JPS6292405A - 抵抗材料 - Google Patents
抵抗材料Info
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- JPS6292405A JPS6292405A JP60232364A JP23236485A JPS6292405A JP S6292405 A JPS6292405 A JP S6292405A JP 60232364 A JP60232364 A JP 60232364A JP 23236485 A JP23236485 A JP 23236485A JP S6292405 A JPS6292405 A JP S6292405A
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- Japan
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- glass
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- resistance
- resistor
- carbonate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非酸化雰囲気中での焼成によって厚膜抵抗体
又はこれに類似の抵抗体を形成することができ、且つ耐
湿性の高い抵抗体を提供することができるペースト状抵
抗材料に関する。
又はこれに類似の抵抗体を形成することができ、且つ耐
湿性の高い抵抗体を提供することができるペースト状抵
抗材料に関する。
未焼成セラミックシート即ちグリーンシートにニッケル
等の卑金属の導体ペーストを塗布し、且つ硼化モリブデ
ンと弗化物とガラスとを含有する抵抗体ペーストを塗布
したものを非酸化雰囲気中で焼成し、厚膜導体と厚膜抵
抗体との両方を有する多層セラミック回路基板を作成す
る方法は、本件出願人に係わる特願昭59−19765
5号明細曹に開示されている。この方法においては、厚
膜導体及び厚膜抵抗の形成に貴金属が使用されないので
、多層セラミック回路基板のコストの低減が □で
きる。
等の卑金属の導体ペーストを塗布し、且つ硼化モリブデ
ンと弗化物とガラスとを含有する抵抗体ペーストを塗布
したものを非酸化雰囲気中で焼成し、厚膜導体と厚膜抵
抗体との両方を有する多層セラミック回路基板を作成す
る方法は、本件出願人に係わる特願昭59−19765
5号明細曹に開示されている。この方法においては、厚
膜導体及び厚膜抵抗の形成に貴金属が使用されないので
、多層セラミック回路基板のコストの低減が □で
きる。
しかし、上記出aK係わる抵抗材料で形成された厚膜抵
抗は十分な耐湿特性を有さない。例えば、温度60℃、
相対湿度95%の環境下に1000時間放置した場合の
抵抗変化率は+5%〜+10%程度になる。
抗は十分な耐湿特性を有さない。例えば、温度60℃、
相対湿度95%の環境下に1000時間放置した場合の
抵抗変化率は+5%〜+10%程度になる。
そこで、本発明の目的は、非酸化雰囲気中での焼成で抵
抗体ケ形成することができ、且つ耐湿試験における抵抗
変化率が+2%以内の抵抗体ケ得ることができる抵抗材
料を提供することにある。
抗体ケ形成することができ、且つ耐湿試験における抵抗
変化率が+2%以内の抵抗体ケ得ることができる抵抗材
料を提供することにある。
上記目的を達成するたぬの本発明に係わる抵抗材料は、
酸化タングステン20〜80重量%と、ガラスlO〜7
0 @@%と、炭酸カルシウム(C’aC01)、炭酸
ストロンチウム(Sr COs )、炭酸バリウム(B
a COm )の内の少なくとも1種の炭酸塩10〜7
0g童%とから成る混合物の粉末と、有機結合剤と、溶
剤とから取る。
酸化タングステン20〜80重量%と、ガラスlO〜7
0 @@%と、炭酸カルシウム(C’aC01)、炭酸
ストロンチウム(Sr COs )、炭酸バリウム(B
