JPS6292306A - 磁性薄膜 - Google Patents
磁性薄膜Info
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- JPS6292306A JPS6292306A JP23192985A JP23192985A JPS6292306A JP S6292306 A JPS6292306 A JP S6292306A JP 23192985 A JP23192985 A JP 23192985A JP 23192985 A JP23192985 A JP 23192985A JP S6292306 A JPS6292306 A JP S6292306A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｒ産業上の利用分野〕
本発明は磁１’［Ｆｉｌｌ膜に関するものであり、詳細
にしｌ窒素を含有するＦ ｅ−Ａβ＝Ｓｉ系磁性薄膜の
改良に関するものである。
にしｌ窒素を含有するＦ ｅ−Ａβ＝Ｓｉ系磁性薄膜の
改良に関するものである。
本発明Ｉｔ、窒素を含有するＦｅ−Ａ１−３ｉ系ｉｉｆ
Ｍ薄膜において、Ａｌ及びＳｉの組成範囲をそれぞれ
２〜１０重険％、４〜１５重量％とじ、さらに窒素の含
存呈を０．５〜３．５重量％とし°Ｃ１ｆ（ｉ ｌ’ｌ
薄膜における面内異方性を消失さ−１、均質で、なおか
つ高透磁率、低保（、住方の磁性薄膜を提供するもので
ある。
Ｍ薄膜において、Ａｌ及びＳｉの組成範囲をそれぞれ
２〜１０重険％、４〜１５重量％とじ、さらに窒素の含
存呈を０．５〜３．５重量％とし°Ｃ１ｆ（ｉ ｌ’ｌ
薄膜における面内異方性を消失さ−１、均質で、なおか
つ高透磁率、低保（、住方の磁性薄膜を提供するもので
ある。
６イ（気記録におＧ」るｉ！Ｉ！Ｈの高密度化、高品質
化を図るｌ］的で、高保磁力を有する磁気記録媒体１例
えば磁性粉にＦｅ、Ｏｏ、 Ｎｉ等の金属あるいは合金
からなる金属磁性粉末を用いた、いわゆる合金塗布型の
メタルテープ等が開発され、オーディオテープレコーダ
を番：１しめ、いねり）る８迅りＶＴＲ（８ミリビデオ
テープレコーダ）等、民生用の磁気記ｔＡの分野で実用
化が進んでいる。
化を図るｌ］的で、高保磁力を有する磁気記録媒体１例
えば磁性粉にＦｅ、Ｏｏ、 Ｎｉ等の金属あるいは合金
からなる金属磁性粉末を用いた、いわゆる合金塗布型の
メタルテープ等が開発され、オーディオテープレコーダ
を番：１しめ、いねり）る８迅りＶＴＲ（８ミリビデオ
テープレコーダ）等、民生用の磁気記ｔＡの分野で実用
化が進んでいる。
しノこがっＣ１このような磁気記録媒体を充分にＬＨ化
するためには、磁気ヘッドの二ノア材料に対して、この
媒体の保＆ｉ力Ｃご見合った充分高い飽和侑東密Ｉ釦を
有することが要求される。また、特に記１１・再ノ１．
を同一のｆ〃気へソ）゛で行う場合においては、ト述の
飽和研東密度のｙノならず、適用する周波数帯ｊシ（で
充う）に高いＩ’ｉ磁率を有する４４籾であイ）ごとが
必要で＾、る。
するためには、磁気ヘッドの二ノア材料に対して、この
媒体の保＆ｉ力Ｃご見合った充分高い飽和侑東密Ｉ釦を
有することが要求される。また、特に記１１・再ノ１．
を同一のｆ〃気へソ）゛で行う場合においては、ト述の
飽和研東密度のｙノならず、適用する周波数帯ｊシ（で
充う）に高いＩ’ｉ磁率を有する４４籾であイ）ごとが
必要で＾、る。
従来、このようなＪＡＥ、 ＋ｌ’ｌ！Ｊ ｆ、Ｈ’磁
気特性ばかりでなく、磁気ヘット材料として要求される
緒特性、ずなわら１１１ｉｌ １９１耗１ノｌ智のＪｊ
９．械的特１ノ１を１）満たずＨ４′Ｉとして、１・’
ａ−ｆｉ、７！−５ｉ系合匁（セへゲス１−系合金）が
知られており、実用にイハされていることＣＩ周知のｉ
ｌｌ幻である。
気特性ばかりでなく、磁気ヘット材料として要求される
緒特性、ずなわら１１１ｉｌ １９１耗１ノｌ智のＪｊ
９．械的特１ノ１を１）満たずＨ４′Ｉとして、１・’
ａ−ｆｉ、７！−５ｉ系合匁（セへゲス１−系合金）が
知られており、実用にイハされていることＣＩ周知のｉ
ｌｌ幻である。
ところで、このＦｅ−ＡＣ−Ｓｉ系合金【ま、結晶質で
あるためにアモルファス合金はどの熱的な制約を受ける
こともｉ； ＜ 、磁気ヘソｌ、のコア材料として有用
であるが、金属材オ′・１であることから、いわゆる渦
電流Ｉ員による高周波領域でのｉＬ侑率の低下が問題と
なる。あるいは、Ｆ ｅ−Ａ １−Ｓ ｉ系合金（１１
、ある程度の耐摩耗性をｆ１″するものの、フェライト
笠と比較すると充分７１ものとは計い動く、さらには金
属材料であることから錆易いという欠点を有する。
あるためにアモルファス合金はどの熱的な制約を受ける
こともｉ； ＜ 、磁気ヘソｌ、のコア材料として有用
であるが、金属材オ′・１であることから、いわゆる渦
電流Ｉ員による高周波領域でのｉＬ侑率の低下が問題と
なる。あるいは、Ｆ ｅ−Ａ １−Ｓ ｉ系合金（１１
、ある程度の耐摩耗性をｆ１″するものの、フェライト
笠と比較すると充分７１ものとは計い動く、さらには金
属材料であることから錆易いという欠点を有する。
そこで本りＯｎ出願人は、先に特願昭５９−１６４３４
号明細書においＣ１、これら特ｔｌ［を改善−１ん４）
のと、窒素をＮイ１するＦ ｅ −Ａ ｊ！ −Ｓ ｉ
系＆ｉ ｌ’ｌ薄膜を提案した。この窒素を含有するＦ
