JPS6288306A - 抵抗材料 - Google Patents
抵抗材料Info
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- JPS6288306A JPS6288306A JP60229177A JP22917785A JPS6288306A JP S6288306 A JPS6288306 A JP S6288306A JP 60229177 A JP60229177 A JP 60229177A JP 22917785 A JP22917785 A JP 22917785A JP S6288306 A JPS6288306 A JP S6288306A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非酸化雰囲気中での焼成によって厚膜抵抗体
又はこれに類似の抵抗体を形成することができ、且つ耐
湿性の高い抵抗体を提供することができるペースト状抵
抗材料に関する。
又はこれに類似の抵抗体を形成することができ、且つ耐
湿性の高い抵抗体を提供することができるペースト状抵
抗材料に関する。
未焼成セラミックシート即ちグリーンシートにニッケル
等の卑金属の導体ベースｌ’塗布し、且つ炭化モリブデ
ンと弗化金属とガラスとを含有する抵抗体ベース）Ｙ塗
布したものＹ非酸化雰囲気中で焼成し、厚膜導体と厚膜
抵抗体との両方を有する多層セラミック回路基板７炸成
する方法は、本件出願人に係わる％願昭５９−１９７６
５６号明細書に開示さｒＬでいる。この方法においては
、厚膜導体及び厚膜抵抗の形成に資金網が使用されない
ので、多層セラミック回路基鈑のコストの低減ができる
。
等の卑金属の導体ベースｌ’塗布し、且つ炭化モリブデ
ンと弗化金属とガラスとを含有する抵抗体ベース）Ｙ塗
布したものＹ非酸化雰囲気中で焼成し、厚膜導体と厚膜
抵抗体との両方を有する多層セラミック回路基板７炸成
する方法は、本件出願人に係わる％願昭５９−１９７６
５６号明細書に開示さｒＬでいる。この方法においては
、厚膜導体及び厚膜抵抗の形成に資金網が使用されない
ので、多層セラミック回路基鈑のコストの低減ができる
。
しかし、上記出願に係わる抵抗材料で形成された厚膜抵
抗は十分な耐湿特性ＹＴｌｊさない。例えば、温度６０
℃、相対湿度９５％の環境下に１０００時間放置した場
合の抵抗変化率は＋５％〜＋１０％程度になる。
抗は十分な耐湿特性ＹＴｌｊさない。例えば、温度６０
℃、相対湿度９５％の環境下に１０００時間放置した場
合の抵抗変化率は＋５％〜＋１０％程度になる。
そこで、本発明の目的は、非酸化雰囲気中での焼成で抵
抗体を形成することができ、月つ耐湿試験における抵抗
変化率が二２％月内の抵抗体を得ることができる抵抗材
料を提供することＫある。
抗体を形成することができ、月つ耐湿試験における抵抗
変化率が二２％月内の抵抗体を得ることができる抵抗材
料を提供することＫある。
上記目的ｙａ’達Ｗするための本発明に係わる抵抗材料
は、炭化モＩＪブデン３０〜８０重量部と、ガラス１０
〜６０ 重ｉ部と、脚酸カルシウム（ＣａＣ０゜）、炭
酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ，） 、炭酸バ１Ｊウム（
Ｂａ Ｃ０５）の内の少なくとも１種の炭酸塩１０〜６
０重量部と、適肖量の有機結合剤及び溶剤（ビヒクル）
とから成る。
