JPS6290902A - パタ−ン化した酸化ルテニウムベ−ス抵抗体 - Google Patents
パタ−ン化した酸化ルテニウムベ−ス抵抗体Info
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/22—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions containing two or more distinct frits having different compositions
Landscapes
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は汚染(5tain )抵抗性酸化ルテニウムベ
ース抵抗体組成物に関する。
ース抵抗体組成物に関する。
厚膜物質は有機媒体中に分散された金属、ガラスおよび
/″またはセラミック粉末の混合物である。電気伝導性
、抵抗性または絶縁性のフィルムを形成するために非伝
導性基材上に適用されるこれら物質に広範な種々のエレ
クトロニクスおよび弱電気成分に使用されている。
/″またはセラミック粉末の混合物である。電気伝導性
、抵抗性または絶縁性のフィルムを形成するために非伝
導性基材上に適用されるこれら物質に広範な種々のエレ
クトロニクスおよび弱電気成分に使用されている。
個々の厚膜組成物の性質はその組成物を構成する特定の
成分に依存する。はとんどの厚膜組成物は6種の主要成
分を含有している。導体用は電気的性質を決定し、そし
て最終フィルムの機械的性質に影響を与える。通常はガ
ラスおよび/または結晶性酸化物である結合剤は厚膜を
一緒に保持させそしてそれを基材に結合させろ。有機媒
体(ベヒクル)は組成物の適用特性そして特にそのレオ
ロジーに影響を与える分散媒体でちる。
成分に依存する。はとんどの厚膜組成物は6種の主要成
分を含有している。導体用は電気的性質を決定し、そし
て最終フィルムの機械的性質に影響を与える。通常はガ
ラスおよび/または結晶性酸化物である結合剤は厚膜を
一緒に保持させそしてそれを基材に結合させろ。有機媒
体(ベヒクル)は組成物の適用特性そして特にそのレオ
ロジーに影響を与える分散媒体でちる。
高い安定性および低い処理感受性はマイクロ回路適用の
ための厚膜抵抗体組成物に対する臨界的要求である。特
にフィルムの抵抗工(Rav)が広範囲の温度条件にわ
たって安定であることが必要である。すなわち抵抗温度
係数(TCR)はすべての厚膜抵抗体組成物中の臨界的
変数である。厚膜抵抗体組成物は機能的または導体用お
よび永久的結合列用より橿成さ几ているのであるから、
導体用および結合剤相の性質およびそnら相互のそして
基材との相互作用が抵抗=およびTCHの両方に影響を
与える。
ための厚膜抵抗体組成物に対する臨界的要求である。特
にフィルムの抵抗工(Rav)が広範囲の温度条件にわ
たって安定であることが必要である。すなわち抵抗温度
係数(TCR)はすべての厚膜抵抗体組成物中の臨界的
変数である。厚膜抵抗体組成物は機能的または導体用お
よび永久的結合列用より橿成さ几ているのであるから、
導体用および結合剤相の性質およびそnら相互のそして
基材との相互作用が抵抗=およびTCHの両方に影響を
与える。
ルテニウム化合物をベースとする機能相は通常の厚膜抵
抗体組成物の杉(コア)を形成している。
抗体組成物の杉(コア)を形成している。
ピロクロル涙に基づくルテニウム化合物は、各ルテニウ
ム原子が6個の酸素原子にかこまnfc8面体を形成し
ている等軸(cubic)構造を有している。各酸素原
子はもう一つの他の8面体に共有さnていて、Ru2O
乙の化学量論の三次元網状構造を形成している。このフ
レーム構造ノ開放部分は大型の陽イオンおよび追加の陰
イオンにより占めら几でいる。この二次格子中では広い
範囲の置換が可能であp、こnは犬なる化学的融通性を
構成している。一般式A2B206〜7を有するピロク
ロル構造はそのような融通性のある構造なのである。金
属、半導体まfcは絶縁体として挙動するピロクロルは
、利用可能な結晶部位の制御さnた置換によって得るこ
とができる。多くの現在のピロクロールベース厚膜抵撹
体は機能相としてBi2Ru2O7を含有している。
ム原子が6個の酸素原子にかこまnfc8面体を形成し
ている等軸(cubic)構造を有している。各酸素原
子はもう一つの他の8面体に共有さnていて、Ru2O
乙の化学量論の三次元網状構造を形成している。このフ
レーム構造ノ開放部分は大型の陽イオンおよび追加の陰
イオンにより占めら几でいる。この二次格子中では広い
範囲の置換が可能であp、こnは犬なる化学的融通性を
構成している。一般式A2B206〜7を有するピロク
ロル構造はそのような融通性のある構造なのである。金
属、半導体まfcは絶縁体として挙動するピロクロルは
、利用可能な結晶部位の制御さnた置換によって得るこ
とができる。多くの現在のピロクロールベース厚膜抵撹
体は機能相としてBi2Ru2O7を含有している。
二酸化ルテニウムはまた厚膜抵抗体組成物中の導体用と
しても使用さ几る。そのルチル結晶構造(霊、各ルテニ
ウム原子が6当量の酸素原子により囲ま几ていて8面体
を形成するという点でピロクロルの結晶構造に似ている
。しがしながら、ルチル構造においては、各酸素は6個
の8面体により共有さ几ている。こnはピロクロルの場
合とは対照的に化学的置換が非常に限定さ2″L之複雑
な三次元網状構造を与える結果となる。
しても使用さ几る。そのルチル結晶構造(霊、各ルテニ
ウム原子が6当量の酸素原子により囲ま几ていて8面体
を形成するという点でピロクロルの結晶構造に似ている
。しがしながら、ルチル構造においては、各酸素は6個
の8面体により共有さ几ている。こnはピロクロルの場
合とは対照的に化学的置換が非常に限定さ2″L之複雑
な三次元網状構造を与える結果となる。
ルテニウム含有抵抗体に関する問題は、他の物質と比べ
た場合、そ几らは電気的性質に関しては優nているけ几
ども、そ几にもかかわらずそ几らばそ几らが使用さnる
電気伝導性金属端子の汚染全土せしめる傾向があるとい
うことである。特にそのような抵抗体が肩意量のルテニ
ウム(例えば固体分基準で5%またばそ几以」を含有し
ている場合にぼ抵抗体の結合さ几た導体端子層は往々に
して暗黒色残玉で汚染さnる。
た場合、そ几らは電気的性質に関しては優nているけ几
ども、そ几にもかかわらずそ几らばそ几らが使用さnる
電気伝導性金属端子の汚染全土せしめる傾向があるとい
うことである。特にそのような抵抗体が肩意量のルテニ
ウム(例えば固体分基準で5%またばそ几以」を含有し
ている場合にぼ抵抗体の結合さ几た導体端子層は往々に
して暗黒色残玉で汚染さnる。
こnt仁端子の効=のよい(法んだづけ全困難ならしめ
る。
る。
従って本発明に前記汚染現象音生せしめない酸化ルテニ
ウムベース厚膜抵抗体組成物に関する。すなわちその第
一義的態様において、本発明は本質的に +a+ 酸化ルテニウムベース化合物5〜50量係、 (b1150℃以下では熱的に安定であるがただし15
0〜1200℃でのこの組成物の空気滉成時にitそn
