JPS61157005A - 高周波エネルギー源 - Google Patents
高周波エネルギー源Info
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- JPS61157005A JPS61157005A JP60288061A JP28806185A JPS61157005A JP S61157005 A JPS61157005 A JP S61157005A JP 60288061 A JP60288061 A JP 60288061A JP 28806185 A JP28806185 A JP 28806185A JP S61157005 A JPS61157005 A JP S61157005A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
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- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0283—Reducing the number of DC-current paths
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- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
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- Power Engineering (AREA)
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景〕
本発明は高周波出力信号を発生するための装置に関し特
に、電力増幅器を駆動する発振器を使用するソリッドス
テート高周波エネルギー源に関する。
に、電力増幅器を駆動する発振器を使用するソリッドス
テート高周波エネルギー源に関する。
従来のソリッドステート高周波電力源は、標準的には単
段もしくは多段の高利得増幅、器を駆動する低電力発振
器を使用する。高利得増幅器および低電力発振器へ直流
（ｄｃ）動作電力を供給するために、装置は、２つの別
々の電力分配回路網を持つ二電源もしくは単一を源を使
用する。
段もしくは多段の高利得増幅、器を駆動する低電力発振
器を使用する。高利得増幅器および低電力発振器へ直流
（ｄｃ）動作電力を供給するために、装置は、２つの別
々の電力分配回路網を持つ二電源もしくは単一を源を使
用する。
非常に高いマイクロ波周波数で高い利得を提供する増幅
素子の一つは、電界効果形トランジスタの特定の種類で
ある静１！誘導形トランジスタ（ＳＩＴ）である。和尚
に高い効率の動作を得るためには、静電誘導形トランジ
スタはＢ級もしくは０級条件で動作することが必要であ
る。Ｂ級もしくはＣ級動作を行うよう静電誘導形トラン
ジスタの ｉｎ極間に適当なバイアスを印加するた
めには、回路を複雑化し全体の効率をも減する別々の電
圧源もしくは自己バイアス回路網を使用せねばならない
。
素子の一つは、電界効果形トランジスタの特定の種類で
ある静１！誘導形トランジスタ（ＳＩＴ）である。和尚
に高い効率の動作を得るためには、静電誘導形トランジ
スタはＢ級もしくは０級条件で動作することが必要であ
る。Ｂ級もしくはＣ級動作を行うよう静電誘導形トラン
ジスタの ｉｎ極間に適当なバイアスを印加するた
めには、回路を複雑化し全体の効率をも減する別々の電
圧源もしくは自己バイアス回路網を使用せねばならない
。
本発明による改善された高周波エネルギー源は、高周波
信号を出力に発生するための発振器セクションと、増幅
された高周波信号を出力に発生するために発振器セクシ
ョンの出力に結合される入力を有する増幅器セクション
とを備える。増幅器セクションは、第１・第２・第３の
電極を有する増幅素子と第１の電極を直流（ｄｃ）動作
電位の電圧源へ接続するための手段とを備える。また増
幅器セクションは、第２の電極と第３の電極との間に直
流バイアス電圧を発生するために、第２の電極と第３の
１！極間に接続される直流バイアス手段を備える。無線
周波数（ｒｆ）接続手段が、発振器セクションの出力を