は、炭化モＩＪブデン３０〜８０重量部と、ガラス１０
〜６０ 重ｉ部と、脚酸カルシウム（ＣａＣ０゜）、炭
酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ，） 、炭酸バ１Ｊウム（
Ｂａ Ｃ０５）の内の少なくとも１種の炭酸塩１０〜６
０重量部と、適肖量の有機結合剤及び溶剤（ビヒクル）
とから成る。
上記組成のペースト状抵抗材料をグリーンシート上に印
刷し、非酸化雰囲気で焼成すれば、耐湿試験における抵
抗変化率が１２％以内の厚膜抵抗体が得られる。従って
、ニッケル等の卑金属の導体ペーストによる厚膜導体の
形成と同時に卑金鵬厚膜抵抗ケ形成することが出来る。
刷し、非酸化雰囲気で焼成すれば、耐湿試験における抵
抗変化率が１２％以内の厚膜抵抗体が得られる。従って
、ニッケル等の卑金属の導体ペーストによる厚膜導体の
形成と同時に卑金鵬厚膜抵抗ケ形成することが出来る。
〔実施例１〕
次に、本発明の実施例に係わる抵抗材料及びこれン使用
した多層セラミック回路基板の形成方法について述べる
。
した多層セラミック回路基板の形成方法について述べる
。
まず、二酸化珪素（Ｓｉｎ、） ７８．０１−置部、酸
化亜鉛（ＺｎＯ） ５．５１１ｒｉｔ部、酸化ジルコニ
ウムｃＺｒＯ，）１２、Ｏｉｎ部、炭酸カルシウム（Ｃ
ａＣ０５） ３．Ｏを置部、及び酸化アルミニウム（Ａ
ＩｖＯｍ） １．５ 車量部ケ混合し、アルミナルツボ
中、１４００℃で３０分間溶融し、この溶融液を水中に
投入し、弁冷させた。この急冷物を取り出してアルミナ
乳鉢に入ｔ。
化亜鉛（ＺｎＯ） ５．５１１ｒｉｔ部、酸化ジルコニ
ウムｃＺｒＯ，）１２、Ｏｉｎ部、炭酸カルシウム（Ｃ
ａＣ０５） ３．Ｏを置部、及び酸化アルミニウム（Ａ
ＩｖＯｍ） １．５ 車量部ケ混合し、アルミナルツボ
中、１４００℃で３０分間溶融し、この溶融液を水中に
投入し、弁冷させた。この急冷物を取り出してアルミナ
乳鉢に入ｔ。
＋ＦＪ５０１１ｍ桿度になる才で粉砕し、更にこれケエ
タノールと共にポリエチレン製ボットミルの中に入ｒＬ
、アルミナボールで１５０時間粉砕し、粒径が１０ｐｍ
ｐＪ下の粉末状のガラスを得た。
タノールと共にポリエチレン製ボットミルの中に入ｒＬ
、アルミナボールで１５０時間粉砕し、粒径が１０ｐｍ
ｐＪ下の粉末状のガラスを得た。
次に、上記ガラスと、炭化モ１ノブデン（ＭｏＣ及呪又
はＭｏ、Ｃ）とを表に示す割合に秤量し、ボールミルに
入れて攪拌した。次いで、こわ、をアルゴンガス雰囲気
中１２００℃で１時間熱処理し、しかる後、エタノール
と共にボ１１エチレン表のポットミル中に入ゎ、アルミ
ナボールで２４時間粉砕し、１０μｍ以下の炭イヒモリ
ブデンとガラスとの混合物の粉末ケ得た。即ち、表の試
料層１〜３０に示さｔている種々の割合のガラスと炭イ
ヒモリブデンの混合粉末を得た。
はＭｏ、Ｃ）とを表に示す割合に秤量し、ボールミルに
入れて攪拌した。次いで、こわ、をアルゴンガス雰囲気
中１２００℃で１時間熱処理し、しかる後、エタノール
と共にボ１１エチレン表のポットミル中に入ゎ、アルミ
ナボールで２４時間粉砕し、１０μｍ以下の炭イヒモリ
ブデンとガラスとの混合物の粉末ケ得た。即ち、表の試
料層１〜３０に示さｔている種々の割合のガラスと炭イ
ヒモリブデンの混合粉末を得た。
次に、ガラスと炭化モリブデンと炭酸塩（Ｃａ ＣＯｓ
、３ｒＣＵｍ、Ｂａ ＣＯ，の１種以上）トσ）割合が
表ｆ）試料Ａ１〜３０の組成の欄に示すようになるよう