から酸素を放出しつつ分解する酸素含有非アルカリ金属
化合物5〜50重量%〔(a)の(blに対する重量比
は少くとも0.1である〕および tc+ 活機結合剤5〜20重量% の微紅分割さf′した粒子の混合物を (al 有機媒体5〜45重量% に分散させてなる印刷可能な厚膜抵抗体組成物に関する
。
ウムベース厚膜抵抗体組成物に関する。すなわちその第
一義的態様において、本発明は本質的に +a+ 酸化ルテニウムベース化合物5〜50量係、 (b1150℃以下では熱的に安定であるがただし15
0〜1200℃でのこの組成物の空気滉成時にitそn
から酸素を放出しつつ分解する酸素含有非アルカリ金属
化合物5〜50重量%〔(a)の(blに対する重量比
は少くとも0.1である〕および tc+ 活機結合剤5〜20重量% の微紅分割さf′した粒子の混合物を (al 有機媒体5〜45重量% に分散させてなる印刷可能な厚膜抵抗体組成物に関する
。
他の観点においては、本発明は、乾床さ几そして酸化性
雰囲気中で焼成さnて酸素含有非アルカリ金属化合物の
熱分解、有機媒体の揮発fヒおよび無機結合剤の液相焼
結を生せしめた前記の印刷可能な厚膜組成物のパターン
化さ几た薄層(c関する。
雰囲気中で焼成さnて酸素含有非アルカリ金属化合物の
熱分解、有機媒体の揮発fヒおよび無機結合剤の液相焼
結を生せしめた前記の印刷可能な厚膜組成物のパターン
化さ几た薄層(c関する。
A、ルテニウム成分
本発明は主導体用が酸化ルテニウム全ベースとしたもの
である抵抗体組成賢に関する。ジ化ルテニウムベース抵
抗体技術の現在の状態で:1、こ2″LはRuO2およ
び式 %式%) (式中、Mはイツトリウム、タリウム、インジウム、カ
ドミウム、鉛シよび原子番号57〜71の希土類金属よ
りなる群の少くとも一つであり、M′は白金、チタン、
クロム、ロジウムおよびアンチモンの少くとも一つであ
、9、cldo〜2の範囲の数であり、dはO〜約0.
5の範囲の数であり、M′がロジウムであるかまたは白
金およびチタンの一つ以上のものである場合にはyは0
〜1の範囲の数であシ、そしてeは0〜1の範囲の数で
あるがこ几はMが2価の鉛またはカドミウムの場合には
少くとも約”Aに等しい)に相当するルテニウム化合物
ヲ巴含することが知ら几ている。
である抵抗体組成賢に関する。ジ化ルテニウムベース抵
抗体技術の現在の状態で:1、こ2″LはRuO2およ
び式 %式%) (式中、Mはイツトリウム、タリウム、インジウム、カ
ドミウム、鉛シよび原子番号57〜71の希土類金属よ
りなる群の少くとも一つであり、M′は白金、チタン、
クロム、ロジウムおよびアンチモンの少くとも一つであ
、9、cldo〜2の範囲の数であり、dはO〜約0.
5の範囲の数であり、M′がロジウムであるかまたは白
金およびチタンの一つ以上のものである場合にはyは0
〜1の範囲の数であシ、そしてeは0〜1の範囲の数で
あるがこ几はMが2価の鉛またはカドミウムの場合には
少くとも約”Aに等しい)に相当するルテニウム化合物
ヲ巴含することが知ら几ている。
こ几ら化合物およびそ几らの與造は米(至)特許第3,
583,931号明細書そしてま之ドイツ特許出頗公H
(O3)第1,816,105号各明細書に開示さ几て
いる。
583,931号明細書そしてま之ドイツ特許出頗公H
(O3)第1,816,105号各明細書に開示さ几て
いる。
前記ルテニウム含M物賞の粒子サイズは本発明の技術的
効果の捩膚からは狭義には臨界的ではない。しかしなが
らそ1らは勿論通常はスクリーン印刷であるぞnらの適
用法ふ・よび焼成灸件に対して適当なサイズのものであ
るべきである。すなわち金属物質粒子は10μ以上であ
るべきではなく、そしてこ几は好ましくは約5μ以下で
あるべきである。実際間項として、金5萬の利用可能な
粒子サイズ!40.1μ程度の低いものである。ルテニ
ウム成分は少くとも5m2/Pそして更により好ましく
は少くともF3m2/?の平均表面積含有していること
が好ましい。
効果の捩膚からは狭義には臨界的ではない。しかしなが
らそ1らは勿論通常はスクリーン印刷であるぞnらの適
用法ふ・よび焼成灸件に対して適当なサイズのものであ
るべきである。すなわち金属物質粒子は10μ以上であ
るべきではなく、そしてこ几は好ましくは約5μ以下で
あるべきである。実際間項として、金5萬の利用可能な
粒子サイズ!40.1μ程度の低いものである。ルテニ
ウム成分は少くとも5m2/Pそして更により好ましく
は少くともF3m2/?の平均表面積含有していること
が好ましい。
好ましいルテニウム化合物としてU B1PbRu20
65、Bio、2PbI BRu2061 、Bi2R
u2O7、Pb2Ru2O6bよびRuO2があげら几
る。更にRuO2の前駆体すなわち現収に際してRuO
2’z生成するルテニウム化合物(霊1之こ几ら物質の
いず7″L刀工の混合物と同様に本発明における使用に
対して適当である。適当な非ピロクロールRu○2前駆
体の例(1ルテニウム金属、ルテニウムレジネート、
BaRu03% Ba2Ru04、CaRu03.0o
2Ru04 、 LaRu○3およびLi2Ru○3で
ある。
65、Bio、2PbI BRu2061 、Bi2R
u2O7、Pb2Ru2O6bよびRuO2があげら几
る。更にRuO2の前駆体すなわち現収に際してRuO
2’z生成するルテニウム化合物(霊1之こ几ら物質の
いず7″L刀工の混合物と同様に本発明における使用に
対して適当である。適当な非ピロクロールRu○2前駆
体の例(1ルテニウム金属、ルテニウムレジネート、
BaRu03% Ba2Ru04、CaRu03.0o
2Ru04 、 LaRu○3およびLi2Ru○3で
ある。
この組成物は5〜75重量%のルテニウムベース成分を
含有しうる。そ几ば10〜60%を含有するのが好まし
い。
含有しうる。そ几ば10〜60%を含有するのが好まし
い。
B、酸素含有化合物
本発明の組成物中で有効な酸素含有化合物は、そ几らt
@有する組成物を加熱した場合実質的に分解しそして酸
素2発生させる非アルカリ金便酸素含耳化合物である。
@有する組成物を加熱した場合実質的に分解しそして酸
素2発生させる非アルカリ金便酸素含耳化合物である。
しかしながらこの化合物I−1処方に必畳な強度の混合
に通常伴なう穏やかに上昇さnた温度においてそ几らが
分譜することのないように過度に容易に分解しないこと
が重要である。この理由の故に、酸素含有化合物はこn
らを処方のその他の成分とブレンドさせる場合少くとも
約150℃までは熱的に安定でなくてはならない。しか
しながら−こうした酸素含有化合物l−1:同様に過度
に耐火性であってはいけない。すなわちそ几ら(415
0℃以上の温度で容易に分解しなくてはならないかしか
しそ几らは一緒に使用さnている有機結合剤の焼結温度
より高い温度を要求してはならない。ここに、酸素含有
化合物の熱分解温度自体はそn全処方の他の成分とブレ
ンドさせる場合にはかなり異っている(通常より低い)
ことがありうるということを認識することは重要である
。すなわち前記熱分解判定基準は処方物質、す々わちル
テニウム含有化合物の微細分割粒子、ヰ望結合剤および
有9媒体の存在下での分解に基いてい丞。
