JPS63227201A - ハイブリツド回路 - Google Patents
ハイブリツド回路Info
- Publication number
- JPS63227201A JPS63227201A JP6180487A JP6180487A JPS63227201A JP S63227201 A JPS63227201 A JP S63227201A JP 6180487 A JP6180487 A JP 6180487A JP 6180487 A JP6180487 A JP 6180487A JP S63227201 A JPS63227201 A JP S63227201A
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- JP
- Japan
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- line
- hybrid
- circuit
- coupled
- lambda
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- Pending
Links
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
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- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
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- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
増幅回路に用いられるブランチライン型ハイブリッドに
おいて、該ハイブリッドのアイソレーション部のλ/4
線路をλ/4結合線路に置き換えたことを特徴とするも
の。
おいて、該ハイブリッドのアイソレーション部のλ/4
線路をλ/4結合線路に置き換えたことを特徴とするも
の。
本発明は、複数個の高出力GaAs PETによる増幅
などに使用されるハイブリッド回路に関する。
などに使用されるハイブリッド回路に関する。
マイクロ波増幅器も他のマイクロ波回路素子と同様、低
コストなものが要求され、このため部品数及び組み立て
工数の削減が必要である。また、限られたスペースの中
で・、有効な場所の使い方も必要とされる。
コストなものが要求され、このため部品数及び組み立て
工数の削減が必要である。また、限られたスペースの中
で・、有効な場所の使い方も必要とされる。
従来のブランチライン型ハイブリッドを使用した高出力
GaAs PET増幅器を第3図に示す、この図で10
入力端のハイブリッドで、リングを構成するその各部分
10a〜10dの長さは全てλ/4である。20は出力
側のハイブリッドで、やはりリングを構成するその各部
分20a〜20dの長さはλ/4である。Qll C2
はGaAs FETで、Gはそのゲート、Dはドレイン
、Sはソースである。
GaAs PET増幅器を第3図に示す、この図で10
入力端のハイブリッドで、リングを構成するその各部分
10a〜10dの長さは全てλ/4である。20は出力
側のハイブリッドで、やはりリングを構成するその各部
分20a〜20dの長さはλ/4である。Qll C2
はGaAs FETで、Gはそのゲート、Dはドレイン
、Sはソースである。
図示のようにQ1、Q2のゲートはストリップ線路12
.16およびコンデンサC1,C2を介して入力側ハイ
ブリッド100分岐点へ、またドレインはストリップ線
路14.18およびコンデンサC3,C4を介して出力
側ハイブリッド20の分岐点へ接続される。
.16およびコンデンサC1,C2を介して入力側ハイ
ブリッド100分岐点へ、またドレインはストリップ線
路14.18およびコンデンサC3,C4を介して出力
側ハイブリッド20の分岐点へ接続される。
このブランチライン型ハイブリッドの動作は既知の通り
で、入力は10aを通って02へ、また10bと10c
および10aと10dを通って(これらは同じ長さなの
で結合点では同相、従って加わり合う)C+へ至り、各
々1/2がトランジスタQl、Q2のゲートへ入る。R
1は反射波吸収用のダミー抵抗である。入力端からこの
ダミーへは10bおよび、10aと10dと10cの経
路があるが、10a〜10dは各々λ/4長であるから
10bを通ったものと10a、10d、10Cを通った
ものではλ/2の差があり、打消し合う。つまり、入力
がR1へ漏出することはない。
で、入力は10aを通って02へ、また10bと10c
および10aと10dを通って(これらは同じ長さなの
で結合点では同相、従って加わり合う)C+へ至り、各
々1/2がトランジスタQl、Q2のゲートへ入る。R
1は反射波吸収用のダミー抵抗である。入力端からこの
ダミーへは10bおよび、10aと10dと10cの経
路があるが、10a〜10dは各々λ/4長であるから
10bを通ったものと10a、10d、10Cを通った
ものではλ/2の差があり、打消し合う。つまり、入力
がR1へ漏出することはない。
トランジスタQ+で増幅された出力はC3から20aを
通って出力端へ、またトランジスタQ2で増幅された出
力はC4から20Cと20b及び20dと20aを通っ
て出力端へ至り、そしてこれらは出力端では同相になっ
て加わり合い、こうして並列2増幅素子による増幅が行
なわれる。R2はR1と同様の反射波吸収用ダミー抵抗
である。
通って出力端へ、またトランジスタQ2で増幅された出
力はC4から20Cと20b及び20dと20aを通っ
て出力端へ至り、そしてこれらは出力端では同相になっ
て加わり合い、こうして並列2増幅素子による増幅が行
なわれる。R2はR1と同様の反射波吸収用ダミー抵抗
である。
このマイクロ波増幅回路ではトランジスタQl。
C2にドレイン電圧Vd(例えばl0V)およびゲート
電圧Vg(例えば−5V)を供給する必要があるが、こ
れらは線路12,14.16.18に対して行なわれる