a COm )の内の少なくとも1種の炭酸塩10〜7
0g童%とから成る混合物の粉末と、有機結合剤と、溶
剤とから取る。
上記組成のペースト状抵抗材料をグリーンシート上に印
刷し、非酸化雰囲気で焼成丁tば、耐湿試験における抵
抗変化率が二2%以内の厚膜抵抗体が得らnる。従って
、ニッケル等の卑金属の導体ペーストによる厚膜導体の
形成と同時に卑金属厚膜抵抗を形成することが出来る。
刷し、非酸化雰囲気で焼成丁tば、耐湿試験における抵
抗変化率が二2%以内の厚膜抵抗体が得らnる。従って
、ニッケル等の卑金属の導体ペーストによる厚膜導体の
形成と同時に卑金属厚膜抵抗を形成することが出来る。
〔実施例1〕
次に、本発明の実施例に係わる抵抗材料及びこnを使用
した多層セラミック回路基数の形成方法について述べる
。
した多層セラミック回路基数の形成方法について述べる
。
筺ず、二酸化珪素(510m ) 78.O1iJ1部
、酸化亜鉛(ZnO) 5.51tfM部、酸化ジルコ
ニウム(ZrO*)12、oiir’fi部、炭酸カル
シラb (CaCO3) 3−ONIjk部、及び酸化
アルミニウム(Alton) 1−51N’1部を混合
し、アルミナルツボ中、1400℃で30分間溶融し、
この溶I!lIgを水中に投入し、急冷させfC,この
急冷物を取り出してアルミナ乳鉢に入rL1約50μm
程度になるまで粉砕し、更にこtをエタノールと共にポ
リエチレン製ボットミルの中に入t1アルミナボールで
150時間粉砕し、粒径が10μm以下の粉末状のガラ
スケ得た。
、酸化亜鉛(ZnO) 5.51tfM部、酸化ジルコ
ニウム(ZrO*)12、oiir’fi部、炭酸カル
シラb (CaCO3) 3−ONIjk部、及び酸化
アルミニウム(Alton) 1−51N’1部を混合
し、アルミナルツボ中、1400℃で30分間溶融し、
この溶I!lIgを水中に投入し、急冷させfC,この
急冷物を取り出してアルミナ乳鉢に入rL1約50μm
程度になるまで粉砕し、更にこtをエタノールと共にポ
リエチレン製ボットミルの中に入t1アルミナボールで
150時間粉砕し、粒径が10μm以下の粉末状のガラ
スケ得た。
次に、上記ガラスと、酸化タングステン(Wo、、W、
0いWOlの1種以上〕とを表に示す割合に秤量し、ボ
ールミルに入れて攪拌した。次いで、これをアルゴンガ
ス雰囲気中1200℃で1時間熱処理し、しかる後、エ
タノールと共にポリエチレン製のボットミル中に入れ、
アルミナボールで24時間粉砕し、10μm以下の酸イ
ヒタングステンとガラスとの混合物の粉末を得た。9口
ち、表の試料Al〜30に示さiしている種々の割合の
ガラスと酸化タングステンの混合粉末ケ得た。
0いWOlの1種以上〕とを表に示す割合に秤量し、ボ
ールミルに入れて攪拌した。次いで、これをアルゴンガ
ス雰囲気中1200℃で1時間熱処理し、しかる後、エ
タノールと共にポリエチレン製のボットミル中に入れ、
アルミナボールで24時間粉砕し、10μm以下の酸イ
ヒタングステンとガラスとの混合物の粉末を得た。9口
ち、表の試料Al〜30に示さiしている種々の割合の
ガラスと酸化タングステンの混合粉末ケ得た。
次に、ガラスと酸化タングステンと戻酸塩(CaCoj
%5rCO1、Ba CUBの1種以上)との割合が表
の試料A1〜30の組成の欄に示すようになるように、
上述のガラスと酸化タングステンの混合粉末に対して炭
酸塩ケ添加し、混合することによって本発明に係わる抵
抗材料の混合物の粉末を得た。
%5rCO1、Ba CUBの1種以上)との割合が表
の試料A1〜30の組成の欄に示すようになるように、
上述のガラスと酸化タングステンの混合粉末に対して炭
酸塩ケ添加し、混合することによって本発明に係わる抵
抗材料の混合物の粉末を得た。
即ち、試料fL1においては、抵抗材料の混合物の組x
”rガラス10@@%、wo、5oiiii%、CaC
0110重量%とし、残りの試料A2〜30においても
