JPH0730138A - ＣｄＳ焼結膜の製造方法 - Google Patents
ＣｄＳ焼結膜の製造方法Info
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- JPH0730138A JPH0730138A JP5154709A JP15470993A JPH0730138A JP H0730138 A JPH0730138 A JP H0730138A JP 5154709 A JP5154709 A JP 5154709A JP 15470993 A JP15470993 A JP 15470993A JP H0730138 A JPH0730138 A JP H0730138A
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- cds
- cdcl
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- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 平均粒径２〜３μｍのＣｄＳ粉末にＣｄＣｌ
2粉末および粘結剤を添加して作製されたペーストを、
ガラス基板上に塗布・焼結することによって形成された
ＣｄＳ焼結膜の局所的に光反射損として存在する粒界お
よびポアを少なくし、従来より高光透過率のＣｄＳ焼結
膜の製造方法を提供する。 【構成】 平均粒径の異なるＣｄＳもしくはＣｄとＳを
含む化合物半導体粉末Ａ１，微粉末Ｂ３（粒径：Ａ１＞
Ｂ３）において、平均粒径２〜３μｍの粉末Ａ１に平均
粒径０．１〜１μｍの微粉末Ｂ３およびＣｄＣｌ2２を
コーティングしたもの、または粉末Ａ１にＣｄＣｌ2２
のみをコーティングしたものに粘結剤を添加してペース
トを作製し、それをガラス基板上に塗布・焼結すること
によってＣｄＳ焼結膜を作製する。
2粉末および粘結剤を添加して作製されたペーストを、
ガラス基板上に塗布・焼結することによって形成された
ＣｄＳ焼結膜の局所的に光反射損として存在する粒界お
よびポアを少なくし、従来より高光透過率のＣｄＳ焼結
膜の製造方法を提供する。 【構成】 平均粒径の異なるＣｄＳもしくはＣｄとＳを
含む化合物半導体粉末Ａ１，微粉末Ｂ３（粒径：Ａ１＞
Ｂ３）において、平均粒径２〜３μｍの粉末Ａ１に平均
粒径０．１〜１μｍの微粉末Ｂ３およびＣｄＣｌ2２を
コーティングしたもの、または粉末Ａ１にＣｄＣｌ2２
のみをコーティングしたものに粘結剤を添加してペース
トを作製し、それをガラス基板上に塗布・焼結すること
によってＣｄＳ焼結膜を作製する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はII−VI族化合物半導体太
陽電池などに使用可能なＣｄＳ焼結膜の製造方法に関す
る。
陽電池などに使用可能なＣｄＳ焼結膜の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、II−VI族化合物半導体太陽電池の
ＰＮ接合を形成する各層を印刷・焼結方式によって作製
するＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の例が報告されている
（たとえば、日本、ジャーナル・アプライド・フィジッ
クス、Ｐａｒｔ１、Ｖｏｌ．２１、Ｎｏ．５、８００−
８０１、１９８２）。この報告によるＣｄＳ焼結膜は、
平均粒径２〜３μｍのＣｄＳ粉末に、融剤として必要な
ＣｄＣｌ2粉末および粘結剤とをたとえば石川式らいか
い機のような乳鉢内で混合・分散させてペースト状に
し、それをガラス基板上に印刷した後、所定温度で焼結
することにより形成されるものであった。
ＰＮ接合を形成する各層を印刷・焼結方式によって作製
するＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の例が報告されている
（たとえば、日本、ジャーナル・アプライド・フィジッ
クス、Ｐａｒｔ１、Ｖｏｌ．２１、Ｎｏ．５、８００−
８０１、１９８２）。この報告によるＣｄＳ焼結膜は、
平均粒径２〜３μｍのＣｄＳ粉末に、融剤として必要な