に通常伴なう穏やかに上昇さnた温度においてそ几らが
分譜することのないように過度に容易に分解しないこと
が重要である。この理由の故に、酸素含有化合物はこn
らを処方のその他の成分とブレンドさせる場合少くとも
約150℃までは熱的に安定でなくてはならない。しか
しながら−こうした酸素含有化合物l−1:同様に過度
に耐火性であってはいけない。すなわちそ几ら(415
0℃以上の温度で容易に分解しなくてはならないかしか
しそ几らは一緒に使用さnている有機結合剤の焼結温度
より高い温度を要求してはならない。ここに、酸素含有
化合物の熱分解温度自体はそn全処方の他の成分とブレ
ンドさせる場合にはかなり異っている(通常より低い)
ことがありうるということを認識することは重要である
。すなわち前記熱分解判定基準は処方物質、す々わちル
テニウム含有化合物の微細分割粒子、ヰ望結合剤および
有9媒体の存在下での分解に基いてい丞。
適当なタイプの酸素含有物質は貴金属酸化物、3価およ
び4価卑金属酸化物および例えばT1、V%Or %M
n %Fe %Co 、Cu 、Zn sZr xNb
tMo 、TaおよびWのような卑金属のクロム酸塩
(ジおよびポリクロム駿塩を含む)である。酸素含有化
合物の金属成分は、(1)その金属がアルカリ金属でな
く、(2)処方さnた場合の化合物が150℃以下では
なくしかもそ几と一緒に使用さ几るガラスの焼結温度以
上ではない温度で分解しtそして(3)化合物が酸素を
放出しつつ熱的に分解する限りは臨界的ではないと信じ
ら几る。処方さnた酸素含有化合物i’!、 200〜
800℃そして好ましくは200〜400℃範囲で熱的
に分m″fるのが好ましい。
び4価卑金属酸化物および例えばT1、V%Or %M
n %Fe %Co 、Cu 、Zn sZr xNb
tMo 、TaおよびWのような卑金属のクロム酸塩
(ジおよびポリクロム駿塩を含む)である。酸素含有化
合物の金属成分は、(1)その金属がアルカリ金属でな
く、(2)処方さnた場合の化合物が150℃以下では
なくしかもそ几と一緒に使用さ几るガラスの焼結温度以
上ではない温度で分解しtそして(3)化合物が酸素を
放出しつつ熱的に分解する限りは臨界的ではないと信じ
ら几る。処方さnた酸素含有化合物i’!、 200〜
800℃そして好ましくは200〜400℃範囲で熱的
に分m″fるのが好ましい。
適当な特質としてはA、g20 、C!ocr04 、
Pb3O4、pb○2 、 Ea(NO3)2 、Pb
(NO3)2およびKMnO4があげら几るっこnらの
中でAg2OおよびC!ocr04は最も有効であるこ
とが見出さnている。しかしながらCrO3は七几を本
発明の組成物中に処方した場合に(1低すぎる温度で分
解するという理由の故に本発明ではM用ではない(その
分解温度ばそ几自体では約197℃である)。
Pb3O4、pb○2 、 Ea(NO3)2 、Pb
(NO3)2およびKMnO4があげら几るっこnらの
中でAg2OおよびC!ocr04は最も有効であるこ
とが見出さnている。しかしながらCrO3は七几を本
発明の組成物中に処方した場合に(1低すぎる温度で分
解するという理由の故に本発明ではM用ではない(その
分解温度ばそ几自体では約197℃である)。
本発明の処方さf′した分散液中の酸素含有化合物の量
は5重量%程度の低い値から50重量%程度の高い値ま
で変動させうるがこnは好ましくは10〜40重量%で
ある。酸素含有化合物の1(ζ高度に臨界的ではないけ
nども酸素含有化合物の量?酸化ルテニウムベース化合
物量に関連させることが好ましい。特に酸素含有化合物
の重量比は少くとも約0.1、そして好ましくばo−1
5ifc+io、2でさえあるべきであることが見出さ
nている。一層高い量も使用できる。
は5重量%程度の低い値から50重量%程度の高い値ま
で変動させうるがこnは好ましくは10〜40重量%で
ある。酸素含有化合物の1(ζ高度に臨界的ではないけ
nども酸素含有化合物の量?酸化ルテニウムベース化合
物量に関連させることが好ましい。特に酸素含有化合物
の重量比は少くとも約0.1、そして好ましくばo−1
5ifc+io、2でさえあるべきであることが見出さ
nている。一層高い量も使用できる。
しかじな″から酸化銀の量を上昇せしめた場合(て(2
云導体相の量(1そnに応じて増大し、抵抗にそ几によ
り低下さ几そして熱TCP、は上昇さする。
云導体相の量(1そnに応じて増大し、抵抗にそ几によ
り低下さ几そして熱TCP、は上昇さする。
他方その他の酸素含有化合物が使用さ几た場合には伝導
体用(・1希釈さn1抵抗はそ几により上昇し、そして
熱TCRはより負となりうる。
体用(・1希釈さn1抵抗はそ几により上昇し、そして
熱TCRはより負となりうる。
本発明のルテネート成分に対する場合と同様に、この酸
素含有物質の粒子サイズ(1狭義に(″i臨界的ではな
く、そしてこ1はこの組成物の適用さnる方法に適当な
サイズのものであるべきである。
素含有物質の粒子サイズ(1狭義に(″i臨界的ではな
く、そしてこ1はこの組成物の適用さnる方法に適当な
サイズのものであるべきである。
C0無機結合剤
本発明の参照物質中に使用さnるガラスフリットは処方
さ几た酸素含有化合物の熱分解温度以上の@慇温尻を有
する任意の周知の組成のものであシうる。最も好適に使
用さnるガラスフリットはボロシリケートフリット例え
ば鉛ボロシリケートフリット、ビスマス、カドミウム、
バリウム、カルシウムまたはその他のアルカリ土類ボロ
シリケートフリットである。そのようなガラスフリット
の製造は周知であり、そしてそnは例えば成分の酸化物
の形のガラス成分を一緒に溶融させ、そしてそのような
溶融組成物を水中に注いでフリットヲ形成させることよ
υなる。このパッチ取分は勿論通常のフリット生成条件
下に所望の酸化物を生成させる任意の化合物でろpうる
。例えば酸化硼素は硼酸から得ら几、二酸化珪素はフリ
ントから生成さ几、酸化バリウムは炭酸バリウムから生
成さnる等である。ガラスを好ましくはボールミル中で
水と共にミル処理してフリットの粒子ブイズを減少させ
そして実質的に均一なサイズのフリットヲ生放させる。
さ几た酸素含有化合物の熱分解温度以上の@慇温尻を有
する任意の周知の組成のものであシうる。最も好適に使
用さnるガラスフリットはボロシリケートフリット例え
ば鉛ボロシリケートフリット、ビスマス、カドミウム、
バリウム、カルシウムまたはその他のアルカリ土類ボロ
シリケートフリットである。そのようなガラスフリット
の製造は周知であり、そしてそnは例えば成分の酸化物
の形のガラス成分を一緒に溶融させ、そしてそのような
溶融組成物を水中に注いでフリットヲ形成させることよ
υなる。このパッチ取分は勿論通常のフリット生成条件
下に所望の酸化物を生成させる任意の化合物でろpうる
。例えば酸化硼素は硼酸から得ら几、二酸化珪素はフリ
ントから生成さ几、酸化バリウムは炭酸バリウムから生
成さnる等である。ガラスを好ましくはボールミル中で
水と共にミル処理してフリットの粒子ブイズを減少させ
そして実質的に均一なサイズのフリットヲ生放させる。
ガラス(ケ通常のガラス製造技術によって所望の成分?
