JPS6292504A - 進行波形増幅器 - Google Patents
進行波形増幅器Info
- Publication number
- JPS6292504A JPS6292504A JP23266385A JP23266385A JPS6292504A JP S6292504 A JPS6292504 A JP S6292504A JP 23266385 A JP23266385 A JP 23266385A JP 23266385 A JP23266385 A JP 23266385A JP S6292504 A JPS6292504 A JP S6292504A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unit
- drain
- fets
- gate
- transmission line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は通信およびレーダ等に用いられるモノリシッ
ク広帯域増幅器のうち、進行波形増幅器に関するもので
ある。
ク広帯域増幅器のうち、進行波形増幅器に関するもので
ある。
第3図は工EEF+ Transactions Or
I MicrowaveTh13Or7 And Th
chiq ues、VOL、 MTT−32,階3.
March1984、P29111に示された従来の広
帯域FEiT増幅器の構成図である。公知文献中では8
個の単位FEiT全用い念場合について示されているが
。
I MicrowaveTh13Or7 And Th
chiq ues、VOL、 MTT−32,階3.
March1984、P29111に示された従来の広
帯域FEiT増幅器の構成図である。公知文献中では8
個の単位FEiT全用い念場合について示されているが
。
ここでは説明を間単にするために4個の単位FK’rj
−用いた場合について述べ、ゲートおよびドレインバイ
アス供給回路は省略している。
−用いた場合について述べ、ゲートおよびドレインバイ
アス供給回路は省略している。
この図において111〜(41は単位F F! T 、
+51はゲート、(6)はドレイン、(力はソース、
(8)はゲート伝送線路、 +91 、 tlolはド
レイン伝送線路、 (II)にキャパシタ、 (12)
は抵抗、O→はT分岐回路、 Q4)は入力端子、aa
i出力端子である。
+51はゲート、(6)はドレイン、(力はソース、
(8)はゲート伝送線路、 +91 、 tlolはド
レイン伝送線路、 (II)にキャパシタ、 (12)
は抵抗、O→はT分岐回路、 Q4)は入力端子、aa
i出力端子である。
単位F K T I11〜(4)はそれぞれ、ゲート(
51,ドレイン(6)、ソース171 Kより形成され
ており、ソース(7)はバイアホール等で接地されてい
る。
51,ドレイン(6)、ソース171 Kより形成され
ており、ソース(7)はバイアホール等で接地されてい
る。
単位FETは)と(21とは隣合せに並列に配置され9
両者の単位F E T Ill 、 +21のゲート間
および単位F K T 111とT分岐回路(13)の
一端子間はゲート伝送a m +81によシ、それぞれ
接続されている。
両者の単位F E T Ill 、 +21のゲート間
および単位F K T 111とT分岐回路(13)の
一端子間はゲート伝送a m +81によシ、それぞれ
接続されている。
また、単位F E T +21のゲートクロ)は抵抗(
喝、ゲート伝送線路(8)、キャパシタ(Ill’に介
して接地されている。
喝、ゲート伝送線路(8)、キャパシタ(Ill’に介
して接地されている。
一方、屯位F K T Ill 、 +21のドレイン
(6)間はドレイン伝送線路+91 、 tlolによ
り接続されている。
(6)間はドレイン伝送線路+91 、 tlolによ
り接続されている。
単位F Fi T 111のドレイン(6)ハトレイン
伝送線路t91 、 tlol、抵抗−およびキャパシ
タ(川を介して接地されており、単位F E T +2
1のドレイン+61ニドレイン伝送線路t91 、 t
+01 、キャパシタ(ll)′!il−介して出力端
