JP3458778B2 - 電子線描画装置および電子線を用いた描画方法 - Google Patents
電子線描画装置および電子線を用いた描画方法Info
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- JP3458778B2 JP3458778B2 JP21024299A JP21024299A JP3458778B2 JP 3458778 B2 JP3458778 B2 JP 3458778B2 JP 21024299 A JP21024299 A JP 21024299A JP 21024299 A JP21024299 A JP 21024299A JP 3458778 B2 JP3458778 B2 JP 3458778B2
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Description
用マスク、レチクル等に電子線を照射して回路等の描画
パターンを描画する電子線描画装置および電子線を用い
た描画方法に関する。
解決すべき課題があり、従来から様々な対応技術が開発
されている。
画できる領域がどうしても小さくなる。そこで、試料面
上を一筆書きの様に描画パターンの形をなぞって行くよ
うに描画する。近年は回路パターンが微細になってきて
おり、一筆書きの方法では時間がかかってとても実用的
でない。そのため、少しでも一度に描画する領域をいか
に大きくできるかが、スループット向上のポイントであ
る。その方法の一例として一括ショット法と矩形ショッ
ト法がある。
られたアパーチャに任意の形状の描画パターンをあらか
じめ開口しておき、そこに電子線を照射することでその
描画パターンを試料に描画する方法である。
状の場合に簡便な方法であり、電子源から出た電子線を
矩形形状の開口を通過させて矩形ビームを作成した後、
矩形形状の開口を有するアパーチャに矩形ビームを偏向
させて、任意の大きさの矩形形状のショットをつくる。
のプロセス条件,近接効果,電子線のビームぼけ(クー
ロン効果,偏向器による誤差等に起因する),機構装置
(ウェハ,マスクの移動時の精度)などによる精度の低
下がある。
ーンの疎密により生じる誤差であり、例えば孤立したパ
ターンでは細り、密度の高いパターン(ベタパターンな
ど)では太りが生じる様な現象である。最近の半導体チ
ップ小型化のための微細化技術の要求から、その問題は
逼迫してきている。
して、特開平3−225816 号公報に示されている露光量マ
ップまたは面積密度マップを用いた露光量の補正方法が
ある。
ある大きさのメッシュごとに表わしたものを露光量マッ
プもしくは面積密度マップとよび、その面積密度に応じ
て露光量を変化させる方法である。例えば、孤立パター
ンでは、面積密度が小さいので補正前の露光量に対して
露光量を上げ、密度の高いパターンでは露光量を下げる
ことで露光量の補正を行う。
を行う前に面積密度マップを作成するための作業が必要
であり、この作業をソフトウェアで実行すると、実際の
描画時間の2倍の時間を要する。そこで、前述の特開平
3−225816 号公報に示されている技術では、ハードウェ
アの構成を工夫することによって、面積密度マップの作
成に要する時間を短縮している。
の中心が存在するメッシュにショットの面積値を累積加
算する、すなわち、ショットの中心が存在するメッシュ
の面積値を格納しているメモリに、そのショットの面積
値を格納して加算する。これによれば、ソフトウェアに
よる演算に比べて簡単に面積密度マップが作成でき、1
時間以内で可能となった。
ュに面積値を累積加算する場合、上記特開平3−225816
号公報に示されている技術では、以下の問題が発生す
る。すなわち、ショットがメッシュ境界をまたぐ場合、
ショット寸法の大きさに応じてマップに凹凸が生じる。
この現象はメッシュ寸法に対してショットが大きくなれ
ばなるほど顕著に現われるため、ショットを細分化する
必要が生じる。面積密度マップ作成は1ショットごとに
メッシュごとのショット面積値を計算するために、ショ
ットが増加すると、その処理時間は単純にはそれに比例
して増加する。つまり、処理時間が莫大になる。
のようにショットを細分化するのではなく、ショットを
メッシュ境界で分割する方法が考えられる(特願平10−
149045号)。この方法を以下、簡単に説明する。
関係を示す試料面上の部分平面図である。図5に示され
る矩形形状の矩形ショットをメッシュ90a,90b,9
0c,90dの境界で分割し、分割されたショット91
a,91b,91c,91dの面積値を、それぞれが含
まれる4個のメッシュ90a,90b,90c,90dの
面積値に累積加算するものである。
端点位置をx,y、面積密度マップのメッシュ寸法を縦
横ともにαとしたとき、ショットの端点が含まれるメッ
シュアドレス(m,n)を次の式1で表わすとする。
越えない最大の整数を示す。
ョットがメッシュ境界をまたいでいるため、その面積値
をそれぞれのメッシュに分割して各メッシュに格納する
必要がある。
4通りとなる。
シュ90aに含まれるショット91aの面積値はS0 (b)メッシュアドレス(m+1,n)のメッシュ90
bに含まれるショット91bの面積値はS1 (c)メッシュアドレス(m,n+1)のメッシュ90
cに含まれるショット91cの面積値はS2 (d)メッシュアドレス(m+1,n+1)のメッシュ
90dに含まれるショット91dの面積値はS3 前述の発明者らによる提案(特願平10−149045号)にお
ける方法は、上記考え方に基づき、以下の機能をソフト
ウェアでなく機器の構成で実現し、上記(a)から
(d)の4つの演算をそれぞれに割り当てられた4個の
メモリを使用して並列に同時に行い、演算時間の短縮を
していることが特徴である。これをまとめると次のとお
りである。
つ、分割したショットの面積値を同時に求めるため、並
列に同時に面積を計算する機能を機器の構成で設けてい
る。
し、記憶するため、4個のメモリを設けている。
法が小さい場合に、ショットをわざわざ細分化する必要
がなく、処理時間の増大を防止できるようになった。
密度マップの高精度化の要求,スループットの向上の要
求の相方の観点から、電子線描画装置に対して以下の要
求があると考えられる。
め、面積密度マップのメッシュ寸法を細分化する。
ットが多様化する。すると、細分化不要な部分はショッ
ト寸法が拡大される。
ット寸法が大きくなる可能性が大である。
10−149045号)に示した方法の例では、ショット寸法が
メッシュ寸法より小さい場合に、4個の並列面積計算機
能を4個のメモリを用いた機器の構成で実現する手段を
示している。この方法では、ショット寸法がメッシュ寸
法より大きい場合については考慮されていない。本発明
は、ショット寸法がメッシュ寸法より大きい場合につい
て考慮し、上述の電子線描画装置に対する要求を解決で
きるものである。
きい場合についての例を説明し、本発明の目的を明示す
る。
ッシュとショットの位置関係を示す試料面上の部分平面
図、図8は面積密度マップである。
90にまたがっている例を示す。ショット92の端点は
メッシュ90aに存在する。この例において、始めに、
前述の発明者らによる提案(特願平10−149045号)に示
した方法による面積の演算を説明し、その方法における
問題点を明示する。
a,90b,90c,90dのメモリアドレスに格納さ
れるショット92の各面積値が演算される。はじめに、
メッシュアドレス(m,n)のメッシュ90aに存在す
るショット92aの面積値は、メッシュ90aに加算さ
れる。ショット92bはメッシュ90b,メッシュ90
e,メッシュ90fにまたがっている。しかし、前述の
方法では、ショット92bの面積値は、メッシュアドレ
ス(m+1,n)のメッシュ90bに加算される。ショ
