JPS6278885A - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子の製造方法Info
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- JPS6278885A JPS6278885A JP60218631A JP21863185A JPS6278885A JP S6278885 A JPS6278885 A JP S6278885A JP 60218631 A JP60218631 A JP 60218631A JP 21863185 A JP21863185 A JP 21863185A JP S6278885 A JPS6278885 A JP S6278885A
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- Japan
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- cdse
- film
- photoelectric conversion
- conversion element
- halide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、ファクシミリや文字画像の読取り入力装置に
用いて好適な光電変換素子の製造方法に関するものであ
る。
用いて好適な光電変換素子の製造方法に関するものであ
る。
〈従来の技術〉
従来、画像読取り用の密着型イメージセンサの光導電膜
にはＣｄＳとＣｄＳｅを任意の割合で固溶させたＣｄ５
Ｓｅ膜が用いられ、この割合によって主に分光感度特性
、光応答速度が変化する。固溶の割合がＣｄＳｅに近づ
くにつれて光応答が速くなるが、分光感度のピークは５
２０ｎｍから７２０ｎｍへと可視領域中心からずれてく
る。
にはＣｄＳとＣｄＳｅを任意の割合で固溶させたＣｄ５
Ｓｅ膜が用いられ、この割合によって主に分光感度特性
、光応答速度が変化する。固溶の割合がＣｄＳｅに近づ
くにつれて光応答が速くなるが、分光感度のピークは５
２０ｎｍから７２０ｎｍへと可視領域中心からずれてく
る。
第５図は固溶の各割合に対する分光感度特性を示す図で
ある。この第５図よりも明らかなように純粋なＣｄＳｅ
では分光感度のピークが７２５ｎｍ付近にあり、赤色光
付近に主な感度を持っている。
ある。この第５図よりも明らかなように純粋なＣｄＳｅ
では分光感度のピークが７２５ｎｍ付近にあり、赤色光
付近に主な感度を持っている。
従って赤色文字画像を読取る必要性のある場合には、好
適な光電変換素子とは言えなくなる。これに対し純粋な
ＣｄＳでは赤色文字画像の読取りに関しては好適である
が、光応答速度がＣｄＳｅと比べて遅いという欠点を持
っている。
適な光電変換素子とは言えなくなる。これに対し純粋な
ＣｄＳでは赤色文字画像の読取りに関しては好適である
が、光応答速度がＣｄＳｅと比べて遅いという欠点を持
っている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
以上のように、光応答速度と分光感度特性とは相反する
傾向にあり、固溶の割合を適当に行なっても両方の中間
的特性を持った光電変換素子しか作れないという問題点
があった。
傾向にあり、固溶の割合を適当に行なっても両方の中間
的特性を持った光電変換素子しか作れないという問題点
があった。
本発明は上記の事情に鑑みて創案されたもので、純粋な
ＣｄＳｅと同等の光応答速度を持ち、かつ、分光感度特
性の優れた光電変換素子の製造方法を提供するものであ
る。
ＣｄＳｅと同等の光応答速度を持ち、かつ、分光感度特
性の優れた光電変換素子の製造方法を提供するものであ
る。
〈問題点を解決するだめの手段〉
上記の目的を達成するため、本発明の光電変換素子の製
造方法は、ＣｄＳｅを主成分とする光導電膜の光入射側
の表面を、ＣｄＳとその融剤であるＣｄのハロゲン化物
の混合物を焼成したときの蒸気によって表面処理して光
電変換素子を作製するように構成している。
造方法は、ＣｄＳｅを主成分とする光導電膜の光入射側
の表面を、ＣｄＳとその融剤であるＣｄのハロゲン化物
の混合物を焼成したときの蒸気によって表面処理して光
電変換素子を作製するように構成している。
〈作 用〉
上記のような構成により、ＣｄＳｅを主成分とする光導
電膜の光入射側の表面を、ＣｄＳとその融剤であるＣｄ
のハロゲン化物の混合物を焼成したときの蒸気によって
表面処理して、ＣｄＳｅ膜表面に極めて薄層のＣｄＳ層
を形成し、ＣｄＳｅ膜と同等の光応答速度のまま分光感
度を短波長側まで延ばすことができる。
電膜の光入射側の表面を、ＣｄＳとその融剤であるＣｄ
のハロゲン化物の混合物を焼成したときの蒸気によって
表面処理して、ＣｄＳｅ膜表面に極めて薄層のＣｄＳ層
を形成し、ＣｄＳｅ膜と同等の光応答速度のまま分光感
度を短波長側まで延ばすことができる。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の光電変換素子の製造方法の一実施例の