増幅器セクションの入力に接続する。直流バイアス手段
から発振器セクションへ動作電圧を提供するために、直
流（ｄＣ）接続手段が増幅器セクションの直流バイアス
手段を発振器セクションへ接続する。そうでなければ増
幅器セクションの直流バイアス手段で散逸されるであろ
う電力は直流動作重力を発振器セクションへ提供し）発
振器セクションの高周波出力は駆動信号を増幅器セクシ
ョンへ提供スル。
信号を出力に発生するための発振器セクションと、増幅
された高周波信号を出力に発生するために発振器セクシ
ョンの出力に結合される入力を有する増幅器セクション
とを備える。増幅器セクションは、第１・第２・第３の
電極を有する増幅素子と第１の電極を直流（ｄｃ）動作
電位の電圧源へ接続するための手段とを備える。また増
幅器セクションは、第２の電極と第３の電極との間に直
流バイアス電圧を発生するために、第２の電極と第３の
１！極間に接続される直流バイアス手段を備える。無線
周波数（ｒｆ）接続手段が、発振器セクションの出力を
増幅器セクションの入力に接続する。直流バイアス手段
から発振器セクションへ動作電圧を提供するために、直
流（ｄＣ）接続手段が増幅器セクションの直流バイアス
手段を発振器セクションへ接続する。そうでなければ増
幅器セクションの直流バイアス手段で散逸されるであろ
う電力は直流動作重力を発振器セクションへ提供し）発
振器セクションの高周波出力は駆動信号を増幅器セクシ
ョンへ提供スル。
第１図は本発明による高周波エネルギー源を例示する。
この回路には、単一のトランジスタＱ１を使用する高周
波の発振器セクション１ｏを備える。発振器セクション
は、トランジスタＱ１の出力電極に高周波出力信号を発
生する。高周波出力信号は、適当なインピーダンス整合
回路！１ｉ１１を通って増幅器セクション１２へ伝達さ
れる。第１図に例示のように増幅器セクション１２は、
静電誘導形の単一接合の電界効果形トランジスタＱ２を
使用する。増幅器セクションからの増幅された高周波信
号はインピーダンス整合回路網１３を通り出力端子１４
へ印加される。
波の発振器セクション１ｏを備える。発振器セクション
は、トランジスタＱ１の出力電極に高周波出力信号を発
生する。高周波出力信号は、適当なインピーダンス整合
回路！１ｉ１１を通って増幅器セクション１２へ伝達さ
れる。第１図に例示のように増幅器セクション１２は、
静電誘導形の単一接合の電界効果形トランジスタＱ２を
使用する。増幅器セクションからの増幅された高周波信
号はインピーダンス整合回路網１３を通り出力端子１４
へ印加される。
第１図に例示の回路では、発振器セクション１０のトラ
ンジスタＱ１はバイポーラトランジスタである。トラン
ジスタＱ１のエミッタは並列のインダクタンスＬ１およ
び容量ｃ１を経て接地される。ベースは容Ｈｃｓを経て
接地される。トランジスタＱ１の出力および入力間に適
度の帰還を与えるために、容ＲＣ２がコレクターエミッ
タ間に接続される。コレクタは直列のインダクタンスＬ
２および抵抗ＲＡ、Ｒ２の分圧回路網を経て接地される
。トランジスタＱ１のペースは抵抗Ｒ１、Ｒ２の接合点
に接続される。
ンジスタＱ１はバイポーラトランジスタである。トラン
ジスタＱ１のエミッタは並列のインダクタンスＬ１およ
び容量ｃ１を経て接地される。ベースは容Ｈｃｓを経て
接地される。トランジスタＱ１の出力および入力間に適
度の帰還を与えるために、容ＲＣ２がコレクターエミッ
タ間に接続される。コレクタは直列のインダクタンスＬ
２および抵抗ＲＡ、Ｒ２の分圧回路網を経て接地される
。トランジスタＱ１のペースは抵抗Ｒ１、Ｒ２の接合点
に接続される。
発振器セクション１０の出力はトランジスタＱ１のコレ
クタから取シ出され、インピーダンス整合回路網１１お
よび直流阻止（ブロッキング）の容量Ｃ４を経て増幅器
セクション１２の静電誘導形トランジスタＱ２のソース
へ印加される。正の直流電圧源＋Ｖが、無線周波数（ｒ
ｆ）チョークすなわちインダクタンスＬ５を経て静電誘
尋形トランジスタＱ２のドレインに接続される。静ｉ！
誘導形トランジスタＱ２のゲートは、直列のツェナーダ
イオードＤ１および抵抗Ｒ４と並列接続の容量Ｃ５とを
経て接地される。インダクタンスＬ３および抵抗Ｒ３が