ＣｄＣｌ2粉末および粘結剤とをたとえば石川式らいか
い機のような乳鉢内で混合・分散させてペースト状に
し、それをガラス基板上に印刷した後、所定温度で焼結
することにより形成されるものであった。
【０００３】そして、特開平１−１７９７４３号公報
に、ガラス基板上に低抵抗のｎ型半導体層として第１の
層を形成し、その上に粒界の少ない高抵抗ｎ型半導体層
として第２の層を形成することにより、低抵抗でかつガ
ラス／ＣｄＳ界面の反射損の少ない太陽電池用ＣｄＳ焼
結膜を得るＣｄＳ焼結膜が開示されている。
に、ガラス基板上に低抵抗のｎ型半導体層として第１の
層を形成し、その上に粒界の少ない高抵抗ｎ型半導体層
として第２の層を形成することにより、低抵抗でかつガ
ラス／ＣｄＳ界面の反射損の少ない太陽電池用ＣｄＳ焼
結膜を得るＣｄＳ焼結膜が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな製造方法では、焼結の初期段階であるＣｄＳ粉末粒
子間の接触から始まる表面拡散において、平均粒径２〜
３μｍの単一の粒度分布をもったＣｄＳ粉末では、粉末
間の充填密度に限界があった。また、溶融したＣｄＣｌ
2がＣｄＳ粉末全体にわたって均一に広がり、ＣｄＳ粒
子間の焼結時のネック形成が均一に行われるためには、
たとえば石川式らいかい機のような乳鉢内での混合・分
散だけでは不十分であり、結果として焼結してできたＣ
ｄＳ膜には、局所的に光反射損として光透過率を低下さ
せる原因となる粒界およびポアが少なからず存在すると
いう課題があった。
うな製造方法では、焼結の初期段階であるＣｄＳ粉末粒
子間の接触から始まる表面拡散において、平均粒径２〜
３μｍの単一の粒度分布をもったＣｄＳ粉末では、粉末
間の充填密度に限界があった。また、溶融したＣｄＣｌ
2がＣｄＳ粉末全体にわたって均一に広がり、ＣｄＳ粒
子間の焼結時のネック形成が均一に行われるためには、
たとえば石川式らいかい機のような乳鉢内での混合・分
散だけでは不十分であり、結果として焼結してできたＣ
ｄＳ膜には、局所的に光反射損として光透過率を低下さ
せる原因となる粒界およびポアが少なからず存在すると
いう課題があった。
【０００５】本発明は上記課題を解決するもので、光反
射損の原因となる粒界およびポアが非常に少ない高光透
過率のＣｄＳ焼結膜の製造方法を提供することを目的と
している。
射損の原因となる粒界およびポアが非常に少ない高光透
過率のＣｄＳ焼結膜の製造方法を提供することを目的と
している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のＣｄＳ焼結膜の製造方法の第一の手段は、平
均粒径の異なるＣｄＳもしくはＣｄとＳを含む化合物半
導体粉末Ａ，微粉末Ｂ（粒径：Ａ＞Ｂ）において、平均
粒径の小なる微粉末Ｂを、ＣｄＣｌ2粉末とともに、平
均粒径の大なる粉末Ａにコーティングしてなるコーティ
ングＣｄＳ粉末と、粘結剤からなるＣｄＳペーストをガ
ラス基板上に塗布・焼結することによってＣｄＳ焼結膜
を作製するというものである。
に本発明のＣｄＳ焼結膜の製造方法の第一の手段は、平
均粒径の異なるＣｄＳもしくはＣｄとＳを含む化合物半
導体粉末Ａ，微粉末Ｂ（粒径：Ａ＞Ｂ）において、平均
粒径の小なる微粉末Ｂを、ＣｄＣｌ2粉末とともに、平
均粒径の大なる粉末Ａにコーティングしてなるコーティ
ングＣｄＳ粉末と、粘結剤からなるＣｄＳペーストをガ
ラス基板上に塗布・焼結することによってＣｄＳ焼結膜
を作製するというものである。
【０００７】また、本発明のＣｄＳ焼結膜の製造方法の
第二の手段は、ＣｄＳもしくはＣｄとＳを含む化合物半
導体粉末Ａに、ＣｄＣｌ2粉末をコーティングしてなる
ＣｄＣｌ2コーティングＣｄＳ粉末と、粘結剤からなる
ＣｄＳペーストをガラス基板上に塗布・焼結することに
よってＣｄＳ焼結膜を作製するというものである。
第二の手段は、ＣｄＳもしくはＣｄとＳを含む化合物半
導体粉末Ａに、ＣｄＣｌ2粉末をコーティングしてなる
ＣｄＣｌ2コーティングＣｄＳ粉末と、粘結剤からなる
ＣｄＳペーストをガラス基板上に塗布・焼結することに
よってＣｄＳ焼結膜を作製するというものである。