組成の欄に示すl童割台の組成とした。
”rガラス10@@%、wo、5oiiii%、CaC
0110重量%とし、残りの試料A2〜30においても
組成の欄に示すl童割台の組成とした。
次に、各試料の抵抗材料の混合物の粉末10011LI
isに、有機結合剤としてのエチルセルロース10重量
部を溶剤としてのプチルヵルビ) −ル90を置部に溶
かしたものから成る有機バインダ溶液即ちビヒクル25
冨量部を加えて3本ロールミルで混練して約800ボイ
ズの抵抗体ベーストン得た。
isに、有機結合剤としてのエチルセルロース10重量
部を溶剤としてのプチルヵルビ) −ル90を置部に溶
かしたものから成る有機バインダ溶液即ちビヒクル25
冨量部を加えて3本ロールミルで混練して約800ボイ
ズの抵抗体ベーストン得た。
一万、上記抵抗体ペーストを印刷するためのグリーンシ
ートを次の方法で作製した。 A1.0.粉末50重量
部、S iO,粉末201重量部、sro粉末2511
r′1部、Li、0粉末11量部、及びMgO粉末4重
量部からなるセラミック原料粉末と、アクリル酸エステ
ルポリツーの水溶液からなるバインダーと、グリセリン
と、カルボン酸塩及び水と、ケそれぞnボールミルに入
tて混合して、スリップケ作製し、脱泡処理した後にド
クターブレード法により厚さ200μmの長尺のグリー
ンシートな作製した。そして、このグリーンシートから
、9mm×9mmと6 mn X 9 mmの2種類の
グリーンシート片娑切り抜いた。
ートを次の方法で作製した。 A1.0.粉末50重量
部、S iO,粉末201重量部、sro粉末2511
r′1部、Li、0粉末11量部、及びMgO粉末4重
量部からなるセラミック原料粉末と、アクリル酸エステ
ルポリツーの水溶液からなるバインダーと、グリセリン
と、カルボン酸塩及び水と、ケそれぞnボールミルに入
tて混合して、スリップケ作製し、脱泡処理した後にド
クターブレード法により厚さ200μmの長尺のグリー
ンシートな作製した。そして、このグリーンシートから
、9mm×9mmと6 mn X 9 mmの2種類の
グリーンシート片娑切り抜いた。
次に、m1図に示す如く、前者のグリーンシー)片t1
+上c、ニッケル(N1〕粉末と有機パインダ溶液(エ
チルセルロース10 tiitsvテレピン油90″B
油部0″88 練した導体ペーストを200メツシユのスクリーンを用
いて印刷し、125℃、10分間乾燥することによって
第1図に示す如<Ni導体膜(2)ヲ形成した。
+上c、ニッケル(N1〕粉末と有機パインダ溶液(エ
チルセルロース10 tiitsvテレピン油90″B
油部0″88 練した導体ペーストを200メツシユのスクリーンを用
いて印刷し、125℃、10分間乾燥することによって
第1図に示す如<Ni導体膜(2)ヲ形成した。
次に、本発明に係わる抵抗体ペーストケ導体ペーストと
同様にスクリーン印刷し、乾燥することによって、第1
図に示す如く抵抗体膜(3)ケ形成した。
同様にスクリーン印刷し、乾燥することによって、第1
図に示す如く抵抗体膜(3)ケ形成した。
次に、グリーンシート片(1)の上に鎖線で示す大きさ
のもう一方のグリーンシート片(4Ht’積層し、10
0℃、1 5 0 kg/ cm で熱圧着し、コレ
yr酸化雰囲気中500℃で熱処理して有機結合剤及び
溶剤(有機ビヒクル)’r飛散及び分解し、N, (9
8、5容積%) +H* ( 1.5容積%)の還元零
囲気で1100℃、2時間焼成し、第2図に示す如く、
磁器71 (la)(48)の中に、厚膜導体(2a)
と厚膜抵抗体(3a)と暑有する混成集積回路用の多層
セラミック回路基81ケ完成させた。なお、抵抗体(3
a〕の導体(2a)にかからない部分の大きさは、3m
mX3mmであり、膜厚は18μmである。また、抵抗
体(3a)の組成は、焼成前の抵抗材料の無機質の組成
にほぼ一致している。
のもう一方のグリーンシート片(4Ht’積層し、10
0℃、1 5 0 kg/ cm で熱圧着し、コレ