静電誘導形トランジスタＱ２のソースおよびゲート間に
直列に接続される。後に説明するように、発振器セクシ
ョンへ動作電位を提供するために、インダクタンスＬ３
および抵抗Ｒ３間の接合点は発振器セクション１０のイ
ンダクタンスＬ２および抵抗Ｒ１の接合点に接続される
。
クタから取シ出され、インピーダンス整合回路網１１お
よび直流阻止（ブロッキング）の容量Ｃ４を経て増幅器
セクション１２の静電誘導形トランジスタＱ２のソース
へ印加される。正の直流電圧源＋Ｖが、無線周波数（ｒ
ｆ）チョークすなわちインダクタンスＬ５を経て静電誘
尋形トランジスタＱ２のドレインに接続される。静ｉ！
誘導形トランジスタＱ２のゲートは、直列のツェナーダ
イオードＤ１および抵抗Ｒ４と並列接続の容量Ｃ５とを
経て接地される。インダクタンスＬ３および抵抗Ｒ３が
静電誘導形トランジスタＱ２のソースおよびゲート間に
直列に接続される。後に説明するように、発振器セクシ
ョンへ動作電位を提供するために、インダクタンスＬ３
および抵抗Ｒ３間の接合点は発振器セクション１０のイ
ンダクタンスＬ２および抵抗Ｒ１の接合点に接続される
。
静電誘導形トランジスタＱ２のドレインは直列のインダ
クタンスＬ４および可変容ｆｋＣ７を経て接地される。
クタンスＬ４および可変容ｆｋＣ７を経て接地される。
またドレインは容量Ｃ６およびインピーダンス整合回路
網１３を経て出力端子１４に接続される。
網１３を経て出力端子１４に接続される。
第１図の回路では、静電誘導形トランジスタＱ２のソー
スは、抵抗Ｒ３および直列配列のツェナーダイオードＤ
１および抵抗Ｒ４を通って流れるドレインーソース電流
によって、ゲートに関し正にバイアスされる。直流バイ
アス回路網によシ、増幅器セクション１２はＢ級もしく
はＣ級の効率条件で動作する。本発明によれば、静電誘
導形トランジスタＱ２のソースでの直流（ｄＣ）バイア
ス電位は、無線周波数（ｒｆ）チョークＬｓ、Ｌ２を通
る直流（ｄＣ）パスによ）トランジスタＱ１のコレクタ
へ印加される。このように、直流パスが、動作電圧＋■
の電圧源から静電誘導形トランジスタＱ２および発振器
セクション１０のトランジスタＱ１を通って提供される
。
スは、抵抗Ｒ３および直列配列のツェナーダイオードＤ
１および抵抗Ｒ４を通って流れるドレインーソース電流
によって、ゲートに関し正にバイアスされる。直流バイ
アス回路網によシ、増幅器セクション１２はＢ級もしく
はＣ級の効率条件で動作する。本発明によれば、静電誘
導形トランジスタＱ２のソースでの直流（ｄＣ）バイア
ス電位は、無線周波数（ｒｆ）チョークＬｓ、Ｌ２を通
る直流（ｄＣ）パスによ）トランジスタＱ１のコレクタ
へ印加される。このように、直流パスが、動作電圧＋■
の電圧源から静電誘導形トランジスタＱ２および発振器
セクション１０のトランジスタＱ１を通って提供される
。
発振器セクション１０は、トランジスタＱ１のコレクタ
に高周波出力信号を発生する。この高周波出力信号は、
インピーダンス整合回路網１１および容量Ｃ４によシ提
供される無線周波数（ｒｆ）パスによシ増幅器セクショ
ン１２で静電誘導形トランジスタＱ２のソースへ結合さ
れる。藁屑波信号は増幅器セクション１２によ）増幅さ
れ、この増＠器信号は出力端子１４へ送られる。
に高周波出力信号を発生する。この高周波出力信号は、
インピーダンス整合回路網１１および容量Ｃ４によシ提
供される無線周波数（ｒｆ）パスによシ増幅器セクショ
ン１２で静電誘導形トランジスタＱ２のソースへ結合さ
れる。藁屑波信号は増幅器セクション１２によ）増幅さ
れ、この増＠器信号は出力端子１４へ送られる。
第２図は本発明による高周波エネルギー源の他の例を示
す回路図である。第２図の回路は、発振器セクション２
０で静電誘導形トランジスタＱ１１を使用する。増幅器
セクション２１は、スコツト・ジエイ パトラ−（５ｃ
ｏｔｔ 、ｒ、 Ｂｕｔｌｅｒ） 、ロバート・ジエイ
・シーガン（Ｒｏｂｅｒｔ Ｊ、 Ｒｅｇａｎ ）
およびアントニイ・ビー・ヴアラロ（Ａｎｔｈｏｎｙ
Ｂ 、 Ｖａ−ｒａｌｌｏ ）らによる“へイ フリー
クエンシー アンブリ７アイア（Ｈｉｇｈ Ｆｒｅｑｕ
ｅｎｃｙ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ） ”と題され、本発明