ット92cはメッシュ90c,メッシュ90i,メッシ
ュ90kにまたがっている。しかし、ショット92cの
面積値は、メッシュアドレス(m,n+1)のメッシュ
90cに加算される。ショット92dは9個のメッシュ
90d,メッシュ90g,メッシュ90h,メッシュ9
0j,メッシュ90m,メッシュ90n,メッシュ90
l,メッシュ90o,メッシュ90pにまたがってい
る。しかし、ショット92dの面積値は、メッシュアド
レス(m+1,n+1)のメッシュ90dに加算され
る。
そのショットが最も近いメッシュのメモリアドレスに面
積値を格納するように定義しているからである。上記の
演算が終了すると、ショット92の面積値のメッシュへ
の格納はすべて完了したと判断する。したがって、16
個のメッシュのうち、ショット92の面積値が格納され
るのは4個のメッシュ90a,90b,90c,90d
のみである。他の12個のメッシュにはショット92の
面積値は格納されず、これらのメッシュにショット92
が存在するにもかかわらず、ショットの面積密度がゼロ
であることになる。
シュの濃淡は格納されたショットの面積密度の高低を示
す。メッシュ90dにはその面積値を超えるショット9
2dの面積値が格納され、面積密度がオーバーフローし
てエラーとなるか、ショット92dの実際の値より小さ
い値の面積密度100%に固定されてしまう。また、破
線で囲んだメッシュ90a,メッシュ90b,メッシュ
90c,メッシュ90d以外のメッシュにはショット9
2の面積値が格納されないので、各メッシュに格納され
た面積値が実際のショットに基づくものとはかけはなれ
てしまい、不正確な面積密度マップができ上がることに
なる。
10−149045号)に示した方法による面積の演算を用いず
に、図6に示すショット92を16個のメッシュのすべ
ての境界で細分化する従来からの方法ならば、それぞれ
のメッシュに存在するショットの部分の面積値が格納さ
れるので、正確な面積密度が作成できるはずである。し
かし、この方法の欠点は、ショットが大きくなるほどこ
れが存在するメッシュの数が増え、このメッシュひとつ
分の面積密度を求めるためには、多くのメッシュの数と
同じ数の同時並列計算機能とメモリ容量が必要であり、
ショットのメッシュ境界における分解条件,面積値の格
納先のアドレスの割り振り等が複雑化し、それに伴って
機器の構成も複雑化する。ショットの大きさに決まりは
ないので、予めどのくらいの数の計算機能とメモリ容量
を用意しておくべきかが決まらず、これによる装置のコ
ストの上昇は限りがない。また、この計算機能をソフト
ウェアで実現する方法も考えられるが、演算素子とメモ
リで構成された装置による計算と比べてその速さで大き
く劣る。さらに、計算機能やメモリ容量を予め固定し、
これを超える大きさのショットの場合は、ショットをそ
の限度の大きさで分割する方法も考えられるが、そのシ
ョットの大きさの判断機能を実現する装置構成またはソ
フトウェアのアルゴリズムが複雑になる。
形状に合わせて正方形や長方形などの単位図形に分割
し、単位図形の矩形ショット毎にそれが存在するメッシ
ュへの面積値の計算と格納をして面積密度を求める方法
が考えられる。図15は、一括ショットの形状の一例を
示す試料面上の部分平面図である。例えば、図15に示
す様なショット93を矩形ショットに細分化し、それぞ
れの矩形ショット毎に面積値を求め、それぞれが存在す
るメッシュに格納する。この方法によれば、実際に近い
面積密度のマップを作成できる。しかし、複雑な形状の
一括ショットでは細分化されたショット数が極端に増加
し、計算時間が増大してしまい、スループットが低下し
てしまう可能性が大である。
の正確さと計算時間とが相反する関係にあった。
シュより大きなショットでもスループットを低下させる
ことなく、正確な面積密度マップが作成できる、面積密
度マップを用いた近接効果補正法を取り入れた電子線描
画装置および電子線を用いた描画方法を提供することで
ある。
に、本発明は、試料へ描画すべきパターンに基づいて設
定されたショットの形状に加工された電子線を前記試料
へ照射して前記パターンを前記試料へ描画する電子線を
用いた描画方法において、前記電子線により描画される
領域を仮想的に区分するメッシュと前記ショットの位置
関係に基づいて、前記メッシュの境界で該ショットを前
記ショットの基準点から累積状に分解し、それぞれの前
記メッシュ内に含まれる前記累積状に分解されたショッ
トの累積面積値を算出し、該累積面積値から前記領域に
おける前記ショットの面積密度マップを作成し、該面積
密度マップを参照して前記パターンの面積の疎密による
前記電子線のショットの照射への影響を補正し描画する
構成としたものである。
ンに基づいて設定されたショットの形状に加工された電
子線を前記試料へ照射して前記パターンを前記試料へ描
画する電子線を用いた描画方法において、前記電子線に
より描画される領域を仮想的に区分するメッシュと前記
ショットの位置関係に基づいて、前記メッシュの境界で
該ショットを前記ショットの基準点から累積状に分解
し、それぞれの前記メッシュ内に含まれる前記累積状に
分解されたショットの累積面積値を算出し、該累積面積
値を記憶手段へ保持し、以上の工程を少なくとも1回繰
り返し、前記記憶手段に保持された過去の累積面積値と
現在の累積面積値とから前記ショット毎の面積値を算出
し、該面積値から前記領域における前記ショットの面積
密度マップを作成し、該面積密度マップを参照して前記
パターンの面積の疎密による前記電子線のショットの照
射への影響を補正し描画する構成としたものである。
子線の断面形状がパターンの形状に成形されたショット
を試料に照射して該試料に前記パターンを描画する電子
線を用いた描画方法において、前記試料上に仮想の大き
さのメッシュを想定し、複数個の前記メッシュからなる
組を予め決定し、前記メッシュの組内のメッシュ毎に、
前記ショットの角部から該メッシュまでの複数個のメッ
シュにまたがるショットの累積面積値を算出し、前記メ
ッシュの組内のメッシュ毎に算出された前記累積面積値
を互いに減算して、前記メッシュの組内の個々のメッシ
ュに存在する前記ショットの面積値を算出し、該ショッ
トの面積値に基づいて前記試料上の描画すべき領域の面
積密度マップを作成し、該面積密度マップに保持された
値に基づいて前記ショットの照射量を制御する構成とし
たものである。
施例を説明する。
プの作成のためのメッシュ内の面積値を計算する手段と
して、新たに以下の(1)から(3)の機能を設けたも
のである。
(ショット寸法判定)を設ける。ショット寸法がメッシ
ュ寸法より大きい場合には、並列演算数に一致した領域
を一単位として、ショットをその単位領域で分割し、分
割した回数だけ繰り返し計算する機能を設ける。ショッ
ト寸法がメッシュ寸法より大きい場合、上述した発明者
らの従来の手法の演算を2回以上繰り返す。
シュにおいてショットの面積値はショットの分割前の端
点を基準として計算する。すなわちショットの分解は累
積状になり、それぞれのショットの面積値を計算して、
各メッシュの面積値を計算する。この面積値はメッシュ
間で重複した部分があり、累積面積値と呼ぶことにす
る。次に、隣接するメッシュの各累積面積値の加減算に
より、各メッシュ毎の実際の面積値を求めて格納し、面
積密度とする。
括累積加算面積メモリを準備しておく。これは、一括シ
ョットを面積密度マップにおけるメッシュαより小さく
設定した一括メッシュδ上において一括ショットを細分
化し、一括メッシュアドレスまでの累積面積値を一括累
積加算面積メモリに格納しておく。さらに、一括ショッ
トの面積値計算時には、一括ショットの外枠図形を矩形
ショットとして処理し、ショットと面積密度マップのメ
ッシュ境界位置を一括累積加算面積メモリのアドレスと
して読み出すことで、正確な累積面積値を求めるもので
