JPH11329958A - 荷電粒子線露光装置 - Google Patents
荷電粒子線露光装置Info
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- JPH11329958A JPH11329958A JP11020216A JP2021699A JPH11329958A JP H11329958 A JPH11329958 A JP H11329958A JP 11020216 A JP11020216 A JP 11020216A JP 2021699 A JP2021699 A JP 2021699A JP H11329958 A JPH11329958 A JP H11329958A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 別々のパターンデータを作成しなくても露光
方向が変更可能な荷電粒子露光装置を提供する。 【解決手段】 制御コンピュータ１はステージ制御系５
に対し、レチクルステージ、ウェハステージに対するそ
れぞれの移動命令を出力し、同時に露光制御系２に対し
ストライプ露光命令を出力する。この時のストライプ露
光命令には付随パラメータとして正方向の露光、又は逆
方向の露光指示を示す正逆フラグが添付される。データ
メモリ制御系３は、その中のデータメモリに記憶された
露光制御データを、正方向露光、逆方向露光に応じて異
なる方式で取り出し、補正制御系４に与える。これによ
り、同じデータメモリを使用しても、データの取出し方
を変えているので、両方向の露光方式に対応できる。
方向が変更可能な荷電粒子露光装置を提供する。 【解決手段】 制御コンピュータ１はステージ制御系５
に対し、レチクルステージ、ウェハステージに対するそ
れぞれの移動命令を出力し、同時に露光制御系２に対し
ストライプ露光命令を出力する。この時のストライプ露
光命令には付随パラメータとして正方向の露光、又は逆
方向の露光指示を示す正逆フラグが添付される。データ
メモリ制御系３は、その中のデータメモリに記憶された
露光制御データを、正方向露光、逆方向露光に応じて異
なる方式で取り出し、補正制御系４に与える。これによ
り、同じデータメモリを使用しても、データの取出し方
を変えているので、両方向の露光方式に対応できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子線等の荷電粒子
線により、試料上にLSIパターン等を描画する荷電粒子
線露光装置に関するものであり、更に詳しくは、ステー
ジ連続移動型の荷電粒子露光装置であって、ストライプ
内の露光順序が変更可能なものに関するものである。
線により、試料上にLSIパターン等を描画する荷電粒子
線露光装置に関するものであり、更に詳しくは、ステー
ジ連続移動型の荷電粒子露光装置であって、ストライプ
内の露光順序が変更可能なものに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のステージ連続移動方式の荷電粒子
線露光装置での露光順序について図８に従い説明する。
図８(a)はウェハ上のチップを表す。ステージ連続移動
方式の荷電粒子線露光装置では、一般に図８(b)に示す
ように、各チップは複数のストライプ（図では４本のス
トライプ）に分割される。このストライプの幅は荷電粒
子線の偏向可能な距離により決定されている。
線露光装置での露光順序について図８に従い説明する。
図８(a)はウェハ上のチップを表す。ステージ連続移動
方式の荷電粒子線露光装置では、一般に図８(b)に示す
ように、各チップは複数のストライプ（図では４本のス
トライプ）に分割される。このストライプの幅は荷電粒
子線の偏向可能な距離により決定されている。
【０００３】ステージ連続移動露光方式の荷電粒子線露
光装置では、一般的に図８(b)に示される順序でストラ
イプ毎に反対方向から露光が行われる。つまり、ステー
ジ（分割転写方式の装置では、レチクルステージ、ウェ
ハステージ双方であり、可変成形露光装置やブロック露
光装置では試料ステージのみ）はストライプ毎に逆方向
に移動することにより、ストライプ間のステージの折り
返し時間を最少化し、スループットを向上させるような
構成となっている。また、パターンデータも上記一般的
な露光順序に合わせて作成され、（すなわち、ストライ
プ毎に逆方向から作成され）固定化されている。
光装置では、一般的に図８(b)に示される順序でストラ
イプ毎に反対方向から露光が行われる。つまり、ステー
ジ（分割転写方式の装置では、レチクルステージ、ウェ
ハステージ双方であり、可変成形露光装置やブロック露