子−J5)に接続されている。
伝送線路t91 、 tlol、抵抗−およびキャパシ
タ(川を介して接地されており、単位F E T +2
1のドレイン+61ニドレイン伝送線路t91 、 t
+01 、キャパシタ(ll)′!il−介して出力端
子−J5)に接続されている。
このような回路構成になっているため単位FET…、
t2+ 、ゲート伝送線路(8)、ドレイン伝送4A路
(91、tlol 、キャパシタ(11)および抵抗(
l渇により。
t2+ 、ゲート伝送線路(8)、ドレイン伝送4A路
(91、tlol 、キャパシタ(11)および抵抗(
l渇により。
2段の進行波形増幅器が形成される。
単位F B 7131 、14)側も単位F Fli
T Ill 、 f2]側とl+51様な回路構成にな
っており、単位F E T +31 。
T Ill 、 f2]側とl+51様な回路構成にな
っており、単位F E T +31 。
(41,ゲート伝送線路(8)、ドレイン伝送線路(9
)。
)。
jlol 、キャパシタ(1りおよび抵抗0匂により、
他の2段の進行波形増幅器が形成される。
他の2段の進行波形増幅器が形成される。
T分岐回路賭はマイクロ波を2分配する動きがあり、入
力端子θ瘤から入射したマイクロ波ばT分岐回路03)
により分配される。分配されたマイクロ波はゲート伝送
線8M!c〜を通って各単位FE T tll 〜+4
1のゲート(5)に到達し、大部分は?:r単位F E
T fil〜(4)の内部に入り、残りは抵抗02)
で吸収される。6単位F Fi T fil〜(4)の
内部に入ったマイクロ波はそこで増幅され、一部は抵抗
(12+で吸収されるが、大部分はドレイン伝送線路(
9)。
力端子θ瘤から入射したマイクロ波ばT分岐回路03)
により分配される。分配されたマイクロ波はゲート伝送
線8M!c〜を通って各単位FE T tll 〜+4
1のゲート(5)に到達し、大部分は?:r単位F E
T fil〜(4)の内部に入り、残りは抵抗02)
で吸収される。6単位F Fi T fil〜(4)の
内部に入ったマイクロ波はそこで増幅され、一部は抵抗
(12+で吸収されるが、大部分はドレイン伝送線路(
9)。
(10)およびキャパシタ(11)を通って出力端子り
ωに到達する。
ωに到達する。
このように、この増幅器では2個の進行波形増幅器の出
力を合成することにより、大きな出力を得ている。増幅
器全体ばGaAS基板等の半導体基板上にモノリシンク
集積回路技術を用いて構成されている。
力を合成することにより、大きな出力を得ている。増幅
器全体ばGaAS基板等の半導体基板上にモノリシンク
集積回路技術を用いて構成されている。
従来の広帯域FET増幅器は単位F K T fi+
。
。
(21と単位F’ K T +31 、 +41間にド
レイン伝送線路(9)。
レイン伝送線路(9)。
(10)を配置しており9両者は互いに離れた所に形成
されている。一般に半導体基板上にFFXTを形成する
場合、F’T!、Tを形成する位置によってPETの特
性が大きくばらつくことが多い。こO,+メ、 、11
1位F E Till 、 (21)特性色単位F E
T(3)と141の特性がばらついてし筐う問題点が
あった。この特性ばらつきにより、単位F K T f
i+と(2)とで形成される進行波形増幅器の特性と単
位F Fi T +31と(41とで形成される進行波
形増幅器の特性とKばらつきが生じ9両者の進行波形増
幅4の出力を合成する場合9合成効率が低下して(−寸
う問題点もあった。
されている。一般に半導体基板上にFFXTを形成する
場合、F’T!、Tを形成する位置によってPETの特
性が大きくばらつくことが多い。こO,+メ、 、11
1位F E Till 、 (21)特性色単位F E
T(3)と141の特性がばらついてし筐う問題点が
あった。この特性ばらつきにより、単位F K T f
i+と(2)とで形成される進行波形増幅器の特性と単
位F Fi T +31と(41とで形成される進行波
形増幅器の特性とKばらつきが生じ9両者の進行波形増
幅4の出力を合成する場合9合成効率が低下して(−寸