ある。
説明する。ここでは、簡単に累積面積値から、メッシュ
内に含まれる面積値の計算方法について、メッシュに対
してショットが小さい場合と大きい場合の2種類の条件
について説明する。
さい場合 図10は、試料上のメッシュとショットの位置関係を示
す試料面上の部分平面図であり、本実施例は、図10
(d)に示すような4個のメッシュにまたがるショット
の場合である。はじめに、このショットをメッシュの境
界で分割し、4個の並列計算のショットを図10(a),
図10(b),図10(c),図10(d)に示すように
決める。前述の発明者らによる提案(特願平10−149045
号)に示した方法のように、演算子とメモリを4組用意
しておけば、1回の演算処理でこのショットの面積密度
が計算できる。
(a)から(d)の様に定義する。 (a)アドレス(m,n)のメッシュ90aに含まれる
ショット94aの面積値:QA (b)アドレス(m,n)のメッシュ90aと、アドレ
ス(m+1,n)のメッシュ90bとに含まれるショッ
ト94bの面積値:QB (c)アドレス(m,n)のメッシュ90aと、アドレ
ス(m,n+1)のメッシュ90cに含まれるショット
94cの面積値:QC (d)アドレス(m,n)のメッシュ90aと、アドレ
ス(m+1,n)のメッシュ90bと、アドレス(m,
n+1)のメッシュ90cと、アドレス(m+1,n+
1)のメッシュ90dに含まれるショット94dの面積
値:QD そして、各メッシュに含まれる実際のショットの面積値
は、隣接するメッシュの上記累積面積値を加減算するこ
とで求まり、次の様になる。
aに含まれるショットの面積値S0は、式2で求められ
る。
れるショットの面積値S1は、式3で求められる。
れるショットの面積値S2は、式4で求められる。
含まれるショットの面積値S3は、式5で求められる。
ョットの端点を基準として累積面積値を計算し、これら
の加減算でメッシュ毎のショットの面積値を求める方法
は、ショット寸法がメッシュより大きな場合に、計算精
度と計算速度の両方に効果が大きい。
きな場合 次に、前述の図6に示したような、ショットが1個のメ
ッシュよりも大きい場合の計算の例を説明する。図11
および図12は、試料上のメッシュとショットの位置関
係を示す試料面上の部分平面図であり、本実施例は、図
6に示した16個のメッシュにまたがるショットの場合
である。
ので、4個ずつの4組にわける。これは、演算素子とメ
モリが4組の場合であって、同時並列演算するためであ
る。ショットの面積値の計算はメッシュの境界で分割し
て、図12に示す方法で行われる。図12は、説明のた
めに図11に示したショットを累積状に展開したもので
ある。本例では、図11中の破線で示した領域の組にメ
ッシュをわける。次に、ショットの端点が存在するメッ
シュの組において、図10で説明した方法で面積値を計
算し、図11中の矢印で示す順番でそれぞれの組での面
積値を同様に計算する。このとき、図12に示すメッシ
ュの組90wにおける計算は、図10で説明した方法と
同じく、ショット95a,95b,95c,95dの累
積面積値を計算し、上述の式2から式5に示した加減算
によって、それぞれのメッシュ90a,90b,90
c,90dの面積密度を求めればよい。しかし、メッシ
ュの組90x,90y,90zの計算は、以下に示すよ
うになる。
点が、必ずショット95aからショット95pまでの全
部のショットに含まれるように、累積面積値を求めるシ
ョットを決める。
値を求める。これは、図10で説明したものと同じであ
る。ここで、QAはショット95aの累積面積値、QB
はショット95bの累積面積値、QCはショット95c
の累積面積値、QDはショット95dの累積面積値であ
る。そして、ショット95aの累積面積値QAはメッシ
ュ90aの累積面積値Q(m,n)として、メモリに格
納される。以下同様である。
る。ここで、QAはショット95eの累積面積値、QB
はショット95fの累積面積値、QCはショット95g
の累積面積値、QDはショット95hの累積面積値であ
る。そして、ショット95eの累積面積値QAはメッシ
ュ90eの累積面積値Q(m+2,n)として、メモリ
に格納される。以下同様である。
る。
る。
より、隣接する累積面積を加減算しながら、それぞれの
メッシュに含まれるショットの面積値を計算する。
面積値である。
ットが大きい場合でも、4組の演算素子とメモリを用い
て同時並列演算を行い、加減算器のような簡単な演算素
子を用いて、短い時間で正確なメッシュ毎のショットの
面積密度を求めることができる。このようにして求めた
面積密度マップを図9に示す。各メッシュの濃度は面積
密度を表している。前述の図8の場合と比べると、面積
密度がオーバーフローするメッシュがなく、ショットと
メッシュの関係が適切に反映されており、正確な面積密
度マップが作成できることがわかる。
ク図であり、図中右方に示された装置の電子線鏡体部分
は縦断面図で表されている。図13において、ウェハ等
の試料166は試料台167に保持されている。電子源
164から発射された電子線は、鏡体内のレンズ162
によって形状が整えられ、さらに偏向器161によって
偏向され、試料166上の目標位置に照射される。照射
される電子線の断面形状は、マスク165の選択によっ
て変えることができる。レンズ電源163はレンズ16
2を安定に動作させる機能を有する。
機能ブロック図である。EB制御用計算機151からの
指示により、大容量データディスク152に格納された
描画を行うためのパターンデータをパターンメモリ15
3へ送る。このパターンデータは電子線の偏向データへ
連続的(パイプライン的)に変換され、偏向器161に
送られて電子線が偏向される。
ンデータを格納する。 (2)復元部154 圧縮されたパターンデータを描画のためのフォーマット
へ復元する。
で描画可能な形状のショットに置き換え、各ショットの
位置,形状,露光量の各データを作成する。
描画するパターンの単位面積あたりの面積密度を求め、
描画領域全体の面積密度マップを求めて面積密度マップ
メモリ157へストアする。また、その値を参照しなが
らショット単位で露光量を補正し、そのデータを追従絶
対校正部158へ送る。
制御部169へ入力される試料台の位置の情報に基づい
て、電子線が試料166の目標位置に照射される様に電
子線の偏向位置を計算し、試料台制御部169に制御デ
ータを送るとともに、電子線鏡体部の偏向歪み量なども
補正する。これによって連続描画が可能になる。
される。
制御を受け持つ。
線の偏向を制御する信号を生成し、偏向器の制御を行
う。
の概要、及びその実行手順を説明する。
56の詳細な構成を示す機能ブロック図である。面積密
度マップの作成および実際の描画時に、パイプライン的
に計算処理を実行できる構成となっている。また、図2
は、図1に示したショット面積計算回路1の詳細な構成
を示す機能ブロック図である。また、図4は、計算処理
の流れを説明するフローチャートである。
理 図1に示す入力部11には、前段までの処理によって作
成された、位置データ(x,y),形状データ(w,
h),一括番号,露光量データがある。まず最初は、入
力部11にあるこれらのデータを読み出し(図4中のス
テップ51)、ショット面積計算回路1で演算処理を行
い、前述のメッシュに含まれる面積値S0,S1,S
2,S3を計算する(図4中のステップ82)。
は、形状データ(w,h)をもとにショット面積計算回
路1でメッシュとショットの大きさを比較して、次のデ
ータの読み出しが可能かどうか判定する。メッシュより
ショットが大きく、何回も計算処理を行わないとそのシ
ョットの面積値が求まらない場合は、次のデータの読み
出しが不可であるので、そのまま続けて現在のショット
の面積値の計算処理を行う。読み出し可となれば、次の