光装置では試料ステージのみ）はストライプ毎に逆方向
に移動することにより、ストライプ間のステージの折り
返し時間を最少化し、スループットを向上させるような
構成となっている。また、パターンデータも上記一般的
な露光順序に合わせて作成され、（すなわち、ストライ
プ毎に逆方向から作成され）固定化されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、荷電粒子線
露光装置ではパターンデータに従い露光するさいに、補
正演算を行うための演算時間や、偏向器をドライブする
時間等、多数の遅れ要素が存在するため、通常フィード
フォワード制御を行っている。もし、フィードフォワー
ド制御が正常に動作しない場合には、隣接するストライ
プ間をお互い逆方向に露光すると、ストライプ間のつな
ぎ精度は非常に悪化する。
露光装置ではパターンデータに従い露光するさいに、補
正演算を行うための演算時間や、偏向器をドライブする
時間等、多数の遅れ要素が存在するため、通常フィード
フォワード制御を行っている。もし、フィードフォワー
ド制御が正常に動作しない場合には、隣接するストライ
プ間をお互い逆方向に露光すると、ストライプ間のつな
ぎ精度は非常に悪化する。
【０００５】本発明はこのような問題点を解決するため
になされたものであり、ストライプ間のつなぎ精度を高
くすることの可能な荷電粒子線露光装置を提供すること
を課題とする。
になされたものであり、ストライプ間のつなぎ精度を高
くすることの可能な荷電粒子線露光装置を提供すること
を課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する第１
の手段は、ステージ連続移動方式の荷電粒子線露光装置
であって、各ストライプ内の露光順序として、データ配
列順に露光する場合と、データ配列順の逆方向から露光
する場合とを、選択可能としたことを特徴とする荷電粒
子線露光装置（請求項１）である。
の手段は、ステージ連続移動方式の荷電粒子線露光装置
であって、各ストライプ内の露光順序として、データ配
列順に露光する場合と、データ配列順の逆方向から露光
する場合とを、選択可能としたことを特徴とする荷電粒
子線露光装置（請求項１）である。
【０００７】本手段によれば、つなぎ精度を高くしたい
場合には、ストライプを同一方向のみから露光するた
め、フィードフォワード制御が多少正常に作動しない場
合でも、ストライプのつなぎ精度を向上させることがで
きる。すなわち、つなぎ精度（露光精度）は若干落とし
ても、より高いスループットを得たい場合には、図１
(a)に示すように、隣接ストライプの露光方向を逆にし
て露光し、より高いつなぎ精度（露光精度）が必要な場
合には、図１(b)、(c)に示す如く、全てのストライプに
対して同一方向から露光を行うように、露光方法を切り
換えることができる。
場合には、ストライプを同一方向のみから露光するた
め、フィードフォワード制御が多少正常に作動しない場
合でも、ストライプのつなぎ精度を向上させることがで
きる。すなわち、つなぎ精度（露光精度）は若干落とし
ても、より高いスループットを得たい場合には、図１
(a)に示すように、隣接ストライプの露光方向を逆にし
て露光し、より高いつなぎ精度（露光精度）が必要な場
合には、図１(b)、(c)に示す如く、全てのストライプに
対して同一方向から露光を行うように、露光方法を切り
換えることができる。
【０００８】前記課題を解決するための第２の手段は、
前記第１の手段であって、データ配列順に露光する場合
と、データ配列順の逆方向から露光する場合とで、パタ
ーンデータの読み出し順序を変えることにより、露光動
作を行う機能を有することを特徴とするもの（請求項
２）である。
前記第１の手段であって、データ配列順に露光する場合
と、データ配列順の逆方向から露光する場合とで、パタ
ーンデータの読み出し順序を変えることにより、露光動
作を行う機能を有することを特徴とするもの（請求項
２）である。
【０００９】従来の露光方式では、露光順序は、パター
ンデータの配列順序により決定されていたため、前記第
１の手段を実施するためには、露光順序毎に別々のパタ
ーンデータを作製する必要があった。しかしながら、こ
のパターンデータは、通常、データ変換装置により作製
されるため、変換時間が非常に長くなってしまうという
問題点を有していた。本手段においては、ストライプ内
のパターンデータの配列としては１種類のみを用意して
おき、隣り合うストライプを互いに逆方向に露光する場
合と、同一方向に露光する場合とで、このデータの読み
出し順序を変えて、読み出したデータに基づいて露光を
行う。よって、一つのデータのみで、異なった露光方式