の譲受人に譲渡された１９８５年４月２６日付の米国特
許第６０−０８９０５５号明細書に開示された形の増幅
器配列に接続される２つの静電誘導形トランジスタＱ１
２、ＱＩ Ｓｆ使用する。
す回路図である。第２図の回路は、発振器セクション２
０で静電誘導形トランジスタＱ１１を使用する。増幅器
セクション２１は、スコツト・ジエイ パトラ−（５ｃ
ｏｔｔ 、ｒ、 Ｂｕｔｌｅｒ） 、ロバート・ジエイ
・シーガン（Ｒｏｂｅｒｔ Ｊ、 Ｒｅｇａｎ ）
およびアントニイ・ビー・ヴアラロ（Ａｎｔｈｏｎｙ
Ｂ 、 Ｖａ−ｒａｌｌｏ ）らによる“へイ フリー
クエンシー アンブリ７アイア（Ｈｉｇｈ Ｆｒｅｑｕ
ｅｎｃｙ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ） ”と題され、本発明
の譲受人に譲渡された１９８５年４月２６日付の米国特
許第６０−０８９０５５号明細書に開示された形の増幅
器配列に接続される２つの静電誘導形トランジスタＱ１
２、ＱＩ Ｓｆ使用する。
発振器セクション２０の静ｉｌ！ｓ導形、トランジスタ
Ｑ１１のソースは、無線周波数（ｒｆ）チョーク１１を
通って接地され、ゲートは並列の容量Ｃ１１および抵抗
Ｒ１１を通って接地される。帰還容量Ｃ１２が、ソース
およびドレイン間に接続される。
Ｑ１１のソースは、無線周波数（ｒｆ）チョーク１１を
通って接地され、ゲートは並列の容量Ｃ１１および抵抗
Ｒ１１を通って接地される。帰還容量Ｃ１２が、ソース
およびドレイン間に接続される。
静電誘導形トランジスタＱ１１のドレインは容量Ｃ１３
を通って接地され、直列のインダクタンスＬ１２および
ツェナーダイオードＤ１１を通って接地される。この配
列は、変形されたコルピッツ形発振器である発振器を提
供する。発振器セクションの出力は、インピーダンス整
合回路網２２を通り容ｆｆ１ｃ１５、Ｃ１６を経て増幅
器セクション２１の静電誘導形トランジスタＱ１２、Ｑ
ｌ ５の各ソースへ通ずる静ｉ！誘導形トランジスタＱ
１１のドレインで得られる。
を通って接地され、直列のインダクタンスＬ１２および
ツェナーダイオードＤ１１を通って接地される。この配
列は、変形されたコルピッツ形発振器である発振器を提
供する。発振器セクションの出力は、インピーダンス整
合回路網２２を通り容ｆｆ１ｃ１５、Ｃ１６を経て増幅
器セクション２１の静電誘導形トランジスタＱ１２、Ｑ
ｌ ５の各ソースへ通ずる静ｉ！誘導形トランジスタＱ
１１のドレインで得られる。
増幅器セクション２１は、静電誘導形トランジスタＱ１
２、Ｃ１３を通る単一の直流（ｄＣ）パスを提供するよ
う、単一の電源＋■に直列に接続される２つの静電誘導
形トランジスタＱ１２．Ｑ１３を有する。静電誘導形ト
ランジスタは、先に述べた米国特許明細書の教示すると
おり、高周波信号を増幅するために２つの並列の！４線
周波数（ｒｆ）パスを提供する。動作電位十Ｖの直流（
ｄＣ）電圧源は、無線周波数（ｒｆ）チョークすなわち
インダクタンスＬ１６を通り静電誘導形トランジスタＱ
１２のドレインに接続される。ｌｔｉ？電誘導形トラン
ジスタＱｉ２のゲートは、容［Ｃ１７と並列の抵抗Ｒ１
２を通って接地される。静電誘導形トランジスタＱ１２
のソースとゲートはインダクタンスＬ１５およびツェナ
ーダイオードＤ１５によう接続される。インダクタンス
Ｌｊ３およびツェナーダイオードＤ１３の接合点は、イ
ンダクタンスＬ１４によシ静電誘導形トランジスタＱ１
３のドレインへ接続される。静電誘導形トランジスタＱ
１３のゲートは、容ｆｉＬｃ１８に並列の抵抗Ｒ１３を
通つて接地される。ソースは、インダクタンスＬ１５お
よびツェナーダイオードＤ１２を過少ゲートに接続され
る。
２、Ｃ１３を通る単一の直流（ｄＣ）パスを提供するよ
う、単一の電源＋■に直列に接続される２つの静電誘導
形トランジスタＱ１２．Ｑ１３を有する。静電誘導形ト
ランジスタは、先に述べた米国特許明細書の教示すると
おり、高周波信号を増幅するために２つの並列の！４線
周波数（ｒｆ）パスを提供する。動作電位十Ｖの直流（
ｄＣ）電圧源は、無線周波数（ｒｆ）チョークすなわち
インダクタンスＬ１６を通り静電誘導形トランジスタＱ
１２のドレインに接続される。ｌｔｉ？電誘導形トラン