【０００８】
【作用】本発明は上記した平均粒径２〜３μｍのＣｄＳ
粉末Ａに、ＣｄＣｌ2粉末もしくはＣｄＣｌ2粉末と平均
粒径０．１〜１μｍのＣｄＳ微粉末Ｂをコーティングし
た構成により、ＣｄＣｌ2粉末のコーティングだけで
も、溶融したＣｄＣｌ2がＣｄＳ粉末全体にわたって均
一に広がり、均一な粒成長の成膜が可能となるが、さら
に微粉末ＣｄＳの微粉末Ｂのコーティングによって粉末
間の充填密度が増大し、焼結の反応性が高まり、ポアの
少ない焼結膜が作製される。すなわち、ＣｄＳ微粉末Ｂ
とＣｄＣｌ2双方のコーティングにより、ＣｄＳ微粉末
Ｂコーティングにともなう粒子間の気孔径が減少するこ
とで、溶融したＣｄＣｌ2は毛管引力の影響をより大き
く受けるようになり、焼結の反応性を高めると同時に均
一な成膜が可能となるのである。
粉末Ａに、ＣｄＣｌ2粉末もしくはＣｄＣｌ2粉末と平均
粒径０．１〜１μｍのＣｄＳ微粉末Ｂをコーティングし
た構成により、ＣｄＣｌ2粉末のコーティングだけで
も、溶融したＣｄＣｌ2がＣｄＳ粉末全体にわたって均
一に広がり、均一な粒成長の成膜が可能となるが、さら
に微粉末ＣｄＳの微粉末Ｂのコーティングによって粉末
間の充填密度が増大し、焼結の反応性が高まり、ポアの
少ない焼結膜が作製される。すなわち、ＣｄＳ微粉末Ｂ
とＣｄＣｌ2双方のコーティングにより、ＣｄＳ微粉末
Ｂコーティングにともなう粒子間の気孔径が減少するこ
とで、溶融したＣｄＣｌ2は毛管引力の影響をより大き
く受けるようになり、焼結の反応性を高めると同時に均
一な成膜が可能となるのである。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例のＣｄＳ焼結膜の製造
方法について図面を参照して説明する。
方法について図面を参照して説明する。
【００１０】（実施例１）本発明の実施例１について説
明する。本発明の実施例１の平均粒径２〜３μｍの高純
度ＣｄＳ粉末ＡにＣｄＳ微粉末Ｂ３およびＣｄＣｌ2２
がコーティングされたＣｄＳ粉末を示す図１において、
これは平均粒径２〜３μｍの高純度ＣｄＳ粉末Ａ１と平
均粒径０．１〜１μｍのＣｄＳ微粉末Ｂ３とＣｄＣｌ2
粉末２とをイオン交換水もしくは有機溶媒中で十分に混
合・分散したものを、液滴５が１０μｍぐらいになるよ
うにミスト状態と化し、それを乾燥することにより平均
粒径２〜３μｍの高純度ＣｄＳ粉末ＡにＣｄＳ微粉末Ｂ
３およびＣｄＣｌ2２がコーティングされた乾燥ＣｄＳ
粉末４を作製するものである。そして、このコーティン
グＣｄＳ粉末に適量のプロピレングリコールを粘結剤と
して加え、たとえば石川式らいかい機によって混練する
ことにより適当な粘度を備えたペーストを作製する。そ
して、これをスクリーン印刷機または描画印刷機によっ
てガラス基板上に塗布・成膜した後、Ｎ2雰囲気中にお
いて６９０℃で３０分焼成することによりＣｄＳ焼結膜
が形成される。図３にＣｄＳ微粉末Ｂのコーティング比
率（平均粒径２〜３μｍのＣｄＳ粉末Ａに対する重量
比）にともなうＣｄＳ焼結膜の光透過率を従来法による
ものと比較して示す。ＣｄＳ微粉末Ｂのコーティング比
率が２０％までは従来より光透過率が向上し、４０％を
越えると逆に低下する傾向にある。これはＣｄＳ微粉末
Ｂのコーティング比率が低い段階では、粉末間の充填密
度の向上とともにポアの少ない緻密な膜が形成された
が、コーティング比率が増大すると、微粉域の粒度が増
大することにより粒成長の促進が阻害されたためと考え
られる。
明する。本発明の実施例１の平均粒径２〜３μｍの高純
度ＣｄＳ粉末ＡにＣｄＳ微粉末Ｂ３およびＣｄＣｌ2２
がコーティングされたＣｄＳ粉末を示す図１において、
これは平均粒径２〜３μｍの高純度ＣｄＳ粉末Ａ１と平
均粒径０．１〜１μｍのＣｄＳ微粉末Ｂ３とＣｄＣｌ2
粉末２とをイオン交換水もしくは有機溶媒中で十分に混
合・分散したものを、液滴５が１０μｍぐらいになるよ
うにミスト状態と化し、それを乾燥することにより平均
粒径２〜３μｍの高純度ＣｄＳ粉末ＡにＣｄＳ微粉末Ｂ
３およびＣｄＣｌ2２がコーティングされた乾燥ＣｄＳ
粉末４を作製するものである。そして、このコーティン
グＣｄＳ粉末に適量のプロピレングリコールを粘結剤と
