JPS6292504A - 進行波形増幅器 - Google Patents
進行波形増幅器Info
- Publication number
- JPS6292504A JPS6292504A JP23266385A JP23266385A JPS6292504A JP S6292504 A JPS6292504 A JP S6292504A JP 23266385 A JP23266385 A JP 23266385A JP 23266385 A JP23266385 A JP 23266385A JP S6292504 A JPS6292504 A JP S6292504A
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- JP
- Japan
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- unit
- drain
- fets
- gate
- transmission line
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は通信およびレーダ等に用いられるモノリシッ
ク広帯域増幅器のうち、進行波形増幅器に関するもので
ある。
ク広帯域増幅器のうち、進行波形増幅器に関するもので
ある。
第３図は工ＥＥＦ＋ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ Ｏｒ
Ｉ ＭｉｃｒｏｗａｖｅＴｈ１３Ｏｒ７ Ａｎｄ Ｔｈ
ｃｈｉｑ ｕｅｓ、ＶＯＬ、 ＭＴＴ−３２，階３．
Ｍａｒｃｈ１９８４、Ｐ２９１１１に示された従来の広
帯域ＦＥｉＴ増幅器の構成図である。公知文献中では８
個の単位ＦＥｉＴ全用い念場合について示されているが
。
Ｉ ＭｉｃｒｏｗａｖｅＴｈ１３Ｏｒ７ Ａｎｄ Ｔｈ
ｃｈｉｑ ｕｅｓ、ＶＯＬ、 ＭＴＴ−３２，階３．
Ｍａｒｃｈ１９８４、Ｐ２９１１１に示された従来の広
帯域ＦＥｉＴ増幅器の構成図である。公知文献中では８
個の単位ＦＥｉＴ全用い念場合について示されているが
。
ここでは説明を間単にするために４個の単位ＦＫ’ｒｊ
−用いた場合について述べ、ゲートおよびドレインバイ
アス供給回路は省略している。
−用いた場合について述べ、ゲートおよびドレインバイ
アス供給回路は省略している。
この図において１１１〜（４１は単位Ｆ Ｆ！ Ｔ 、
＋５１はゲート、（６）はドレイン、（力はソース、
（８）はゲート伝送線路、 ＋９１ 、 ｔｌｏｌはド
レイン伝送線路、 （ＩＩ）にキャパシタ、 （１２）
は抵抗、Ｏ→はＴ分岐回路、 Ｑ４）は入力端子、ａａ
ｉ出力端子である。
＋５１はゲート、（６）はドレイン、（力はソース、
（８）はゲート伝送線路、 ＋９１ 、 ｔｌｏｌはド
レイン伝送線路、 （ＩＩ）にキャパシタ、 （１２）
は抵抗、Ｏ→はＴ分岐回路、 Ｑ４）は入力端子、ａａ
ｉ出力端子である。
単位Ｆ Ｋ Ｔ Ｉ１１〜（４）はそれぞれ、ゲート（
５１，ドレイン（６）、ソース１７１ Ｋより形成され
ており、ソース（７）はバイアホール等で接地されてい
る。
５１，ドレイン（６）、ソース１７１ Ｋより形成され
ており、ソース（７）はバイアホール等で接地されてい
る。
単位ＦＥＴは）と（２１とは隣合せに並列に配置され９
両者の単位Ｆ Ｅ Ｔ Ｉｌｌ 、 ＋２１のゲート間
および単位Ｆ Ｋ Ｔ １１１とＴ分岐回路（１３）の
一端子間はゲート伝送ａ ｍ ＋８１によシ、それぞれ
接続されている。
両者の単位Ｆ Ｅ Ｔ Ｉｌｌ 、 ＋２１のゲート間
および単位Ｆ Ｋ Ｔ １１１とＴ分岐回路（１３）の
一端子間はゲート伝送ａ ｍ ＋８１によシ、それぞれ
接続されている。
また、単位Ｆ Ｅ Ｔ ＋２１のゲートクロ）は抵抗（
喝、ゲート伝送線路（８）、キャパシタ（Ｉｌｌ’に介
して接地されている。
喝、ゲート伝送線路（８）、キャパシタ（Ｉｌｌ’に介
して接地されている。
一方、屯位Ｆ Ｋ Ｔ Ｉｌｌ 、 ＋２１のドレイン
（６）間はドレイン伝送線路＋９１ 、 ｔｌｏｌによ
り接続されている。