データを読み出して新たなショットの面積値を計算す
る。具体的な方法は後述する。
加算と部分メモリへの一時保管 前段のショット面積の計算結果である面積値S0,S
1,S2,S3を部分メモリ4に格納する。部分メモリ
4は面積値を一時保管する。面積値S0,S1,S2,
S3はアドレス計算回路10によって計算されたアドレ
ス番号により、格納される部分メモリ4を入れ替え回路
2によって選択し、同じアドレス番号のメッシュの面積
値を部分メモリ4から読み出し、加算器3で累積加算し
ながらデータが蓄積される(図4中のステップ83)。
リ4から密度変換回路5によって面積値が面積密度に変
換され、面積密度をマップの様式で格納するマップメモ
リ6に送られる。マップメモリ6は面積密度マップを格
納する記憶装置である。その後、マップメモリ6内のデ
ータに平滑化計算回路7により、平滑化処理を加えるこ
とで、照射される電子線の後方散乱を模擬した面積密度
マップがパイプライン的に作成される。なお、電子線の
後方散乱とともに前方散乱も考慮して面積密度マップを
作成してもよい。
形状データ(w,h)を用いて、そのショットが存在す
るアドレスをアドレス計算回路10を用いて計算し、マ
ップメモリ6に格納された面積密度マップからそのショ
ットの面積密度の値を呼び出す。次に、この面積密度の
値を露光量変換回路8を用いて実際の露光量に変換し、
入力部からの元の露光量に対して、演算回路9によって
積算もしくは加減算することで、ショットごとの露光量
が補正され、出力部12から出力されて描画が行われ
る。
ップの作成,平滑化処理,実際の描画を行う際の一連の
制御は上位のCPU13によって行われる。また本例で
は、部分メモリ4を面積密度マップを格納するマップメ
モリ6の前段に配置したが、面積密度を計算する機能を
入れ替え回路2の前後に配置し、マップメモリ6に直接
面積値を格納し、面積値を直接累積加算して面積密度を
求めてもよい。
路1の機能を説明する。以下、その手順に従って各動作
および機能を示す。なお、矩形ショットに比べて一括シ
ョットの形状は複雑なので、それぞれの場合で、図2に
示すように累積面積計算処理をかえる必要がある。
01) 図2に示すショット寸法判定回路21内において、デー
タ読み出し開始とともに(図4中のステップ51)、図
1に示した入力部11から、一括番号をレジスタ23に
(図4中のステップ55)、位置データ(x,y)をレ
ジスタ24に(図4中のステップ53)、形状データ
(w,h)をレジスタ25に(図4中のステップ5
4)、それぞれのデータを一時格納する。また、ショッ
ト寸法判定回路21に形状データ(w,h)を送る(図
4中のステップ52)。なお、レジスタのかわりにメモ
リ等を用いてもよい。
テップ102) ショット寸法の大きさとメッシュ寸法の大きさを比較す
る(図4中のステップ56)。メッシュ寸法αとすると
き、メッシュに対する横方向と縦方向のショット寸法比
率Pw,Phを次の式30で定義する。例えば、w=
1.5μm ,α=2.048μm であれば、Pw=0と
なり、w=2.048μm,α=1.024μmであれ
ば、Pw=1となる。
も同じ寸法αであるが、長方形メッシュでも方向性さえ
間違えなければ同様の方法で計算処理できる。 (手順3)入力データの読み出し制御(図4中のステッ
プ103) 次に、ショット寸法がメッシュより大きい場合は、その
大きさであるショット寸法比率Pw,Phに合わせて、
次の式31で表わされる回数だけ入力データの読み出し
を停止する。この読み出しの停止は読み出し制御回路3
7に読み出し指示を行う間に行われる(図4中のステッ
プ58)。
るので、停止回数は、3回となる。
数(=1,2,3…)が次の式32の様に1ずつ増加す
る(図4中のステップ61,62)。
ト量kx,ky計算回路27の処理を行うとともに、レ
ジスタ23,24,25の読み出しを行う。そして、カ
ウント数が次の式33に従う場合、読み出し制御回路3
7に読み出し再開の指示を行うことで、次のショットデ
ータの読み出しが行われる(図4中のステップ63)。
回目に再開されることになる。
ステップ103,104) ショットFLG(フラグ)は、FLG生成回路26におい
て生成処理がなされ、ショットごとに付随する。また、
生成されたこのFLGはレジスタ選択回路35の入力デ
ータとなり、面積計算回路34での面積計算時に用いら
れる。FLGの生成の原理は、ショットのX方向分割
数,Y方向分割数,カウント数に応じて以下の式34と
式35により生成される(図4中のステップ57)。
料上のメッシュとショットの位置関係を示す試料面上の
部分平面図である。ショットの大きさが6個×6個のメ
ッシュの大きさを越えない場合の例であり、越える場合
でも考え方は同様であるがここでは省略する。
4個とし、この組の数は、X方向に1組の場合はX分割
が1,Y方向に2組の場合はY分割が2と表す。そし
て、これらのX分割,Y分割に対するFLGの割付番号
を図14に示したように定義する。また、ハッチング部
が計算領域で、破線が4個のメッシュからなる1組を示
し、一度に並列演算処理が可能な領域である。
の大きさを越えない場合、矩形ショットの大きさは、図
14に示す9通りのいずれかになる。例えば、図14
(a)に示すような大きさの矩形ショットの場合、ショ
ットの左下端点を基準として、X分割が1,Y分割が1
になる。そして、このメッシュの組について、上述した
方法でショットの面積値を計算する。
ットの場合は、X分割が1,Y分割が2のメッシュの組
になり、同様にしてショットの面積値を計算する。ここ
で、4個のメッシュからなる組とデータや面積値とを関
連付けるために、メッシュの組のひとつひとつにFLG
を付与する。その値は以下のように定義する。
が1のメッシュの組の場合、FLGが0、図14(b)
に示したX分割が1,Y分割が2のメッシュの組の場
合、FLGが1とする。図14(c)においても同様に
して、FLGが2とする。次に、図14(d)は、X分
割が2,Y分割が1のメッシュの組の場合になり、FL
Gは3とする。図14(e)は、X分割が2、Y分割が
2のメッシュの組の場合であり、FLGは4と5とす
る。図14(f)は、X分割が2,Y分割が3のメッシ
ュの組の場合であり、FLGは6と7とする。図14
(g)は、X分割が3,Y分割が1のメッシュの組の場
合であり、FLGは8とする。図14(h)は、X分割が
3,Y分割が2のメッシュの組の場合であり、FLGは
9と10と11とする。図14(i)は、X分割が3,
Y分割が3のメッシュの組の場合であり、FLGは12
と13と14とする。このようにしてFLGが定義され
る。このようなFLGの割り付けをTableの形でメモリ
等に保持させておくと、FLGの値の割り付けが簡単で
ある。このFLGの割り付けを表すTable1を表1に示
す(図4中のステップ59)。図2に示したショット寸
法判定回路21よりカウントが出力され、このカウント
ごとに図2中のFLG生成回路26に保持されたTable
1に示される条件によって、FLGが生成される(図4
中のステップ64,65)。
トの場合には、メッシュが16個であって4個のメッシ
ュの組が4個なので、分割数はX分割が2,Y分割が2
となる。そして、表1に示すTable1の分割数Xが2,
Yが2の段を参照すると、カウント数が1のときFLG
は0、カウント数が2のときFLGは3、カウント数が
3のときFLGは4、カウント数が4のときFLGは5
となっており、これらのFLGの値がショットの面積値
計算毎に付与される。
のステップ103,105,107) メッシュのシフトはショットの累積面積を計算するとき
に行われる。前述の図11または図12で示したよう
に、1回目の計算処理時のメッシュに対して2回目の計
算処理時のメッシュは、メッシュ2個分ずれている。X
方向のシフト量kx,Y方向のシフト量kyは、カウン