に、上述のガラスと炭化モリブデンの混合粉末に対して
炭酸塩を添加し、混合することによって本発明に係わる
抵抗材料の粉末ケ得た。即ち、試料Ａ１においては、抵
抗材料の組ｆｙ、をガラス１０１ｔｒ童部、Ｍｏ０３０
Ｎ ｍ１部、ＣａＣＯ５６０重ｉｉ部とし、残ジの試
料層２〜３０においても組成の欄に示す重量割合の組成
とした。
、３ｒＣＵｍ、Ｂａ ＣＯ，の１種以上）トσ）割合が
表ｆ）試料Ａ１〜３０の組成の欄に示すようになるよう
に、上述のガラスと炭化モリブデンの混合粉末に対して
炭酸塩を添加し、混合することによって本発明に係わる
抵抗材料の粉末ケ得た。即ち、試料Ａ１においては、抵
抗材料の組ｆｙ、をガラス１０１ｔｒ童部、Ｍｏ０３０
Ｎ ｍ１部、ＣａＣＯ５６０重ｉｉ部とし、残ジの試
料層２〜３０においても組成の欄に示す重量割合の組成
とした。
次に、各試料の抵抗材料の粉末１００軍量部に。
楢機結合剤としてのエチルセルロース１０ｉ量部を溶剤
としてのブチルカルピトール９０！ｉＴｈ部に溶かした
ものから成る有機バインダ溶液即ちビヒクル２５１ｉｆ
ｉｔ部ケ加えて３本ロールミルで混練して＋ｌ’ｆＩ８
００ボイズの抵抗体ペーストケ得た。
としてのブチルカルピトール９０！ｉＴｈ部に溶かした
ものから成る有機バインダ溶液即ちビヒクル２５１ｉｆ
ｉｔ部ケ加えて３本ロールミルで混練して＋ｌ’ｆＩ８
００ボイズの抵抗体ペーストケ得た。
−万、上記抵抗体ペースト娑町刷てるだぬりグリーンシ
ート娑次の方法で作製した。 ＡＩ、０．粉末５０ｉ
１Ｈ！１部、ＳｉＯ，粉末２０重量部、 ＳｒＯ粉宋粉
末重量部、Ｌｉ、Ｏ粉本１重量部、及びＭｇＯ粉末４を
置部からなるセラミック原料粉末と、アクリル酸エステ
ルポリマーの水溶液からなるバインダーと、グリセリン
と、カルボン酸塩及び水と、をそｎぞ７’Ｌボールミル
に入れて混合して、スリップｙｅｎ製し、脱泡処理した
後にドクターブレード法により厚さ２００μｍの長尺の
グリーンシートを作製した。そして、このグリーンシー
トから、９ ｍｍ Ｘ９ｍｒｎと６ｍｍＸ９ｍｍの２種
類のグリーンシート片ｙｔ＋ｙＪｖ抜いた。
ート娑次の方法で作製した。 ＡＩ、０．粉末５０ｉ
１Ｈ！１部、ＳｉＯ，粉末２０重量部、 ＳｒＯ粉宋粉
末重量部、Ｌｉ、Ｏ粉本１重量部、及びＭｇＯ粉末４を
置部からなるセラミック原料粉末と、アクリル酸エステ
ルポリマーの水溶液からなるバインダーと、グリセリン
と、カルボン酸塩及び水と、をそｎぞ７’Ｌボールミル
に入れて混合して、スリップｙｅｎ製し、脱泡処理した
後にドクターブレード法により厚さ２００μｍの長尺の
グリーンシートを作製した。そして、このグリーンシー
トから、９ ｍｍ Ｘ９ｍｒｎと６ｍｍＸ９ｍｍの２種
類のグリーンシート片ｙｔ＋ｙＪｖ抜いた。
次に、第１図に示す如く、前者のグリーンシー１片１１
１Ｌ：Ｋ、ニッケル（Ｎｉ）粉末と有機バインダ溶ｆｆ
（エチルセルロース１０ｉ！ｒｌＢＹテレピン油９０重
量部に溶かしたもの）と馨３：１の比で混練した４にペ
ーストＹ ２００メツシュリスク１ノ−ンン用いて印刷
し、１２５℃、１０分間乾燥することによって第１図に
示す如＜Ｎｉ導体膜（２）を形成した。
１Ｌ：Ｋ、ニッケル（Ｎｉ）粉末と有機バインダ溶ｆｆ
（エチルセルロース１０ｉ！ｒｌＢＹテレピン油９０重
量部に溶かしたもの）と馨３：１の比で混練した４にペ
ーストＹ ２００メツシュリスク１ノ−ンン用いて印刷
し、１２５℃、１０分間乾燥することによって第１図に