に対応可能である。よって、データの変換時間が長くな
るという問題点を回避することができる。
ンデータの配列順序により決定されていたため、前記第
１の手段を実施するためには、露光順序毎に別々のパタ
ーンデータを作製する必要があった。しかしながら、こ
のパターンデータは、通常、データ変換装置により作製
されるため、変換時間が非常に長くなってしまうという
問題点を有していた。本手段においては、ストライプ内
のパターンデータの配列としては１種類のみを用意して
おき、隣り合うストライプを互いに逆方向に露光する場
合と、同一方向に露光する場合とで、このデータの読み
出し順序を変えて、読み出したデータに基づいて露光を
行う。よって、一つのデータのみで、異なった露光方式
に対応可能である。よって、データの変換時間が長くな
るという問題点を回避することができる。
【００１０】前記課題を解決するための第３の手段は、
前記第１の手段又は第２の手段であって、１ストライプ
を構成するデータとして、１ストライプ内のサブフィー
ルド個数と、各サブフィールドの固有データとを記憶し
た記憶装置を有することを特徴とする（請求項３）であ
る。
前記第１の手段又は第２の手段であって、１ストライプ
を構成するデータとして、１ストライプ内のサブフィー
ルド個数と、各サブフィールドの固有データとを記憶し
た記憶装置を有することを特徴とする（請求項３）であ
る。
【００１１】本手段においては、各ストライプの固有デ
ータの他に、１ストライプ内のサブフィールド個数が記
憶されているので、これに基づいて、ストライプデータ
の順方向、逆方向からの読み出しが可能となり、容易
に、請求項１又は請求項２に記載した装置の動作を実現
することができる。
ータの他に、１ストライプ内のサブフィールド個数が記
憶されているので、これに基づいて、ストライプデータ
の順方向、逆方向からの読み出しが可能となり、容易
に、請求項１又は請求項２に記載した装置の動作を実現
することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の例を
図を用いて説明する。図２は本発明の実施の形態を示す
概略図であり、図３はデータメモリ制御系３内のメモリ
に記憶されるデータ構造を示す図である。図２におい
て、１は制御コンピュータ、２は露光制御系、３はデー
タメモリ制御系、４は補正制御系、５はステージ制御
系、６は電子線光学系、７はレチクルステージ、８はウ
ェハステージ、９はウェハステージ座標、１０はレチク
ルステージ座標である。
図を用いて説明する。図２は本発明の実施の形態を示す
概略図であり、図３はデータメモリ制御系３内のメモリ
に記憶されるデータ構造を示す図である。図２におい
て、１は制御コンピュータ、２は露光制御系、３はデー
タメモリ制御系、４は補正制御系、５はステージ制御
系、６は電子線光学系、７はレチクルステージ、８はウ
ェハステージ、９はウェハステージ座標、１０はレチク
ルステージ座標である。
【００１３】制御コンピュータ１は露光装置全体を制御
するコンピュータである。露光制御系２はデータメモリ
制御系３、補正制御系４から成っており、データメモリ
内のサブフィールド位置データに対し各種補正演算（偏
向器の歪み補正やステージの位置誤差の補正、さらにフ
ィードフォワード補正等）を行い、電子線光学系６（特
に偏向器）を制御する。ステージ制御系５はレチクルス
テージ７、ウェハステージ８を制御コンピュータ１の指
令に従って制御する。
するコンピュータである。露光制御系２はデータメモリ
制御系３、補正制御系４から成っており、データメモリ
内のサブフィールド位置データに対し各種補正演算（偏
向器の歪み補正やステージの位置誤差の補正、さらにフ
ィードフォワード補正等）を行い、電子線光学系６（特
に偏向器）を制御する。ステージ制御系５はレチクルス
テージ７、ウェハステージ８を制御コンピュータ１の指
令に従って制御する。
【００１４】まず、パターンデータは露光前に制御コン
ピュータ１からデータメモリ制御系３にダウンロードさ
れる。
ピュータ１からデータメモリ制御系３にダウンロードさ
れる。
【００１５】各ストライプでの露光は以下の手順に従っ
て行われる。制御コンピュータ１はステージ制御系５に
対し、レチクルステージ、ウェハステージに対するそれ
ぞれの移動命令を出力し、同時に露光制御系２に対しス
トライプ露光命令を出力する。この時のストライプ露光
命令には付随パラメータとして正方向の露光、又は逆方
向の露光指示を示す正逆フラグが添付される。また、ス
テージ移動命令には付随パラメータとしてステージの目
標位置やステージの移動速度が与えられるが、目標位置