表面処理法を説明するだめの基板配置図である。第１図
において、１は光電変換素子側の基板、２はこの基板１
上に形成されだＣｄＳｅ膜、３は表面処理用混合物側の
基板、４は表面処理用混合物側の基板３上に形成されだ
ＣｄＳとその融剤であるＣｄのハロゲン化物の混合膜で
ある。
表面処理法を説明するだめの基板配置図である。第１図
において、１は光電変換素子側の基板、２はこの基板１
上に形成されだＣｄＳｅ膜、３は表面処理用混合物側の
基板、４は表面処理用混合物側の基板３上に形成されだ
ＣｄＳとその融剤であるＣｄのハロゲン化物の混合膜で
ある。
上記ＣｄＳｅ膜２は、あらかじめ活性化熱処理を施した
平均粒径０．５μｍのＣｄＳｅ粉体と、その融剤である
Ｃｄのハロゲン化物（例えばＣｄＣ１２）を４．５モル
％と、ガラス転移温度が４００℃の低融点ガラスフリッ
ト１０重量％と、少量のエチルセルロースを含んだα−
テルピネオール適量とを混合し十分分散した塗膜用ペー
ストをガラス基板１上にスクリーン印刷法にて塗膜した
後、Ｎ２ガス雰囲気中で１００℃で３０分乾燥すること
により作製する。また、同様にして、上記混合膜４はＣ
ｄＳ粉体と、その融剤であるＣｄのハロゲン化物適量と
、少量のエチルセルロースを含んだα−テルピネオール
適量とを混合して十分分散した塗膜用ペーストをガラス
基板３上にスクリーン印刷法にて塗膜した後、Ｎ２ガス
雰囲気中で１００℃で３０分乾燥することにより作製す
る。以上のようにして作製したＣｄＳｅ膜３とＣｄＳ膜
４を第１図に示すように近接して（例えば０．４＋ｏ＋
〜０．８ｍ）対向させ、この状態で３００℃で３０分、
５００℃で１時間熱処理する。
平均粒径０．５μｍのＣｄＳｅ粉体と、その融剤である
Ｃｄのハロゲン化物（例えばＣｄＣ１２）を４．５モル
％と、ガラス転移温度が４００℃の低融点ガラスフリッ
ト１０重量％と、少量のエチルセルロースを含んだα−
テルピネオール適量とを混合し十分分散した塗膜用ペー
ストをガラス基板１上にスクリーン印刷法にて塗膜した
後、Ｎ２ガス雰囲気中で１００℃で３０分乾燥すること
により作製する。また、同様にして、上記混合膜４はＣ
ｄＳ粉体と、その融剤であるＣｄのハロゲン化物適量と
、少量のエチルセルロースを含んだα−テルピネオール
適量とを混合して十分分散した塗膜用ペーストをガラス
基板３上にスクリーン印刷法にて塗膜した後、Ｎ２ガス
雰囲気中で１００℃で３０分乾燥することにより作製す
る。以上のようにして作製したＣｄＳｅ膜３とＣｄＳ膜
４を第１図に示すように近接して（例えば０．４＋ｏ＋
〜０．８ｍ）対向させ、この状態で３００℃で３０分、
５００℃で１時間熱処理する。
この熱処理の過程で、ｃｄＣＩ２が融剤として働き、Ｃ
ｄＳｅ粒子同志が表皮で溶けあいながら粒成長を遂げ、
最終的には、平均粒径２〜３μｍの粒の集合によって形
成される熱処理膜２が完成する。
ｄＳｅ粒子同志が表皮で溶けあいながら粒成長を遂げ、
最終的には、平均粒径２〜３μｍの粒の集合によって形
成される熱処理膜２が完成する。
また、この熱処理の過程で光導電膜として用いるＣｄＳ
ｅ膜２の表面に極めて薄層（例えば数＋Ｘ）のＣｄＳ層
を活性化処理と同時に形成する。
ｅ膜２の表面に極めて薄層（例えば数＋Ｘ）のＣｄＳ層
を活性化処理と同時に形成する。
上記のようにして作製した光導電膜に、第２図に示すよ
うに、電極間隔５０μｍ１電極幅６０μｍ、電極ピッチ
１２５μｍのプレーナ型電極５をリフトオフ法により形
成し、光電変換素子を作製する。
うに、電極間隔５０μｍ１電極幅６０μｍ、電極ピッチ
１２５μｍのプレーナ型電極５をリフトオフ法により形
成し、光電変換素子を作製する。
このようにして作製した光電変換素子の分光感度特性を
第３図に示す。
第３図に示す。
第３図において、点線が従来のＣｄＳｅ膜の分光感度特
性であり、実線が本発明の表面処理を施しだＣｄＳｅ膜
の分光感度特性である。
性であり、実線が本発明の表面処理を施しだＣｄＳｅ膜
の分光感度特性である。
この第３図より明らかなように表面処理を施したＣｄＳ
ｅ膜は非常に優れた分光感度特性であることがわかる。
ｅ膜は非常に優れた分光感度特性であることがわかる。
第４図に表面処理を施したＣｄＳｅ膜の光応答時間と照
射光強度の関係を示す。ここでは、光応答時間は光電変
換素子に光が照射されて定常光電流の５０％値に達する
までの立上り時間で、と、光電変換素子に照射されてい
た光を遮断してから定常光電流の５０％値に減衰するま
での立下り時間τｄとで表わす。表面処理を施したＣｄ
Ｓｅ膜と未処理のＣｄＳｅ膜の応答時間の差異はなく、
表面処理をすることでは光応答時間に悪影響は及ぼさず
、第４図に示すように光電変換素子として十分満足のゆ
く光応答時間を示すことがわかる。
射光強度の関係を示す。ここでは、光応答時間は光電変
換素子に光が照射されて定常光電流の５０％値に達する
までの立上り時間で、と、光電変換素子に照射されてい
た光を遮断してから定常光電流の５０％値に減衰するま
での立下り時間τｄとで表わす。表面処理を施したＣｄ
Ｓｅ膜と未処理のＣｄＳｅ膜の応答時間の差異はなく、
表面処理をすることでは光応答時間に悪影響は及ぼさず