ジスタＱｉ２のゲートは、容［Ｃ１７と並列の抵抗Ｒ１
２を通って接地される。静電誘導形トランジスタＱ１２
のソースとゲートはインダクタンスＬ１５およびツェナ
ーダイオードＤ１５によう接続される。インダクタンス
Ｌｊ３およびツェナーダイオードＤ１３の接合点は、イ
ンダクタンスＬ１４によシ静電誘導形トランジスタＱ１
３のドレインへ接続される。静電誘導形トランジスタＱ
１３のゲートは、容ｆｉＬｃ１８に並列の抵抗Ｒ１３を
通つて接地される。ソースは、インダクタンスＬ１５お
よびツェナーダイオードＤ１２を過少ゲートに接続され
る。
静電誘導形トランジスタＱ１２、Ｃ１３からの増幅され
た出力信号は、容量Ｃ１９、Ｃ２０を経てインピーダン
ス整合回路網２３を過少出力端子２４へ通ずる静電誘導
形トランジスタの各ドレインから得られる。発振器セク
ション２ｏへの動作電位は、静電誘導形トランジスタＱ
１３のソースからインダクタンスＬ１５、Ｌ１２を経て
得られる。
た出力信号は、容量Ｃ１９、Ｃ２０を経てインピーダン
ス整合回路網２３を過少出力端子２４へ通ずる静電誘導
形トランジスタの各ドレインから得られる。発振器セク
ション２ｏへの動作電位は、静電誘導形トランジスタＱ
１３のソースからインダクタンスＬ１５、Ｌ１２を経て
得られる。
第２図に例示の高周波エネルギー源の例は、以下の構成
要素を使用することにょ多構成された。
要素を使用することにょ多構成された。
Ｑｌｌ、Ｃ１２、Ｃ１３ジー・ティー・イー ラボラト
リズｑ（ＧＴ Ｅ ＬａｂｏｒａｔｏｒｉｍｓＩｎ
ｃ、 ） ０９−１４０−２５ＦｉＸＰ７μｍピッチ
静電誘導形トラン １ジスタ。
リズｑ（ＧＴ Ｅ ＬａｂｏｒａｔｏｒｉｍｓＩｎ
ｃ、 ） ０９−１４０−２５ＦｉＸＰ７μｍピッチ
静電誘導形トラン １ジスタ。
第３図は動作特性曲線を示す。
］）１１ ４０Ｖツエナーダイ
オードＤ１２、Ｄｌ ３ ７．５Ｖ７！ナ
ーダイオードＲ１１、Ｒ１５１０にΩ Ｒ１２５０にΩ Ｌ１１、Ｌｌ ２、Ｌｌ ３、 Ｌｌ４、Ｌｌ５．１，１６ α５９μＨＣｌ１、Ｃ
１７、Ｃ１８９４ｐｆ ＣＩ ２ １．９ ｐｆ
０１３ ２．２ｐｆ０１
４ １０００ｐｆＣ１５、Ｃ
１６、Ｃ１９、 Ｃ２Ｇ ４７ｐｆ＋Ｖ
１７０Ｖ出力端子２４
での出力信号の周波数は９１７ＭＨｚで出力電力は１＆
３Ｗであった。全体の回路効率、すなわち無線周波数（
ｒｆ）の出力電力の直流入力ｔカに対する比は４０％で
あった。
オードＤ１２、Ｄｌ ３ ７．５Ｖ７！ナ
ーダイオードＲ１１、Ｒ１５１０にΩ Ｒ１２５０にΩ Ｌ１１、Ｌｌ ２、Ｌｌ ３、 Ｌｌ４、Ｌｌ５．１，１６ α５９μＨＣｌ１、Ｃ
１７、Ｃ１８９４ｐｆ ＣＩ ２ １．９ ｐｆ
０１３ ２．２ｐｆ０１
４ １０００ｐｆＣ１５、Ｃ
１６、Ｃ１９、 Ｃ２Ｇ ４７ｐｆ＋Ｖ
１７０Ｖ出力端子２４
での出力信号の周波数は９１７ＭＨｚで出力電力は１＆
３Ｗであった。全体の回路効率、すなわち無線周波数（
ｒｆ）の出力電力の直流入力ｔカに対する比は４０％で
あった。
このように、本発明による高周波エネルギー源は、相当
に効率の良い動作を提供するために高周波低電力発Ｓ器
および高利得電力増幅器を組み合わせている。電力は、
もしこのようにしなければＢ級もしくはＣ級条件下の場
合のように、増幅器の直流バイアス回路網で散逸される
ことはない。
に効率の良い動作を提供するために高周波低電力発Ｓ器
および高利得電力増幅器を組み合わせている。電力は、
もしこのようにしなければＢ級もしくはＣ級条件下の場
合のように、増幅器の直流バイアス回路網で散逸される
ことはない。
単一の直流電圧源以外の別のｔ源は必要としない、また
回路は相当に簡素化される。
回路は相当に簡素化される。
第１図は本発明による高周波エネルギー源の模式回路図
である。第２図は本発明による別の高周波エネルギー源
の模式回路図である。第３図は第２図の回路で使用され
る静電誘導形トランジスタの動作特性曲線である。 図中の各番号が示す主要な名称を以下に挙げる。 １０．２０！発振器セクション １１．１３．２２．２３：インピーダンス整合回路網１
２．２１：増幅器セクション １４．２４：出力端子
である。第２図は本発明による別の高周波エネルギー源
の模式回路図である。第３図は第２図の回路で使用され