（６）間はドレイン伝送線路＋９１ 、 ｔｌｏｌによ
り接続されている。
単位Ｆ Ｆｉ Ｔ １１１のドレイン（６）ハトレイン
伝送線路ｔ９１ 、 ｔｌｏｌ、抵抗−およびキャパシ
タ（川を介して接地されており、単位Ｆ Ｅ Ｔ ＋２
１のドレイン＋６１ニドレイン伝送線路ｔ９１ 、 ｔ
＋０１ 、キャパシタ（ｌｌ）′！ｉｌ−介して出力端
子−Ｊ５）に接続されている。
伝送線路ｔ９１ 、 ｔｌｏｌ、抵抗−およびキャパシ
タ（川を介して接地されており、単位Ｆ Ｅ Ｔ ＋２
１のドレイン＋６１ニドレイン伝送線路ｔ９１ 、 ｔ
＋０１ 、キャパシタ（ｌｌ）′！ｉｌ−介して出力端
子−Ｊ５）に接続されている。
このような回路構成になっているため単位ＦＥＴ…、
ｔ２＋ 、ゲート伝送線路（８）、ドレイン伝送４Ａ路
（９１、ｔｌｏｌ 、キャパシタ（１１）および抵抗（
ｌ渇により。
ｔ２＋ 、ゲート伝送線路（８）、ドレイン伝送４Ａ路
（９１、ｔｌｏｌ 、キャパシタ（１１）および抵抗（
ｌ渇により。
２段の進行波形増幅器が形成される。
単位Ｆ Ｂ ７１３１ 、１４）側も単位Ｆ Ｆｌｉ
Ｔ Ｉｌｌ 、 ｆ２］側とｌ＋５１様な回路構成にな
っており、単位Ｆ Ｅ Ｔ ＋３１ 。
Ｔ Ｉｌｌ 、 ｆ２］側とｌ＋５１様な回路構成にな
っており、単位Ｆ Ｅ Ｔ ＋３１ 。
（４１，ゲート伝送線路（８）、ドレイン伝送線路（９
）。
）。
ｊｌｏｌ 、キャパシタ（１りおよび抵抗０匂により、
他の２段の進行波形増幅器が形成される。
他の２段の進行波形増幅器が形成される。
Ｔ分岐回路賭はマイクロ波を２分配する動きがあり、入
力端子θ瘤から入射したマイクロ波ばＴ分岐回路０３）
により分配される。分配されたマイクロ波はゲート伝送
線８Ｍ！ｃ〜を通って各単位ＦＥ Ｔ ｔｌｌ 〜＋４
１のゲート（５）に到達し、大部分は？：ｒ単位Ｆ Ｅ
Ｔ ｆｉｌ〜（４）の内部に入り、残りは抵抗０２）
で吸収される。６単位Ｆ Ｆｉ Ｔ ｆｉｌ〜（４）の
内部に入ったマイクロ波はそこで増幅され、一部は抵抗
（１２＋で吸収されるが、大部分はドレイン伝送線路（
９）。
力端子θ瘤から入射したマイクロ波ばＴ分岐回路０３）
により分配される。分配されたマイクロ波はゲート伝送
線８Ｍ！ｃ〜を通って各単位ＦＥ Ｔ ｔｌｌ 〜＋４
１のゲート（５）に到達し、大部分は？：ｒ単位Ｆ Ｅ
Ｔ ｆｉｌ〜（４）の内部に入り、残りは抵抗０２）
で吸収される。６単位Ｆ Ｆｉ Ｔ ｆｉｌ〜（４）の
内部に入ったマイクロ波はそこで増幅され、一部は抵抗
（１２＋で吸収されるが、大部分はドレイン伝送線路（
９）。
（１０）およびキャパシタ（１１）を通って出力端子り
ωに到達する。
ωに到達する。
このように、この増幅器では２個の進行波形増幅器の出
力を合成することにより、大きな出力を得ている。増幅
器全体ばＧａＡＳ基板等の半導体基板上にモノリシンク
集積回路技術を用いて構成されている。
力を合成することにより、大きな出力を得ている。増幅
器全体ばＧａＡＳ基板等の半導体基板上にモノリシンク
集積回路技術を用いて構成されている。
従来の広帯域ＦＥＴ増幅器は単位Ｆ Ｋ Ｔ ｆｉ＋
。
。
（２１と単位Ｆ’ Ｋ Ｔ ＋３１ 、 ＋４１間にド
レイン伝送線路（９）。
レイン伝送線路（９）。
（１０）を配置しており９両者は互いに離れた所に形成
されている。一般に半導体基板上にＦＦＸＴを形成する
場合、Ｆ’Ｔ！、Ｔを形成する位置によってＰＥＴの特
性が大きくばらつくことが多い。こＯ，＋メ、 、１１
１位Ｆ Ｅ Ｔｉｌｌ 、 （２１）特性色単位Ｆ Ｅ
Ｔ（３）と１４１の特性がばらついてし筐う問題点が
あった。この特性ばらつきにより、単位Ｆ Ｋ Ｔ ｆ
ｉ＋と（２）とで形成される進行波形増幅器の特性と単
位Ｆ Ｆｉ Ｔ ＋３１と（４１とで形成される進行波
形増幅器の特性とＫばらつきが生じ９両者の進行波形増
幅４の出力を合成する場合９合成効率が低下して（−寸
う問題点もあった。
されている。一般に半導体基板上にＦＦＸＴを形成する
場合、Ｆ’Ｔ！、Ｔを形成する位置によってＰＥＴの特
性が大きくばらつくことが多い。こＯ，＋メ、 、１１
１位Ｆ Ｅ Ｔｉｌｌ 、 （２１）特性色単位Ｆ Ｅ