yr酸化雰囲気中500℃で熱処理して有機結合剤及び
溶剤(有機ビヒクル)’r飛散及び分解し、N, (9
8、5容積%) +H* ( 1.5容積%)の還元零
囲気で1100℃、2時間焼成し、第2図に示す如く、
磁器71 (la)(48)の中に、厚膜導体(2a)
と厚膜抵抗体(3a)と暑有する混成集積回路用の多層
セラミック回路基81ケ完成させた。なお、抵抗体(3
a〕の導体(2a)にかからない部分の大きさは、3m
mX3mmであり、膜厚は18μmである。また、抵抗
体(3a)の組成は、焼成前の抵抗材料の無機質の組成
にほぼ一致している。
次に、この抵抗体(3a)の25℃におけるシート抵抗
R4(Ω/7ロ]VデイジタルマルチメータjAl1足
した。次いで、各試料(多層セラミック回路基数)を温
度60℃、相対湿度95%の環境下に1000時間放置
し、その後、ディジタルマルチメータで角びシート抵抗
R+ (Ω/口)ン測定し、この耐湿試験処よる厚膜導
体(2a)の抵抗変化率ΔR’t ( RI FLo
/Re) X 1 0 0%で求めた。表の特性の欄に
は上記のへとΔRとが示されている。なお、亀の値の欄
のkは×101意味する。
R4(Ω/7ロ]VデイジタルマルチメータjAl1足
した。次いで、各試料(多層セラミック回路基数)を温
度60℃、相対湿度95%の環境下に1000時間放置
し、その後、ディジタルマルチメータで角びシート抵抗
R+ (Ω/口)ン測定し、この耐湿試験処よる厚膜導
体(2a)の抵抗変化率ΔR’t ( RI FLo
/Re) X 1 0 0%で求めた。表の特性の欄に
は上記のへとΔRとが示されている。なお、亀の値の欄
のkは×101意味する。
表の試料層1〜30から明らかな如く、抵抗材料の混合
物のaSを、 ガラス 10〜TO@i%と、 酸化タングステン 20〜8ON−1#%と、炭酸塩
10〜70重量% とすることにより、還元雰囲気中の焼成であるにも拘ら
ず、シート抵抗が14.25Ω/口〜430.6にΩ/
口、耐湿試験による抵抗変ずと率△Rが−2,0〜+2
.0%の範囲内の厚脇抵抗体を提供することができる。
物のaSを、 ガラス 10〜TO@i%と、 酸化タングステン 20〜8ON−1#%と、炭酸塩
10〜70重量% とすることにより、還元雰囲気中の焼成であるにも拘ら
ず、シート抵抗が14.25Ω/口〜430.6にΩ/
口、耐湿試験による抵抗変ずと率△Rが−2,0〜+2
.0%の範囲内の厚脇抵抗体を提供することができる。
なお、表に示さjしていない本発明の範囲外の試料によ
り次のことが確認されている。
り次のことが確認されている。
(11酸化タングステンのt’r 20911%よりも
少なくすると、抵抗値が高くなり過ぎる。
少なくすると、抵抗値が高くなり過ぎる。
(2) 酸化タングステンの′lを801X′ji%
よりも多くすると、焼結が困難になる。
よりも多くすると、焼結が困難になる。
(3)ガラスの童ン10重量%よりも少なくてると、焼
結が困難になる。
結が困難になる。
(41カラスの11’に701r景%よりも多くすると
、抵抗値が高くなり過ぎる。
、抵抗値が高くなり過ぎる。
(5ン 炭酸塩の量ン101重量%よりも少なくする
と、抵抗変化率ΔRを二2%の範囲に収ぬることが困難
になる。
と、抵抗変化率ΔRを二2%の範囲に収ぬることが困難
になる。
(6)炭酸塩の量v701!量%よりも多くてると、抵
抗変化率ΔRを±2%の範囲に収めることが困難になる
。
抗変化率ΔRを±2%の範囲に収めることが困難になる
。
〔実施例2〕
ガラスの組成が変化しても、実施例1と同様な作用効表
が得らnることン確かぬるために1次の如くガラス粉末
ケ作製した。二酸化珪素(5ins )75.0重量部
、三酸化ニホウ素(Byes) 13−0重量部%腹酸
カルシウム(CaCO3) 10.0重量部、及び酸化
アルミニウム(AI、O,) 2.Oiir量部置部合
し、実施例1と同様の手法にて粉末状のガラスを得た。