。コンデンサ01〜C4は、この直流電圧電流が人、出
力端へ漏れないようにカットするものである。
電圧Vg(例えば−5V)を供給する必要があるが、こ
れらは線路12,14.16.18に対して行なわれる
。コンデンサ01〜C4は、この直流電圧電流が人、出
力端へ漏れないようにカットするものである。
このように従来のブランチライン型ハイブリッド使用マ
イクロ波増幅回路では4個の直流遮断用コンデンサCl
−C4が必要であった。またバイアス回路(ゲート、ド
レイン電圧供給回路)を設ける場所が、コンデンサC+
−CaよりトランジスタQl、Q2までの線路部分と限
定されてしまう欠点があった。小型化するとこの線路部
分の長さは短かく、バイアス回路取付けが容易でなくな
る。
イクロ波増幅回路では4個の直流遮断用コンデンサCl
−C4が必要であった。またバイアス回路(ゲート、ド
レイン電圧供給回路)を設ける場所が、コンデンサC+
−CaよりトランジスタQl、Q2までの線路部分と限
定されてしまう欠点があった。小型化するとこの線路部
分の長さは短かく、バイアス回路取付けが容易でなくな
る。
本発明はか−る点を改善し、個別部品であるコンデンサ
01〜C4を使用する必要がな(、従ってその取付作業
が不要であり、またバイアス回路を取付ける領域が広い
ようにしようとするものである。
01〜C4を使用する必要がな(、従ってその取付作業
が不要であり、またバイアス回路を取付ける領域が広い
ようにしようとするものである。
第1図に本発明のブランチライン型ハイブリッド回路の
原理図を示す。第3図と対応する部分には同じ符号が付
しである0本発明ではブランチライン型ハイブリッド回
路10.20のアイソレーション線路10b、10d、
20d、20bにλ/4結合線路を用い、ダi RI
IR2はオーブンダミーをまた人、出力端にコンデンサ
C5,C・を用い、コンデンサ01〜C4は除いた点が
第3図と異なる。
原理図を示す。第3図と対応する部分には同じ符号が付
しである0本発明ではブランチライン型ハイブリッド回
路10.20のアイソレーション線路10b、10d、
20d、20bにλ/4結合線路を用い、ダi RI
IR2はオーブンダミーをまた人、出力端にコンデンサ
C5,C・を用い、コンデンサ01〜C4は除いた点が
第3図と異なる。
本発明ではハイブリッド部に直流遮断用コンデンサC+
=Caをパターンで組込んでしまったので、該コンデン
サを使用する必要がな(、それらを取付ける作業が不要
になる0代りに、人、出力端に直流遮断用コンデンサC
5,Caが必要になるが、これは各1個であるから、各
ハイブリッドでコンデンサを°1つずつ節減可能である
。
=Caをパターンで組込んでしまったので、該コンデン
サを使用する必要がな(、それらを取付ける作業が不要
になる0代りに、人、出力端に直流遮断用コンデンサC
5,Caが必要になるが、これは各1個であるから、各
ハイブリッドでコンデンサを°1つずつ節減可能である
。
またこの構成ではバイアス回路はCs、 Cs。
R1,R2のハイブリッド側に取付けてもよいので、バ
イアス回路を設ける場所の自由度が増す。
イアス回路を設ける場所の自由度が増す。
第2図に本発明の実施例を示す、やはり第1図、第3図
に対応する部分には同じ符号が付しである。
に対応する部分には同じ符号が付しである。
斜線はバイアス回路取付可能部分を示す。λ/4結合線
路10b、10d、20d、20bは間隔をおいて平行
に走る2本のストリップ線路で、この型のコンデンサ(
直流阻止回路)は例えば特公昭51−5742に開示さ
れている。第4図(a)はλ/4結合線路10b、10
d、・・・・・・を模擬的に示す図で(b) (C)は
(alのA−A線断面図である。2は誘電体、3は接地
導体である。この図を参照してλ/4結合線路がλ/4
線路と同様に機能することを以下説明する。
路10b、10d、20d、20bは間隔をおいて平行
に走る2本のストリップ線路で、この型のコンデンサ(
直流阻止回路)は例えば特公昭51−5742に開示さ
れている。第4図(a)はλ/4結合線路10b、10
d、・・・・・・を模擬的に示す図で(b) (C)は
(alのA−A線断面図である。2は誘電体、3は接地
導体である。この図を参照してλ/4結合線路がλ/4
線路と同様に機能することを以下説明する。
今、第4図(b)のAモード、同図(C)のBモードに
おける結合線路1a、lbの特性インピーダンスをZo
a、Zob、位相定数をβa、βbとすると、。
おける結合線路1a、lbの特性インピーダンスをZo
a、Zob、位相定数をβa、βbとすると、。
この結合線路の入力インピーダンスZinは・・・・・
・(1) 但しZOは線路1a、lbと接地導体3で構成される線
路の特性インピーダンス で表わせる。VSWRが1.0になるようにZ in=
Z 。
・(1) 但しZOは線路1a、lbと接地導体3で構成される線
路の特性インピーダンス で表わせる。VSWRが1.0になるようにZ in=
Z 。
にすると、
になる。この結合線路ではZinがこの(2)式のZ。
になるように線路幅および間隔を設定する。
次にこの結合線路の位相遅れは、第4図(d)の如く電
圧、電流を定めるとV s / V +であり、これは V 4 / V I= e ’βat
・・・・・・(3)で表わせる。今、 cosβa II + cosβb j! = O−・
−(4)とすると、(4)式を変形して βa+βb=2π/λ ・・・・・・(5
)となる、マイクロ波集積回路では誘電体の影響でβa
−βbにはならないが、βaIl、 βb1を90°
付近に選ぶ、つまりΔを微小角としてβal=90°
+Δ ・・・・・・(6)βbj!−9
0’ −Δ にする、このようにすれば βa#βb′=!β ・・・・・・
(7)一方、λ/4線路の位相遅れDは D−e−jβ員 ・・・・・・(
8)そしてi−λ/4にすれば(3)式は V a / V I= e−JI”V4
・” ・・・(9)となり、(7) (8) (91
式よりλ/4結合線路の位相遅れとλ/4線路の位相遅
れははり同じになることが分る。