については、正逆フラグの内容に応じて正しい値を設定
する必要がある。
て行われる。制御コンピュータ１はステージ制御系５に
対し、レチクルステージ、ウェハステージに対するそれ
ぞれの移動命令を出力し、同時に露光制御系２に対しス
トライプ露光命令を出力する。この時のストライプ露光
命令には付随パラメータとして正方向の露光、又は逆方
向の露光指示を示す正逆フラグが添付される。また、ス
テージ移動命令には付随パラメータとしてステージの目
標位置やステージの移動速度が与えられるが、目標位置
については、正逆フラグの内容に応じて正しい値を設定
する必要がある。
【００１６】データメモリ制御系３のメモリには、図３
に示すようなデータ構造のデータが記憶されている。す
なわち、最初に第１ストライプのデータの格納の開始ア
ドレスが、次に第１ストライプ内のサブフィールド数ｎ
1が格納され、以下、第１ストライプ内のサブフィール
ドに関するデータが第１サブフィールドから第ｎ1サブ
フィールドまで順に格納されている。次に、第２ストラ
イプに関するデータが同様に格納され、最終（第Ｎ）ス
トライプまで同様のデータが同様の配列で格納されてい
る。
に示すようなデータ構造のデータが記憶されている。す
なわち、最初に第１ストライプのデータの格納の開始ア
ドレスが、次に第１ストライプ内のサブフィールド数ｎ
1が格納され、以下、第１ストライプ内のサブフィール
ドに関するデータが第１サブフィールドから第ｎ1サブ
フィールドまで順に格納されている。次に、第２ストラ
イプに関するデータが同様に格納され、最終（第Ｎ）ス
トライプまで同様のデータが同様の配列で格納されてい
る。
【００１７】露光制御系２は、まず図３に示す最初のデ
ータである第１ストライプ開始アドレスと第１ストライ
プ内サブフィールド個数をデータメモリ制御系３から読
み出す。この後のデータの読み出し方法については図４
に従って説明する。図４はデータメモリ制御系３をさら
に詳細に説明するための図であり、３１はアドレス算出
器、３２は算出アドレス信号、３３はUP/DOWNカウン
タ、３４はデータメモリ、３５は第ｎストライプ開始ア
ドレス、３６は第ｎストライプ内サブフィールド数、３
７は正逆フラグ、３８はサブフィールドデータ取り出し
タイミング信号、３９はサブフィールド参照アドレス信
号、４０はサブフィールドデータである。
ータである第１ストライプ開始アドレスと第１ストライ
プ内サブフィールド個数をデータメモリ制御系３から読
み出す。この後のデータの読み出し方法については図４
に従って説明する。図４はデータメモリ制御系３をさら
に詳細に説明するための図であり、３１はアドレス算出
器、３２は算出アドレス信号、３３はUP/DOWNカウン
タ、３４はデータメモリ、３５は第ｎストライプ開始ア
ドレス、３６は第ｎストライプ内サブフィールド数、３
７は正逆フラグ、３８はサブフィールドデータ取り出し
タイミング信号、３９はサブフィールド参照アドレス信
号、４０はサブフィールドデータである。
【００１８】最初に読み出された第1ストライプ開始ア
ドレス３５と第１ストライプ内サブフィールド数３６は
アドレス算出器３１に入力される。アドレス算出器３１
にはさらに、制御コンピュータ１からの露光開始命令の
付随パラメータである正逆フラグ３７が入力される。ア
ドレス算出器３１ではこれらの情報に従い、ストライプ
内で最初に露光されるサブフィールドデータのデータメ
モリ３４内でのアドレスが算出される。すなわち、以下
の演算が行われる。 AdrsSF=1＝Adrsstr ＋ 2 （正方向露光の場
合） AdrsSF=1＝Adrsstr ＋ SFn ＋ 1 （逆方向露光の場
合） 但し Adrsstr：第１ストライプ開始アドレスを格納す
るアドレス SFn：第1ストライプ内サブフィールド数 アドレス算出器３１により求められた第１露光順序のサ
ブフィールドデータの格納されるデータメモリ内アドレ
スはUP/DOWNカウンタ３３にロードされる。また、UP/DO
WNカウンタ３３の別の入力は、正逆フラグ３７とサブフ
ィールドデータ取り出しタイミング信号３８である。
ドレス３５と第１ストライプ内サブフィールド数３６は
アドレス算出器３１に入力される。アドレス算出器３１
にはさらに、制御コンピュータ１からの露光開始命令の
付随パラメータである正逆フラグ３７が入力される。ア
ドレス算出器３１ではこれらの情報に従い、ストライプ
内で最初に露光されるサブフィールドデータのデータメ
モリ３４内でのアドレスが算出される。すなわち、以下
の演算が行われる。 AdrsSF=1＝Adrsstr ＋ 2 （正方向露光の場
合） AdrsSF=1＝Adrsstr ＋ SFn ＋ 1 （逆方向露光の場