う問題点もあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、使用する単位FF、T特性ばらつきを小さく
するとともに1合成効率の高い進行波形増幅器を得るこ
とを目的とする。
たもので、使用する単位FF、T特性ばらつきを小さく
するとともに1合成効率の高い進行波形増幅器を得るこ
とを目的とする。
この発明に係る進行波形増幅器は使用する単位FETを
直線上に並べて配置するとともに。
直線上に並べて配置するとともに。
少なくとも1個の単位FETのゲートおよびドレインt
mの単位FETのゲートおよびドレインと逆向きになる
ように配置したものである。
mの単位FETのゲートおよびドレインと逆向きになる
ように配置したものである。
この発明における進行波形増1隔器は使用する単位FE
でを1個所に筐とめて形成できるため。
でを1個所に筐とめて形成できるため。
各単位FffiT間の特性ばらつきを小さくでき。
2個の進行波形増幅器の出力全効率良く合成できる。
以下、この発明の一実1M、例を図について説明する。
第1図において、■はエアブリッジ、 flη〜媚はド
レイン伝送線路、311ばT分岐回路である。
レイン伝送線路、311ばT分岐回路である。
単位F K T H1〜(4)は入力端子+141側か
ら単位FK T Ill 、 +31 、 +21 、
+41の順に並列に、かつ、直娠上に配置され、単位
FE!T山、(2)のゲート(5)およびドレイン+6
1 K対して、単位F El: T i3+ 、 +4
1のゲート(6)およびドレイン16)はそれぞれ逆方
向になるように配置されている。
ら単位FK T Ill 、 +31 、 +21 、
+41の順に並列に、かつ、直娠上に配置され、単位
FE!T山、(2)のゲート(5)およびドレイン+6
1 K対して、単位F El: T i3+ 、 +4
1のゲート(6)およびドレイン16)はそれぞれ逆方
向になるように配置されている。
単位FET(1)、(2)のドレイン(6)間はドレイ
ン伝送猟路11カ、(1→により接続されており、ドレ
イン伝送i路+13)の一端は抵抗t12)、キャパシ
タ(11)を介して接地されている。また、伝送線路(
I樽の他の一端ばT分岐回路2υの一端に接続されてい
る。
ン伝送猟路11カ、(1→により接続されており、ドレ
イン伝送i路+13)の一端は抵抗t12)、キャパシ
タ(11)を介して接地されている。また、伝送線路(
I樽の他の一端ばT分岐回路2υの一端に接続されてい
る。
一方、単位F K T +31 、141のドレイン間
はドレイン伝送線路(l!、嬢によシ接続されておシ、
ドレイン伝送線路−の一端は抵抗(12) 、キャパシ
タ(11+’を介して接地されている。また、伝送線w
!r翰の他の一端はT分岐回路211の他の一端に接続
されている。
はドレイン伝送線路(l!、嬢によシ接続されておシ、
ドレイン伝送線路−の一端は抵抗(12) 、キャパシ
タ(11+’を介して接地されている。また、伝送線w
!r翰の他の一端はT分岐回路211の他の一端に接続
されている。
さらにT分岐回路2υの残りの端子はキャパシタ(II
1 ′に介して出力端子α均に接続され、@路が直9f
る部分はエアブリッジ■によシ互りに電気的に絶縁され
ている。
1 ′に介して出力端子α均に接続され、@路が直9f
る部分はエアブリッジ■によシ互りに電気的に絶縁され
ている。
このように構成されているので単位F111:Til+
。
。
(21,ゲート伝送線路(8)、ドレイン伝送線路0乃
。
。
■、抵抗θ匂およびキャパシタ(1υによp、2段の進
行波形増幅器が形成される。また、単位FF1iT +
31 、 +41 、ゲート伝送線路(8)、ドレイン
伝送線路091 、121 、抵抗(1′4およびキャ
パシタ(Il)により。
行波形増幅器が形成される。また、単位FF1iT +
31 、 +41 、ゲート伝送線路(8)、ドレイン
伝送線路091 、121 、抵抗(1′4およびキャ
パシタ(Il)により。
他の2段の進行波形増幅器が構成される。
入力端子(l(1)から入射したマイクロ波はT分岐回
路州によシ分配され、それぞれの進行波形増幅器で増幅
される。そこで増幅されたマイクロ波はT分岐回路0!
