JPS63137474A - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS63137474A JPS63137474A JP61284976A JP28497686A JPS63137474A JP S63137474 A JPS63137474 A JP S63137474A JP 61284976 A JP61284976 A JP 61284976A JP 28497686 A JP28497686 A JP 28497686A JP S63137474 A JPS63137474 A JP S63137474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion element
- film
- cds
- halide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 12
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 3
- -1 CdCl2) Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009388 chemical precipitation Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、たとえばファクシミリ文字画像の読み取り入
力装置などに好適に用いられる光電変換素子の製造方法
に関する。
力装置などに好適に用いられる光電変換素子の製造方法
に関する。
在米技術
従来上り、［−■族化合物半導体、特にＣｄ５（硫化カ
ドミウム）やＣｄ５ｅ（セレン化カドミウム）などを用
いた光電変換素子の９１３ＩＬ方法において、光導電膜
を活性化させる工程が重要である。光導電膜の活性化方
法として、ＣｄＳおよＶＣｄハロゲン化物などの活性化
粉末を陶製の覆いの内面に焼結膜として被着して、この
陶製の覆いの中に活性化熱処理すべき光導電膜を入れて
熱処理する方法、あるいは特公昭５８−４６１９４号に
開示されているように、気密または生気密容器の底部に
ＣｄＳ粉末とＣｄハロゲン化物の混合物を仮焼し、粉砕
した粉末を設置するとともに、この容器内に光導電膜を
設置して熱処理する方法などが知られている。
ドミウム）やＣｄ５ｅ（セレン化カドミウム）などを用
いた光電変換素子の９１３ＩＬ方法において、光導電膜
を活性化させる工程が重要である。光導電膜の活性化方
法として、ＣｄＳおよＶＣｄハロゲン化物などの活性化
粉末を陶製の覆いの内面に焼結膜として被着して、この
陶製の覆いの中に活性化熱処理すべき光導電膜を入れて
熱処理する方法、あるいは特公昭５８−４６１９４号に
開示されているように、気密または生気密容器の底部に
ＣｄＳ粉末とＣｄハロゲン化物の混合物を仮焼し、粉砕
した粉末を設置するとともに、この容器内に光導電膜を
設置して熱処理する方法などが知られている。
発明が解決すべき問題点
上述したような在米技術においては、たとえば前者の方
法では、活性化粉末を陶製の覆いの内面に焼結膜として
被着する作業が困難であり、再現性が悪いなどの問題点
があった。
法では、活性化粉末を陶製の覆いの内面に焼結膜として
被着する作業が困難であり、再現性が悪いなどの問題点
があった。
また後者の方法では、待ＩＩＩな気密あるいは半気密容
器を必要とし、また活性化蒸気のムラから、気密容器内
に多段に設置された活性化すべぎ光導電特性にムラが生
じる問題点があり、 さらにＣｄＳ、Ｃｄハロゲン化物
の１＠の使Ｊ′ｆｉ量が多量となってしまうなどの問題
点があった。
器を必要とし、また活性化蒸気のムラから、気密容器内
に多段に設置された活性化すべぎ光導電特性にムラが生
じる問題点があり、 さらにＣｄＳ、Ｃｄハロゲン化物
の１＠の使Ｊ′ｆｉ量が多量となってしまうなどの問題
点があった。
本発明の目的は、上述したような問題点を解決し、極め
て簡単な植成によって光電変換素子の活性化効率を向上
させ、かつ光導電特性の均一性および再現性を良くする
光電変換素子の製造方法を提供することである。
て簡単な植成によって光電変換素子の活性化効率を向上
させ、かつ光導電特性の均一性および再現性を良くする
光電変換素子の製造方法を提供することである。
問題、αを解決するための手段
本発明は、ＣｄＳとＣｄ５ｅとの混晶体から成る光導電
膜を備えた光電変換素子の製造方法において、 少なくともＣｄＳとＣｄＳｅとＣｄハロゲン化物とを含
む混合体であってＣｃｌＳとＣｄＳｅとの比が同一また
は異なる混合体を一対の基板上にそれぞれ同一面積で付
着させ、 前記各基板をそれぞれの混合体が対向するようにそれぞ
れ配置して、 活性化熱処理するような製造工程を含むことを特徴とす
る光電変換素子の５９ｍ方法である。
膜を備えた光電変換素子の製造方法において、 少なくともＣｄＳとＣｄＳｅとＣｄハロゲン化物とを含