る静電誘導形トランジスタの動作特性曲線である。 図中の各番号が示す主要な名称を以下に挙げる。 １０．２０！発振器セクション １１．１３．２２．２３：インピーダンス整合回路網１
２．２１：増幅器セクション １４．２４：出力端子
Claims (15)
- （１）高周波信号を出力に発生するための発振器セクシ
ョンと、 増幅された高周波信号を出力に発生するために発振器セ
クションの出力に結合される入力を有し、第１・第２・
第３の電極をもつ増幅素子と、第１の電極を直流動作電
位の電圧源へ接続するための手段と、第２・第３の電極
間に直流バイアス電圧を発生するために第２・第３の電
極間に接続される直流バイアス手段とを備える増幅器セ
クションと、 発振器セクションの出力を増幅器セクションの入力に接
続する無線周波数（ｒ＾ｆ）接続手段と、直流バイアス
手段から発振器セクションへ動作電圧を提供するために
、増幅器セクションの直流バイアス手段を発振器セクシ
ョンへ接続する直流接続手段と を備える高周波エネルギー源。 - （２）無線周波数（ｒ＾ｆ）接続手段は、直流阻止手段
を有し、直流接続手段は無線周波数（ｒ＾ｆ）阻止手段
を有する特許請求の範囲第１項記載の高周波エネルギー
源。 - （３）増幅素子の第１の電極を直流動作電位の電圧源へ
接続するための前記手段は、無線周波数（ｒ＾ｆ）阻止
手段を備える特許請求の範囲第２項記載の高周波エネル
ギー源。 - （４）直流バイアス手段は、増幅素子内に導電を引き起
こすために、第２の電極および第３の電極間で増幅素子
をバイアスする特許請求の範囲第３項記載の高周波エネ
ルギー源。 - （５）増幅素子は静電誘導形トランジスタであり、第１
の電極はドレイン電極であり、第２の電極はソース電極
であり、第３の電極はゲート電極である特許請求の範囲
第４項記載の高周波エネルギー源。 - （６）出力接続と、 第１・第２・第３の電極を有する発振器トランジスタを
備え、高周波信号を発生するための発振器セクションと
、 増幅された高周波信号を発生するために発振器セクショ
ンへ結合され、第１・第２・第３の電極を有する増幅器
トランジスタと、増幅器トランジスタの第１の電極を直
流動作電位の電圧源へ接続するための手段と、第２・第
３の電極間に直流バイアス電圧を発生するために増幅器
トランジスタの第２・第３の電極間に接続される直流バ
イアス手段と、増幅器トランジスタの第１の電極を前記
出力接続へ結合する直流阻止手段を備える出力手段とを
備える増幅器セクションと、 増幅器トランジスタの第２の電極を発振器トランジスタ
の第１の電極に結合することにより、直流導電パスが、
直流動作電位の電圧源から増幅器トランジスタを通り発
振器トランジスタへ提供される無線周波数（ｒ＾ｆ）阻
止手段を備える直流接続手段と、 発振器トランジスタの第１の電極を増幅器トランジスタ
の第２の電極へ結合することにより、無線周波数（ｒ＾
ｆ）導電パスが提供される直流阻止手段を備える無線周
波数（ｒ＾ｆ）接続手段とを備える高周波エネルギー源
。 - （７）増幅器トランジスタの第１の電極を動作電位の電
圧源へ接続するための前記手段は、無線周波数（ｒ＾ｆ
）阻止手段を備える特許請求の範囲第６項記載の高周波
エネルギー源。 - （８）増幅器トランジスタは電界効果形トランジスタで
あり、第１の電極はドレイン電極であり、第２の電極は
ソース電極であり、第３の電極はゲート電極である特許
請求の範囲第７項記載の高周波エネルギー源。 - （９）増幅器トランジスタは静電誘導形トランジスタで
あり、第１の電極はドレイン電極であり、第２の電極は
ソース電極であり、第３の電極はゲート電極である特許
請求の範囲第７項記載の高周波エネルギー源。 - （１０）出力接続と、 第１・第２・第３の電極を有する発振器トランジスタ
を備え、高周波信号を発生するための発振器セクション
と、 増幅された高周波信号を発生するために、発振器セクシ
ョンへ結合され、第１・第２・第３の電極を各々有する
第１・第２の増幅器トランジスタと、第１の増幅器トラ
ンジスタの第１の電極を直流動作電位の電圧源へ接続す
るための手段と、第１の増幅器トランジスタの第２・第
３の電極間に直流バイアス電圧を発生するために第１の
増幅器トランジスタの第２・第３の電極間に接続される
第１の直流バイアス手段と、第１の増幅器トランジスタ