所望の比互で混合し、そしてこの・混合物を加熱して溶
融物を生成させることにより製造さnる。当業者には周
知のように、加熱はピーク温度までそして浴融物が完全
に液体となりかつ均質となるような時間実施さ几る。こ
こにおいては各成分はポリエチレンジャー中でプラスチ
ックボールと共に振盪することにより予め混合さ几そし
て次いで所望の温度で白金るつぼ中で溶融せしめら几る
。この溶融物(ζ1〜11h時間の間ピーク温度に刀Ω
熱さnる。この溶融物を次いで冷水中に注ぐ。水の溶融
物に対する容量比を大きくすることによって急冷の間の
水O最高温度を可及的低く保つ。水から分離した後、こ
の@製フリットを窒気中で乾燥させるかまた(=メタノ
ール洗浄によって水を置換させることによυ残存水を除
去する。次いでこの粗製フリットヲ、アルミナボールを
使用するアルミナ容器中で3〜5時間ボールミル処理す
る。もしあるにしても物質によるアルミナの取り込みは
X線回折分析によシ測定さ几る観測限界内に(・1ない
。
所望の比互で混合し、そしてこの・混合物を加熱して溶
融物を生成させることにより製造さnる。当業者には周
知のように、加熱はピーク温度までそして浴融物が完全
に液体となりかつ均質となるような時間実施さ几る。こ
こにおいては各成分はポリエチレンジャー中でプラスチ
ックボールと共に振盪することにより予め混合さ几そし
て次いで所望の温度で白金るつぼ中で溶融せしめら几る
。この溶融物(ζ1〜11h時間の間ピーク温度に刀Ω
熱さnる。この溶融物を次いで冷水中に注ぐ。水の溶融
物に対する容量比を大きくすることによって急冷の間の
水O最高温度を可及的低く保つ。水から分離した後、こ
の@製フリットを窒気中で乾燥させるかまた(=メタノ
ール洗浄によって水を置換させることによυ残存水を除
去する。次いでこの粗製フリットヲ、アルミナボールを
使用するアルミナ容器中で3〜5時間ボールミル処理す
る。もしあるにしても物質によるアルミナの取り込みは
X線回折分析によシ測定さ几る観測限界内に(・1ない
。
ミルからミル処理したフリットスラリーを放出させた後
、過剰の溶媒を傾瀉により除去し、そしてフリット粉末
2v温で風乾する。次いで乾燥さ几た粉末を625メツ
シユスクリーンに通してすべての大粒子を除去する。
、過剰の溶媒を傾瀉により除去し、そしてフリット粉末
2v温で風乾する。次いで乾燥さ几た粉末を625メツ
シユスクリーンに通してすべての大粒子を除去する。
フリットの主なる二つの碌能は、(1)そ几が無機結晶
性粒子状物質の液相焼結を助けること、そして(21そ
nが厚膜抵抗体の製造における加熱−冷却サイクル(焼
成サイクル)の間のガラス分除去(devltrlfi
catxon %失透)によって非結晶性(無晶形)ま
たは結晶住物質全生収さぜることである。このガラス分
除去過程(・″i@駆体の非結晶性(ガラス様)物質と
同−組灰を有する単一の結晶相または前駆体ガラス様物
質と(・1異った組成の多M結晶相のどちらかを生成さ
イうる。
性粒子状物質の液相焼結を助けること、そして(21そ
nが厚膜抵抗体の製造における加熱−冷却サイクル(焼
成サイクル)の間のガラス分除去(devltrlfi
catxon %失透)によって非結晶性(無晶形)ま
たは結晶住物質全生収さぜることである。このガラス分
除去過程(・″i@駆体の非結晶性(ガラス様)物質と
同−組灰を有する単一の結晶相または前駆体ガラス様物
質と(・1異った組成の多M結晶相のどちらかを生成さ
イうる。
D、有徳媒体
機械的混合によって(例えばロールミル上で)無機粒子
を不質的に不活性の液体媒体(ベヒクル)と混合してス
クリーン印、刷に適当なコンメステンシーおよびレオロ
ジーt7’にするR−スト様組成物を生成させる。後者
は在米の様式で在来の誘電性基材上に「厚膜」として印
刷さnる。
を不質的に不活性の液体媒体(ベヒクル)と混合してス
クリーン印、刷に適当なコンメステンシーおよびレオロ
ジーt7’にするR−スト様組成物を生成させる。後者
は在米の様式で在来の誘電性基材上に「厚膜」として印
刷さnる。
任意の不活法液体をベヒクルとして使用することができ
る。!!!厚化剤(シックナー)および/またに安定剤
お:び/また(はその他の一般的ご抽剤を加えたかまた
はこ几なしの種々の頁機α億全(ヒクルとして1用しう
る。使用できる!=准体の例(ま指彷妄アルコール、そ
のようなアルコールのエステル例えばアセテートおよび
プコピオネート、チルにン例えば松根油、テルピネオー
ルその他、例え(ば低級アルコールのポリメタクリレー
トのような切脂の浴液、お:びエチルセルロースの例え
ば松根油およびエチレングリコールモノアセテートのモ
ノブチルエーテルのような呂媒中の溶敢である。好まし
いベヒクルはエチルセルロースおよびβ−テルヒネオー
ル6ベースとしている。ベヒクルは基材への適用後の迅
速な硬化を促進させるために揮発性液体全含有できる。
る。!!!厚化剤(シックナー)および/またに安定剤
お:び/また(はその他の一般的ご抽剤を加えたかまた
はこ几なしの種々の頁機α億全(ヒクルとして1用しう
る。使用できる!=准体の例(ま指彷妄アルコール、そ
のようなアルコールのエステル例えばアセテートおよび
プコピオネート、チルにン例えば松根油、テルピネオー
ルその他、例え(ば低級アルコールのポリメタクリレー
トのような切脂の浴液、お:びエチルセルロースの例え
ば松根油およびエチレングリコールモノアセテートのモ
ノブチルエーテルのような呂媒中の溶敢である。好まし
いベヒクルはエチルセルロースおよびβ−テルヒネオー
ル6ベースとしている。ベヒクルは基材への適用後の迅
速な硬化を促進させるために揮発性液体全含有できる。
分散液2中の固伏分に対するベヒクルの比:はかなり変
動できそしてこn ft分散液の連用方云および使用さ
nるベヒクルの種類に依存する。