合） 但し Adrsstr：第１ストライプ開始アドレスを格納す
るアドレス SFn：第1ストライプ内サブフィールド数 アドレス算出器３１により求められた第１露光順序のサ
ブフィールドデータの格納されるデータメモリ内アドレ
スはUP/DOWNカウンタ３３にロードされる。また、UP/DO
WNカウンタ３３の別の入力は、正逆フラグ３７とサブフ
ィールドデータ取り出しタイミング信号３８である。
【００１９】これらの入力により、UP/DOWNカウンタ３
３はサブフィールドの露光毎に正逆フラグ３７の内容に
より、UPカウント或いはDOWNカウントを行う。すなわ
ち、正方向露光の場合には、データメモリ内の順序に従
って、最初のサブフィールドアドレスから順にUPカウン
トが行われる。また、逆方向露光の場合には、データメ
モリ３４上では最後のサブフィールドアドレスから順に
逆方向にDOWNカウントされる。そして、UP/DOWNカウン
タ３３の示すデータメモリ３４のアドレスの内容を参照
することにより、各サブフィールドのデータ（位置座標
や、露光量制御等の情報）４０が得られる。
３はサブフィールドの露光毎に正逆フラグ３７の内容に
より、UPカウント或いはDOWNカウントを行う。すなわ
ち、正方向露光の場合には、データメモリ内の順序に従
って、最初のサブフィールドアドレスから順にUPカウン
トが行われる。また、逆方向露光の場合には、データメ
モリ３４上では最後のサブフィールドアドレスから順に
逆方向にDOWNカウントされる。そして、UP/DOWNカウン
タ３３の示すデータメモリ３４のアドレスの内容を参照
することにより、各サブフィールドのデータ（位置座標
や、露光量制御等の情報）４０が得られる。
【００２０】以下、サブフィールドの露光が終わる毎
に、サブフィールドデータ取り出しタイミング信号３８
が入力され、正逆フラグ３７の値に応じてUP/DOWNカウ
ンタ３３がカウントアップ（正方向露光のとき）、又は
カウントダウン（逆方向露光のとき）され、新しいアド
レスからサブフィールドのデータが読み出されて使用さ
れる。このようにして、第１ストライプの露光処理が終
わると、第２ストライプについて処理が行われ、以下、
最終ストライプまで同様の処理が行われる。
に、サブフィールドデータ取り出しタイミング信号３８
が入力され、正逆フラグ３７の値に応じてUP/DOWNカウ
ンタ３３がカウントアップ（正方向露光のとき）、又は
カウントダウン（逆方向露光のとき）され、新しいアド
レスからサブフィールドのデータが読み出されて使用さ
れる。このようにして、第１ストライプの露光処理が終
わると、第２ストライプについて処理が行われ、以下、
最終ストライプまで同様の処理が行われる。
【００２１】このように、正逆フラグ３７と、最初にUP
/DOWNカウンタ３３にセットする値を変えるだけで、デ
ータメモリ３４の内容を変えることなく、正方向露光
と、逆方向露光を切り換えることができる。
/DOWNカウンタ３３にセットする値を変えるだけで、デ
ータメモリ３４の内容を変えることなく、正方向露光
と、逆方向露光を切り換えることができる。
【００２２】次に、本発明を可変成形露光方式・ブロッ
ク露光方式等に適用した実施の形態の例を図５、図６に
基づいて説明する説明する。
ク露光方式等に適用した実施の形態の例を図５、図６に
基づいて説明する説明する。
【００２３】図５は、データメモリ制御系３内のメモリ
に記憶されるデータ構造を示すものである。図５に示す
データ構造の初めの部分は、図３に示すものと同じであ
るが、その後に、各サブフィールドに特有のパターンを
書き込むために必要な情報（副偏向データ）が全てのサ
ブフィールドに対応して記憶されている。そして、サブ
フィールドデータ中には、サブフィールドの座標と共
に、各サブフィールド内の副偏向データの開始アドレ
ス、各サブフィールド内の副偏向データの終了アドレス
等が記憶されている。
に記憶されるデータ構造を示すものである。図５に示す
データ構造の初めの部分は、図３に示すものと同じであ
るが、その後に、各サブフィールドに特有のパターンを
書き込むために必要な情報（副偏向データ）が全てのサ
ブフィールドに対応して記憶されている。そして、サブ
フィールドデータ中には、サブフィールドの座標と共
に、各サブフィールド内の副偏向データの開始アドレ
ス、各サブフィールド内の副偏向データの終了アドレス
等が記憶されている。
【００２４】図６は、データメモリ制御系３をさらに詳
細に説明するための図であり、その主要部分は図４に示
したものと同じであるので、図４と同じ部分には同じ符
号を付してその説明を省略する。図４において、４１は
副偏向参照アドレス信号、４２はデータメモリ参照アド
