JPS6293933A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents

電子ビ−ム露光方法

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JPS6293933A
JPS6293933A JP23471085A JP23471085A JPS6293933A JP S6293933 A JPS6293933 A JP S6293933A JP 23471085 A JP23471085 A JP 23471085A JP 23471085 A JP23471085 A JP 23471085A JP S6293933 A JPS6293933 A JP S6293933A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
size
pattern
memory
shot
shots
Prior art date
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Pending
Application number
JP23471085A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Kai
甲斐 潤一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6293933A publication Critical patent/JPS6293933A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔4既要〕 可変矩形電子ビーム露光方式において、パターン内を同
一のショットサイズで描画(等分割描画)するに際し、
従来はパターンサイズをアドレスとしてショットサイズ
のデータのみをメモリに格納していたが、ここではさら
にショット回数のデータもメモリに格納してパターン発
生回路の高速化と、簡単化をはかる。
また、さらにショソI・ピッチのデータも追加してメモ
リに格納し、斜線を有するパターン描画のスルーブソl
−を向上する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は可変矩形電子ビーム露光方式における、等分割
描画方法に関する。
近年、電子ビーム露光は集積回路等微細パターンの半導
体装置の製造において、ウェハ上に直接パターンを描画
する場合や、あるいはマスクパターン形成用に多用され
るようになった。
等分割描画方法はショットサイズの整数倍がパターンサ
イズとなるように、ショットサイズとショット回数を決
め、ショットは蛇行走査、あるいはTV走査(1方向走
査)を行ってパターンを塗り潰してゆく方法である。
すなわち、等分割描画方法は位置に対応してパターンサ
イズが決まり、パターン描画前にパターンサイズに対応
してシヨ・7トサイズを決めておけば、あとは位置決め
の偏向だけでパターン形成ができる。位置決めの偏向は
、ショットサイズを変える可変矩形ビームのスリットサ
イズを変えるスリ、ト偏向(等分−;II R,J、測
方法でないときに必要となる)より高速制御が可能であ
る。
最近、775画パターンが微細化される(描画パターン
の線幅が小さくなる)乙こともない、う/ヨツトサイズ
も小さくなり、従って1つのパターンを形成するための
シラノ1−回数は多くなり、パターン発生回路の演算に
時間がかかり(持にジヨ・7)サイズのLSBを細かく
持一つ、すなわち端数整理のだめの少数点以下のイj効
数字を多くとる場合)、また累積誤差が増え、時には1
回余分にショットする等の障害を生じ、改善が望まイ1
.ている。
〔従来の技i1’i ’] 第2図はXY座標上の矩形パターンの等分割描画を説明
する図である。
図において、XY座標上の位置、パターン始点(XzY
+)にパターンサイズ(X2.YZ)の矩形パターンを
等分、■のショットサイズ(XS、YS)で6回のショ
ットにより(苗画する。
この場合、 Xs−Xz/ 3 、    YS−Y2/ 2 。
である。
第3図(11、(2)はそれぞれ従来例の等分割露光方
法を説明するブロック図と流れ図である。
第3図(1)において、■、2はパターンメモリで、1
はX軸メモリ、2はY軸メモリでそれぞれパターンサイ
ズ(X、、YZ)をアドレスとしている。
パターン始点(XzY+)  と、パターンサイズ(X
z、Yz)が与えられると、パターンサイズ(X2.Y
、)に対応したショットサイズ(X、、Y、)がパター
ンメモリより求まり、レジスタ5.6に送られる。
また、パターンサイズ(X2.YZ)はレジスタ3.4
に送られる。
レジスタ3.5、およびレジスタ4.6より入力される
減算器7、および8において、X2  NX’XS≦0
.・・・(11Y2−Nア・Y8≦O4・・・(2) の条件が満足されるまでショットされ、パターンが描画
される。
ショットの走査は、パターン始点(X、、Y、)よりX
方向に x、−NX−Xs>O。
の間はショク1−が続けられて(1)式が満足されると
、Y方向に1ピノ−y−進み、同様にしてX方向の走査
を繰り返して、 YZ  Ny・YS>O。
の間はショットが続けられて、最終的に(2)入力<?