が得らnることン確かぬるために1次の如くガラス粉末
ケ作製した。二酸化珪素(5ins )75.0重量部
、三酸化ニホウ素(Byes) 13−0重量部%腹酸
カルシウム(CaCO3) 10.0重量部、及び酸化
アルミニウム(AI、O,) 2.Oiir量部置部合
し、実施例1と同様の手法にて粉末状のガラスを得た。
次に、このガラスを使用し、ガラス301に量%、Wo
、 15重11%、W、0.151r童%、Wo、 1
0 ’11%、CaC0,10重量鴨、5rCO,10
重量%、BaCO510f重量%の組成の抵抗材料の混
合vJヲ含むペーストを実施例1と同一の方法で得、こ
れを使用して実施例1と同一の方法で同一構造の多層セ
ラミック回路基板を形成し、gI!:施例1と同様に電
気的特性を測足したところ、シート抵抗値亀は8.2)
0にΩ/口、抵抗変化率ΔRは+0.9%であった。
、 15重11%、W、0.151r童%、Wo、 1
0 ’11%、CaC0,10重量鴨、5rCO,10
重量%、BaCO510f重量%の組成の抵抗材料の混
合vJヲ含むペーストを実施例1と同一の方法で得、こ
れを使用して実施例1と同一の方法で同一構造の多層セ
ラミック回路基板を形成し、gI!:施例1と同様に電
気的特性を測足したところ、シート抵抗値亀は8.2)
0にΩ/口、抵抗変化率ΔRは+0.9%であった。
この実施例2から明らかなように、ガラスの組成ケ変え
ても抵抗特性に大きな相違は見られない。
ても抵抗特性に大きな相違は見られない。
つまり、本発明において使用さiLるガラスは必ずしも
竹定された1つの組成に限られるものではない。なお、
実施例1におけるS iO,−ZnO−ZrO,−Ca
O−AI、01糸ガラス、実施例2のSin、 −8,
0,−CaOAltos系ガラスはいずtも作業点(I
XIO’ホイズとなる温度)が900〜1200℃のガ
ラスである。本発明に係わるガラスは、実施例1及び2
の組成のガラスに限ることなく、900〜1200℃の
作業、Ii5を有し、且つ還元雰囲気で焼成する際に金
属化されやすい金属酸化物(PbO1SnO□Bi。
竹定された1つの組成に限られるものではない。なお、
実施例1におけるS iO,−ZnO−ZrO,−Ca
O−AI、01糸ガラス、実施例2のSin、 −8,
0,−CaOAltos系ガラスはいずtも作業点(I
XIO’ホイズとなる温度)が900〜1200℃のガ
ラスである。本発明に係わるガラスは、実施例1及び2
の組成のガラスに限ることなく、900〜1200℃の
作業、Ii5を有し、且つ還元雰囲気で焼成する際に金
属化されやすい金属酸化物(PbO1SnO□Bi。
O5等)ン含まないものであれば、どのようなものでも
よい。
よい。
〔変形例〕
本発明は土述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形例がI5]能なものである。
次の変形例がI5]能なものである。
(aI 酸化タングステンとガラスと炭酸塩と娑含む
抵抗体ペーストを塗布したグリーンシートの焼成温度’
41000℃〜1200℃の範囲で変化させても、抵抗
値電及び抵抗変化率ΔRが殆んど変化しないことが確堅
さ九ている。例えば、実施例1の試料428と同一組成
で焼ry、m度の入を1000℃、1050℃、115
0℃、、1200℃に変化させた時の抵抗値R0は8.
253 kΩ/口、8.295 kΩ/口、8.2)5
kΩ/口、8.226 kΩ/口であり、また抵抗変
化率ΔRは+0.7%、+1・2%、+1・3%、+1
.0%であった。他の組成においてもほぼ同様な結果が
得られた。
抵抗体ペーストを塗布したグリーンシートの焼成温度’
41000℃〜1200℃の範囲で変化させても、抵抗
値電及び抵抗変化率ΔRが殆んど変化しないことが確堅
さ九ている。例えば、実施例1の試料428と同一組成
で焼ry、m度の入を1000℃、1050℃、115
0℃、、1200℃に変化させた時の抵抗値R0は8.