Ｔ（３）と１４１の特性がばらついてし筐う問題点が
あった。この特性ばらつきにより、単位Ｆ Ｋ Ｔ ｆ
ｉ＋と（２）とで形成される進行波形増幅器の特性と単
位Ｆ Ｆｉ Ｔ ＋３１と（４１とで形成される進行波
形増幅器の特性とＫばらつきが生じ９両者の進行波形増
幅４の出力を合成する場合９合成効率が低下して（−寸
う問題点もあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、使用する単位ＦＦ、Ｔ特性ばらつきを小さく
するとともに１合成効率の高い進行波形増幅器を得るこ
とを目的とする。
たもので、使用する単位ＦＦ、Ｔ特性ばらつきを小さく
するとともに１合成効率の高い進行波形増幅器を得るこ
とを目的とする。
この発明に係る進行波形増幅器は使用する単位ＦＥＴを
直線上に並べて配置するとともに。
直線上に並べて配置するとともに。
少なくとも１個の単位ＦＥＴのゲートおよびドレインｔ
ｍの単位ＦＥＴのゲートおよびドレインと逆向きになる
ように配置したものである。
ｍの単位ＦＥＴのゲートおよびドレインと逆向きになる
ように配置したものである。
この発明における進行波形増１隔器は使用する単位ＦＥ
でを１個所に筐とめて形成できるため。
でを１個所に筐とめて形成できるため。
各単位ＦｆｆｉＴ間の特性ばらつきを小さくでき。
２個の進行波形増幅器の出力全効率良く合成できる。
以下、この発明の一実１Ｍ、例を図について説明する。
第１図において、■はエアブリッジ、 ｆｌη〜媚はド
レイン伝送線路、３１１ばＴ分岐回路である。
レイン伝送線路、３１１ばＴ分岐回路である。
単位Ｆ Ｋ Ｔ Ｈ１〜（４）は入力端子＋１４１側か
ら単位ＦＫ Ｔ Ｉｌｌ 、 ＋３１ 、 ＋２１ 、
＋４１の順に並列に、かつ、直娠上に配置され、単位
ＦＥ！Ｔ山、（２）のゲート（５）およびドレイン＋６
１ Ｋ対して、単位Ｆ Ｅｌ： Ｔ ｉ３＋ 、 ＋４
１のゲート（６）およびドレイン１６）はそれぞれ逆方
向になるように配置されている。
ら単位ＦＫ Ｔ Ｉｌｌ 、 ＋３１ 、 ＋２１ 、
＋４１の順に並列に、かつ、直娠上に配置され、単位
ＦＥ！Ｔ山、（２）のゲート（５）およびドレイン＋６
１ Ｋ対して、単位Ｆ Ｅｌ： Ｔ ｉ３＋ 、 ＋４
１のゲート（６）およびドレイン１６）はそれぞれ逆方
向になるように配置されている。
単位ＦＥＴ（１）、（２）のドレイン（６）間はドレイ
ン伝送猟路１１カ、（１→により接続されており、ドレ
イン伝送ｉ路＋１３）の一端は抵抗ｔ１２）、キャパシ
タ（１１）を介して接地されている。また、伝送線路（
Ｉ樽の他の一端ばＴ分岐回路２υの一端に接続されてい
る。
ン伝送猟路１１カ、（１→により接続されており、ドレ
イン伝送ｉ路＋１３）の一端は抵抗ｔ１２）、キャパシ
タ（１１）を介して接地されている。また、伝送線路（
Ｉ樽の他の一端ばＴ分岐回路２υの一端に接続されてい
る。
一方、単位Ｆ Ｋ Ｔ ＋３１ 、１４１のドレイン間
はドレイン伝送線路（ｌ！、嬢によシ接続されておシ、
ドレイン伝送線路−の一端は抵抗（１２） 、キャパシ
タ（１１＋’を介して接地されている。また、伝送線ｗ
！ｒ翰の他の一端はＴ分岐回路２１１の他の一端に接続
されている。
はドレイン伝送線路（ｌ！、嬢によシ接続されておシ、
ドレイン伝送線路−の一端は抵抗（１２） 、キャパシ
タ（１１＋’を介して接地されている。また、伝送線ｗ
！ｒ翰の他の一端はＴ分岐回路２１１の他の一端に接続
されている。
さらにＴ分岐回路２υの残りの端子はキャパシタ（ＩＩ
１ ′に介して出力端子α均に接続され、＠路が直９ｆ
る部分はエアブリッジ■によシ互りに電気的に絶縁され
ている。
１ ′に介して出力端子α均に接続され、＠路が直９ｆ
る部分はエアブリッジ■によシ互りに電気的に絶縁され
ている。
このように構成されているので単位Ｆ１１１：Ｔｉｌ＋
。
。
（２１，ゲート伝送線路（８）、ドレイン伝送線路０乃
。
。
■、抵抗θ匂およびキャパシタ（１υによｐ、２段の進
行波形増幅器が形成される。また、単位ＦＦ１ｉＴ ＋
３１ 、 ＋４１ 、ゲート伝送線路（８）、ドレイン