、ぬ足されるまでショットを行う。
第3図(2)は、上記の順序を流れ図で表したもので、
まずパターンメモリをパターンサイズ(X2.YZ) 
 でアクセスして、ショットサイズ(XS、YS)を求
める。
その後、X軸、Yllilllのそれぞれについて、上
記の走査の順序に従って判定を繰り返してシヨ・7トを
行う。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の等分割露光方法においては、パターン発生回路は
1シコソトごとに減算器を用いて上記の描画条件を判定
するため、回路が複雑になり高速描画が困難になる。
また、斜線を有するパターン描画においては、細分割さ
れた短冊状パターンで近似する関係上、できるだ&−t
 IIいショットサイズを発生しなければならず、従っ
て多めに露光■を与えるため、スループ、トは低下する
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点の解決は、パターン内を同一のショットサイ
ズで描画する等分割描画方式において、パターンサイズ
(X2、YZ)をアドレスとして、↓亥パターンの大き
さ(X2、YZ)に対応して設定されるショットサイズ
(χs、Ys)  と、ショット回数(NX、NY)と
をメモリに格納して、パターン描画中にカウントされる
X方向、Y方向それぞれのショット数(NXC,NYC
)が前記メモリに設定されたショット回tt!1.(N
X、NY)に合致するまでシ、ヨツトを継続する本発明
による電子ビーム露光方法、および パターンサイズ(Xzsc 、Yz)をアドレスとして
、該パターンの大きさ(X2、YZ)に対応して設定さ
れるショク1−サイズ(XS、YS) と、ノヨソト回
数(NX、Nv)  と、ソヨノトピソチ(Xr、Yp
)  とをノそりに格納して、該ショットサイズ(XS
、YS)  と該ショットピッチ(Xp、b)  とを
異なる値に設定し、かつパターン描画中にカウントされ
るX方向、Y方向そ托ぞれのショット数(Nイ。、Lc
)が前記メモリに設定されたショット回数(Nx、JJ
y)に合致するまでショソI・を継続する本発明による
電子ビーム露光方法により達成される。
〔作用〕
本発明はパターンメモリにンヨノトナイズ(XS、YS
)  と、シヨ’)ト回数(i+x+ NJ  とを同
時に持ち、パターン描画中のショット回数をカウンタで
数え、前記メモリに格納したショット回数(NX、NY
)までショットを行う。
このようにすると、パターン発生回路は従来例の減算回
路の代わりにカウンタ回路のみでよいから、回路は簡単
となり、高速描画が可能となる。
さらに、ショットピッチ(XP、YP) も追加してメ
モリに格納し、重ね露光を行えるようにして、斜線を有
するパターン描画のスループットを向上することができ
る。
〔実施例〕
第1図(1)、(2)はそれぞれ第1の発明の等分割露
光方法を説明するブロック図と流れ図である。
第1図(1)において、IL 12はパターンメモリで
、11はX軸メモリ、12はY軸メモリでそれぞれパタ
ーンサイズ(X2、YZ)をアドレスとしている。
パターン始点(X + 、 y + ) と、パターン
サイズ(X2、YZ)が与えられると、パターンサイズ
(Xz、Yz)に対応したショットサイズ(XS、YS
)とショット回数(Nx、’Ny)  とがパターンメ
モリより求まり、ショット回数(NX、NY)  はカ
ウンタ15.16に送られる。
また、パターンサイズ(X2、YZ)はレジスタ13.
14に送られる。
クロック(CLK)が入るごとに、レジスタ13のショ
ットサイズX、が出ノjされ、カウンタ15においてカ
ランI・されるショット数11xcはNXよりカウント
ダウンしてゆき0になったら、カウンタ16が動いてY
方向に1ビソヂ進み、また同十pにしてカウントを続け
なからX方向のショットを行う。
以上の動作を操り返し、レジスタ13.15、およびカ
ウンタ14.16において、 Nx  1)xc=o、  H+ ・(31Ny  N
vc=O,・・14) の条件が満足されるまでショットされ、パターンが描画
される。
ショットの走査は、パターン始点(XzY+)よりX方
向に Nx  NXc>O。
の間はショットが続りられて(3)式が満足されると、
Y方向に1ピッチ進み、同様にしてX方向の走査を繰り
返して、 Nv  Nvc>0゜ の間はンヨノトが続けられて、凪終的に(4)式が満足
されるまでンヨ71−を行う。
第1図(2)は、上記の1llfI序を流れ図で表した
もので、まずパターンメモリをパターンサイズ(X2.
