの
基板！上に形成されたＣｄＳｅ膜、３は活性化熱処理用
混合体側の基板、４は活性化熱処理用混合体側の基板３
上に形成されたＣｄＳとその融剤であるＣｄのハロゲン
化物の混合体膜である。
基板！上に形成されたＣｄＳｅ膜、３は活性化熱処理用
混合体側の基板、４は活性化熱処理用混合体側の基板３
上に形成されたＣｄＳとその融剤であるＣｄのハロゲン
化物の混合体膜である。
上記ＣｄＳｅ膜２は、あらかじめ活性化熱処理を施した
平均粒径０．５μｍのＣｄＳｅ粉体と、その融剤である
Ｃｄのハロゲン化物（例えばＣｄＣＩ２）を４．５モル
チと、ガラス転移温度が４００℃の低イ 融点ガラスフリット１０重Ｉ％と、チニングオＮルＪ四
とを混合し十分に分散して作製した塗膜用ペーストチガ
ラス基板ｌ上にスクリーン印刷法にて幅３ＩＩｍのスト
ライプ状に塗膜した後、Ｎ２ガス雰囲気中で１００℃で
３０分乾燥することにより作製する。また、同様にして
、補償膜としての上記混合体膜４はＣｄＳ粉体と、その
融剤であるＣｄのハロゲン化物、（例えばＣｄＣ）２）
を１〜１０モルチと、少Ｈのエチルセルロースを含んだ
α−テルピネオール適量とを混合して十分分散して作製
した塗膜用ペーストをガラス基板３上にスクリーン印刷
法にて上記ＣｄＳｅ膜２の面積と少なくとも同じ面積、
あるいはそれより多少大きくなるよう（略同一）幅５−
のストライプ状に塗膜した後、Ｎ２ガス雰囲気中で１０
０℃で３０分乾燥することにより作製する。
平均粒径０．５μｍのＣｄＳｅ粉体と、その融剤である
Ｃｄのハロゲン化物（例えばＣｄＣＩ２）を４．５モル
チと、ガラス転移温度が４００℃の低イ 融点ガラスフリット１０重Ｉ％と、チニングオＮルＪ四
とを混合し十分に分散して作製した塗膜用ペーストチガ
ラス基板ｌ上にスクリーン印刷法にて幅３ＩＩｍのスト
ライプ状に塗膜した後、Ｎ２ガス雰囲気中で１００℃で
３０分乾燥することにより作製する。また、同様にして
、補償膜としての上記混合体膜４はＣｄＳ粉体と、その
融剤であるＣｄのハロゲン化物、（例えばＣｄＣ）２）
を１〜１０モルチと、少Ｈのエチルセルロースを含んだ
α−テルピネオール適量とを混合して十分分散して作製
した塗膜用ペーストをガラス基板３上にスクリーン印刷
法にて上記ＣｄＳｅ膜２の面積と少なくとも同じ面積、
あるいはそれより多少大きくなるよう（略同一）幅５−
のストライプ状に塗膜した後、Ｎ２ガス雰囲気中で１０
０℃で３０分乾燥することにより作製する。
以上のようにして作製したＣｄＳｅ膜３とＣｄＳ膜４？
第１図に示すように近接して（例えば０．１鰭、〜１０
−）上下に対向させ、この状態で３００℃で３０分、４
５０〜５５０℃（好ましくは５００℃）で１時間熱処理
する。
第１図に示すように近接して（例えば０．１鰭、〜１０
−）上下に対向させ、この状態で３００℃で３０分、４
５０〜５５０℃（好ましくは５００℃）で１時間熱処理
する。
この熱処理の過程で、ＣｄＣ１２が融剤として働き、Ｃ
ｄＳｅ粒子同志が表皮で溶けあいながら粒成長を遂げ、
最終的には、平均粒径２〜３μｍの粒の集合によって形
成される熱処理膜２が完成する。
ｄＳｅ粒子同志が表皮で溶けあいながら粒成長を遂げ、
最終的には、平均粒径２〜３μｍの粒の集合によって形
成される熱処理膜２が完成する。
また、この熱処理の過程で光導電膜として用いるヰ。
ＣｄＳｅ膜２の表面に極めて薄層（例えば数ｍＡつのＣ
ｄＳ層を活性化処理と同時に形成される。
ｄＳ層を活性化処理と同時に形成される。
上記のようにして作製した光導電膜に、電極間隔５０μ
ｍ１電極幅６０μｍ１電極ピッチ１２５μｍのブレーナ
型電極をリフトオフ法により形成し、光電変換素子を作
製する。次に、上記のようにして光電変換素子を作製す
る際に用いられたＣｄＳ・ＣｄＣノ２補償膜４の作用に
ついて説明する。
ｍ１電極幅６０μｍ１電極ピッチ１２５μｍのブレーナ
型電極をリフトオフ法により形成し、光電変換素子を作
製する。次に、上記のようにして光電変換素子を作製す
る際に用いられたＣｄＳ・ＣｄＣノ２補償膜４の作用に
ついて説明する。
上記した光電変換素子の作製方法において、ＣｄＳｅ膜
２に補賞膜４２対向させて熱処理する際の温度上昇過程
で、上昇温度ステップ毎に、サンプルを引き出してＣｄ
Ｓｅ光導電膜２側と、これシて対向させた補償膜４側の
双方について順次Ｘ線マイクロアナライザによって組成
分析した結果を第２図に示している。
２に補賞膜４２対向させて熱処理する際の温度上昇過程
で、上昇温度ステップ毎に、サンプルを引き出してＣｄ
Ｓｅ光導電膜２側と、これシて対向させた補償膜４側の
双方について順次Ｘ線マイクロアナライザによって組成
分析した結果を第２図に示している。
この第２図からも明らかなように、ＣｄＳ・。
ＣｄＣノ２補償膜４全対向させた場合、補償膜４側のＣ
ｄＣ１２が３００℃付近で蒸発し、光導電膜２側のＣｄ
Ｃノ２の蒸発を抑制し、３５０℃以上の流成長活性化反
応をより効果的に活発にならしめている。一方、補償膜
４を対向させない場合は、光導電膜２側のＣｄＣノ２が
温度上昇とともに速や力・ρて蒸発し、活性化温度下て
のＣｄＣ，Ａ、の融剤としての働きが不充分となる。
ｄＣ１２が３００℃付近で蒸発し、光導電膜２側のＣｄ
Ｃノ２の蒸発を抑制し、３５０℃以上の流成長活性化反
応をより効果的に活発にならしめている。一方、補償膜
４を対向させない場合は、光導電膜２側のＣｄＣノ２が
温度上昇とともに速や力・ρて蒸発し、活性化温度下て