の第２の電極を第２の増幅器トランジスタの第１の電極
へ接続する無線周波数（ｒ＾ｆ）阻止手段と、第２の増
幅器トランジスタの第２・第３の電極間に直流バイアス
電圧を発生するために第２の増幅器トランジスタの第２
・第３の電極間に接続される第２の直流バイアス手段と
、第１の増幅器トランジスタの第１の電極および第２の
増幅器トランジスタの第１の電極を前記出力接続へ結合
する直流阻止手段を備える出力手段とを備える増幅器セ
クションと、 第２の増幅器トランジスタの第２の電極を発振器トラン
ジスタの第１の電極に結合することにより、直流導電パ
スが、直流動作電位の電圧源から直列の第１の増幅器ト
ランジスタおよび第２の増幅器トランジスタを通り発振
器トランジスタへ提供される無線周波数（ｒ＾ｆ）阻止
手段を備える直流接続手段と、 発振器トランジスタの第１の電極を第１の増幅器トラン
ジスタの第２の電極および第２の増幅器トランジスタの
第２の電極へ結合することにより、無線周波数（ｒ＾ｆ
）導電パスが提供される直流阻止手段を備える無線周波
数（ｒ＾ｆ）接続手段とを備える高周波エネルギー源。 - （１１）第１の増幅器トランジスタの第１の電極を直流
動作電位の電圧源へ接続するための前記手段は、無線周
波数（ｒ＾ｆ）阻止手段を備える特許請求の範囲第１０
項記載の高周波エネルギー源。 - （１２）第１・第２の増幅器トランジスタは電界効果形
トランジスタであり、第１の電極はドレイン電極であり
、第２の電極はソース電極であり、第３の電極はゲート
電極である特許請求の範囲第１１項記載の高周波エネル
ギー源。 - （１３）第１・第２の増幅器トランジスタは静電誘導形
トランジスタであり、第１の電極はドレイン電極であり
、第２の電極はソース電極であり、第３の電極はゲート
電極である特許請求の範囲第１１項記載の高周波エネル
ギー源。 - （１４）直流阻止手段は容量を備え、無線周波数（ｒ＾
ｆ）阻止手段はインダクタンスを備える特許請求の範囲
第１３項記載の高周波エネルギー源。 - （１５）第１の直流バイアス手段は、第１の増幅器トラ
ンジスタのソース電極およびゲート電極間に接続される
電圧基準用のダイオードを備え、第２の直流バイアス手
段は、第２の増幅器トランジスタのソース電極およびゲ
ート電極間に接続される電圧基準用のダイオードを備え
る特許請求の範囲第１４項記載の高周波エネルギー源。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US685430 | 1984-12-24 | ||
| US06/685,430 US4602221A (en) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | High frequency energy source |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61157005A true JPS61157005A (ja) | 1986-07-16 |
Family
ID=24752179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60288061A Pending JPS61157005A (ja) | 1984-12-24 | 1985-12-23 | 高周波エネルギー源 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4602221A (ja) |
| EP (1) | EP0185908B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61157005A (ja) |
| CA (1) | CA1233205A (ja) |
| DE (1) | DE3585367D1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258726A (en) * | 1992-10-29 | 1993-11-02 | Motorola, Inc. | Voltage controlled oscillator with low operating supply voltage |