Y2)でアクセスして、ショットサイズ(XS、YS)
 とショット回b (NX、 NY) とを求める。
その後、X軸、V軸のそれぞれについて、上記の走査の
順序に従って判定を繰り返してショットを行う。
つぎ;二第2の発明の実力缶例について述べる。
第4・1図はショノトザ・イズと、ショットピッチの関
係を説明する図である。
従来例の第3図、および第1の発明の第1図の例におい
ては、ショットサイズ(XS、YS) と、ショットピ
ッチ(X、、YP)は等しかったが、この図のように重
ね露光を行うとき5よ、両者の値は異なる。
従って、第2の発明は、第1の発明に追加してショノI
−ピンチもメモリに入れておくことにより、重ね露光を
可能としたものである。
第5図(1)、(2)は三角形の描画を説明する図であ
る。
第5図(11は通常の露光の場合で、三角形や、平行四
辺形のように斜線を含む図形の描画は、短冊上の細いパ
ターンに分割して行う。このとき、細いジョントリ・イ
ズが発生するため、多めの露光を必要とし露光時間が長
くなる。
第5図(2)は第2の発明による重ね露光の場合で、シ
ヨ・7ト書ナイズを図のように重ねることにより比較的
太いショットサイズのビームで描画ができ、スルーブノ
1−が向上する。
〔発明の効果〕
以−ヒ詳細に説明したように本発明によれば、パターン
発生回路は節単になり高速描画が可能になる。
また、斜線を有するパターン描画のスループットは向上
する。
【図面の簡単な説明】
第1図(1)、(2)はそれぞれ第1の発明の等分割露
光方法を説明するブロック図と流れ図、第2図はXY座
標上の矩形パターンの等分1−゛す描画を説明する図、 第3図(1)、(2)はそれぞれ従来例の等分割露光方
法を説明するブロック図と流れ図、 第4図はショットサイズと、ショットピッチの関係を説
明する図、 第5図(1)、(2)は三角形の描画を説明する図であ
る。 図において、 11.12はパターンメモリ、 13.1・1はレジスタ、 15.16はカウンタ (XI、Yl)はパターン始点、 (X2.Y2) はパターンサイズ、 (X、、Y、)はショットサイズ、 (Nx、NJ はンヨソト回数、 (Nxc、NyC)はショット数 (ショットカウント)、 (XP、YP)はショ、l、ピッチ /2. rm〆−fヒ、lノ 年1のを期と銘期jろプロ・72図上流れ図竿 1 圀 犬巨形バターレ0)名兇f3河口 萎 2 口 卑 3 に ジョ・・ノトナイズとシつットピ1,7セー0悦り耳費
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Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)パターン内を同一のショットサイズで描画する等
    分割描画方式において、 パターンサイズ(X_2、Y_2)をアドレスとして、
    該パターンの大きさ(X_2、Y_2)に対応して設定
    されるショットサイズ(X_S、Y_S)と、ショット
    回数(N_X、N_Y)とをメモリに格納して、パター
    ン描画中にカウントされるX方向、Y方向それぞれのシ
    ョット数(N_X_C、N_Y_C)が前記メモリに設
    定されたショット回数(N_X、N_Y)に合致するま
    でショットを継続することを特徴とする電子ビーム露光
    方法。
  2. (2)パターン内を同一のショットサイズで描画する等
    分割描画方式において、 パターンサイズ(X_2_S_C、Y_2)をアドレス
    として、該パターンの大きさ(X_2、Y_2)に対応
    して設定されるショットサイズ(X_S、Y_S)と、
    ショット回数(N_X、N_Y)と、ショットピッチ(
    X_P、Y_P)とをメモリに格納して、該ショットサ
    イズ(X_S、Y_S)と該ショットピッチ(X_P、
    Y_P)とを異なる値に設定し、かつパターン描画中に
    カウントされるX方向、Y方向それぞれのショット数(
    N_X_C、N_Y_C)が前記メモリに設定されたシ
    ョット回数(N_X、N_Y)に合致するまでショット
    を継続することを特徴とする電子ビーム露光方法。
JP23471085A 1985-10-21 1985-10-21 電子ビ−ム露光方法 Pending JPS6293933A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5489579A (en) * 1977-12-27 1979-07-16 Toshiba Corp Electron ray exposure system
JPS5549418A (en) * 1978-10-06 1980-04-09 Nippon Kokan Kk <Nkk> Ice crusher for structure in freeze-up waters

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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