のＣｄＣ，Ａ、の融剤としての働きが不充分となる。
〈発明の効果〉
以上のように、未発明によれげＣｄＳとＣｄ、ｙ、：＋
ハロゲン化物の混合物を仮焼（７、焼結する必要がなく
、ＣｄＳとＣｄのハロゲン化物を有効に利用することが
出来るため、その使用■も少なくて済みまた特別な容器
を用いることなく、光導電膜とＣｄ５−Ｃｄハロゲン化
物の塗布膜を対向させた状態で熱処理装置に設置するこ
とにより、非常（こ効率良く、均−性及び再現性の高い
光導ｌ膜全備えた光電変換素子を作製することが出来る
。
ハロゲン化物の混合物を仮焼（７、焼結する必要がなく
、ＣｄＳとＣｄのハロゲン化物を有効に利用することが
出来るため、その使用■も少なくて済みまた特別な容器
を用いることなく、光導電膜とＣｄ５−Ｃｄハロゲン化
物の塗布膜を対向させた状態で熱処理装置に設置するこ
とにより、非常（こ効率良く、均−性及び再現性の高い
光導ｌ膜全備えた光電変換素子を作製することが出来る
。
第１図は未発明の光電変換素子の製造方法の一実施例の
表面処理法全説明するための基板配置図、第２図は熱処
理過程での融剤の挙動全説明するための図である。 ｌ・・・光電変換素子側の基板、２・・・ＣｄＳｅ膜、
代理人 弁理士 福 士 受 彦（他２名）第１図 熱起理滝亀 （”Ｃ） 橡へ対■甲１１１至ｔｔ＋６ム即しＩトオカ＄２ １ｉ
！５
表面処理法全説明するための基板配置図、第２図は熱処
理過程での融剤の挙動全説明するための図である。 ｌ・・・光電変換素子側の基板、２・・・ＣｄＳｅ膜、
代理人 弁理士 福 士 受 彦（他２名）第１図 熱起理滝亀 （”Ｃ） 橡へ対■甲１１１至ｔｔ＋６ム即しＩトオカ＄２ １ｉ
！５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、活性化熱処理すべき光導電膜と略同一の面積を持つ
ＣｄＳとハロゲン化物の混合体の付着させた基板と上記
光導電膜とを対向させて配置して上記光導電膜を活性化
熱処理する工程を含んでなることを特徴とする光電変換
素子の製造方法。 ２、前記混合体のＣｄＳとハロゲン化物の混合組成をハ
ロゲン化物のモル比を１〜１０％とし、該混合体をペー
スト状にして分散し、前記基板に印刷塗布して構成して
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電
変換素子の製造方法。 ３、前記光導電膜と前記ＣｄＳとハロゲン化物の混合体
を０．１〜１０ｍｍの間隔を保って対向させて配置せし
めるようになしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光電変換素子の製造方法。 ４、前記光導電膜を前記ＣｄＳとハロゲン化物の混合体
の上部に対向して配置せしめるようになしたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光電変換素子の製造
方法。 ５、前記光導電膜の特性を向上させる活性化熱処理の温
度を４５０℃〜５５０℃となしたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235084A JPS6293980A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 光電変換素子の製造方法 |
| US06/910,875 US4759951A (en) | 1985-09-25 | 1986-09-23 | Heat-treating Cd-containing photoelectric conversion film in the presence of a cadmium halide |
| DE19863632210 DE3632210A1 (de) | 1985-09-25 | 1986-09-23 | Verfahren zur herstellung eines photoelektrischen umwandlungsfilms |
| GB8622999A GB2183089B (en) | 1985-09-25 | 1986-09-24 | Process for producing photoelectric conversion film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235084A JPS6293980A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6293980A true JPS6293980A (ja) | 1987-04-30 |
Family
ID=16980828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60235084A Pending JPS6293980A (ja) | 1985-09-25 | 1985-10-18 | 光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6293980A (ja) |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60235084A patent/JPS6293980A/ja active Pending
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