して加え、たとえば石川式らいかい機によって混練する
ことにより適当な粘度を備えたペーストを作製する。そ
して、これをスクリーン印刷機または描画印刷機によっ
てガラス基板上に塗布・成膜した後、Ｎ2雰囲気中にお
いて６９０℃で３０分焼成することによりＣｄＳ焼結膜
が形成される。図３にＣｄＳ微粉末Ｂのコーティング比
率（平均粒径２〜３μｍのＣｄＳ粉末Ａに対する重量
比）にともなうＣｄＳ焼結膜の光透過率を従来法による
ものと比較して示す。ＣｄＳ微粉末Ｂのコーティング比
率が２０％までは従来より光透過率が向上し、４０％を
越えると逆に低下する傾向にある。これはＣｄＳ微粉末
Ｂのコーティング比率が低い段階では、粉末間の充填密
度の向上とともにポアの少ない緻密な膜が形成された
が、コーティング比率が増大すると、微粉域の粒度が増
大することにより粒成長の促進が阻害されたためと考え
られる。
【００１１】なお本実施例では、コーティングされる粉
末としてＣｄＳ粉末が使われたが、ＣｄとＳを含む化合
物半導体粉末に、たとえばＺｎを混晶として含むＣｄＳ
粉末を用いることも無論可能である。
末としてＣｄＳ粉末が使われたが、ＣｄとＳを含む化合
物半導体粉末に、たとえばＺｎを混晶として含むＣｄＳ
粉末を用いることも無論可能である。
【００１２】（実施例２）次に本発明の実施例２のＣｄ
Ｃｌ2コーティングＣｄＳ粉末を示す。図２において、
平均粒径２〜３μｍの高純度のＣｄＳ粉末Ａ１とＣｄＣ
ｌ2粉末２をイオン交換水もしくは有機溶媒中で十分に
混合・分散したものを、液滴３が１０μｍぐらいになる
ようにミスト状態と化し、それを乾燥することによりＣ
ｄＣｌ2がコーティングされたＣｄＳ乾燥粉末６を作製
するものである。そして、このＣｄＣｌ2コーティング
ＣｄＳ粉末６に適量のプロピレングリコールを粘結剤と
して加え、たとえば石川式らいかい機によって混練する
ことにより適当な粘度を備えたペーストを作製する。そ
して、これをスクリーン印刷機または描画印刷機によっ
てガラス基板上に塗布・成膜した後、Ｎ2雰囲気中にお
いて６９０℃で３０分焼成することによりＣｄＳ焼結膜
が形成される。図４にＣｄＣｌ2コーティング比率（平
均粒径２〜３μｍのＣｄＳ粉末Ａに対する重量比）にと
もなうＣｄＳ焼結膜の光透過率を従来法によるものと比
較して示す。従来と同じＣｄＣｌ2量でも膜の光透過率
が向上しているが、これはコーティングにともない膜内
で均一な粒成長がおこなわれたためであり、また従来よ
り少ない８重量％でもほぼ同等の光透過率が得られたの
は、コーティングにともないＣｄＣｌ2の分散性が向上
したことに起因すると考えられる。
Ｃｌ2コーティングＣｄＳ粉末を示す。図２において、
平均粒径２〜３μｍの高純度のＣｄＳ粉末Ａ１とＣｄＣ
ｌ2粉末２をイオン交換水もしくは有機溶媒中で十分に
混合・分散したものを、液滴３が１０μｍぐらいになる
ようにミスト状態と化し、それを乾燥することによりＣ
ｄＣｌ2がコーティングされたＣｄＳ乾燥粉末６を作製
するものである。そして、このＣｄＣｌ2コーティング
ＣｄＳ粉末６に適量のプロピレングリコールを粘結剤と
して加え、たとえば石川式らいかい機によって混練する
ことにより適当な粘度を備えたペーストを作製する。そ
して、これをスクリーン印刷機または描画印刷機によっ
てガラス基板上に塗布・成膜した後、Ｎ2雰囲気中にお
いて６９０℃で３０分焼成することによりＣｄＳ焼結膜
が形成される。図４にＣｄＣｌ2コーティング比率（平
均粒径２〜３μｍのＣｄＳ粉末Ａに対する重量比）にと
もなうＣｄＳ焼結膜の光透過率を従来法によるものと比
較して示す。従来と同じＣｄＣｌ2量でも膜の光透過率
が向上しているが、これはコーティングにともない膜内
で均一な粒成長がおこなわれたためであり、また従来よ
り少ない８重量％でもほぼ同等の光透過率が得られたの
は、コーティングにともないＣｄＣｌ2の分散性が向上
したことに起因すると考えられる。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
ＣｄＳ焼結膜の製造方法によれば、平均粒径の異なるＣ
ｄＳもしくはＣｄとＳを含む化合物半導体粉末Ａ，微粉