圧、電流を定めるとV s / V +であり、これは V 4 / V I= e ’βat
・・・・・・(3)で表わせる。今、 cosβa II + cosβb j! = O−・
−(4)とすると、(4)式を変形して βa+βb=2π/λ ・・・・・・(5
)となる、マイクロ波集積回路では誘電体の影響でβa
−βbにはならないが、βaIl、 βb1を90°
付近に選ぶ、つまりΔを微小角としてβal=90°
+Δ ・・・・・・(6)βbj!−9
0’ −Δ にする、このようにすれば βa#βb′=!β ・・・・・・
(7)一方、λ/4線路の位相遅れDは D−e−jβ員 ・・・・・・(
8)そしてi−λ/4にすれば(3)式は V a / V I= e−JI”V4
・” ・・・(9)となり、(7) (8) (91
式よりλ/4結合線路の位相遅れとλ/4線路の位相遅
れははり同じになることが分る。
以上より本λ/4結合線路けλ/4線路とインピーダン
ス、位相回り共にはり一致し、ブランチライン型ハイブ
リッドに組込〃でも正常動作が期待できることが分る。
ス、位相回り共にはり一致し、ブランチライン型ハイブ
リッドに組込〃でも正常動作が期待できることが分る。
以上説明したように本発明では直流カット用コンデンサ
の数を低減することができ、またバイアス回路を設ける
場所の自由度を増すことができる。
の数を低減することができ、またバイアス回路を設ける
場所の自由度を増すことができる。
即ち、従来は直流カット用コンデンサ01〜C4の位置
からトランジスタQl、Q2までの間にバイアス回路を
取付けなければならなかったが、本発明ではバイアス回
路をハイブリッドの外側に持って行くこともでき、これ
によりハイブリッド回路を小型にできたり、またトラン
ジスタQ+、Q2の調整箇所を増やしたりすることがで
きる。
からトランジスタQl、Q2までの間にバイアス回路を
取付けなければならなかったが、本発明ではバイアス回
路をハイブリッドの外側に持って行くこともでき、これ
によりハイブリッド回路を小型にできたり、またトラン
ジスタQ+、Q2の調整箇所を増やしたりすることがで
きる。
第1図は本発明の原理説明図、
第2図は本発明の実施例を示す説明図、第3図は従来例
の説明図、 第4図は特性計算についての説明図である。 第1図で10.20はハイブリッド回路、Q + 。 Q2はGa5a FIET)ランジスタ、10b、10
d。 20b、20dはλ/4結合線路である。
の説明図、 第4図は特性計算についての説明図である。 第1図で10.20はハイブリッド回路、Q + 。 Q2はGa5a FIET)ランジスタ、10b、10
d。 20b、20dはλ/4結合線路である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 増幅素子(Q_1、Q_2)に対する電力分配・合成
に使用されるブランチライン型ハイブリッド回路(10
、20)において、 アイソレーション部のλ/4線路(10b、10d、2
0d、20b)に、λ/4結合線路を用いたことを特徴
とするハイブリッド回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6180487A JPS63227201A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | ハイブリツド回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6180487A JPS63227201A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | ハイブリツド回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63227201A true JPS63227201A (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=13181644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6180487A Pending JPS63227201A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | ハイブリツド回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63227201A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07336145A (ja) * | 1994-06-06 | 1995-12-22 | Fukushima Nippon Denki Kk | 周波数逓倍器 |
JP2002057502A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-22 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | 超高周波二極双投スイッチ、超高周波分配/伝送スイッチ及び電力増幅装置 |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP6180487A patent/JPS63227201A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07336145A (ja) * | 1994-06-06 | 1995-12-22 | Fukushima Nippon Denki Kk | 周波数逓倍器 |
JP2002057502A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-22 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | 超高周波二極双投スイッチ、超高周波分配/伝送スイッチ及び電力増幅装置 |
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