| US5962986A (en) * | 1997-05-19 | 1999-10-05 | Northrop Grumman Corporation | Solid state RF light driver for electrodeless lighting |
| WO2021046206A1 (en) * | 2019-09-06 | 2021-03-11 | Kumu Networks, Inc. | Systems and methods for split-frequency amplification |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54149453A (en) * | 1978-05-15 | 1979-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Oscillator |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA652137A (en) * | 1959-02-11 | 1962-11-13 | F. Cerofolini Gabriele | Transistor tone generator and power amplifier |
| US3619804A (en) * | 1969-01-23 | 1971-11-09 | Wilcox Electric Co Inc | Frequency discriminator using an intermittently phase-locked loop |
| US4342967A (en) * | 1980-05-01 | 1982-08-03 | Gte Laboratories Incorporated | High voltage, high frequency amplifier |
| FR2500969B1 (fr) * | 1981-02-27 | 1985-12-27 | Thomson Csf | Amplificateur lineaire et circuit amplificateur a commande de gain comportant au moins un tel amplificateur |
-
1984
- 1984-12-24 US US06/685,430 patent/US4602221A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-11-13 DE DE8585114445T patent/DE3585367D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-11-13 EP EP85114445A patent/EP0185908B1/en not_active Expired
- 1985-12-12 CA CA000497537A patent/CA1233205A/en not_active Expired
- 1985-12-23 JP JP60288061A patent/JPS61157005A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54149453A (en) * | 1978-05-15 | 1979-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Oscillator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0185908A2 (en) | 1986-07-02 |
| DE3585367D1 (de) | 1992-03-19 |
| CA1233205A (en) | 1988-02-23 |
| EP0185908A3 (en) | 1987-12-02 |
| US4602221A (en) | 1986-07-22 |
| EP0185908B1 (en) | 1992-02-05 |
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