む混合体であってＣｃｌＳとＣｄＳｅとの比が同一また
は異なる混合体を一対の基板上にそれぞれ同一面積で付
着させ、 前記各基板をそれぞれの混合体が対向するようにそれぞ
れ配置して、 活性化熱処理するような製造工程を含むことを特徴とす
る光電変換素子の５９ｍ方法である。
作 用
本発明に従えば、少なくともＣｄＳとＣｄＳｅとＣｄハ
ロゲン化物とを含む混合体を一対の基板上にそれぞれ略
同一面積となるように付着し、これらを対向配置し、熱
処理するようにしたので、Ｃｄハロゲン化物の蒸気が効
果的にかつ効率よく作用して活性化処理が行なわれる。
ロゲン化物とを含む混合体を一対の基板上にそれぞれ略
同一面積となるように付着し、これらを対向配置し、熱
処理するようにしたので、Ｃｄハロゲン化物の蒸気が効
果的にかつ効率よく作用して活性化処理が行なわれる。
実施例
第１図は本発明の一実施例の光電変換素子１の断面図で
ある。光電変換素子１は、ガラスなどがら成る基板２と
、後述するように形成される光導電膜３と、光導電Ｔｆ
４３上に対向して設けられる電極４．５とから構成され
る。このような植成を有する光？ｌ変換素子１の製造方
法について以下に詳述する。
ある。光電変換素子１は、ガラスなどがら成る基板２と
、後述するように形成される光導電膜３と、光導電Ｔｆ
４３上に対向して設けられる電極４．５とから構成され
る。このような植成を有する光？ｌ変換素子１の製造方
法について以下に詳述する。
前記光導電ａ３の原料であるＣｄＳおよゾＣｄＳｅの粒
体材料は、化学的析出法によって析出され、その平均粒
径は０．５μｍ程度である。このようなＣｄＳおよびＣ
ｄＳｅの粒体材料は、それぞれ別々にＣｕ Ｃ１２ある
いはＡＢＣ’ｌが不純物として添加され、不活性ガス雰
囲気中で焼成されて活性化処理される。
体材料は、化学的析出法によって析出され、その平均粒
径は０．５μｍ程度である。このようなＣｄＳおよびＣ
ｄＳｅの粒体材料は、それぞれ別々にＣｕ Ｃ１２ある
いはＡＢＣ’ｌが不純物として添加され、不活性ガス雰
囲気中で焼成されて活性化処理される。
このように予め活性化熱処理を施したＣｄＳｅ粉体とＣ
ｃｌＳ 粉体とをモル比で８対２に混合したものと、
ｃｄのハロゲン化物を１〜１０％、たとえばＣｄＣ１２
を５モル％と、 低融、直〃ラスフリントを少量と、エ
チルセルロースを含む適量のα−テルピネオールとを混
合して充分に分散する。このようにして、ペースト状の
塗膜用材料が形成される。上記ＣｄＣ１２は後述するよ
うに融剤として作用し、低融点ガラス７リツトは基板２
との密着性を高めるために混入され、α−テルピネオー
ルは、ペースト状となるように粘性を付与するためのも
のである。
ｃｌＳ 粉体とをモル比で８対２に混合したものと、
ｃｄのハロゲン化物を１〜１０％、たとえばＣｄＣ１２
を５モル％と、 低融、直〃ラスフリントを少量と、エ
チルセルロースを含む適量のα−テルピネオールとを混
合して充分に分散する。このようにして、ペースト状の
塗膜用材料が形成される。上記ＣｄＣ１２は後述するよ
うに融剤として作用し、低融点ガラス７リツトは基板２
との密着性を高めるために混入され、α−テルピネオー
ルは、ペースト状となるように粘性を付与するためのも
のである。
次に、上記塗膜用ペースト材料を基板２上に、いわゆる
スクリーン印刷法によって、たとえば３Ｉの幅でストラ
イブ状に塗布する。そして不活性ガスたとえばＮ２（窒
素）ガス雰囲気中で１００°Ｃの温度で３０分間乾燥さ
せる。そしてこのように塗膜された基板２と同様にして
作成された塗ｉ済基板２ａとを対向配置させる。
スクリーン印刷法によって、たとえば３Ｉの幅でストラ
イブ状に塗布する。そして不活性ガスたとえばＮ２（窒
素）ガス雰囲気中で１００°Ｃの温度で３０分間乾燥さ
せる。そしてこのように塗膜された基板２と同様にして
作成された塗ｉ済基板２ａとを対向配置させる。
第２図は、対向配置させた基板２と基板２ａとの斜視図
である。このとき基板２ａに塗布されているＷＸ２１ａ
の幅Ｗは３１ＩＩＩ１１であって、その長さＬａは、基
板２に塗布された膜２１の長さしと同じであり、したが
って模２１の塗布面積と膜２１ａの塗布面積とは同一と
なるように設けられている。
である。このとき基板２ａに塗布されているＷＸ２１ａ
の幅Ｗは３１ＩＩＩ１１であって、その長さＬａは、基
板２に塗布された膜２１の長さしと同じであり、したが
って模２１の塗布面積と膜２１ａの塗布面積とは同一と
なるように設けられている。
上述したように配置された基板２の膜２１と基板２ａの
７３４２ Ｌ ａとの間隔Ｈは、０．１−１０ｍｍの範
囲内となるように設定し、このように対向配置させた状
態で４５０℃〜５５０℃の温度で２時間熱処理する。こ
の熱処理の過程において ＣｄＣ１２が融斉框として働
き、ＣｄＳｅとＣｄＳとが混晶化しながら粒成長が行な
われる。このとき温度上昇に伴ない、前記１ｉ１２１