ｅ−Ａ Ｉ。
号明細書においＣ１、これら特ｔｌ［を改善−１ん４）
のと、窒素をＮイ１するＦ ｅ −Ａ ｊ！ −Ｓ ｉ
系＆ｉ ｌ’ｌ薄膜を提案した。この窒素を含有するＦ
ｅ−Ａ Ｉ。
Ｓｉ系磁性ｉ’！ｙＩｔつ１は、軟磁気１）性、４．１
°に’、）ｌ、’周波帯域における透るイ目（に１ｖ相
るとと１）に、高硬度をｈ’ Ｌ７耐摩耗性や耐蝕性等
の実用特性に優れた性能を発揮するものである。
°に’、）ｌ、’周波帯域における透るイ目（に１ｖ相
るとと１）に、高硬度をｈ’ Ｌ７耐摩耗性や耐蝕性等
の実用特性に優れた性能を発揮するものである。
本発明は、前述の窒素を含有する）ｉ゛ｅ −Ａ １−
５ｉ系磁性薄膜のより一層の磁気特性の改善を図ろうと
するものである。
５ｉ系磁性薄膜のより一層の磁気特性の改善を図ろうと
するものである。
ずなわら、一般にＦｅ−Ａｆｆ−３ｉ系磁性薄膜を基１
反にスパッタリングした１易合・、このｐ Ｕ Δｐ
−３ｉ系合金が結晶質であることから作製さ４′また膜
にはかなり人き／ｇ而円内−シカｌ’ｌが付しノ、され
る。Ｌ７たがって、高透（ｄ−幌低保磁力を有する侑Ｉ
Ｉ口’＋Ｖ Ｉ＋’、！を得ようとする場合には、この
面内異方１１［４ちｌ＆して基板の装着を行わな１１れ
ばならない。、二の結果、１回のスパッタリングに供さ
れる基板の被着有効面積が少なくなり、また、この磁性
薄膜を使用して磁気ヘッドを作製した場合には、へ、１
特性にバラツキを）１°しる等、量産性の点で問題が生
ずる。これは窒素を含有するＦ ｅ −Ａ ｉ！ −Ｓ
ｉ基磁セ１薄膜においても例外ではない。
反にスパッタリングした１易合・、このｐ Ｕ Δｐ
−３ｉ系合金が結晶質であることから作製さ４′また膜
にはかなり人き／ｇ而円内−シカｌ’ｌが付しノ、され
る。Ｌ７たがって、高透（ｄ−幌低保磁力を有する侑Ｉ
Ｉ口’＋Ｖ Ｉ＋’、！を得ようとする場合には、この
面内異方１１［４ちｌ＆して基板の装着を行わな１１れ
ばならない。、二の結果、１回のスパッタリングに供さ
れる基板の被着有効面積が少なくなり、また、この磁性
薄膜を使用して磁気ヘッドを作製した場合には、へ、１
特性にバラツキを）１°しる等、量産性の点で問題が生
ずる。これは窒素を含有するＦ ｅ −Ａ ｉ！ −Ｓ
ｉ基磁セ１薄膜においても例外ではない。
そごで本発明は、基板の装着方法によらず、均質で高透
磁率、低保磁力を有する磁性薄膜を提供するご占を目的
とする。
磁率、低保磁力を有する磁性薄膜を提供するご占を目的
とする。
本発明者等は、前述の問題点を解消せんものと鋭意研究
の結果、窒素を含有するＦ ｅ −Ａ Ａ −Ｓ ｉ基
磁性薄膜では、反応スパッタ時の窒素の混入量。
の結果、窒素を含有するＦ ｅ −Ａ Ａ −Ｓ ｉ基
磁性薄膜では、反応スパッタ時の窒素の混入量。
スパッタ圧力等を制御することにより面内異方性を消失
させることができるとの知見を得るに至った。
させることができるとの知見を得るに至った。
本発明は、このような知見に基づいて完成されたもので
あって、Ｆｅ、ＡＣＳｉを主成分とし、」−記Ａ１及び
Ｓｉの！１１■成範囲がそれぞれ２〜１０重量％Ａ１，
４〜１５重置％Ｓｉであって、さらに０．５〜３．５重
世％の窒素を含有することを特徴とするものである。
あって、Ｆｅ、ＡＣＳｉを主成分とし、」−記Ａ１及び
Ｓｉの！１１■成範囲がそれぞれ２〜１０重量％Ａ１，
４〜１５重置％Ｓｉであって、さらに０．５〜３．５重
世％の窒素を含有することを特徴とするものである。
本発明に係る磁性薄膜は、ｐ’ｅ、 ７に、１． Ｓ
ｉイー土成分とし窒素を含有°する、窒素含有Ｆ ｅ
−Ａ ！！−３ｉ系磁１２目１１Ｉ膜である。
ｉイー土成分とし窒素を含有°する、窒素含有Ｆ ｅ
−Ａ ！！−３ｉ系磁１２目１１Ｉ膜である。
そして、本発明におい゛（１：Ｉ、面内異方性の解消と
いう観点から、１−記窒素Ｎの含有量を０．５〜３゜５
型開％の範囲とする。実験によれば、窒素の含有量が０
．５重尾％未満では、Ｊｌ（槻の装着位ｉＦ／により透
磁率、保侑力が太きく５′シなり、面内異ブ７１’ｌが
残存することがわかった。また、窒素の含イ１ｖが３．
５重置％を越えると、再び面内異方性が生ずるとともに
、透磁率の低下も問題となる。 ′また、窒素Ｎ
を含有させることは、磁性画ｎ９の硬度を向上するのに
極めて有効に作用する。例えば、Ｆｅ−Ａｌ１−３ｔ系
磁性′ｒｉ１膜中の窒素Ｎの含有量がおよそ１重量％を
越えると、ビッカース硬度１０００以上が達成され、２
重量％を越えるとほぼ一定の硬度（ビッカース硬度１１
００程度）を確保することができることがわかった。同
様に、窒素Ｎを含有するＦ” ｅ −Ａ １− Ｓ ｉ
基磁性薄膜は、耐＆ＩＩ＋ ｌ’Ｌの点で４） （！ｊ
れた特性を示し、実際市水に３０間浸した場合にも錆の
発生ｃ、１−見られなかった。
いう観点から、１−記窒素Ｎの含有量を０．５〜３゜５
型開％の範囲とする。実験によれば、窒素の含有量が０
．５重尾％未満では、Ｊｌ（槻の装着位ｉＦ／により透
磁率、保侑力が太きく５′シなり、面内異ブ７１’ｌが
残存することがわかった。また、窒素の含イ１ｖが３．
５重置％を越えると、再び面内異方性が生ずるとともに
、透磁率の低下も問題となる。 ′また、窒素Ｎ
を含有させることは、磁性画ｎ９の硬度を向上するのに
極めて有効に作用する。例えば、Ｆｅ−Ａｌ１−３ｔ系