ト数とショットのX方向分割数,Y方向分割数によって
決まる。これらのシフト量をTableの形でメモリ等に格
納しておくと簡便である(図4中のステップ60)。表
2にこのTable2の一例を示す。図2に示したショット
寸法判定回路21よりカウントが出力され、このカウン
トごとにメッシュシフト量kx,ky計算回路27に格
納されたTable2によってシフト量kx,kyが生成さ
れ(図4中のステップ66,70)、メッシュシフト演
算回路28においてメッシュのシフトの計算処理がなさ
れる(図4中のステップ72)。
回目の計算処理時のメッシュのアドレス(m,n)のm
にkx=2を加えると、2回目の計算処理時のメッシュ
のアドレス(m+2,n)になる。
式30で定義したショット寸法比率がPw=2,Ph=
2の場合、分割数Xが2,分割数Yが2であり、その段
を参照すると、カウント数1の計算1回目では、kx=
0,ky=0となる。カウント数2では、kx=2,k
y=0となる。カウント数3では、kx=0,ky=2
となる。カウント数4では、kx=2,ky=2とな
る。
ステップ106) 図2に示したショット寸法判定回路21よりカウントが
出力され、このカウントの数の増加に伴い、一括番号を
保持するレジスタ23から一括ショット累積面積計算回
路31に一括番号が読み出され(図4中のステップ6
9)、位置データ(x,y)を保持するレジスタ24か
らメッシュ境界計算回路29にデータが呼び出され(図
4中のステップ67)、形状データ(w,h)を保持す
るレジスタ25からメッシュ境界計算回路29にデータ
が呼び出される(図4中のステップ68)。例えば、メ
ッシュよりショットが大きい場合には、ショット読み出
しが行われていないので、レジスタ23,レジスタ2
4,レジスタ25には同じデータしか格納されておら
ず、複数回同じデータを呼び出すことになる。ここで、
位置データ(x,y)は、図2に示したm,n生成回路
36において、元のショットの端点位置が含まれるアド
レス(m,n)を前述の式1に従って生成する(図4中
のステップ71)。
のステップ107) 図2に示したメッシュシフト演算回路28は、メッシュ
シフト量kx,ky計算回路27およびm,n生成回路
36から出力されたデータkx,ky,m,nをもと
に、ショットごとに次の式36,式37で示される加算
処理を行う(図4中のステップ72)。処理後のアドレ
ス(m′,n′)はメッシュ境界計算回路29へ送ら
れ、図1に示した入れ替え回路2、部分メモリ4で用い
られる。
ップ108)図2において、各辺の算出を行うため、レ
ジスタ24のデータx,yと、レジスタ25のデータ
w,hと、メッシュシフト演算回路28のデータm′,
n′とをもとにメッシュ境界計算回路29において、以
下の式38,39,40,41に示す計算を行い、分割
したショットの各辺を求める(図4中のステップ73)。
ここで、MIN((m′+1)×α−x,w)は、((m′
+1)×α−x)とwのいずれか小さいほうの値を示
す。
テップ109) 累積面積値は、図4中のステップ79に示すように定義
されるが、矩形ショットの場合、次のように計算でき
る。上記の式38,39,40,41で求めたデータw
a,wb,ha,hbをもとに、図2に示した矩形ショ
ット累積面積計算回路30において次の式42,43,
44,45に示す積算処理を行う(図4中のステップ7
8)。
LGを付加している。また、本機能は矩形ショットのみ
に対応しており、一括ショットの場合は後述の一括ショ
ット累積面積計算回路31を用いる。
算(累積面積値から面積値への変換,図4中のステップ
110) 各画素に含まれる面積値S0,S1,S2,S3を、先
に求めたQA(FLG),QB(FLG),QC(FL
G),QD(FLG)を用いて、図2に示す面積計算回
路34において以下の式46,47,48,49を用い
て計算する(図4中のステップ82)。ここで、FLG
の重複を区別するため、FLGのひとつ前の計算時のF
LGをFLG0、2つ前の計算時のFLGをFLG1と
いうように定義する。
示す機能ブロック図である。FLG0からFLG6の値
はFLGの現在の値より以前の値であるので、例えば、
FLG=0であればFLG0からFLG6の累積面積値
はなく、現在のみのデータだけで処理可能である。一
方、FLG=5である場合、FLG0=0,FLG1=
3,FLG2=4,FLG3=0,FLG4=3,FL
G5=4,FLG6=5で計算したデータも必要とな
る。
おいて、QB,QC,QDの計算では、図3に示した様
に、複数個のレジスタ41を配置し、過去のデータを一
時的に保管できる様にしている。これにさらに、複数個
のセレクタ42を配置することで、過去のデータを選択
し、複数個の加減算器43によって面積値を求めること
ができる。ここで、過去のデータが不要な場合は0を選
択すれば良い。
2に示したレジスタ選択回路35に例えばTable3とし
てFLGデータとセレクタの番号のデータテーブルを保
持しておくことで、容易に演算処理が可能となる。な
お、加減算器43の構成の例として、図3に示したよう
に加算器44と減算器45の組合せで構成するとよい。
(手順11)部分メモリへの累積加算(図4中のステッ
プ111)図1に戻り、上述した図1に示すショット面
積計算回路1で計算した面積値S0,S1,S2,S3
を用いて以下の式50,51,52,53で各値を計算
し、図1に示す部分メモリ4へ累積加算する(図4中の
ステップ83)。
であって、前述のように、これを矩形ショットに細分化
する方法は、ショット数が増加し、計算時間が長くなっ
てしまう欠点があった。図16,図17は一括ショット
の形状の一例を示す試料面上の部分平面図、図18は試
料上のメッシュとショットの位置関係を示す試料面上の
部分平面図である。一括ショットの場合、上述した矩形
ショットの場合の様に、各辺を積算することで累積面積
値を求めることは不可能である。そこで、一括ショット
の場合は、図16に破線で示すような一括ショットを囲
む外枠矩形図形を用いて境界処理を行う。そして、図2
に示すように、矩形ショット累積面積計算回路30と並
べて一括ショット累積面積計算回路31を設けるととも
に、メモリ32に予め計算した一括ショットの累積面積
値を保持しておく。 (手順1)一括累積面積値のメモリの準備 はじめに、ショットが一括ショットか矩形ショットかを
判定し(図4中のステップ74)、一括ショットの場合
は、一括ショットを一辺がδの一括メッシュに細分化し
たときの累積面積値Spsを予め計算しておき、これを
図17に示すようなテーブルの形で、図2に示すメモリ
32等の記憶装置に格納しておく。
軸にY方向メッシュアドレスjpを示している。メモリ
32のこのアドレスip,jpには、一括ショットを分
割したメッシュのアドレスと一括番号を含める。例え
ば、前述の図16に示す外枠矩形図形の一括ショット原
点である左下端点を基準点とする一括ショット形状につ
いて、メッシュあたりの面積値を1とした場合、図17
に示す様な一括ショットを分割したメッシュにおける累
積面積値のマップをメモリ32に保持させる。
理 各メッシュの面積値を計算する際、はじめに、図16に
示す外枠図形を矩形ショットとして計算する。計算処理
の手順は、3−2節の(手順1)から(手順8)までと同
一である。
の生成 3−2節の(手順8)と同様の方法で得られた矩形図形
の各辺wa,wb,ha,hbと一括番号とから、メモ
リ32に保持された一括累積面積値を用いて一括ショッ
トの面積値を算出する。
示し、その寸法は一括メッシュより大きい。その境界を
map,nap等と定義する。はじめに、図中丸印で示
したこの境界の交点が存在する一括メッシュアドレスを
計算する。このアドレスは次の式55,56,57,5
8で表わされる(図4中のステップ75)。