、第４図に示すように光電変換素子として十分満足のゆ
く光応答時間を示すことがわかる。
〈発明の効果〉
以上のように本発明の光電変換素子の作製法は、光電変
換素子の光応答速度を遅くすることなく分光感度を短波
長側まで延ばすことができ非常に優れた分光感度特性を
持たせることができる。
換素子の光応答速度を遅くすることなく分光感度を短波
長側まで延ばすことができ非常に優れた分光感度特性を
持たせることができる。
第１図は本発明の光電変換素子製造方法の一実施例の表
面処理法を説明するだめの基板配置図、第２図は本発明
により作製された光電変換素子の構造例を示す図、第３
図は本発明の光電変換素子の分光感度特性を示す図、第
４図は本発明の光電変換素子の光応答時間と照射光強度
の関係を示す図、第５図はＣｄＳとＣｄＳｅの各固溶割
合に対する分光感度特性である。 １・・・光電変換素子側の基板、２・・・ＣｄＳ ｅ膜
、３・・・表面処理用混合物側の基板、４・・・ＣｄＳ
膜、５・・・電極、６・・・光入射を示す矢印。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 ！ 第２図
面処理法を説明するだめの基板配置図、第２図は本発明
により作製された光電変換素子の構造例を示す図、第３
図は本発明の光電変換素子の分光感度特性を示す図、第
４図は本発明の光電変換素子の光応答時間と照射光強度
の関係を示す図、第５図はＣｄＳとＣｄＳｅの各固溶割
合に対する分光感度特性である。 １・・・光電変換素子側の基板、２・・・ＣｄＳ ｅ膜
、３・・・表面処理用混合物側の基板、４・・・ＣｄＳ
膜、５・・・電極、６・・・光入射を示す矢印。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 ！ 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＣｄＳｅを主成分とする光導電膜の光入射側の表面
を、ＣｄＳとＣｄのハロゲン化物の混合物の焼成時蒸気
によって表面処理する工程を含んでなることを特徴とし
た光電変換素子の製造方法。 ２、前記ＣｄＳｅを主成分とする光導電膜の光入射側の
表面と、ＣｄＳとＣｄのハロゲン化物の混合物よりなる
膜を対向配置せしめて熱処理することにより、上記光導
電膜の表面処理を行なうようになしたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60218631A JPS6278885A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 光電変換素子の製造方法 |
| DE19863632210 DE3632210A1 (de) | 1985-09-25 | 1986-09-23 | Verfahren zur herstellung eines photoelektrischen umwandlungsfilms |
| US06/910,875 US4759951A (en) | 1985-09-25 | 1986-09-23 | Heat-treating Cd-containing photoelectric conversion film in the presence of a cadmium halide |
| GB8622999A GB2183089B (en) | 1985-09-25 | 1986-09-24 | Process for producing photoelectric conversion film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60218631A JPS6278885A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6278885A true JPS6278885A (ja) | 1987-04-11 |
| JPH0476513B2 JPH0476513B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=16722975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60218631A Granted JPS6278885A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-30 | 光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6278885A (ja) |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60218631A patent/JPS6278885A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0476513B2 (ja) | 1992-12-03 |
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