レス信号、４３は副偏向アドレスカウンタ、４４は副偏
向露光タイミング信号、４５はセレクタである。
細に説明するための図であり、その主要部分は図４に示
したものと同じであるので、図４と同じ部分には同じ符
号を付してその説明を省略する。図４において、４１は
副偏向参照アドレス信号、４２はデータメモリ参照アド
レス信号、４３は副偏向アドレスカウンタ、４４は副偏
向露光タイミング信号、４５はセレクタである。
【００２５】アドレス算出器３１は第１ストライプ開始
アドレス３５、第１ストライプ内サブフィールド数３
６、正逆フラグ３７を入力とし、前記図４に示した回路
と全く同様に動作する。さらに、UP/DOWNカウンタ３３
も全く同様に動作する。このUP/DOWNカウンタ３３で求
められた各サブフィールド内データを参照するアドレス
データはセレクタ４５を通してデータメモリ３３に与え
られ、対応するアドレスからサブフィールドデータを読
み出す。
アドレス３５、第１ストライプ内サブフィールド数３
６、正逆フラグ３７を入力とし、前記図４に示した回路
と全く同様に動作する。さらに、UP/DOWNカウンタ３３
も全く同様に動作する。このUP/DOWNカウンタ３３で求
められた各サブフィールド内データを参照するアドレス
データはセレクタ４５を通してデータメモリ３３に与え
られ、対応するアドレスからサブフィールドデータを読
み出す。
【００２６】このサブフィールドデータは前述したよう
にこの例では３種のデータから成り、まず、サブフィー
ルドの座標（主偏向座標）については補正制御系４に送
られ、主偏向制御に使用される。また、各サブフィール
ド内の副偏向データの開始アドレス、終了アドレスにつ
いては副偏向アドレスカウンタ４３にセットされ、各副
偏向データの参照アドレスを生成する。この参照アドレ
ス４１は副偏向露光時にはセレクタ４５を介してデータ
メモリ３３をアクセスし、副偏向データ（副偏向座標、
露光量等）を読み出し、後段の補正制御系４に送る。
にこの例では３種のデータから成り、まず、サブフィー
ルドの座標（主偏向座標）については補正制御系４に送
られ、主偏向制御に使用される。また、各サブフィール
ド内の副偏向データの開始アドレス、終了アドレスにつ
いては副偏向アドレスカウンタ４３にセットされ、各副
偏向データの参照アドレスを生成する。この参照アドレ
ス４１は副偏向露光時にはセレクタ４５を介してデータ
メモリ３３をアクセスし、副偏向データ（副偏向座標、
露光量等）を読み出し、後段の補正制御系４に送る。
【００２７】そして、副偏向データの露光が終わる毎に
副偏向露光タイミング信号４４が副偏向アドレスカウン
タ４３に入力され、副偏向アドレスカウンタ４３がカウ
ントアップされ、新しいアドレスの副偏向データが取り
出される。１つのサブフィールドの副偏向データに基づ
く露光が全て終了すると、サブフィールドデータ取り出
しタイミング信号３８がUP/DOWNカウンタ３３に与えら
れ、UP/DOWNカウンタ３３がカウントアップ、又はカウ
ントダウンされる。
副偏向露光タイミング信号４４が副偏向アドレスカウン
タ４３に入力され、副偏向アドレスカウンタ４３がカウ
ントアップされ、新しいアドレスの副偏向データが取り
出される。１つのサブフィールドの副偏向データに基づ
く露光が全て終了すると、サブフィールドデータ取り出
しタイミング信号３８がUP/DOWNカウンタ３３に与えら
れ、UP/DOWNカウンタ３３がカウントアップ、又はカウ
ントダウンされる。
【００２８】以上の実施の形態の説明においては、露光
を制御するためのデータとして、ストライプ開始アドレ
ス、サブフィールド数を用いたが、この代わりに、例え
ば各ストライプ内のサブフィールドデータ開始アドレ
ス、終了アドレスを用いる等、このデータを種々変更し
て同様の効果を得ることができる。
を制御するためのデータとして、ストライプ開始アドレ
ス、サブフィールド数を用いたが、この代わりに、例え
ば各ストライプ内のサブフィールドデータ開始アドレ
ス、終了アドレスを用いる等、このデータを種々変更し
て同様の効果を得ることができる。
【００２９】図７は、本発明の第３の実施の形態を示す
概略図である。図７に示す実施の形態は、図２に示した
ものとほとんど同じであるので、同じ構成要素には同じ
符号を付してその説明を省略する。図７において１１は
ＣＰＵを示す。本実施の形態においては、露光制御系２
は、データメモリ３、ＣＰＵ１１、補正制御系４から構
成されており、パターンデータは、ＣＰＵ１１で一括処
理されて補正制御系４に入力される。
概略図である。図７に示す実施の形態は、図２に示した
ものとほとんど同じであるので、同じ構成要素には同じ