末Ｂ（粒径：Ａ＞Ｂ）において、平均粒径の小なる微粉
末Ｂを、ＣｄＣｌ2粉末とともに、平均粒径の大なる粉
末ＡにコーティングしてなるコーティングＣｄＳ粉末
と、粘結剤からなるＣｄＳペーストをガラス基板上に塗
布・焼結することによって作製するかまたは、ＣｄＳも
しくはＣｄとＳを含む化合物半導体粉末Ａに、ＣｄＣｌ
2粉末をコーティングしてなるＣｄＣｌ2コーティングＣ
ｄＳ粉末と、粘結剤からなるＣｄＳペーストをガラス基
板上に塗布・焼結することによって作製することによ
り、粒界およびポアの少ない均一なＣｄＳ焼結膜の成膜
が可能となる。すなわち、塗布・焼結型ＣｄＳ／ＣｄＴ
ｅ太陽電池において、Ｎ型半導体であり、かつ透明電極
としての役割を果たすＣｄＳ膜の光透過率の向上に大き
な効果をもたらすものである。
ＣｄＳ焼結膜の製造方法によれば、平均粒径の異なるＣ
ｄＳもしくはＣｄとＳを含む化合物半導体粉末Ａ，微粉
末Ｂ（粒径：Ａ＞Ｂ）において、平均粒径の小なる微粉
末Ｂを、ＣｄＣｌ2粉末とともに、平均粒径の大なる粉
末ＡにコーティングしてなるコーティングＣｄＳ粉末
と、粘結剤からなるＣｄＳペーストをガラス基板上に塗
布・焼結することによって作製するかまたは、ＣｄＳも
しくはＣｄとＳを含む化合物半導体粉末Ａに、ＣｄＣｌ
2粉末をコーティングしてなるＣｄＣｌ2コーティングＣ
ｄＳ粉末と、粘結剤からなるＣｄＳペーストをガラス基
板上に塗布・焼結することによって作製することによ
り、粒界およびポアの少ない均一なＣｄＳ焼結膜の成膜
が可能となる。すなわち、塗布・焼結型ＣｄＳ／ＣｄＴ
ｅ太陽電池において、Ｎ型半導体であり、かつ透明電極
としての役割を果たすＣｄＳ膜の光透過率の向上に大き
な効果をもたらすものである。
【図１】本発明の実施例１に用いた、ＣｄＳ粉末ＡにＣ
ｄＳ微粉末ＢおよびＣｄＣｌ2がコーティングされたＣ
ｄＳ粉末の略図
ｄＳ微粉末ＢおよびＣｄＣｌ2がコーティングされたＣ
ｄＳ粉末の略図
【図２】本発明の実施例２に用いた、ＣｄＳ粉末ＡにＣ
ｄＣｌ2がコーティングされたＣｄＳ粉末の略図
ｄＣｌ2がコーティングされたＣｄＳ粉末の略図
【図３】本発明の実施例１に用いた、ＣｄＳ微粉末Ｂの
コーティング比率（ＣｄＳ粉末Ａに対する重量比）とＣ
ｄＳ焼結膜の光透過率との関係を示すグラフ
コーティング比率（ＣｄＳ粉末Ａに対する重量比）とＣ
ｄＳ焼結膜の光透過率との関係を示すグラフ
【図４】本発明の実施例２に用いた、ＣｄＣｌ2のコー
ティング比率（ＣｄＳ粉末Ａに対する重量比）とＣｄＳ
焼結膜の光透過率との関係を示すグラフ
ティング比率（ＣｄＳ粉末Ａに対する重量比）とＣｄＳ
焼結膜の光透過率との関係を示すグラフ
１ ＣｄＳ粉末Ａ（平均粒径：２〜３μｍ） ２ ＣｄＣｌ2 ３ ＣｄＳ微粉末Ｂ（平均粒径：０．１〜１μｍ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 室園 幹夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 平均粒径の異なるＣｄＳもしくはＣｄと
Ｓを含む化合物半導体粉末Ａ，微粉末Ｂ（粒径：Ａ＞
Ｂ）において、平均粒径の小なる微粉末Ｂを、ＣｄＣｌ
2粉末とともに、平均粒径の大なる粉末Ａにコーティン
グしてなるコーティングＣｄＳ粉末と、粘結剤からなる
ＣｄＳペーストをガラス基板上に塗布・焼結するＣｄＳ
焼結膜の製造方法。 - 【請求項２】 粉末Ａの平均粒径が２〜３μｍ、微粉末
Ｂの平均粒径が０．１〜１μｍである請求項１記載のＣ
ｄＳ焼結膜の製造方法。 - 【請求項３】 粉末Ａに対する微粉末Ｂの重量比が４０
％以下で、かつ粉末Ａに対するＣｄＣｌ2粉末の重量比
が１０〜２０％の割合でコーティングする請求項１記載
のＣｄＳ焼結膜の製造方法。 - 【請求項４】 平均粒径の小なる微粉末ＢをＣｄＣｌ2
粉末とともに、平均粒径の大なる粉末Ａにコーティング
する際に、前記粉末Ａと前記微粉末Ｂと前記ＣｄＣｌ2
粉末をイオン交換水もしくは有機溶媒中で混合・分散し
たものをミスト状態と化し、それを乾燥することによっ
てコーティングＣｄＳ粉末を作製する請求項１記載のＣ
ｄＳ焼結膜の製造方法。 - 【請求項５】 平均粒径の異なるＣｄＳもしくはＣｄと