磁性′ｒｉ１膜中の窒素Ｎの含有量がおよそ１重量％を
越えると、ビッカース硬度１０００以上が達成され、２
重量％を越えるとほぼ一定の硬度（ビッカース硬度１１
００程度）を確保することができることがわかった。同
様に、窒素Ｎを含有するＦ” ｅ −Ａ １− Ｓ ｉ
基磁性薄膜は、耐＆ＩＩ＋ ｌ’Ｌの点で４） （！ｊ
れた特性を示し、実際市水に３０間浸した場合にも錆の
発生ｃ、１−見られなかった。
さらに、実験によれば、磁性薄膜中の窒素Ｎの含イ１崎
１が増加するのに伴って透磁率が急激に向」ニし、特に
窒素Ｎの含有■がおよそ２重量％のときに、窒素Ｎを全
（含まない磁性薄膜に比べてｉ！ｉ磁率が２．４任警に
４）達し°でいることがわかった。この透（荘イ１は
＆ｔ １４薄膜ｒｌ’＋に含まれる窒素Ｎの含有量があ
まり多過ぎイ１と却って低下してしまうので、ＩＭｌｌ
ｚでの使用を名えた場合には３重置％以下に抑えること
がＩＴ １−Ｌいが、より高周波数領域での使用。
１が増加するのに伴って透磁率が急激に向」ニし、特に
窒素Ｎの含有■がおよそ２重量％のときに、窒素Ｎを全
（含まない磁性薄膜に比べてｉ！ｉ磁率が２．４任警に
４）達し°でいることがわかった。この透（荘イ１は
＆ｔ １４薄膜ｒｌ’＋に含まれる窒素Ｎの含有量があ
まり多過ぎイ１と却って低下してしまうので、ＩＭｌｌ
ｚでの使用を名えた場合には３重置％以下に抑えること
がＩＴ １−Ｌいが、より高周波数領域での使用。
例えばデジタルＶ Ｔ Ｒ用磁気へ、１等への使用を考
えると、これ以−１二であっても実用可能であると考え
られる。
えると、これ以−１二であっても実用可能であると考え
られる。
したがって、窒素Ｎの含有量を上述の範囲上することに
より、膜中に生起される柱状晶が微細化され、それに基
づく異方性が著しく抑制され、面内異方性がなく、それ
でいて透磁率、保磁力等の磁気性Ｐ１や耐摩耗性１耐蝕
性等の機械的特性に優れたｖｉ ＋ｚ目’ＩＶＩ漠が得
られる。
より、膜中に生起される柱状晶が微細化され、それに基
づく異方性が著しく抑制され、面内異方性がなく、それ
でいて透磁率、保磁力等の磁気性Ｐ１や耐摩耗性１耐蝕
性等の機械的特性に優れたｖｉ ＋ｚ目’ＩＶＩ漠が得
られる。
一方、上記もＲ性薄膜の主成分であるＦｅ、Ａ７！。
Ｓｉのｆａｎ成範囲としては、上記ＡＩ！の含有量が２
〜１０重鼠％装置記Ｓｉの含有量が４〜１５重Ｍ％、残
部がＦｅであることが好ましい。したが−２°ζ、」−
記磁性’ＡＭ膜を ＦｅａＡｌ、５ｉｃＮＩＩ （ａ、ｂ、ｃ、ｄは各成分の重量化を表１゜）で表わし
たときに、その組成範囲は、 ７０≦ａ〈９５ ２≦ｂ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０．５≦（１≦３．５ ａ ＋ ｂ ＋−ｃ、−ＩＣ１−１００であること
が望ましい。−１，記／ｌやＳｔが少なずぎでも、また
逆に多すぎ°Ｃも磁性薄膜の磁気性１？１が劣化し゛（
しまう。
〜１０重鼠％装置記Ｓｉの含有量が４〜１５重Ｍ％、残
部がＦｅであることが好ましい。したが−２°ζ、」−
記磁性’ＡＭ膜を ＦｅａＡｌ、５ｉｃＮＩＩ （ａ、ｂ、ｃ、ｄは各成分の重量化を表１゜）で表わし
たときに、その組成範囲は、 ７０≦ａ〈９５ ２≦ｂ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０．５≦（１≦３．５ ａ ＋ ｂ ＋−ｃ、−ＩＣ１−１００であること
が望ましい。−１，記／ｌやＳｔが少なずぎでも、また
逆に多すぎ°Ｃも磁性薄膜の磁気性１？１が劣化し゛（
しまう。
また、−１−記Ｆｅの一部をＣＯあるいはＮｉのうち少
なくとも１種と置換することも可能である。
なくとも１種と置換することも可能である。
上記Ｆｅの一部をＣＯと置換することにより）飽和磁束
密度Ｂｓを上げることができる。特に、Ｆｅの４０重量
％を（”、 ｏ Ｔ：置換したもので最大の飽和磁束密
度１３ｓが得られる。このＣＯの置換蓋としては、ＦＢ
に対して０〜６０重量％の範囲内であることが好ましい
。
密度Ｂｓを上げることができる。特に、Ｆｅの４０重量
％を（”、 ｏ Ｔ：置換したもので最大の飽和磁束密
度１３ｓが得られる。このＣＯの置換蓋としては、ＦＢ
に対して０〜６０重量％の範囲内であることが好ましい
。
同様に、−ｆユ記Ｆｅの一部をＮｉと置換することによ
り、飽和磁束密度Ｂｓを減少することなく透磁率を高い
状態に保つことができる。このＮｉの置換量として目、
Ｆｅに対して０〜４０重量％の範囲内であることが好ま
しい。
り、飽和磁束密度Ｂｓを減少することなく透磁率を高い
状態に保つことができる。このＮｉの置換量として目、
Ｆｅに対して０〜４０重量％の範囲内であることが好ま
しい。
さらに、上述の磁性薄膜には、耐蝕性や耐摩耗性を改善
するために各種元素を添加剤として加えもよい。上記添
加剤として使用される元素としては、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、
Ｃｅ、Ｎｄ、Ｇｄ等のランタン系列元素を含むｍａ族元
素、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等のｒＶａＶａ族元素、Ｎｂ、Ｔ
ａ等のＶａ族元素、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等のＶｉａ族元素、