符号を付してその説明を省略する。図７において１１は
ＣＰＵを示す。本実施の形態においては、露光制御系２
は、データメモリ３、ＣＰＵ１１、補正制御系４から構
成されており、パターンデータは、ＣＰＵ１１で一括処
理されて補正制御系４に入力される。
【００３０】ＣＰＵ１１は、データメモリ３から各スト
ライプ分のデータを読み込み、予め制御コンピュータ１
から入力されているストライプ毎の正方向／逆方向フラ
グにより、データの順序を並べ替える処理を行う。この
ようにして並べ替えられたストライプのデータが補正制
御系４に入力されて、露光処理が順次行われる。すなわ
ち、ＣＰＵ１１のソフトウェアによる処理によって、ス
トライプ毎のパターンデータの配列の反転が行われる。
その他の動作については、図２に示した実施の形態と同
じであるので、その説明を省略する。
ライプ分のデータを読み込み、予め制御コンピュータ１
から入力されているストライプ毎の正方向／逆方向フラ
グにより、データの順序を並べ替える処理を行う。この
ようにして並べ替えられたストライプのデータが補正制
御系４に入力されて、露光処理が順次行われる。すなわ
ち、ＣＰＵ１１のソフトウェアによる処理によって、ス
トライプ毎のパターンデータの配列の反転が行われる。
その他の動作については、図２に示した実施の形態と同
じであるので、その説明を省略する。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のうち請求
項１に係る発明においては、各ストライプ内の露光順序
をデータ配列順に露光する場合と、データ配列順の逆方
向から露光する場合とを選択可能とする機能を有するた
め、露光方向を任意に選択することが可能となる。この
結果、スループット優先の露光を行うか、露光精度優先
の露光を行うかを、任意に選択することが可能となる。
項１に係る発明においては、各ストライプ内の露光順序
をデータ配列順に露光する場合と、データ配列順の逆方
向から露光する場合とを選択可能とする機能を有するた
め、露光方向を任意に選択することが可能となる。この
結果、スループット優先の露光を行うか、露光精度優先
の露光を行うかを、任意に選択することが可能となる。
【００３２】請求項２に係る発明においては、隣り合う
ストライプを互いに逆方向に露光する場合と、同一方向
に露光する場合とで、データの読み出し順序を変えて、
読み出したデータに基づいて露光を行うので、一つのデ
ータのみで、異なった露光方式に対応可能である。よっ
て、データの変換時間が長くなるという問題点を回避す
ることができる。
ストライプを互いに逆方向に露光する場合と、同一方向
に露光する場合とで、データの読み出し順序を変えて、
読み出したデータに基づいて露光を行うので、一つのデ
ータのみで、異なった露光方式に対応可能である。よっ
て、データの変換時間が長くなるという問題点を回避す
ることができる。
【００３３】請求項３に係る発明においては、各ストラ
イプの固有データの他に、１ストライプ内のサブフィー
ルド個数が記憶されているので、これに基づいて、スト
ライプデータの順方向、逆方向からの読み出しが可能と
なり、容易に、請求項１又は請求項２に記載した装置の
動作を実現することができる。
イプの固有データの他に、１ストライプ内のサブフィー
ルド個数が記憶されているので、これに基づいて、スト
ライプデータの順方向、逆方向からの読み出しが可能と
なり、容易に、請求項１又は請求項２に記載した装置の
動作を実現することができる。
【図１】本発明における露光方式の種類を示す概略図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施の形態を示す概略図である。
【図３】データメモリ制御系内のメモリに記憶されるデ
ータの構造を示す図である。
ータの構造を示す図である。
【図４】データメモリ制御系を詳細に説明する図であ
る。
る。
【図５】データメモリ制御系内のメモリに記憶されるデ
ータの構造を示す図である。
ータの構造を示す図である。
【図６】データメモリ制御系を詳細に説明する図であ
る。
る。
【図７】本発明の他の実施の形態を示す概要図である。
【図８】従来のステージ連続移動方式の荷電粒子線露光
装置での露光順序を説明するための図である。
装置での露光順序を説明するための図である。
【符号の説明】 １…制御コンピュータ、２…露光制御系、３…データメ
モリ制御系、４…補正制御系、５…ステージ制御系、６
…電子線光学系、７…レチクルステージ、８…ウェハス
テージ、９…ウェハステージ座標、１０…レチクルステ
ージ座標、１１…ＣＰＵ、３１…アドレス算出器、３２
…算出アドレス信号、３３…UP/DOWNカウンタ、３４…