ａからＣｄＣｌ２の蒸気が発生し、ａ２１表面に当な１
７、［２１と気相反応して活性化処理が行なわれる。ｖ
４２１とｆ；４２１ ａとは同一面積で近接して対向し
ているので何記気相反応はＷＸ２１の全面に亘って均一
に行なわれる。そして最終的には平均粒径２〜３μ岳の
粒の集合１こよってＣｄ５ｏ、ｚ、Ｓ ｅＯ＊１１の混
晶体による光導電膜３が形成される。
７３４２ Ｌ ａとの間隔Ｈは、０．１−１０ｍｍの範
囲内となるように設定し、このように対向配置させた状
態で４５０℃〜５５０℃の温度で２時間熱処理する。こ
の熱処理の過程において ＣｄＣ１２が融斉框として働
き、ＣｄＳｅとＣｄＳとが混晶化しながら粒成長が行な
われる。このとき温度上昇に伴ない、前記１ｉ１２１
ａからＣｄＣｌ２の蒸気が発生し、ａ２１表面に当な１
７、［２１と気相反応して活性化処理が行なわれる。ｖ
４２１とｆ；４２１ ａとは同一面積で近接して対向し
ているので何記気相反応はＷＸ２１の全面に亘って均一
に行なわれる。そして最終的には平均粒径２〜３μ岳の
粒の集合１こよってＣｄ５ｏ、ｚ、Ｓ ｅＯ＊１１の混
晶体による光導電膜３が形成される。
次に前記光導電膜３上に、いわゆるリフトオフ法によっ
て電極４，５を形成する。電極４，５の対向間隔ｄは５
０μＩとし、電極４．５のそれぞれの幅は６０μｍであ
り、第１図の図面前後方向についてのピッチは１２５μ
ｍとした。このようにして作成された光電変換素子１の
電気光学的特性を第１表に示している。
て電極４，５を形成する。電極４，５の対向間隔ｄは５
０μＩとし、電極４．５のそれぞれの幅は６０μｍであ
り、第１図の図面前後方向についてのピッチは１２５μ
ｍとした。このようにして作成された光電変換素子１の
電気光学的特性を第１表に示している。
第１表において、立上り時応答速度τｒとは、光電変換
素子１に光が照射されて定常光電流の５０％の電流に達
するまでの時間であり、本実施例においては１ 、８
ｎ５ｅｃである。立下り応答速度τｆとは、光電変換素
子１に照射されていた光を遮断してから定常光電流の５
０％の値に滅貨するまでの時間であり、本実施例では０
．５５ｍ５ｅｃとなった。出力信号電流ｉｏの測定条件
は波長が５６５ ｎｍであって照度が５０ ｌｕｘの光
を照射したときの信号電流であり、本実施例では４０μ
Ａとなっている。。
素子１に光が照射されて定常光電流の５０％の電流に達
するまでの時間であり、本実施例においては１ 、８
ｎ５ｅｃである。立下り応答速度τｆとは、光電変換素
子１に照射されていた光を遮断してから定常光電流の５
０％の値に滅貨するまでの時間であり、本実施例では０
．５５ｍ５ｅｃとなった。出力信号電流ｉｏの測定条件
は波長が５６５ ｎｍであって照度が５０ ｌｕｘの光
を照射したときの信号電流であり、本実施例では４０μ
Ａとなっている。。
第３図は本実施例の光電変換素子１の分光感度特性を示
す図である。第３図より明らかなように、光電変換素子
１は５００ｎａ＋から７０θ数十ｎｍ＊での感度幅を有
し、実用上充分な性能を有している。
す図である。第３図より明らかなように、光電変換素子
１は５００ｎａ＋から７０θ数十ｎｍ＊での感度幅を有
し、実用上充分な性能を有している。
なお上記実施例では、対向配置させる基板２および基＠
２ ａ上の混合膜のＣｄＳとＣｄＳｅとの比を同一とし
たが、異なる比の混合体膜を基板上に形成するように成
してもよいことは言うまでもない。
２ ａ上の混合膜のＣｄＳとＣｄＳｅとの比を同一とし
たが、異なる比の混合体膜を基板上に形成するように成
してもよいことは言うまでもない。
効 果
以上のように本発明によれば、簡単な構成によって光導
電膜の活性化熱処理を行なうことができ、とくに光導電
膜同志を対向させて活性化熱処理する場合には、光導電
膜以外に活性化物質を必要とせずに、均一性および再現
性の高い光導電膜を備えた光電変換素子を作製すること
がで、きる。
電膜の活性化熱処理を行なうことができ、とくに光導電
膜同志を対向させて活性化熱処理する場合には、光導電
膜以外に活性化物質を必要とせずに、均一性および再現
性の高い光導電膜を備えた光電変換素子を作製すること
がで、きる。
Ｐｔ５１図は本発明の一実施例の光電変換素子１の断面
図、第２図は対向配置させた基板２と基板２ａとの斜視
図、ｐｔＳ３図は光電変換素子１の分光感度特性を示す
図である。 １・・・光電変換素子、２．２ａ・・・基板、３・・・
光導電膜、４，５・・・電極、２１．２１ａ・・・膜代
理人 弁理士 西教 圭一部 第１図 第２囚 手続補正書 昭和６２年 １月１２日
図、第２図は対向配置させた基板２と基板２ａとの斜視
図、ｐｔＳ３図は光電変換素子１の分光感度特性を示す
図である。 １・・・光電変換素子、２．２ａ・・・基板、３・・・
光導電膜、４，５・・・電極、２１．２１ａ・・・膜代