動できそしてこn ft分散液の連用方云および使用さ
nるベヒクルの種類に依存する。
通営艮好な級覆を達成さぜるためには、分散液は相補的
に60〜90係の固体分および40〜+0%のベヒクル
全含有している。不発明の組成物は、勿論その有利な特
注に悪影響を与えないその他の物質の添加(でよって変
性させることができる。そのような処方は当業者の技術
軛コ円である。
に60〜90係の固体分および40〜+0%のベヒクル
全含有している。不発明の組成物は、勿論その有利な特
注に悪影響を与えないその他の物質の添加(でよって変
性させることができる。そのような処方は当業者の技術
軛コ円である。
k−ストは便利にに6不ロールミル上で調製さ几る。は
−ストの粘度は典型的に(・1低、中および高剪断速度
でブルックフィールド1T9i計で湧」定した場合次の
範囲内にある。
−ストの粘度は典型的に(・1低、中および高剪断速度
でブルックフィールド1T9i計で湧」定した場合次の
範囲内にある。
剪断速度(秒−1) 粘度(Pa、S)0.2
100〜5000 −300〜2000
好ましい 60ロ?1500 最も好ましい 4 40〜40〇 −100〜2
50 好ましい 140〜200 たも好でしい 384 7〜40 −10〜25
好ましい 12〜18 最も好ましい ・夕月さ几るベヒクルの1に最終的な1所望の処方粘度
により決定さ几る。
100〜5000 −300〜2000
好ましい 60ロ?1500 最も好ましい 4 40〜40〇 −100〜2
50 好ましい 140〜200 たも好でしい 384 7〜40 −10〜25
好ましい 12〜18 最も好ましい ・夕月さ几るベヒクルの1に最終的な1所望の処方粘度
により決定さ几る。
処方および適用
本発明組成物の調製に2いて(1粒子状亜惣固体分全ゴ
機担仁と混合し、そして適当な装置例えば3本ロールミ
ル全使用して分散させてその゛粘度が4秒″′1の剪断
速度で約100〜150パスカル秒の範囲にある組成物
全生成する懸濁層全生成させる。
機担仁と混合し、そして適当な装置例えば3本ロールミ
ル全使用して分散させてその゛粘度が4秒″′1の剪断
速度で約100〜150パスカル秒の範囲にある組成物
全生成する懸濁層全生成させる。
下記の実施偽中では処方は次のようにして実施さ2″し
た。
た。
k−スト成分から約5重1%に相当する約5%の有機成
分全滅じたもの全−緒に容器中に秤量する。次いで成分
を激しく混合して均一なブレンドを生成さぞる。次いで
このブレンド全分散装置例えば3二〇−ルミルに通過さ
せて粒子の艮好な分散全違反させる。ヘグマンゲ′−ジ
全使用しては−スト中の粒子の分散状態全51)定する
。この装置(1一方の端で25μ深さく1ミル)のそし
て他方の端で口“深さに傾斜しているスチールブロンク
中のチャンネルよI)すっている。
分全滅じたもの全−緒に容器中に秤量する。次いで成分
を激しく混合して均一なブレンドを生成さぞる。次いで
このブレンド全分散装置例えば3二〇−ルミルに通過さ
せて粒子の艮好な分散全違反させる。ヘグマンゲ′−ジ
全使用しては−スト中の粒子の分散状態全51)定する
。この装置(1一方の端で25μ深さく1ミル)のそし
て他方の端で口“深さに傾斜しているスチールブロンク
中のチャンネルよI)すっている。
ブレードを便用してチャンネルの長さに沿ってg−スト
を引く。集塊物の1径がチャンネル深さより犬なる場合
に(グ、スクラッチが出現する。
を引く。集塊物の1径がチャンネル深さより犬なる場合
に(グ、スクラッチが出現する。
満足さ几る分散液(c典型的に1110〜1μの第4の
スクラッチ点e与える。チャンネルの半分が良好に分散
したズーストにより覆わnない点は典型的には3〜8μ
mの間である。く20μmの冥4スクラッチ測定および
く10μmの「ノ・−フチヤンネル」測定(は分散の劣
った懸濁液を意味する。
スクラッチ点e与える。チャンネルの半分が良好に分散
したズーストにより覆わnない点は典型的には3〜8μ
mの間である。く20μmの冥4スクラッチ測定および
く10μmの「ノ・−フチヤンネル」測定(は分散の劣
った懸濁液を意味する。
k−ストの有う成分を構成する残余05%を次いで刃口
えセして有脂含量を調整して完全処方した場合のその粘
翌を4秒−1の剪断速尻で140〜200 PaSとす
る。
えセして有脂含量を調整して完全処方した場合のその粘
翌を4秒−1の剪断速尻で140〜200 PaSとす
る。
次いでこの組成物を基材例えばアルミナセラミックに通
常スクリーン印刷法により適用して約30〜80μ、好
1しくに30〜70μそして最も好ましくは40〜50
μの湿時厚さとする。本発明の電極組成物を基材上に通
常の方法で自動プリンターまたはハンドプリンターを使
用して印刷することができる。好ましくは200〜32
5メツシユスクリーンを使用する自動スクリーンステン
シル技術が採用さnる。次いで印刷パターンを200℃
以下例えば約150℃で約5〜15分間乾燥させそして
その後で焼成さぜる。亜へ結合剤および微細分割金属粉
子の両方を′焼結さぞる。この焼成(1好ましく(仁艮
好に排気さ几ているベルトコンベア?中で約300〜6
00℃の■;柳頁の燃焼全可能ならしめる温度プロフィ
ルで約5〜15分つずく約800〜950℃の最高温■
期間、そ几に続く過、完毛、中間温度での望ましくない
化学反応または急速すぎる冷却から生じうる基材破壊を
阻止するための制御さ几た冷却(クールダウン)サイク
ルを使用して実兄さnる。全体的焼成操作は好ましくけ
約1時間期間にわたるもので焼成温度に達するまでの2
0〜25分、焼成温度での約10分および冷却(クール
ダウン)の約20〜25分を含む。ある場合には30分
の短い全サイクル時間を使用することができる。
常スクリーン印刷法により適用して約30〜80μ、好
1しくに30〜70μそして最も好ましくは40〜50