Ｍｎ、Ｔｃ。
するために各種元素を添加剤として加えもよい。上記添
加剤として使用される元素としては、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、
Ｃｅ、Ｎｄ、Ｇｄ等のランタン系列元素を含むｍａ族元
素、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等のｒＶａＶａ族元素、Ｎｂ、Ｔ
ａ等のＶａ族元素、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等のＶｉａ族元素、
Ｍｎ、Ｔｃ。
Ｒｅ等の■ａ族元素、ＣＩＪ、 Ａｇ、Ａｕ等のｌｂ族
元素Ｇａ、Ｉ ｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ等が挙げられる。
元素Ｇａ、Ｉ ｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ等が挙げられる。
これら添加剤の１種または２種１ソ」二を組み合わせて
、上記磁性Ｆ！膜に対して０〜１０重量％の範囲で添加
する。すなわら、−上記添加剤をＴとし一ヒ記磁１１薄
１１りを Ｆ （’！ｍＡ ｆｆｂ Ｓ ｉｃ Ｎａ ’Ｉ’ｍ（
ａ、ｂ、（：、ｄ、ｅ、の各成分の重量比を表わす。） で表わしたときに、そのＮ、ｌＩ成範囲が６５≦ａ〈９
５ ２≦ａ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０．５≦ｄ≦３．５ ０≦ｅ≦１０ ａ 十ｂ トｃ ＋ｄ 十ｅ ＝ Ｉ ＯＯを満足する
ことが望ましい。上記添加剤の添加にが１０重量％を越
えると磁１１薄膜の磁気性１７Ｆを劣化してしまう１五
（れがある。
、上記磁性Ｆ！膜に対して０〜１０重量％の範囲で添加
する。すなわら、−上記添加剤をＴとし一ヒ記磁１１薄
１１りを Ｆ （’！ｍＡ ｆｆｂ Ｓ ｉｃ Ｎａ ’Ｉ’ｍ（
ａ、ｂ、（：、ｄ、ｅ、の各成分の重量比を表わす。） で表わしたときに、そのＮ、ｌＩ成範囲が６５≦ａ〈９
５ ２≦ａ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０．５≦ｄ≦３．５ ０≦ｅ≦１０ ａ 十ｂ トｃ ＋ｄ 十ｅ ＝ Ｉ ＯＯを満足する
ことが望ましい。上記添加剤の添加にが１０重量％を越
えると磁１１薄膜の磁気性１７Ｆを劣化してしまう１五
（れがある。
あるいは、上記添加剤としてＲｕ 、 Ｒｈ 、
ｐ ｄ 。
ｐ ｄ 。
Ｏｓ、Ｉｒ、ＰＬ等の白金族元素を１種以−に添加して
もよい。この場合、上記白金族元素の添加量トシてば４
０重蟹％以下であることが好ましい。
もよい。この場合、上記白金族元素の添加量トシてば４
０重蟹％以下であることが好ましい。
上記添加ｍが４０重里％を越えると磁性薄膜の！ｆｌ気
特性を劣化し°Ｃしまう虞れがある。
特性を劣化し°Ｃしまう虞れがある。
さらに、」記ＩＩＩ ａ族元素、ＩＶａ族元素等の添加
剤と１−記白金族元素の両者を添加することも可能であ
る。この場合の３．■成範囲としては、ト記１１１ａ族
元素、ＩＶ ａ族元素等の添加剤をＴ、上記白金族元素
を［）トシ、上Ａｄ （ｉｔ ｔ’ｌ ｎ’Ｊ ”Ａ９
． ヲＦ”ｅａＡｊ！ｂＳｉｃＮａＴｅＰｔ （ａ、１１．（：、ｄ、ｅ、ｆｉＪ各成分の車Ｍ比を表
わす。） で表わしたときに、 ５５≦ａく９５ ２≦ａ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０．５≦（１≦３．５ ０≦ｅ≦１０ ０≦１−４０ ａ ＋ ｂ ＋ Ｃ−＋−ｄ ＋８ 十ｆ ＝ １００
を満足することが好ましく、さらに−［、記白金族元素
として第５周回の白金族元素、すなわちＲｕ。
剤と１−記白金族元素の両者を添加することも可能であ
る。この場合の３．■成範囲としては、ト記１１１ａ族
元素、ＩＶ ａ族元素等の添加剤をＴ、上記白金族元素
を［）トシ、上Ａｄ （ｉｔ ｔ’ｌ ｎ’Ｊ ”Ａ９
． ヲＦ”ｅａＡｊ！ｂＳｉｃＮａＴｅＰｔ （ａ、１１．（：、ｄ、ｅ、ｆｉＪ各成分の車Ｍ比を表
わす。） で表わしたときに、 ５５≦ａく９５ ２≦ａ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０．５≦（１≦３．５ ０≦ｅ≦１０ ０≦１−４０ ａ ＋ ｂ ＋ Ｃ−＋−ｄ ＋８ 十ｆ ＝ １００
を満足することが好ましく、さらに−［、記白金族元素
として第５周回の白金族元素、すなわちＲｕ。
Ｒｈ、Ｐｄを使用したときにＪＪ’、 ｅ ｌ ｒ≦２
０．上記白金族元素とし−Ｃ第６周朋σ月’ｈ？％族元
素、すなわちＯｓ、Ｉｒ、ＰＬを使用したときにはｅ罎
「≦４０であることが望ましい。上述の範囲越λる添加
剤を添加すると、磁気特性が劣化する１１（れがある。
０．上記白金族元素とし−Ｃ第６周朋σ月’ｈ？％族元
素、すなわちＯｓ、Ｉｒ、ＰＬを使用したときにはｅ罎
「≦４０であることが望ましい。上述の範囲越λる添加
剤を添加すると、磁気特性が劣化する１１（れがある。
上述の窒素含有Ｆｅ−Ａｆｆ−３ｉ系磁性薄膜は、スパ
ッタリングや真空蒸着、イオンインプランテーション等
の真空Ｆ＃膜形成技術により形成されるが、ｊｍ常はス
パッタリング法が採用される。
ッタリングや真空蒸着、イオンインプランテーション等