253 kΩ/口、8.295 kΩ/口、8.2)5
kΩ/口、8.226 kΩ/口であり、また抵抗変
化率ΔRは+0.7%、+1・2%、+1・3%、+1
.0%であった。他の組成においてもほぼ同様な結果が
得られた。
(bl グリーンシートな焼成する時の雰囲気ケ中性
雰囲気(不活性雰囲気)としてもよい。複た、グリーン
シートな焼成する前の有機物を分解及び飛散させるため
の酸化性雰囲気の熱処理温度を例えば400℃〜600
℃で変化させてもよい。
雰囲気(不活性雰囲気)としてもよい。複た、グリーン
シートな焼成する前の有機物を分解及び飛散させるため
の酸化性雰囲気の熱処理温度を例えば400℃〜600
℃で変化させてもよい。
(cl ガラスと酸化タングステンとの混合物のアル
ゴン雰囲気中での焼H,温度ケ、例えば900〜120
0℃の範囲で変化させてもよい。またこの焼成ヲアルゴ
ンガス9外の不活性雰囲気、又は真空中、又は中性雰囲
気、又は還元性雰囲気で行ってもよい。
ゴン雰囲気中での焼H,温度ケ、例えば900〜120
0℃の範囲で変化させてもよい。またこの焼成ヲアルゴ
ンガス9外の不活性雰囲気、又は真空中、又は中性雰囲
気、又は還元性雰囲気で行ってもよい。
(di 抵抗体ペーストヶ作るための有機バインダ溶
液(ビヒクル)は、ニトロセルロース等の樹脂な、テレ
ピン油、ブチルカルピトールアセテート等の高沸点溶剤
に溶かしたものでもよい。また、この有機バインダ溶液
の量は15〜35奮童部程度が望ましい。
液(ビヒクル)は、ニトロセルロース等の樹脂な、テレ
ピン油、ブチルカルピトールアセテート等の高沸点溶剤
に溶かしたものでもよい。また、この有機バインダ溶液
の量は15〜35奮童部程度が望ましい。
[発明の効果]
上述から明らかな如く、本発明のペースト状抵抗材料と
ニッケル等の卑金鵬の導体ペーストと!非酸化雰囲気で
同時焼成することができ、1つ本発明の抵抗材料には貴
金属が含まれていない。従って、多層セラミック回路N
叛、又はこれに類似の電気回路部品の小型化及び低コス
ト化に寄与することができる。また、本発明の抵抗材料
は前述の特許出願の抵抗材料に比較し、耐湿性の良い抵
抗体音提供することができる◎
ニッケル等の卑金鵬の導体ペーストと!非酸化雰囲気で
同時焼成することができ、1つ本発明の抵抗材料には貴
金属が含まれていない。従って、多層セラミック回路N
叛、又はこれに類似の電気回路部品の小型化及び低コス
ト化に寄与することができる。また、本発明の抵抗材料
は前述の特許出願の抵抗材料に比較し、耐湿性の良い抵
抗体音提供することができる◎
第1図は本発明の実施例に係わる多層上ラミック回路基
板を作表する際のグリーンシートと導体膜及び抵抗体膜
のパターンを示す平面図、第2図は第1図のローlll
1i!!に相当てる部分の焼成後の多層セラミック回路
基板を示す断面図である。 (11・・・グリーンシート片、[2+・・・導体膜、
+3)・・・抵抗体膜、(4)・・・グリーンシート片
。
板を作表する際のグリーンシートと導体膜及び抵抗体膜
のパターンを示す平面図、第2図は第1図のローlll
1i!!に相当てる部分の焼成後の多層セラミック回路
基板を示す断面図である。 (11・・・グリーンシート片、[2+・・・導体膜、
+3)・・・抵抗体膜、(4)・・・グリーンシート片
。
Claims (3)
- (1)酸化タングステン 20〜80重量%、ガラス
10〜70重量%、 炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、及び炭酸バリウ
ムの内の少なくとも1種の炭酸塩 10〜70重量%、 から成る混合物の粉末と、 有機結合剤と、 溶剤と、 から成るペースト状抵抗材料。 - (2)前記酸化タングステンは、2酸化タングステン(
WO_2)、5酸化2タングステン(W_2O_5)、
及び3酸化タングステン(WO_3)の内の少なくとも
1種である特許請求の範囲第1項記載の抵抗材料。 - (3)前記ガラスは、作業点が900〜1200℃の範
囲のものである特許請求の範囲第1項又は第2項記載の
抵抗材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60232364A JPS6292405A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 抵抗材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60232364A JPS6292405A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 抵抗材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6292405A true JPS6292405A (ja) | 1987-04-27 |
JPH0362287B2 JPH0362287B2 (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=16938056
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60232364A Granted JPS6292405A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 抵抗材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6292405A (ja) |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60232364A patent/JPS6292405A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0362287B2 (ja) | 1991-09-25 |
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