データメモリ、３５…第ｎストライプ開始アドレス、３
６…第ｎストライプ内サブフィールド数、３７…正逆フ
ラグ、３８…サブフィールドデータ取り出しタイミング
信号、３９…サブフィールド参照アドレス信号、４０…
サブフィールドデータ或いは副偏向データ、４１…副偏
向参照アドレス信号、４２…データメモリ参照アドレス
信号、４３…副偏向アドレスカウンタ、４４…副偏向露
光タイミング信号、４５…セレクタ
モリ制御系、４…補正制御系、５…ステージ制御系、６
…電子線光学系、７…レチクルステージ、８…ウェハス
テージ、９…ウェハステージ座標、１０…レチクルステ
ージ座標、１１…ＣＰＵ、３１…アドレス算出器、３２
…算出アドレス信号、３３…UP/DOWNカウンタ、３４…
データメモリ、３５…第ｎストライプ開始アドレス、３
６…第ｎストライプ内サブフィールド数、３７…正逆フ
ラグ、３８…サブフィールドデータ取り出しタイミング
信号、３９…サブフィールド参照アドレス信号、４０…
サブフィールドデータ或いは副偏向データ、４１…副偏
向参照アドレス信号、４２…データメモリ参照アドレス
信号、４３…副偏向アドレスカウンタ、４４…副偏向露
光タイミング信号、４５…セレクタ
Claims (3)
- 【請求項１】 ステージ連続移動方式の荷電粒子線露光
装置であって、各ストライプ内の露光順序として、デー
タ配列順に露光する場合と、データ配列順の逆方向から
露光する場合とを、選択可能としたことを特徴とする荷
電粒子線露光装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の荷電粒子線露光装置で
あって、データ配列順に露光する場合と、データ配列順
の逆方向から露光する場合とで、パターンデータの読み
出し順序を変えることにより、露光動作を行う機能を有
することを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の荷電粒子
線露光装置であって、１ストライプを構成するデータと
して、１ストライプ内のサブフィールド個数と、各サブ
フィールドの固有データとを記憶した記憶装置を有する
ことを特徴とする荷電粒子線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11020216A JPH11329958A (ja) | 1998-03-18 | 1999-01-28 | 荷電粒子線露光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-88302 | 1998-03-18 | ||
| JP8830298 | 1998-03-18 | ||
| JP11020216A JPH11329958A (ja) | 1998-03-18 | 1999-01-28 | 荷電粒子線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11329958A true JPH11329958A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=26357125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11020216A Pending JPH11329958A (ja) | 1998-03-18 | 1999-01-28 | 荷電粒子線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11329958A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319872A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP2010267844A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法および装置 |
-
1999
- 1999-01-28 JP JP11020216A patent/JPH11329958A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319872A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP2010267844A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法および装置 |
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