Ｓを含む化合物半導体粉末Ａ，微粉末ＢとＣｄＣｌ2粉
末をイオン交換水もしくは有機溶媒中で混合・分散した
ものをミスト状態と化した液滴の直径が２０μｍ以下で
ある請求項４記載のＣｄＳ焼結膜の製造方法。 - 【請求項６】 ＣｄＳもしくはＣｄとＳを含む化合物半
導体粉末Ａに、ＣｄＣｌ2粉末をコーティングしてなる
ＣｄＣｌ2コーティングＣｄＳ粉末と、粘結剤からなる
ＣｄＳペーストをガラス基板上に塗布・焼結することに
よって作製するＣｄＳ焼結膜の製造方法。 - 【請求項７】 粉末Ａの平均粒径が２〜３μｍである請
求項６記載のＣｄＳ焼結膜の製造方法。 - 【請求項８】 ＣｄＳもしくはＣｄとＳを含む化合物半
導体粉末にコーティングするＣｄＣｌ2粉末の割合が、
重量比で１０〜２０％である請求項６記載のＣｄＳ焼結
膜の製造方法。 - 【請求項９】 ＣｄＳもしくはＣｄとＳを含む化合物半
導体粉末にＣｄＣｌ2粉末をコーティングする際に、前
記ＣｄＳもしくはＣｄとＳを含む化合物半導体粉末と前
記ＣｄＣｌ2粉末をイオン交換水もしくは有機溶媒中で
混合・分散したものをミスト状態と化し、それを乾燥す
ることによってＣｄＣｌ2コーティングＣｄＳ粉末を作
製する請求項６記載のＣｄＳ焼結膜の製造方法。 - 【請求項１０】 ＣｄＳもしくはＣｄとＳを含む化合物
半導体粉末とＣｄＣｌ 2粉末をイオン交換水もしくは有
機溶媒中で混合・分散したものをミスト状態と化した液
滴の直径が２０μｍ以下である請求項９記載のＣｄＳ焼
結膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154709A JPH0730138A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | ＣｄＳ焼結膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154709A JPH0730138A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | ＣｄＳ焼結膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730138A true JPH0730138A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15590249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5154709A Pending JPH0730138A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | ＣｄＳ焼結膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730138A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007126357A (ja) * | 2007-01-22 | 2007-05-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 球状無機質超微粉末の製造方法 |
| WO2011118203A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | 株式会社クラレ | 化合物半導体粒子組成物、化合物半導体膜とその製造方法、光電変換素子、及び太陽電池 |
| US10179347B2 (en) | 2013-08-09 | 2019-01-15 | Gyung Woon LEE | Vibration generating device |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP5154709A patent/JPH0730138A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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