理人 弁理士 西教 圭一部 第１図 第２囚 手続補正書 昭和６２年 １月１２日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＣｄＳとＣｄＳｅとの混晶体から成る光導電膜を備えた
光電変換素子の製造方法において、 少なくともＣｄＳとＣｄＳｅとＣｄハロゲン化物とを含
む混合体であってＣｄＳとＣｄＳｅとの比が同一または
異なる混合体を一対の基板上にそれぞれ略同一面積で付
着させ、 前記各基板をそれぞれの混合体が対向するようにそれぞ
れ配置して、 活性化熱処理するような製造工程を含むことを特徴とす
る光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284976A JPS63137474A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284976A JPS63137474A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63137474A true JPS63137474A (ja) | 1988-06-09 |
Family
ID=17685517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61284976A Pending JPS63137474A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63137474A (ja) |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61284976A patent/JPS63137474A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4759951A (en) | Heat-treating Cd-containing photoelectric conversion film in the presence of a cadmium halide | |
| JPS63137474A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| EP0146967B1 (en) | Photoconductive target of image pickup tube and manufacturing method thereof | |
| KR900000534B1 (ko) | Cd₁_xZnxS 소결막의 제조방법 | |
| JP3640716B2 (ja) | ＣｄＳ超微結晶が存在してなる無機材料およびその製造方法ならびにそれを用いた光電気化学素子 | |
| JPH05251481A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61190989A (ja) | 光電変換膜の作製方法 | |
| JPS58118169A (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| Agnihotri et al. | Structural electrical and optical properties of CdSxSe1− x films | |
| JPS5935016A (ja) | 含水素シリコン層の製造方法 | |
| KR920008295B1 (ko) | 소결체 Cd₁-_XZn_XS/CdTe 태양 전지 제조 방법 | |
| JPH02143568A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPS6273679A (ja) | 光電変換膜の作製方法 | |
| JPS5948922A (ja) | 非晶質半導体 | |
| JPH03257972A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPS6293980A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPH07147421A (ja) | 焼結膜の製造方法 | |
| JPH0482066B2 (ja) | ||
| JPS62166575A (ja) | 受光素子の製造方法 | |
| JPS6124287A (ja) | 光導電性薄膜の製造方法 | |
| JPS6393168A (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JPS6295868A (ja) | 光電変換素子 | |
| JPS6278885A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPH0464192B2 (ja) | ||
| JPS6359270B2 (ja) |