の真空Ｆ＃膜形成技術により形成されるが、ｊｍ常はス
パッタリング法が採用される。
また、Ｆｅ −Ａ７！−３ｉ系＆ｉ （ＩＩ薄膜中に窒
素Ｎを導入する方法としてＣ１１、例えば、（１）窒素
ガスをＡむ雰囲気（ｊ山常はＡ「ガス雰囲気）中でスパ
ッタリングを行い、窒素ガスの分圧によって磁１ノＬ
ｉＷ Ｉｆり中の窒素Ｎの含有量を調節し７て導入する
方法、 （２）窒素と各構成ノ１索の少なくとも１種の化合物と
、残りの成分元素の合金とをターゲノ１として使用し、
得られる磁性薄膜中に窒素Ｎ４−導入する方法、 等がある。あるいは、Ｆ ｅ −Ａ Ｉ２− Ｓ ｉ光
磁性薄膜の主成分であるＦｅ、Ａｐ、Ｓｉの露、■成を
調整する方法としては、 （ｉ）Ｆｅ、／’ｊ！、Ｓｉや他の添加剤、置換元素等
を所定の割合となるように秤量し、これらをあらかじめ
例えば高周波溶解炉等で溶解して合金インプラ１を形成
しておき、この合金インゴ・７トを蒸発源（ターゲット
）として使用する方法、 （１１）各成分の（１′Ｌ独元素の蒸発源を用意し、こ
れら蒸発源の数で組成を制御する方法、 （ｉｉｉ ）各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これ
ら蒸発源に加える出力（印加電圧）を制御して蒸発スピ
ードをコントロールし！１■成を制御する方法、 （ｉｖ ）合金を蒸発源としてスパンクリングしながら
他の元素を打ち込む方法、 等がある。
素Ｎを導入する方法としてＣ１１、例えば、（１）窒素
ガスをＡむ雰囲気（ｊ山常はＡ「ガス雰囲気）中でスパ
ッタリングを行い、窒素ガスの分圧によって磁１ノＬ
ｉＷ Ｉｆり中の窒素Ｎの含有量を調節し７て導入する
方法、 （２）窒素と各構成ノ１索の少なくとも１種の化合物と
、残りの成分元素の合金とをターゲノ１として使用し、
得られる磁性薄膜中に窒素Ｎ４−導入する方法、 等がある。あるいは、Ｆ ｅ −Ａ Ｉ２− Ｓ ｉ光
磁性薄膜の主成分であるＦｅ、Ａｐ、Ｓｉの露、■成を
調整する方法としては、 （ｉ）Ｆｅ、／’ｊ！、Ｓｉや他の添加剤、置換元素等
を所定の割合となるように秤量し、これらをあらかじめ
例えば高周波溶解炉等で溶解して合金インプラ１を形成
しておき、この合金インゴ・７トを蒸発源（ターゲット
）として使用する方法、 （１１）各成分の（１′Ｌ独元素の蒸発源を用意し、こ
れら蒸発源の数で組成を制御する方法、 （ｉｉｉ ）各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これ
ら蒸発源に加える出力（印加電圧）を制御して蒸発スピ
ードをコントロールし！１■成を制御する方法、 （ｉｖ ）合金を蒸発源としてスパンクリングしながら
他の元素を打ち込む方法、 等がある。
いずれにしても、スパッタリング時のスパッタ圧力を所
定の圧力範囲内に設定しておくことが好ましい。本発明
に等の実験装置で番、ｌ、上記スパッタ圧力を２．［ｌ
Ｘ Ｉ Ｏ−３〜Ｉ Ｏ，ＯＸ Ｉ ０−ＪＴｏｒｒ
のｎ・ｒ！囲内とした時に、面内異方１２１が消失する
ことが確認された。スパッタ圧力が２． ＯＸ ］ ０
３Ｔｏｒｒ未満であると、特に透磁率カリ、！、扱の
装着イ装置により異なり、面内異方＋’ｌが発生ずる。
定の圧力範囲内に設定しておくことが好ましい。本発明
に等の実験装置で番、ｌ、上記スパッタ圧力を２．［ｌ
Ｘ Ｉ Ｏ−３〜Ｉ Ｏ，ＯＸ Ｉ ０−ＪＴｏｒｒ
のｎ・ｒ！囲内とした時に、面内異方１２１が消失する
ことが確認された。スパッタ圧力が２． ＯＸ ］ ０
３Ｔｏｒｒ未満であると、特に透磁率カリ、！、扱の
装着イ装置により異なり、面内異方＋’ｌが発生ずる。
また、スパッタ圧力が１０． ＯＸ ｌ Ｏ−”Ｔｏｒ
ｒを越えると、異方性とともに、透磁率や保磁力等の軟
磁気時Ｍが劣化するので好ましくない。なお、スパッタ
圧力は使用する装置や圧力測定点によって異なるために
、装置によっては−に記の圧力範囲吉は若干異なる場合
があるが、一般的にはプラズマが安定に持続する圧力か
らその５倍までの圧力とすればよい。
ｒを越えると、異方性とともに、透磁率や保磁力等の軟
磁気時Ｍが劣化するので好ましくない。なお、スパッタ
圧力は使用する装置や圧力測定点によって異なるために
、装置によっては−に記の圧力範囲吉は若干異なる場合
があるが、一般的にはプラズマが安定に持続する圧力か
らその５倍までの圧力とすればよい。
Ｆｅ−Ａｐ−３ｉ系磁性ＦｉＩＩ膜のスパッタ時の窒素
の混入鼠、スパッタ圧力等を制御することにより、窒素
の含有量を０．５〜３．５重量％とすることにより、膜
中の柱状晶が微細化され、これに基づく異方性が著しく
抑制されて面内異方性が解消される。しカニか−、て、
基１反の装着（☆置にかかわらず高透磁率、 （ＩＩＩ
；保磁力が達成される。
の混入鼠、スパッタ圧力等を制御することにより、窒素
の含有量を０．５〜３．５重量％とすることにより、膜
中の柱状晶が微細化され、これに基づく異方性が著しく
抑制されて面内異方性が解消される。しカニか−、て、
基１反の装着（☆置にかかわらず高透磁率、 （ＩＩＩ
；保磁力が達成される。
１υ下、本発明について具体的な実験結果に基づいて説
明゛４Ｚ１゜ 実験例１゜ 純度９ 〔１，９９！＋ ９％のＳｉ、純度９９．９９
％のＡｅ、純度９！１．９９％のＦｅを原料とＵ２て用
い、これら各層ｉ・１を秤量し°ζ分取した後、高周波