伝送線路０９１ 、１２１ 、抵抗（１′４およびキャ
パシタ（Ｉｌ）により。
行波形増幅器が形成される。また、単位ＦＦ１ｉＴ ＋
３１ 、 ＋４１ 、ゲート伝送線路（８）、ドレイン
伝送線路０９１ 、１２１ 、抵抗（１′４およびキャ
パシタ（Ｉｌ）により。
他の２段の進行波形増幅器が構成される。
入力端子（ｌ（１）から入射したマイクロ波はＴ分岐回
路州によシ分配され、それぞれの進行波形増幅器で増幅
される。そこで増幅されたマイクロ波はＴ分岐回路０！
υで合成されて、出力端子に到達する。
路州によシ分配され、それぞれの進行波形増幅器で増幅
される。そこで増幅されたマイクロ波はＴ分岐回路０！
υで合成されて、出力端子に到達する。
従来の進行波形増幅器では６単位ＦＡＣＴ…〜（引のド
レイン＋６１ ａドレイン伝送線路（９）および同一の
ドレイン伝送ｉ路（ｌＯ）によって出力端子ａ〜に接続
されていたが、この発明の進行波形増幅器では単位Ｆ’
ＢＴ…、（２１のドレイン（６）はドレイン伝送ＭＡｆ
ｌη、 ＩＩ１ ｅ ’ｒ分岐回路圓によシ、また。単
位Ｐ Ｋ Ｔ ＋３１ 、 ＋４７のドレイン（６）は
ドレイン伝送線路ｕｉＪ ＊ 翰−Ｔ分岐回路３υによ
り、出力端子Ｏｅ９にそれぞれ接続されている。両者の
ドレイン（６）側の回ＦＩ１１ｉ成は若干異なるが、基
本的な働きは同じである。
レイン＋６１ ａドレイン伝送線路（９）および同一の
ドレイン伝送ｉ路（ｌＯ）によって出力端子ａ〜に接続
されていたが、この発明の進行波形増幅器では単位Ｆ’
ＢＴ…、（２１のドレイン（６）はドレイン伝送ＭＡｆ
ｌη、 ＩＩ１ ｅ ’ｒ分岐回路圓によシ、また。単
位Ｐ Ｋ Ｔ ＋３１ 、 ＋４７のドレイン（６）は
ドレイン伝送線路ｕｉＪ ＊ 翰−Ｔ分岐回路３υによ
り、出力端子Ｏｅ９にそれぞれ接続されている。両者の
ドレイン（６）側の回ＦＩ１１ｉ成は若干異なるが、基
本的な働きは同じである。
なお、上記実施例では２個の進行波形増幅器を並列接続
した場合について説明したが、第２図に示すように縦続
接続した場合であっても良い。この図に示すように、単
位Ｆ Ｅ Ｔ １１１〜（４１は単位ＦＥＴ…、 ＋２
１ 、 ＋３１ 、 ＋４１の順に並列に、かつ。
した場合について説明したが、第２図に示すように縦続
接続した場合であっても良い。この図に示すように、単
位Ｆ Ｅ Ｔ １１１〜（４１は単位ＦＥＴ…、 ＋２
１ 、 ＋３１ 、 ＋４１の順に並列に、かつ。
直線上に配置され、単位Ｆ Ｅｉ Ｔ ＩＩＩ 、 ｉ
２＋のゲート（５）およびドレイン（６）に対して、単
位Ｆ Ｅ Ｔ ＋３１ 。
２＋のゲート（５）およびドレイン（６）に対して、単
位Ｆ Ｅ Ｔ ＋３１ 。
（４）のゲート（５）およびドレイン（６）はそれぞれ
逆方向になるように配置されている。ドレイン伝送線路
０樽とゲート伝送線路（８）とをキャパシタ（１１）を
介して接続することにより、２個の進行波形増幅器が縦
続接続される。
逆方向になるように配置されている。ドレイン伝送線路
０樽とゲート伝送線路（８）とをキャパシタ（１１）を
介して接続することにより、２個の進行波形増幅器が縦
続接続される。
以上のように、この発明によれば単位ＦＥＴを直線上に
並べて配置し、かつ、そのうちの少なくとも１個の単位
ＦＥＴのゲートおよびドレインを他の単位ＦＥＴのゲー
トおよびドレインと逆向きに配置することにより、すべ
ての単位ＦＥＴを１個所に筐とめて構成できる。このた
め、特性のそろった単位Ｅ’ＥＴを得ることが容易とな
る。
並べて配置し、かつ、そのうちの少なくとも１個の単位
ＦＥＴのゲートおよびドレインを他の単位ＦＥＴのゲー
トおよびドレインと逆向きに配置することにより、すべ
ての単位ＦＥＴを１個所に筐とめて構成できる。このた
め、特性のそろった単位Ｅ’ＥＴを得ることが容易とな
る。
２個の進行波形増幅器を並列接続し、電力合成を行なう
場合、特性のそろった進行波形増幅器を得ることができ
るため、高い合成９９Ｊ率で電力合成ができる効果があ
る。
場合、特性のそろった進行波形増幅器を得ることができ
るため、高い合成９９Ｊ率で電力合成ができる効果があ