括累積面積値を読み出し(図4中のステップ76)、累
積面積値が次の式59,60,61,62で計算される
(図4中のステップ77)。
タであると判定された場合のみ、式59,60,61,
62で得られたQAからQDをもとに、矩形ショットと
同じ様に面積計算、部分メモリへの格納を行う(図4中
のステップ82,83)。
たが、一括ショットと限定しなくても、パターンデータ
内に重複するデータが多くある場合、これを図2に示す
メモリ32に格納しておくことで、非常に高速に面積密
度マップを作成することができる。
作成 上述した手法は機器の構成によって実現する手法である
が、ソフトウェアで面積密度マップを作成する場合は、
以下の様に行えば良い。
比較 はじめにメッシュ寸法とショット寸法の大小関係を計算
し、ショットがまたがるメッシュ数を算出する。ショッ
トに対する必要なメッシュ数I,Jは、次式で与えられ
る。
の累積面積を求める。i=0,1,…,I−1、j=
0,1,…,J−1について、ショット原点からアドレ
ス(m+i,n+j)のメッシュまでに含まれる累積面
積値Q(m+i,n+j)を求める。このときの累積面
積値は、ショットの境界が存在するメッシュ条件下では
それぞれ異なるので、以下の条件式を用いて表わされ
る。
かつ {(n+j+1)×α−y}≦hとなる場合は、 Q(m+i,n+j)={(m+i+1)×α−x}×{(n+j+1)× ×α−y} 式65 (2){(m+i+1)×α−x}>w かつ {(n
+j+1)×α−y}<hとなる場合は、 Q(m+i,n+j)=w×{(n+j+1)×α−y} 式66 (3){(m+i+1)×α−x}<w かつ {(n
+j+1)×α−y}>hとなる場合は、 Q(m+i,n+j)={(m+i+1)×α−x}×h 式67 (4){(m+i+1)×α−x}>w かつ {(n
+j+1)×α−y}>hとなる場合は、 Q(m+i,n+j)=w×h 式68 となる。
ると、アドレス(m+i,n+j)のメッシュに含まれ
る面積値S(m+i,n+j)は、次式で表わされる。
面積値を用いた面積密度マップを作成することができ
る。一括ショットに関してもメモリの代わりに3−3節
で示した様なデータを登録して、それを呼び出し、上記
の計算をすればよい。
ットなども含め、ショット寸法に依存しない高精度な面
積密度マップを作成することができる。また、一括ショ
ットの様に複雑なショットにおいても矩形ショット分割
せず、一括ショットごとに、正確な面積密度マップを短
時間で作成することができ、スループットが向上する。
実際の描画では、完成した面積密度マップを参照して、
試料に照射されるエネルギーが決定される。
的を達成することができる。
て設定されたショットの形状に加工された電子線を前記
試料へ照射して前記パターンを前記試料へ描画する電子
線を用いた描画方法において、前記電子線により描画さ
れる領域を仮想的に区分するメッシュと前記ショットの
位置関係に基づいて、前記メッシュの境界で該ショット
を前記ショットの基準点から累積状に分解し、それぞれ
の前記メッシュ内に含まれる前記累積状に分解されたシ
ョットの累積面積値を算出し、前記累積面積値と、該累
積面積値を算出したメッシュに隣接するメッシュまでの
第2の累積面積値とを加減算し、個々のメッシュに含ま
れる前記ショットの面積値を算出し、該ショットの面積
値から前記領域における前記ショットの面積密度マップ
を作成し、該面積密度マップを参照して前記パターンの
面積の疎密による前記電子線のショットの照射への影響
を補正し描画することを特徴とする電子線を用いた描画
方法。
て設定されたショットの形状に加工された電子線を前記
試料へ照射して前記パターンを前記試料へ描画する電子
線を用いた描画方法において、前記電子線により描画さ
れる領域を仮想的に区分するメッシュと前記ショットの
寸法の大きさを比較し、その結果に基づいて、前記ショ
ットのデータまたは前記パターンのデータの読み出しを
制御し、前記メッシュと前記ショットの位置関係に基づ
いて、前記メッシュの境界で該ショットを前記ショット
の基準点から累積状に分解し、それぞれの前記メッシュ
内に含まれる前記累積状に分解されたショットの累積面
積値を算出し、該累積面積値から前記領域における前記
ショットの面積密度マップを作成し、該面積密度マップ
を参照して前記パターンの面積の疎密による前記電子線
のショットの照射への影響を補正し描画することを特徴
とする電子線を用いた描画方法。
て設定されたショットの形状に加工された電子線を前記
試料へ照射して、前記パターンを前記試料へ描画する電
子線を用いた描画方法において、前記電子線により描画
される領域を仮想的に区分するメッシュと前記ショット
の位置関係に基づいて、前記メッシュの境界で該ショッ
トを前記ショットの基準点から累積状に分解し、それぞ
れの前記メッシュ内に含まれる前記累積状に分解された
ショットの累積面積値を、複数個の前記メッシュ毎に並
列して同時に算出し、該累積面積値から前記領域におけ
る前記ショットの面積密度マップを作成し、該面積密度
マップを参照して前記パターンの面積の疎密による前記
電子線のショットの照射への影響を補正し描画すること
を特徴とする電子線を用いた描画方法。
て設定されたショットの形状に加工された電子線を前記
試料へ照射して前記パターンを前記試料へ描画する電子
線を用いた描画方法において、予め記憶手段にその形状
が保持された前記ショットを読み出し、前記電子線によ
り描画される領域を仮想的に区分するメッシュと前記シ
ョットの位置関係に基づいて、前記メッシュの境界で該
ショットを前記ショットの基準点から累積状に分解し、
それぞれの前記メッシュ内に含まれる前記累積状に分解
されたショットの累積面積値を算出し、該累積面積値か
ら前記領域における前記ショットの面積密度マップを作
成し、該面積密度マップを参照して前記パターンの面積
の疎密による前記電子線のショットの照射への影響を補
正し描画することを特徴とする電子線を用いた描画方
法。
形状がパターンの形状に成形されたショットを試料に照
射して該試料に前記パターンを描画する電子線を用いた
描画方法において、前記試料上に仮想の大きさのメッシ
ュを想定し、複数個の前記メッシュからなる組を予め決
定し、前記メッシュの組内のメッシュ毎に、前記ショッ
トの角部から該メッシュまでの複数個のメッシュにまた
がるショットの累積面積値を並行して算出し、前記メッ
シュの組内のメッシュ毎に算出された前記累積面積値を
互いに減算して、前記メッシュの組内の個々のメッシュ
に存在する前記ショットの面積値を算出し、該ショット
の面積値に基づいて前記試料上の描画すべき領域の面積
密度マップを作成し、該面積密度マップに保持された値
に基づいて前記ショットの照射量を制御することを特徴
とする電子線を用いた描画方法。 (6)試料へ描画すべきパターンに基づいて設定された
ショットの形状に加工された電子線を前記試料へ照射し
て前記パターンを前記試料へ描画する電子線描画装置に
おいて、前記電子線により描画される領域を仮想的に区
分するメッシュと前記ショットの位置関係に基づいて、
前記メッシュの境界で該ショットを前記ショットの基準
点から累積状に分解し、それぞれの前記メッシュ内に含
まれる前記累積状に分解されたショットの累積面積値を
算出し、前記累積面積値と該累積面積値を算出したメッ
シュに隣接するメッシュまでの第2の累積面積値とを算
出して加減算し、個々のメッシュに含まれる前記ショッ
トの面積値を算出する累積面積値演算手段と、前記累積
面積値演算手段で算出された前記ショットの面積値から
前記領域における前記ショットの面積密度マップを作成
する面積密度マップ作成手段と、前記面積密度マップ作
成手段で作成された面積密度マップを参照して前記パタ
ーンの面積の疎密による前記電子線のショットの照射へ