溶解炉を用いて真空中で溶解し、鋳型に流し込んで成形
し゛（直径５０１１厚さ］ ｗｏｗの電極用ターゲット
を作製した。このターゲットの組成はＦｅ、３Ａρ６Ｓ
ｔ＋＋（数値口それぞれ重置％）であった。
明゛４Ｚ１゜ 実験例１゜ 純度９ 〔１，９９！＋ ９％のＳｉ、純度９９．９９
％のＡｅ、純度９！１．９９％のＦｅを原料とＵ２て用
い、これら各層ｉ・１を秤量し°ζ分取した後、高周波
溶解炉を用いて真空中で溶解し、鋳型に流し込んで成形
し゛（直径５０１１厚さ］ ｗｏｗの電極用ターゲット
を作製した。このターゲットの組成はＦｅ、３Ａρ６Ｓ
ｔ＋＋（数値口それぞれ重置％）であった。
」二記ターリ゛・、１・を用い、下記のスパッタ条件に
従ってマグネトロンスパッタ法によるスパッタリングを
行った。
従ってマグネトロンスパッタ法によるスパッタリングを
行った。
スパッタ条件
ＦシＦパワー １００Ｗターゲット括
板間距＾Ｉｆ ３０ ｍｓ基板温度
〜２０°Ｃ（水冷）到達真空度
３ Ｘ ］ ０−’Ｔｏｒｒスパンタ圧力
４ Ｘ ］ ０ ”″Ｔｏｒｒ膜厚
約６ノ１ｍ上記スパッタ条件に従い、不活性
ガスとしてＡｒガスを用い、Ｎ２の混入量を分圧で制御
しながら、第１図に示すように、ホルダー（１）に場所
及び向きを変えてセソトシた短冊状結晶化ガラス基板（
縦横比１０：１）Ａ、Ｂ上にＦｅ−Ａｅ−３ｉ系磁性薄
膜を形成した。
板間距＾Ｉｆ ３０ ｍｓ基板温度
〜２０°Ｃ（水冷）到達真空度
３ Ｘ ］ ０−’Ｔｏｒｒスパンタ圧力
４ Ｘ ］ ０ ”″Ｔｏｒｒ膜厚
約６ノ１ｍ上記スパッタ条件に従い、不活性
ガスとしてＡｒガスを用い、Ｎ２の混入量を分圧で制御
しながら、第１図に示すように、ホルダー（１）に場所
及び向きを変えてセソトシた短冊状結晶化ガラス基板（
縦横比１０：１）Ａ、Ｂ上にＦｅ−Ａｅ−３ｉ系磁性薄
膜を形成した。
得られたＦ ｅ −Ａ １− Ｓ ｉ光磁１１薄膜を５
５０℃で１時間熱処理し、基板Ａ及びＷ板１３，１−の
Ｆ ｅ−Ａｅ−３ｔ系侑１’ｌ薄膜につい°Ｃそれぞれ
保磁力及び透磁率（測定周波数ＩＭＩＩｚ）の窒素分圧
依存性を調べた。結果を第２図及び第３図に示す。
５０℃で１時間熱処理し、基板Ａ及びＷ板１３，１−の
Ｆ ｅ−Ａｅ−３ｔ系侑１’ｌ薄膜につい°Ｃそれぞれ
保磁力及び透磁率（測定周波数ＩＭＩＩｚ）の窒素分圧
依存性を調べた。結果を第２図及び第３図に示す。
この結果、先ず第２図より、窒素分圧が（１（いと基板
Ａ」−のＦｅ−Ａｆｆ−８ｉ系磁性Ｆ４膜の保磁力（図
中曲線Ａで示す。以下の図面においても、基板Ａ−トに
被着された磁性薄膜の特性を示すものを曲線Ａとする。
Ａ」−のＦｅ−Ａｆｆ−８ｉ系磁性Ｆ４膜の保磁力（図
中曲線Ａで示す。以下の図面においても、基板Ａ−トに
被着された磁性薄膜の特性を示すものを曲線Ａとする。
）と基板Ｂ−１−のＦｅ−Ａ７！−８ｉ系磁性薄膜の保
磁力（図中曲線Ｂで示す６ｊλＬ下の図面においても、
基板Ｂ上に被着された磁４１Ｌ薄膜の特性を示すものを
曲線Ｂとする。）とは大きく異なり、特に窒素分圧が零
であるときには、保磁力がおよそ１．５倍程度異なるこ
とがわかった。これに対して、窒素分圧が３〜７％の範
囲では、基板Ａと基板Ｂでほとんど差がなく、面内異方
性が解消されたことがわかった。同様に、透磁率につい
ても、第３図に示すように窒素分圧が高くなるにつれ基
板Ａと基板Ｂとで差が小さくなり、やはり窒素分圧が３
〜７％の範囲で面内異方性のない、ずなわち基板のセッ
ト方向によらず均質な磁性膜力く得られることが才〕か
った。
磁力（図中曲線Ｂで示す６ｊλＬ下の図面においても、
基板Ｂ上に被着された磁４１Ｌ薄膜の特性を示すものを
曲線Ｂとする。）とは大きく異なり、特に窒素分圧が零
であるときには、保磁力がおよそ１．５倍程度異なるこ
とがわかった。これに対して、窒素分圧が３〜７％の範
囲では、基板Ａと基板Ｂでほとんど差がなく、面内異方
性が解消されたことがわかった。同様に、透磁率につい
ても、第３図に示すように窒素分圧が高くなるにつれ基
板Ａと基板Ｂとで差が小さくなり、やはり窒素分圧が３
〜７％の範囲で面内異方性のない、ずなわち基板のセッ
ト方向によらず均質な磁性膜力く得られることが才〕か
った。
また、この範囲内では透磁率も大きく、保磁力も最小値
を記録した。
を記録した。
さらに、窒素分圧がこれ以上になると、窒素分圧が零の
ときの容易軸方向が困難軸方向となり、再び異方性が生
ずる。
ときの容易軸方向が困難軸方向となり、再び異方性が生
ずる。
ところで、スパッタ時の窒素分圧とＦｅ−Ａｅ−３ｉ系
６１１性薄膜中の窒素含有量との関係は第４図に示すよ
うなものであり、１嘗本の窒素分圧の範囲は、膜中の窒
素含有量でめた場合にはおよそ１〜３重景％に相当する
。
６１１性薄膜中の窒素含有量との関係は第４図に示すよ
うなものであり、１嘗本の窒素分圧の範囲は、膜中の窒
素含有量でめた場合にはおよそ１〜３重景％に相当する
。
実験例２゜
先の実験例１と同様のターゲットを作製し、下記のスパ
ッタ条イ′１でマグネトロンスパッタ法によるスパッタ
リングを行った。
ッタ条イ′１でマグネトロンスパッタ法によるスパッタ
リングを行った。
スパッタ条件
ＲＦパワー ＋００Ｗターゲソ）・・
基板開路＃ ３０龍基板温度 〜
２０℃（水冷）到達真空度 ３ Ｘ Ｉ
Ｏ−６Ｔｏｒｒ窒素分圧 ５％ 膜厚 約６μｍ本実験例におい