μの湿時厚さとする。本発明の電極組成物を基材上に通
常の方法で自動プリンターまたはハンドプリンターを使
用して印刷することができる。好ましくは200〜32
5メツシユスクリーンを使用する自動スクリーンステン
シル技術が採用さnる。次いで印刷パターンを200℃
以下例えば約150℃で約5〜15分間乾燥させそして
その後で焼成さぜる。亜へ結合剤および微細分割金属粉
子の両方を′焼結さぞる。この焼成(1好ましく(仁艮
好に排気さ几ているベルトコンベア?中で約300〜6
00℃の■;柳頁の燃焼全可能ならしめる温度プロフィ
ルで約5〜15分つずく約800〜950℃の最高温■
期間、そ几に続く過、完毛、中間温度での望ましくない
化学反応または急速すぎる冷却から生じうる基材破壊を
阻止するための制御さ几た冷却(クールダウン)サイク
ルを使用して実兄さnる。全体的焼成操作は好ましくけ
約1時間期間にわたるもので焼成温度に達するまでの2
0〜25分、焼成温度での約10分および冷却(クール
ダウン)の約20〜25分を含む。ある場合には30分
の短い全サイクル時間を使用することができる。
試料の調製
抵抗温度係数(TCP)を試験すべき試料は次のように
して調製さ几る。
して調製さ几る。
試験さ几るべき抵抗伽処方祐の・ξターンを10個の番
号を付したアルシマグ(Alsimag)6141×1
″セラミツク基材の各々にスクリーン印刷し、そして次
いで150℃で乾燥させる。焼成前の乾燥フィルムの各
組の平均厚さはプラッシュ・サーファナライサー(Br
ush 5urfanalyzer)により測定して2
2〜28μでなくてはならない。乾燥および印刷さnた
基材を次いで65℃/分での850℃までの加熱、85
0℃での9〜10分の滞留および30℃/分の速度での
常温までの冷却からiる約60分間のサイクルを便用し
て焼成させる。
号を付したアルシマグ(Alsimag)6141×1
″セラミツク基材の各々にスクリーン印刷し、そして次
いで150℃で乾燥させる。焼成前の乾燥フィルムの各
組の平均厚さはプラッシュ・サーファナライサー(Br
ush 5urfanalyzer)により測定して2
2〜28μでなくてはならない。乾燥および印刷さnた
基材を次いで65℃/分での850℃までの加熱、85
0℃での9〜10分の滞留および30℃/分の速度での
常温までの冷却からiる約60分間のサイクルを便用し
て焼成させる。
抵抗の測定および計算
供試基材を制御さnた温度のチャンバー内の端部棒に載
置させ、そしてティジタルのオームメーターに電気的1
で接続させる。チャンバー内の温度t−25℃に調整し
そして平衡化させ、その後で各基材の抵抗亡演一定しそ
して記録する。
置させ、そしてティジタルのオームメーターに電気的1
で接続させる。チャンバー内の温度t−25℃に調整し
そして平衡化させ、その後で各基材の抵抗亡演一定しそ
して記録する。
次いでチャンバーの温=r12s℃まで上昇させそして
平衡化させ、その後で器材の抵抗を再びff1j定しそ
して記録する。
平衡化させ、その後で器材の抵抗を再びff1j定しそ
して記録する。
チャン、S−の温Kt次いで一55℃でで冷却させ、そ
して平衡化させ、そして冷時抵抗’c 夕1i定しそし
て記録する。
して平衡化させ、そして冷時抵抗’c 夕1i定しそし
て記録する。
抵抗の熱時および冷時温度係数(・1次のようにして計
算さnる。
算さnる。
冷時TCR=ニ草工と匹x(−12,500)p戸、ζ
”25℃ R25℃および熱時および冷時TCR(そ几ぞnHTC
RおよびCTCR)の僅を平均させ、そしてR25℃の
値を25μ乾燥印刷厚さに対してノルマル化させ、そし
て抵抗工を25μ乾慄印刷厚さでオーム/平方で記載す
るっ多重試験値のノルマル化(1次の関係式を使用して
計算さnる。
”25℃ R25℃および熱時および冷時TCR(そ几ぞnHTC
RおよびCTCR)の僅を平均させ、そしてR25℃の
値を25μ乾燥印刷厚さに対してノルマル化させ、そし
て抵抗工を25μ乾慄印刷厚さでオーム/平方で記載す
るっ多重試験値のノルマル化(1次の関係式を使用して
計算さnる。
分散係a(coe?ゴ1cisnt of Varia
nce)分散係数(cV)は試験さ几る抵抗体に対する
平均お二び個々O抵抗のう救でありそしてこn(まR1
−個々の試料の頂り定抵抗 F’av−すべての試料の計算平均抵抗(ΣiR1/n
)n =試料叡 cv =、X I C1otolJ である。
nce)分散係数(cV)は試験さ几る抵抗体に対する
平均お二び個々O抵抗のう救でありそしてこn(まR1
−個々の試料の頂り定抵抗 F’av−すべての試料の計算平均抵抗(ΣiR1/n
)n =試料叡 cv =、X I C1otolJ である。
不発明(1次のrlJ全参照することによりよりよく理
贋さnるが、ここにすべての組成物は特記さnでいない
限り(仁重1%で与えら几ている。
贋さnるが、ここにすべての組成物は特記さnでいない
限り(仁重1%で与えら几ている。
以下の例中では4種の異ったガラス組成そが1用さnた
が2 こnらに次の辰1に与えら1tている咀成全有し
ていた。
が2 こnらに次の辰1に与えら1tている咀成全有し
ていた。
表 1
■後納合剤ギュ成
成 分 モル%
Pbo 28.1 27,2 16.0
−8102 53.7 507
35.5 5.0B2o3 13.0 1
2.6 26.3 50.0Az2o5 5.
2 5.0 4.5 −InO40,口 ZrO22,85,0 Ti02 4.5 CuO2,2− ZnO12,7− 計 100.0 100.0 100.0
100.0更に例中で使用さ几ている肩激媒体はβ−テ
ルピ坏オールとシフチルカルピトールとの混合物(て溶
解させ念エチルセルロースに基いていた。
−8102 53.7 507
35.5 5.0B2o3 13.0 1
2.6 26.3 50.0Az2o5 5.