の影響を補正し描画する手段とを備えたことを特徴とす
る電子線描画装置。
て設定されたショットの形状に加工された電子線を前記
試料へ照射して前記パターンを前記試料へ描画する電子
線描画装置において、前記電子線により描画される領域
を仮想的に区分するメッシュと前記ショットの寸法の大
きさを比較する比較手段と、前記メッシュと前記ショッ
トの位置関係に基づいて、前記メッシュの境界で該ショ
ットを前記ショットの基準点から累積状に分解し、それ
ぞれの前記メッシュ内に含まれる前記累積状に分解され
たショットの累積面積値を算出する累積面積値演算手段
と、前記累積面積値演算手段で算出された累積面積値か
ら前記領域における前記ショットの面積密度マップを作
成する面積密度マップ作成手段と、前記面積密度マップ
作成手段で作成された面積密度マップを参照して前記パ
ターンの面積の疎密による前記電子線のショットの照射
への影響を補正し描画する手段とを備えたことを特徴と
する電子線描画装置。
て設定されたショットの形状に加工された電子線を前記
試料へ照射して前記パターンを前記試料へ描画する電子
線描画装置において、前記電子線により描画される領域
を仮想的に区分するメッシュと前記ショットの寸法の大
きさを比較する比較手段と、前記比較手段で比較した結
果に基づいて前記ショットのデータまたは前記パターン
のデータの読み出しを制御する制御手段と、前記制御手
段の制御によって読み出された前記メッシュと前記ショ
ットの位置関係に基づいて、前記メッシュの境界で該シ
ョットを前記ショットの基準点から累積状に分解し、そ
れぞれの前記メッシュ内に含まれる前記累積状に分解さ
れたショットの累積面積値を算出する累積面積値演算手
段と、前記累積面積値演算手段で算出された累積面積値
から前記領域における前記ショットの面積密度マップを
作成する面積密度マップ作成手段と、前記面積密度マッ
プ作成手段で作成された面積密度マップを参照して前記
パターンの面積の疎密による前記電子線のショットの照
射への影響を補正し描画する手段とを備えたことを特徴
とする電子線描画装置。
て設定されたショットの形状に加工された電子線を前記
試料へ照射して前記パターンを前記試料へ描画する電子
線描画装置において、前記電子線により描画される領域
を仮想的に区分するメッシュと前記ショットの位置関係
に基づいて、前記メッシュの境界で該ショットを前記シ
ョットの基準点から累積状に分解し、それぞれの前記メ
ッシュ内に含まれる前記累積状に分解されたショットの
累積面積値を複数個の前記メッシュ毎に並列して同時に
算出する累積面積値演算手段と、前記累積面積値演算手
段で算出された累積面積値から前記領域における前記シ
ョットの面積密度マップを作成する面積密度マップ作成
手段と、前記面積密度マップ作成手段で作成された面積
密度マップを参照して前記パターンの面積の疎密による
前記電子線のショットの照射への影響を補正し描画する
手段とを備えたことを特徴とする電子線描画装置。
いて設定されたショットの形状に加工された電子線を前
記試料へ照射して前記パターンを前記試料へ描画する電
子線描画装置において、前記ショットを形状データとし
て予め保持する記憶手段と、前記電子線により描画され
る領域を仮想的に区分するメッシュと前記記憶手段に保
持されたショットの位置関係に基づいて、前記メッシュ
の境界で該ショットを前記ショットの基準点から累積状
に分解し、それぞれの前記メッシュ内に含まれる前記累
積状に分解されたショットの累積面積値を算出する累積
面積値演算手段と、前記累積面積値演算手段で算出され
た累積面積値から前記領域における前記ショットの面積
密度マップを作成する面積密度マップ作成手段と、前記
面積密度マップ作成手段で作成された面積密度マップを
参照して前記パターンの面積の疎密による前記電子線の
ショットの照射への影響を補正し描画する手段とを備え
たことを特徴とする電子線描画装置。
面形状がパターンの形状に成形されたショットを試料に
照射して該試料に前記パターンを描画する電子線描画装
置において、前記試料上に仮想の大きさのメッシュを想
定し、複数個の前記メッシュからなる組を予め決定する
メッシュ設定手段と、前記メッシュ設定手段で決定され
た前記メッシュの組内のメッシュ毎に、前記ショットの
角部から該メッシュまでの複数個のメッシュにまたがる
ショットの累積面積値を並行して算出する累積面積値演
算手段と、前記累積面積値演算手段で算出された前記メ
ッシュの組内のメッシュ毎に算出された前記累積面積値
を互いに減算して、前記メッシュの組内の個々のメッシ
ュに存在する前記ショットの面積値を算出するショット
面積値算出手段と、前記ショット面積値算出手段で算出
された面積値に基づいて前記試料上の描画すべき領域の
面積密度マップを作成する面積密度マップ作成手段と、
前記面積密度マップ作成手段で作成された面積密度マッ
プに保持された値に基づいて前記ショットの照射量を制
御する手段とを備えたことを特徴とする電子線描画装
置。
ッシュより大きなショットでもスループットを低下させ
ることなく、面積密度マップが作成できる、面積密度マ
ップを用いた近接効果補正法を取り入れた電子線描画装
置および電子線を用いた描画方法を得ることができる。
ク図。
ブロック図。
図。
試料面上の部分平面図。
試料面上の部分平面図。
試料面上の部分平面図。
試料面上の部分平面図。
試料面上の部分平面図。
す試料面上の部分平面図。
す試料面上の部分平面図。
す試料面上の部分平面図。
ク図。
す試料面上の部分平面図。
部分平面図。
部分平面図。
部分平面図。
す試料面上の部分平面図。
プメモリ、7…平滑化計算回路、8…露光量変換回路、
9…演算回路、10…アドレス計算回路、13…CP
U、21…ショット寸法判定回路、26…FLG生成回
路、27…メッシュシフト量kx,ky計算回路、28
…メッシュシフト演算回路、29…メッシュ境界計算回
路、30…矩形ショット累積面積計算回路、31…一括
ショット累積面積計算回路、32…メモリ、33,42
…セレクタ、34…面積計算回路、35…レジスタ選択
回路、36…m,n生成回路、37…読み出し制御回
路、41…レジスタ、90…メッシュ、91,92,9
3…ショット、150…手順制御部、151…EB制御
用計算機、155…図形分解部、156…近接効果補正
部、157…面積密度マップメモリ、158…追従絶対
校正部、166…試料、169…試料台制御部。
Claims (7)
- 【請求項1】試料へ描画すべきパターンに基づいて設定
されたショットの形状に加工された電子線を前記試料へ
照射して前記パターンを前記試料へ描画する電子線を用
いた描画方法において、 前記電子線により描画される領域を仮想的に区分するメ
ッシュと前記ショットの位置関係に基づいて、前記メッ
シュの境界で該ショットを前記ショットの基準点から累
積状に分解し、それぞれの前記メッシュ内に含まれる前
記累積状に分解されたショットの累積面積値を算出し、
該累積面積値から前記領域における前記ショットの面積
密度マップを作成し、該面積密度マップを参照して前記
パターンの面積の疎密による前記電子線のショットの照
射への影響を補正し描画することを特徴とする電子線を
用いた描画方法。 - 【請求項2】試料へ描画すべきパターンに基づいて設定
されたショットの形状に加工された電子線を前記試料へ
照射して前記パターンを前記試料へ描画する電子線を用
いた描画方法において、 前記電子線により描画される領域を仮想的に区分するメ
ッシュと前記ショットの寸法の大きさを比較し、前記メ
ッシュと前記ショットの位置関係に基づいて、前記メッ
シュの境界で該ショットを前記ショットの基準点から累
積状に分解し、それぞれの前記メッシュ内に含まれる前
記累積状に分解されたショットの累積面積値を算出し、
該累積面積値から前記領域における前記ショットの面積