ては、窒素分圧を５％に固定し、スパッタ圧力を変えて
、実験例１と同様にホルダーに配置した結晶化ガラス基
板Ａ、Ｈに対し°（スパッタリングを行い、窒素を含有
するＦｅ−Ａ１−５ｉ系ｔＲ性）Ｗ膜を形成した。
基板開路＃ ３０龍基板温度 〜
２０℃（水冷）到達真空度 ３ Ｘ Ｉ
Ｏ−６Ｔｏｒｒ窒素分圧 ５％ 膜厚 約６μｍ本実験例におい
ては、窒素分圧を５％に固定し、スパッタ圧力を変えて
、実験例１と同様にホルダーに配置した結晶化ガラス基
板Ａ、Ｈに対し°（スパッタリングを行い、窒素を含有
するＦｅ−Ａ１−５ｉ系ｔＲ性）Ｗ膜を形成した。
基板Ａ及び基板Ｂ上のＦ ｅ−Ａ Ｉ！ −Ｓ ｉ基磁
性薄膜について、それぞれ保［５１力のスパッタ圧力依
存性と透磁率のスパッタ圧力依存性とを調べた。
性薄膜について、それぞれ保［５１力のスパッタ圧力依
存性と透磁率のスパッタ圧力依存性とを調べた。
結果を第５図及び第６図に示す。
第５図より、保磁力に関しては基板Ａと基板Ｂとで差は
ないが、透磁率については、第６図に示すように、特に
スパッタ圧力が低い場合に大きな差が見られ、異方性が
生しているものと考えられる。また、スパッタ圧力が大
きすぎる場合には、やばり若干の異方性が生じ、またｉ
３磁率の低下や保磁力の上Ｗが著しいことがわかった。
ないが、透磁率については、第６図に示すように、特に
スパッタ圧力が低い場合に大きな差が見られ、異方性が
生しているものと考えられる。また、スパッタ圧力が大
きすぎる場合には、やばり若干の異方性が生じ、またｉ
３磁率の低下や保磁力の上Ｗが著しいことがわかった。
したがって、本実験に用いたスパッタ装置では、スパッ
タ圧力をプラズマが安定に持続する最低圧力である２、
５ Ｘ ］ ０−’Ｔｏｒｒから７ Ｘ １０−３Ｔ
ｏｒｒに設定したときに、面内異方性のない磁性薄膜が
作製できる。
タ圧力をプラズマが安定に持続する最低圧力である２、
５ Ｘ ］ ０−’Ｔｏｒｒから７ Ｘ １０−３Ｔ
ｏｒｒに設定したときに、面内異方性のない磁性薄膜が
作製できる。
以上の説明からも明らかなように、本発明の磁性薄膜に
おいては、Ｆｅ、Ａｎ、Ｓｉを一ト成分とし０．５〜３
．５重量％の窒素を含有するＦ ｅ −Ａ ７！−３ｉ
系磁性’Ａ３ＪＴＩ’）、とし゛（いるので、そのｌＩ
つ）中の柱状晶の微細化が図られ、これに基づく異方性
が消失する。したがって、面内異方性が解消され、この
膜を付着する基板の装着方法等によらず、均質な磁性ｆ
ｉ膜の提供が可能となる。この面内異方性の解消により
、基板の装着方法に融）１１性をもたせることができ、
被着有効面積を増大させることができ、量産性の点で有
利であるとともに、例えば磁気ヘットに適用した場合に
は特性のバラツキが減少する。
おいては、Ｆｅ、Ａｎ、Ｓｉを一ト成分とし０．５〜３
．５重量％の窒素を含有するＦ ｅ −Ａ ７！−３ｉ
系磁性’Ａ３ＪＴＩ’）、とし゛（いるので、そのｌＩ
つ）中の柱状晶の微細化が図られ、これに基づく異方性
が消失する。したがって、面内異方性が解消され、この
膜を付着する基板の装着方法等によらず、均質な磁性ｆ
ｉ膜の提供が可能となる。この面内異方性の解消により
、基板の装着方法に融）１１性をもたせることができ、
被着有効面積を増大させることができ、量産性の点で有
利であるとともに、例えば磁気ヘットに適用した場合に
は特性のバラツキが減少する。
また、Ｆ ｅ −Ａ １− Ｓ ｉ系Ｌ１１１’ｌ：
ｎす膜における窒素Ｎの添加は、特に透磁率の向上や保
磁力の低減等の軟磁気性（’Ｉの向上に有効であるばか
りでなく、硬度を高め１ｌｉｌ １４Ｉ耗Ｉ１１を向上
したり、耐蝕＋ｚ＋を向上する等、実バ目ｒ性の点でも
有効である。
ｎす膜における窒素Ｎの添加は、特に透磁率の向上や保
磁力の低減等の軟磁気性（’Ｉの向上に有効であるばか
りでなく、硬度を高め１ｌｉｌ １４Ｉ耗Ｉ１１を向上
したり、耐蝕＋ｚ＋を向上する等、実バ目ｒ性の点でも
有効である。
第１図は基板のボルダ−への装着方法を示す模弐図であ
り、第２図は各基板に被着されたｌ？６−Ａｌ−５ｉ系
磁性薄膜における保磁力の窒素分圧依存性を示す特性図
、第３図は各基板に被着されたＦｅ−Ａ７！−３ｉ系磁
性薄膜におけるｉ！ｉ磁率の窒素分圧依存性を示す特性
図である。 第４図は窒素分圧と得られる磁性薄膜中の窒素含有量の
関係を示す特性図である。 第５図は各基板に被着されたＦｅ−Ａｌ−５ｉ系磁性薄
膜における保磁力のスパッタ圧力依存性を示す特性図で
あり、第６図は各基板に被着されたＦｅ−Ａ１−５ｉ系
磁性薄膜における透磁率のスパッタ圧力依存性を示す特
性図である。 特許出廓人 ソニー株式会社
り、第２図は各基板に被着されたｌ？６−Ａｌ−５ｉ系
磁性薄膜における保磁力の窒素分圧依存性を示す特性図
、第３図は各基板に被着されたＦｅ−Ａ７！−３ｉ系磁
性薄膜におけるｉ！ｉ磁率の窒素分圧依存性を示す特性
図である。 第４図は窒素分圧と得られる磁性薄膜中の窒素含有量の
関係を示す特性図である。 第５図は各基板に被着されたＦｅ−Ａｌ−５ｉ系磁性薄
膜における保磁力のスパッタ圧力依存性を示す特性図で
あり、第６図は各基板に被着されたＦｅ−Ａ１−５ｉ系
磁性薄膜における透磁率のスパッタ圧力依存性を示す特
性図である。 特許出廓人 ソニー株式会社
Claims (1)
- Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｉを主成分とし、上記Ａｌ及びＳｉの組
成範囲がそれぞれ２〜１０重量％Ａｌ、４〜１５重量％
Ｓｉであって、さらに０．５〜３．５重量％の窒素を含
有することを特徴とする磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23192985A JPS6292306A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23192985A JPS6292306A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 磁性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6292306A true JPS6292306A (ja) | 1987-04-27 |
Family
ID=16931270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23192985A Pending JPS6292306A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6292306A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442108A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-14 | Hitachi Ltd | Heat-resisting magnetic film |
| JPH01149941A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｎ系合金薄膜 |
| JPH01309307A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-12-13 | Ulvac Corp | 軟質磁性薄膜 |
| JPH01309306A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-12-13 | Ulvac Corp | 軟質磁性薄膜 |
| US5225006A (en) * | 1988-05-17 | 1993-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Fe-based soft magnetic alloy |
| JPH05239601A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-17 | Victor Co Of Japan Ltd | 軟磁性合金薄膜とその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0539087A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-02-19 | Sanshin Ind Co Ltd | 船舶推進機のチルト装置 |
-
1985
- 1985-10-17 JP JP23192985A patent/JPS6292306A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0539087A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-02-19 | Sanshin Ind Co Ltd | 船舶推進機のチルト装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442108A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-14 | Hitachi Ltd | Heat-resisting magnetic film |
| JPH01149941A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｎ系合金薄膜 |
| JPH01309307A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-12-13 | Ulvac Corp | 軟質磁性薄膜 |
| JPH01309306A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-12-13 | Ulvac Corp | 軟質磁性薄膜 |
| US5225006A (en) * | 1988-05-17 | 1993-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Fe-based soft magnetic alloy |
| JPH05239601A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-17 | Victor Co Of Japan Ltd | 軟磁性合金薄膜とその製造方法 |
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