υで合成されて、出力端子に到達する。
路州によシ分配され、それぞれの進行波形増幅器で増幅
される。そこで増幅されたマイクロ波はT分岐回路0!
υで合成されて、出力端子に到達する。
従来の進行波形増幅器では6単位FACT…〜(引のド
レイン+61 aドレイン伝送線路(9)および同一の
ドレイン伝送i路(lO)によって出力端子a〜に接続
されていたが、この発明の進行波形増幅器では単位F’
BT…、(21のドレイン(6)はドレイン伝送MAf
lη、 II1 e ’r分岐回路圓によシ、また。単
位P K T +31 、 +47のドレイン(6)は
ドレイン伝送線路uiJ * 翰−T分岐回路3υによ
り、出力端子Oe9にそれぞれ接続されている。両者の
ドレイン(6)側の回FI11i成は若干異なるが、基
本的な働きは同じである。
レイン+61 aドレイン伝送線路(9)および同一の
ドレイン伝送i路(lO)によって出力端子a〜に接続
されていたが、この発明の進行波形増幅器では単位F’
BT…、(21のドレイン(6)はドレイン伝送MAf
lη、 II1 e ’r分岐回路圓によシ、また。単
位P K T +31 、 +47のドレイン(6)は
ドレイン伝送線路uiJ * 翰−T分岐回路3υによ
り、出力端子Oe9にそれぞれ接続されている。両者の
ドレイン(6)側の回FI11i成は若干異なるが、基
本的な働きは同じである。
なお、上記実施例では2個の進行波形増幅器を並列接続
した場合について説明したが、第2図に示すように縦続
接続した場合であっても良い。この図に示すように、単
位F E T 111〜(41は単位FET…、 +2
1 、 +31 、 +41の順に並列に、かつ。
した場合について説明したが、第2図に示すように縦続
接続した場合であっても良い。この図に示すように、単
位F E T 111〜(41は単位FET…、 +2
1 、 +31 、 +41の順に並列に、かつ。
直線上に配置され、単位F Ei T III 、 i
2+のゲート(5)およびドレイン(6)に対して、単
位F E T +31 。
2+のゲート(5)およびドレイン(6)に対して、単
位F E T +31 。
(4)のゲート(5)およびドレイン(6)はそれぞれ
逆方向になるように配置されている。ドレイン伝送線路
0樽とゲート伝送線路(8)とをキャパシタ(11)を
介して接続することにより、2個の進行波形増幅器が縦
続接続される。
逆方向になるように配置されている。ドレイン伝送線路
0樽とゲート伝送線路(8)とをキャパシタ(11)を
介して接続することにより、2個の進行波形増幅器が縦
続接続される。
以上のように、この発明によれば単位FETを直線上に
並べて配置し、かつ、そのうちの少なくとも1個の単位
FETのゲートおよびドレインを他の単位FETのゲー
トおよびドレインと逆向きに配置することにより、すべ
ての単位FETを1個所に筐とめて構成できる。このた
め、特性のそろった単位E’ETを得ることが容易とな
る。
並べて配置し、かつ、そのうちの少なくとも1個の単位
FETのゲートおよびドレインを他の単位FETのゲー
トおよびドレインと逆向きに配置することにより、すべ
ての単位FETを1個所に筐とめて構成できる。このた
め、特性のそろった単位E’ETを得ることが容易とな
る。
2個の進行波形増幅器を並列接続し、電力合成を行なう
場合、特性のそろった進行波形増幅器を得ることができ
るため、高い合成99J率で電力合成ができる効果があ
る。
場合、特性のそろった進行波形増幅器を得ることができ
るため、高い合成99J率で電力合成ができる効果があ
る。
wc1図はこの発明の一実施例による進行波形増幅器の
構成図、第2図はこの発明の他の実施例を示す進行波形
増幅器の構成図、第8図は従来の進行波形増幅器の構成
図である。 111〜(41は単位F E T 、 +51はゲート
、(6)はドレイン、(8)はゲート伝送線路、 (I
I)はキャパシタ。 α匂は抵抗、θ31.&υばT分岐回路、 TJ4は入
力端子。 (lFAは出力端子、α@はエアブリッジ、+1η〜@
はドレイン伝送線路である。 なお9図中同一符号は同一、又は相当部分を示す〇
構成図、第2図はこの発明の他の実施例を示す進行波形
増幅器の構成図、第8図は従来の進行波形増幅器の構成
図である。 111〜(41は単位F E T 、 +51はゲート
、(6)はドレイン、(8)はゲート伝送線路、 (I
I)はキャパシタ。 α匂は抵抗、θ31.&υばT分岐回路、 TJ4は入
力端子。 (lFAは出力端子、α@はエアブリッジ、+1η〜@
はドレイン伝送線路である。 なお9図中同一符号は同一、又は相当部分を示す〇
Claims (1)
- 複数個の単位FETと、上記単位FETのゲート間およ
びドレイン間を接続する伝送線路とからなり、上記単位
FETと上記伝送線路とを半導体基板上にモノリシック