2 5.0 4.5 −InO40,口 ZrO22,85,0 Ti02 4.5 CuO2,2− ZnO12,7− 計 100.0 100.0 100.0
100.0更に例中で使用さ几ている肩激媒体はβ−テ
ルピ坏オールとシフチルカルピトールとの混合物(て溶
解させ念エチルセルロースに基いていた。
このタイプの有ヤ媒ケ(仁米国特許第4,070,20
0号明細書に記tさ几でいる。
0号明細書に記tさ几でいる。
2ミリ 1〜7
一連の710スクリーン印制可能なルテニウム含!抵抗
体ペースト?製造した。そnらの谷径(プルテニウム含
有化合物に灼して1.5以上の重量比でAg2Oで含有
してい一〇この組成物(125重量易の不活左耳機1体
中に微細分側固ケを分散さぞることにより製造さn之。
体ペースト?製造した。そnらの谷径(プルテニウム含
有化合物に灼して1.5以上の重量比でAg2Oで含有
してい一〇この組成物(125重量易の不活左耳機1体
中に微細分側固ケを分散さぞることにより製造さn之。
次いでこのは−ストを96重量%At2o5基材上に2
00メツンユスクリーンを使用してスクリーン印刷し、
端子全役けそして次いで共焼成して育そ媒体の蒸発、八
620の熱分解およびガラスのべ相尭結全行なわせた。
00メツンユスクリーンを使用してスクリーン印刷し、
端子全役けそして次いで共焼成して育そ媒体の蒸発、八
620の熱分解およびガラスのべ相尭結全行なわせた。
各ズーストに使用してこの方法で10種の抵抗体全生成
させた。熱分解住金現酸化ダ?含有しない同様の組成物
とは異って、この焼賠抵抗体はいず几も認めうる量の汚
染(スティン)亡示さなかつ念。この抵抗体ズーストの
4成およびそf′l−から製造さ几二抵抗体の電偲的亡
質・:=以下の夛2に与えら几ていb0前記データは例
1および例2の抵抗体が艮好な低い抵抗=および分散定
数(cV)”を有しているものであることを示す。しか
しながら三TC三11お二びETCR変拗(Σ(三TC
R))iま共に多く0遍用に幻して屈す宕゛る。他方、
異ったガラスの使用さnている例6および例4の抵壬体
:て非常に低い抵抗至およびCVならひに甲等夏に正の
”I T CRiN と違反しうる。ことを示した。
させた。熱分解住金現酸化ダ?含有しない同様の組成物
とは異って、この焼賠抵抗体はいず几も認めうる量の汚
染(スティン)亡示さなかつ念。この抵抗体ズーストの
4成およびそf′l−から製造さ几二抵抗体の電偲的亡
質・:=以下の夛2に与えら几ていb0前記データは例
1および例2の抵抗体が艮好な低い抵抗=および分散定
数(cV)”を有しているものであることを示す。しか
しながら三TC三11お二びETCR変拗(Σ(三TC
R))iま共に多く0遍用に幻して屈す宕゛る。他方、
異ったガラスの使用さnている例6および例4の抵壬体
:て非常に低い抵抗至およびCVならひに甲等夏に正の
”I T CRiN と違反しうる。ことを示した。
例5および例6は、そ几以外は同一の組成物に関して、
広範囲にわたってのHTCHの調整に対して無做結合剤
の選択をどのように便用しうるかということを説明する
。例5および例6の組成物のブレンドである例7は、実
質的に高い正および負のHTCR値を有する物質のブレ
ンドを使用して非常に低い中等度HTCR値を有する抵
抗体を生成させることができるということを示している
。
広範囲にわたってのHTCHの調整に対して無做結合剤
の選択をどのように便用しうるかということを説明する
。例5および例6の組成物のブレンドである例7は、実
質的に高い正および負のHTCR値を有する物質のブレ
ンドを使用して非常に低い中等度HTCR値を有する抵
抗体を生成させることができるということを示している
。
その’J20/RuO2重量比が0.75〜1.1であ
る一連の4種のスクリーン印刷可能なルテニウム金回抵
抗体は−ストを製造し友。こnらの組成物に、25重量
%の不活性肩機媒体中に微紹分41固ケを分散さイるこ
とによシ裂造さnた。次いでこ几らのペーストと96重
量% Az2o3基材上にスクリーン印刷し、端子をつ
けそして次いで共焼成させて有接媒体の蒸発、Ag2O
の熱分解ふ・よびガラスの液相焼結を行なわせた。ここ
でもまた各ペースト全使用して10侶の抵抗体を生成さ
せた。すべての組成後、はスティンなし端子に与え之。
る一連の4種のスクリーン印刷可能なルテニウム金回抵
抗体は−ストを製造し友。こnらの組成物に、25重量
%の不活性肩機媒体中に微紹分41固ケを分散さイるこ
とによシ裂造さnた。次いでこ几らのペーストと96重
量% Az2o3基材上にスクリーン印刷し、端子をつ
けそして次いで共焼成させて有接媒体の蒸発、Ag2O
の熱分解ふ・よびガラスの液相焼結を行なわせた。ここ
でもまた各ペースト全使用して10侶の抵抗体を生成さ
せた。すべての組成後、はスティンなし端子に与え之。
この抵抗体ば一ストの組成およびそ几から製造さ′n−
た抵抗体の冨気的惺質(1以下の表5に与えら几ている
。
た抵抗体の冨気的惺質(1以下の表5に与えら几ている
。
表 5
Ag20含有RuO2抵抗体の電気的性質RuO225
,025,025,025,022,5ig20
27.5 27,5 27.5 2
7,5 22.5ガラスI a75 5
.0 6.9 6.9 8.75ガラスII
8.75 12.5 10,6 10
.6 8.75MnV2O65,05,05,05,
05,0スクリーンメツシユ 200 200
200 325 200電気的住質 Rav(−”/’:) 8,32 6.3
0 8.09 12.39 8.80eV(%)
2.37 1,48 1.5i
2,45 4.32HTCR(ppン’C)
+2B +198.5 ÷81.4 +6
7.9 +26.0σ(’HTCFり =i
=19.0 ±19.9 :=12.4 ±
15.6 出13,7例8〜12のすべての抵抗体:
1非常に艮好な電気的性質全示した。例11(霊よp微
細なメツシュスクリーンの使用単独が例10に比べて抵
抗=−e低下させることを示すという点で興味がおる。
,025,025,025,022,5ig20
27.5 27,5 27.5 2
7,5 22.5ガラスI a75 5
.0 6.9 6.9 8.75ガラスII
8.75 12.5 10,6 10
.6 8.75MnV2O65,05,05,05,
05,0スクリーンメツシユ 200 200
200 325 200電気的住質 Rav(−”/’:) 8,32 6.3
0 8.09 12.39 8.80eV(%)
2.37 1,48 1.5i
2,45 4.32HTCR(ppン’C)
+2B +198.5 ÷81.4 +6
7.9 +26.0σ(’HTCFり =i
=19.0 ±19.9 :=12.4 ±
15.6 出13,7例8〜12のすべての抵抗体:
1非常に艮好な電気的性質全示した。例11(霊よp微
細なメツシュスクリーンの使用単独が例10に比べて抵
抗=−e低下させることを示すという点で興味がおる。
この効果は勿論より微細なスクリーンを通して印刷さn
た抵抗体のより犬なる薄さそして従ってより高い抵抗星
の反映である。しかしながら層O薄さはHTCRに関し
て(1認めうる効果?全く可していない。
た抵抗体のより犬なる薄さそして従ってより高い抵抗星
の反映である。しかしながら層O薄さはHTCRに関し
て(1認めうる効果?全く可していない。
・列 15〜21
−A、;20とF、uO2OM f比が0.25〜1.