る。
ｗｃ１図はこの発明の一実施例による進行波形増幅器の
構成図、第２図はこの発明の他の実施例を示す進行波形
増幅器の構成図、第８図は従来の進行波形増幅器の構成
図である。 １１１〜（４１は単位Ｆ Ｅ Ｔ 、 ＋５１はゲート
、（６）はドレイン、（８）はゲート伝送線路、 （Ｉ
Ｉ）はキャパシタ。 α匂は抵抗、θ３１．＆υばＴ分岐回路、 ＴＪ４は入
力端子。 （ｌＦＡは出力端子、α＠はエアブリッジ、＋１η〜＠
はドレイン伝送線路である。 なお９図中同一符号は同一、又は相当部分を示す〇
構成図、第２図はこの発明の他の実施例を示す進行波形
増幅器の構成図、第８図は従来の進行波形増幅器の構成
図である。 １１１〜（４１は単位Ｆ Ｅ Ｔ 、 ＋５１はゲート
、（６）はドレイン、（８）はゲート伝送線路、 （Ｉ
Ｉ）はキャパシタ。 α匂は抵抗、θ３１．＆υばＴ分岐回路、 ＴＪ４は入
力端子。 （ｌＦＡは出力端子、α＠はエアブリッジ、＋１η〜＠
はドレイン伝送線路である。 なお９図中同一符号は同一、又は相当部分を示す〇
Claims (1)
- 複数個の単位ＦＥＴと、上記単位ＦＥＴのゲート間およ
びドレイン間を接続する伝送線路とからなり、上記単位
ＦＥＴと上記伝送線路とを半導体基板上にモノリシック
マイクロ波回路により構成した進行波形増幅器において
、上記単位ＦＥＴを直線上に並べて配置するとともに、
少なくとも１個の上記単位ＦＥＴのゲートおよびドレイ
ンを、他の上記単位ＦＥＴのゲートおよびドレインとた
がいに逆向きになるように配置したことを特徴とする進
行波形増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23266385A JPS6292504A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 進行波形増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23266385A JPS6292504A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 進行波形増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6292504A true JPS6292504A (ja) | 1987-04-28 |
Family
ID=16942837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23266385A Pending JPS6292504A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 進行波形増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6292504A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007101932A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置 |
| JP2009001277A (ja) * | 2008-09-06 | 2009-01-08 | Rabo Sufia Kk | バルク型レンズを用いた自転車用ライト |
-
1985
- 1985-10-17 JP JP23266385A patent/JPS6292504A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007101932A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置 |
| JP2009001277A (ja) * | 2008-09-06 | 2009-01-08 | Rabo Sufia Kk | バルク型レンズを用いた自転車用ライト |
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