マイクロ波回路により構成した進行波形増幅器において
、上記単位FETを直線上に並べて配置するとともに、
少なくとも1個の上記単位FETのゲートおよびドレイ
ンを、他の上記単位FETのゲートおよびドレインとた
がいに逆向きになるように配置したことを特徴とする進
行波形増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23266385A JPS6292504A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 進行波形増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23266385A JPS6292504A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 進行波形増幅器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6292504A true JPS6292504A (ja) | 1987-04-28 |
Family
ID=16942837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23266385A Pending JPS6292504A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 進行波形増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6292504A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007101932A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置 |
JP2009001277A (ja) * | 2008-09-06 | 2009-01-08 | Rabo Sufia Kk | バルク型レンズを用いた自転車用ライト |
-
1985
- 1985-10-17 JP JP23266385A patent/JPS6292504A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007101932A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置 |
JP2009001277A (ja) * | 2008-09-06 | 2009-01-08 | Rabo Sufia Kk | バルク型レンズを用いた自転車用ライト |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4335355A (en) | CMOS Operational amplifier with reduced power dissipation | |
JPS60235513A (ja) | 増幅回路 | |
JPS6292504A (ja) | 進行波形増幅器 | |
JPS63187805A (ja) | 分布平衡型周波数逓倍器 | |
JPS62268204A (ja) | 電荷結合装置 | |
JP2002026662A (ja) | Mmic二重平衡型ミキサ | |
JPS6181017A (ja) | 電力分割器及び電力結合器 | |
JPS6298811A (ja) | マイクロ波半導体増幅器 | |
JPS63227201A (ja) | ハイブリツド回路 | |
JPS6149507A (ja) | 同相逆相信号形成回路 | |
JPH02265309A (ja) | マイクロ波多段増幅器 | |
JPS59200504A (ja) | 逓倍器 | |
JPS63142908A (ja) | 周波数混合回路 | |
JPS6294002A (ja) | マイクロ波受信装置 | |
JPS62299104A (ja) | マイクロ波ミキサ− | |
JPS63283203A (ja) | 電力分配回路 | |
JPH0542491Y2 (ja) | ||
JPH03201709A (ja) | 分布型マイクロ波増幅器 | |
JPS63224508A (ja) | モノリシツクマイクロ波集積回路多段増幅器 | |
JPS61157005A (ja) | 高周波エネルギー源 | |
SU421105A1 (ru) | Дифференциальный усилитель | |
RU1830181C (ru) | Усилитель напр жени | |
JPS58141011A (ja) | ミクサ回路 | |
JPS6333910A (ja) | Fet増幅器 | |
JPS5811765B2 (ja) | ゾウフクキ |