5である一連の91のスフ1)−ン印刷可能なルテニウ
ム含ゴ砥抗体ペーストを製造した。更に・cocro4
をわずか0.08の重l比で例21で無機酸素含有化合
物として使用した。この組成物は以前の例の方伝で、微
細分割固体分を25重肯%の不(活1有機媒体中に分散
させることにより製造さ几た。次いでR−ストを96重
量係のp、t2o5基材上にスクリーン印刷し、端子金
つけそして次いで共焼成させて有機媒体の蒸発、Ag2
OまたはCoCr○4の熱分解およびガラスの液相焼結
を行わせた。各R−ストヲ使用して10個の抵抗体を製
造し念。すべての抵抗体の端子はスティンなしであった
。
5である一連の91のスフ1)−ン印刷可能なルテニウ
ム含ゴ砥抗体ペーストを製造した。更に・cocro4
をわずか0.08の重l比で例21で無機酸素含有化合
物として使用した。この組成物は以前の例の方伝で、微
細分割固体分を25重肯%の不(活1有機媒体中に分散
させることにより製造さ几た。次いでR−ストを96重
量係のp、t2o5基材上にスクリーン印刷し、端子金
つけそして次いで共焼成させて有機媒体の蒸発、Ag2
OまたはCoCr○4の熱分解およびガラスの液相焼結
を行わせた。各R−ストヲ使用して10個の抵抗体を製
造し念。すべての抵抗体の端子はスティンなしであった
。
抵抗体は−ストの組成か:ひそ几から製造さ2″した抵
抗体の電気的性質(1以下の表4に与えらnている。
抗体の電気的性質(1以下の表4に与えらnている。
例13〜21の抵抗体(仁すべて艮好な低い抵抗=およ
びcv’l示した。更にRuO2の量f 32.5係に
低下させることによって非常に顕著なHTCR値がガ1
5〜20のすべてに対して得ら′:nた。
びcv’l示した。更にRuO2の量f 32.5係に
低下させることによって非常に顕著なHTCR値がガ1
5〜20のすべてに対して得ら′:nた。
外2名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 本質的に (a)酸化ルテニウムベース化合物5〜75重量%、 (b)150℃以下では熱的に安定であるがしかし15
0〜1200℃におけるこの組成物の空気焼成に際して
それから酸素を放出しつつ分解する酸素含有非アルカリ
金属化合物5〜50重量%および (c)無機結合剤5〜20重量% の微細分割された粒子混合物を (d)有機媒体5〜45重量% に分散せしめてなり、そして(a)と(b)とのモル比
が少くとも0.1である組成物を基材に適用し、そして
それを乾燥し、酸化性雰囲気中で焼成して酸素含有非ア
ルカリ金属化合物の熱分解、有機媒体の蒸発および無機
結合剤の液相焼結を生ぜしめた、パターン化された薄層
を包含する抵抗体。
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US4780248A (en) * | 1987-02-06 | 1988-10-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film electronic materials |
US5089172A (en) * | 1987-08-31 | 1992-02-18 | Ferro Corporation | Thick film conductor compositions for use with an aluminum nitride substrate |
US5298330A (en) * | 1987-08-31 | 1994-03-29 | Ferro Corporation | Thick film paste compositions for use with an aluminum nitride substrate |
JPH07105282B2 (ja) * | 1988-05-13 | 1995-11-13 | 富士ゼロックス株式会社 | 抵抗体及び抵抗体の製造方法 |
US4961999A (en) * | 1988-07-21 | 1990-10-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thermistor composition |
US4906406A (en) * | 1988-07-21 | 1990-03-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thermistor composition |
US5096619A (en) * | 1989-03-23 | 1992-03-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film low-end resistor composition |
US5165986A (en) * | 1991-06-05 | 1992-11-24 | Ferro Corporation | Copper conductive composition for use on aluminum nitride substrate |
JP2970713B2 (ja) * | 1991-12-25 | 1999-11-02 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 厚膜抵抗体組成物 |
US5474711A (en) * | 1993-05-07 | 1995-12-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor compositions |
JP2799495B2 (ja) * | 1996-01-13 | 1998-09-17 | 樹脂化工株式会社 | ガラス繊維プリフォームの製造方法 |
JP3397125B2 (ja) * | 1998-03-12 | 2003-04-14 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
DE19937442A1 (de) | 1999-08-07 | 2001-02-08 | Pfeiffer Erich Gmbh & Co Kg | Spender für strömungsfähige Medien, insbesondere zurZerstäubung von Flüssigkeiten |
KR100369565B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2003-01-29 | 대주정밀화학 주식회사 | 전기발열체용 저항 페이스트 조성물 |
US7384577B2 (en) * | 2005-03-09 | 2008-06-10 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Black conductive thick film compositions, black electrodes, and methods of forming thereof |
US7608206B1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-27 | E.I. Dupont De Nemours & Company | Non-lead resistor composition |
TW201227761A (en) | 2010-12-28 | 2012-07-01 | Du Pont | Improved thick film resistive heater compositions comprising ag & ruo2, and methods of making same |
US8808581B2 (en) * | 2011-08-15 | 2014-08-19 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions containing Li2RuO3 and ion-exchanged Li2RuO3 and their use in the manufacture of semiconductor devices |
JP6965543B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2021-11-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5225952A (en) * | 1975-08-25 | 1977-02-26 | Daihatsu Diesel Kk | Sealing cycle hot gas engine |
JPS5827303A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-18 | イ−・アイ・デュ・ポン・ドウ・ヌム−ル・アンド・カンパニ− | 厚膜抵抗体組成物、抵抗体及び抵抗体を形成する方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1210493A (en) * | 1966-10-20 | 1970-10-28 | Johnson Matthey Co Ltd | Improvements in or relating to resistor composition |
US4051074A (en) * | 1975-10-29 | 1977-09-27 | Shoei Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Resistor composition and method for its manufacture |
US4101708A (en) * | 1977-03-25 | 1978-07-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resistor compositions |
JPS5440756A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-30 | Matsushita Electric Works Ltd | Electric hair shaver |
FR2437427A1 (fr) * | 1978-09-08 | 1980-04-25 | Labo Electronique Physique | Encre serigraphiable, a cuire sous atmosphere non oxydante |
-
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5225952A (en) * | 1975-08-25 | 1977-02-26 | Daihatsu Diesel Kk | Sealing cycle hot gas engine |
JPS5827303A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-18 | イ−・アイ・デュ・ポン・ドウ・ヌム−ル・アンド・カンパニ− | 厚膜抵抗体組成物、抵抗体及び抵抗体を形成する方法 |
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