密度マップを作成し、該面積密度マップを参照して前記
パターンの面積の疎密による前記電子線のショットの照
射への影響を補正し描画することを特徴とする電子線を
用いた描画方法。 - 【請求項3】試料へ描画すべきパターンに基づいて設定
されたショットの形状に加工された電子線を前記試料へ
照射して前記パターンを前記試料へ描画する電子線を用
いた描画方法において、 前記電子線により描画される領域を仮想的に区分するメ
ッシュと前記ショットの位置関係に基づいて、前記メッ
シュの境界で該ショットを前記ショットの基準点から累
積状に分解し、それぞれの前記メッシュ内に含まれる前
記累積状に分解されたショットの累積面積値を算出し、
該累積面積値を記憶手段へ保持し、以上の工程を少なく
とも1回繰り返し、前記記憶手段に保持された過去の累
積面積値と現在の累積面積値とから前記ショット毎の面
積値を算出し、該面積値から前記領域における前記ショ
ットの面積密度マップを作成し、該面積密度マップを参
照して前記パターンの面積の疎密による前記電子線のシ
ョットの照射への影響を補正し描画することを特徴とす
る電子線を用いた描画方法。 - 【請求項4】開口部の通過によって電子線の断面形状が
パターンの形状に成形されたショットを試料に照射して
該試料に前記パターンを描画する電子線を用いた描画方
法において、 前記試料上に仮想の大きさのメッシュを想定し、複数個
の前記メッシュからなる組を予め決定し、前記メッシュ
の組内のメッシュ毎に、前記ショットの角部から該メッ
シュまでの複数個のメッシュにまたがるショットの累積
面積値を算出し、前記メッシュの組内のメッシュ毎に算
出された前記累積面積値を互いに減算して、前記メッシ
ュの組内の個々のメッシュに存在する前記ショットの面
積値を算出し、該ショットの面積値に基づいて前記試料
上の描画すべき領域の面積密度マップを作成し、該面積
密度マップに保持された値に基づいて前記ショットの照
射量を制御することを特徴とする電子線を用いた描画方
法。 - 【請求項5】試料へ描画すべきパターンに基づいて設定
されたショットの形状に加工された電子線を前記試料へ
照射して前記パターンを前記試料へ描画する電子線描画
装置において、 前記電子線により描画される領域を仮想的に区分するメ
ッシュと前記ショットの位置関係に基づいて、前記メッ
シュの境界で該ショットを前記ショットの基準点から累
積状に分解し、それぞれの前記メッシュ内に含まれる前
記累積状に分解されたショットの累積面積値を算出する
累積面積値演算手段と、前記累積面積値演算手段で算出
された累積面積値から前記領域における前記ショットの
面積密度マップを作成する面積密度マップ作成手段と、
前記面積密度マップ作成手段で作成された面積密度マッ
プを参照して前記パターンの面積の疎密による前記電子
線のショットの照射への影響を補正し、描画する手段と
を備えたことを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項6】試料へ描画すべきパターンに基づいて設定
されたショットの形状に加工された電子線を前記試料へ
照射して前記パターンを前記試料へ描画する電子線描画
装置において、 前記電子線により描画される領域を仮想的に区分するメ
ッシュと前記ショットの位置関係に基づいて、前記メッ
シュの境界で該ショットを前記ショットの基準点から累
積状に分解し、それぞれの前記メッシュ内に含まれる前
記累積状に分解されたショットの累積面積値を算出する
累積面積値演算手段と、前記累積面積値演算手段で算出
された累積面積値を保持する記憶手段と、前記記憶手段
に保持された過去の累積面積値と現在の累積面積値とか
ら前記ショット毎の面積値を算出し、該面積値から前記
領域における前記ショットの面積密度マップを作成する
面積密度マップ作成手段と、前記面積密度マップ作成手
段で作成された面積密度マップを参照して前記パターン
の面積の疎密による前記電子線のショットの照射への影
響を補正し描画する手段とを備えたことを特徴とする電
子線描画装置。 - 【請求項7】開口部の通過によって電子線の断面形状が
パターンの形状に成形されたショットを試料に照射して
該試料に前記パターンを描画する電子線描画装置におい
て、 前記試料上に仮想の大きさのメッシュを想定し、複数個
の前記メッシュからなる組を予め決定するメッシュ設定
手段と、前記メッシュ設定手段で決定された前記メッシ
ュの組内のメッシュ毎に、前記ショットの角部から該メ
ッシュまでの複数個のメッシュにまたがるショットの累
積面積値を算出する累積面積値演算手段と、前記累積面
積値演算手段で算出された前記メッシュの組内のメッシ
ュ毎に算出された前記累積面積値を互いに減算して、前
記メッシュの組内の個々のメッシュに存在する前記ショ
ットの面積値を算出するショット面積値算出手段と、前
記ショット面積値算出手段で算出された面積値に基づい
て前記試料上の描画すべき領域の面積密度マップを作成
する面積密度マップ作成手段と、前記面積密度マップ作
成手段で作成された面積密度マップに保持された値に基
づいて前記ショットの照射量を制御する手段とを備えた
ことを特徴とする電子線描画装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21024299A JP3458778B2 (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | 電子線描画装置および電子線を用いた描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21024299A JP3458778B2 (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | 電子線描画装置および電子線を用いた描画方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001035781A JP2001035781A (ja) | 2001-02-09 |
JP3458778B2 true JP3458778B2 (ja) | 2003-10-20 |
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ID=16586148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21024299A Expired - Fee Related JP3458778B2 (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | 電子線描画装置および電子線を用いた描画方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3458778B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5570774B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2014-08-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および方法 |
JP5813379B2 (ja) * | 2011-06-03 | 2015-11-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マスク製造用装置 |
-
1999
- 1999-07-26 JP JP21024299A patent/JP3458778B2/ja not_active Expired - Fee Related
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