示す如＜Ｎｉ導体膜（２）を形成した。
次に、本発明に係わる抵抗体ペーストを導体ペーストと
同様にスクＩ７−ン印刷し、乾燥することによって、第
１図に示す如く抵抗体膜（３）を形成した。
同様にスクＩ７−ン印刷し、乾燥することによって、第
１図に示す如く抵抗体膜（３）を形成した。
次に、グリーンシート片（１）の上に鉛線で示す大きさ
のもう一方のグリーンシート片（４）を積層し、１００
℃、１５０ ｋｇ／ｃｍ’で熱圧着し、ＣＴＬを酸化雰
囲気中５００℃で熱処理して有機結合剤及び溶剤（有機
ビヒクル）を飛散及び分解し、Ｎｔ（９８，５容積％）
＋）（、（１，５容積％）の還元雰囲気中で１１００
℃、２時間焼成し、第２図に示す如く、磁器Ｎ （ｌａ
）（４ａ）の中に、厚膜導体（２ａ）と厚膜抵抗体（３
ａ）とを有する混成集積回路用の多層セラミック回路基
鈑を完成させた。なお、抵抗体（３ａ）の導体（２ａ）
にかからない剖、分の太ききは、３ｍｍＸ３ｍｍでトク
、膜厚は１８μｍ″′ｒ：ある。筺た、抵抗体（３ａ）
の組成は、焼成前の抵抗材料の＃機質のＭｉ成にほぼ一
致している。
のもう一方のグリーンシート片（４）を積層し、１００
℃、１５０ ｋｇ／ｃｍ’で熱圧着し、ＣＴＬを酸化雰
囲気中５００℃で熱処理して有機結合剤及び溶剤（有機
ビヒクル）を飛散及び分解し、Ｎｔ（９８，５容積％）
＋）（、（１，５容積％）の還元雰囲気中で１１００
℃、２時間焼成し、第２図に示す如く、磁器Ｎ （ｌａ
）（４ａ）の中に、厚膜導体（２ａ）と厚膜抵抗体（３
ａ）とを有する混成集積回路用の多層セラミック回路基
鈑を完成させた。なお、抵抗体（３ａ）の導体（２ａ）
にかからない剖、分の太ききは、３ｍｍＸ３ｍｍでトク
、膜厚は１８μｍ″′ｒ：ある。筺た、抵抗体（３ａ）
の組成は、焼成前の抵抗材料の＃機質のＭｉ成にほぼ一
致している。
次に、この抵抗体（３ａ）の２５℃におけるシート抵抗
島（Ω／口〕をディジタルマルチメータで測定した。次
いで、＠試料（多層セラミック回路基板）を温度６０℃
、相対湿度９５％の環境下に１０００時間放置し、その
後、ディジタルマルチメータで再びシート抵抗Ｒ＋（Ω
／口）をｆＡｌ＋定し、この耐湿試験による厚膜導体（
２ａ）の抵抗変化率ΔＲを（ＲニーＲａ／Ｆｔｏ）Ｘ１
００％で求ぬた。表の特性の欄には上記の島と△Ｒとが
示されている。なお、−の値の欄のｋは×１０を意味す
る。
島（Ω／口〕をディジタルマルチメータで測定した。次
いで、＠試料（多層セラミック回路基板）を温度６０℃
、相対湿度９５％の環境下に１０００時間放置し、その
後、ディジタルマルチメータで再びシート抵抗Ｒ＋（Ω
／口）をｆＡｌ＋定し、この耐湿試験による厚膜導体（
２ａ）の抵抗変化率ΔＲを（ＲニーＲａ／Ｆｔｏ）Ｘ１
００％で求ぬた。表の特性の欄には上記の島と△Ｒとが
示されている。なお、−の値の欄のｋは×１０を意味す
る。
表の試料Ａ１〜３ｏから明らかな如く、抵抗材料の組成
を、ガラス１０〜７０重量部、炭化モリブデン３０〜８
０重１部、炭酸塩１０〜６０’ｌ’ｉｉ部、適当ｌの有
機結合剤及び溶剤、とすることにより、還元雰囲気中の
焼成であるにも拘らず、シート抵抗が７７．３Ω／口〜
１２５．ＯＸ １０”Ω／口、耐湿試験による抵抗変化
率ΔＲが−２，０％〜＋２．０％の範囲内の厚膜抵抗体
を提供することができる。
を、ガラス１０〜７０重量部、炭化モリブデン３０〜８
０重１部、炭酸塩１０〜６０’ｌ’ｉｉ部、適当ｌの有
機結合剤及び溶剤、とすることにより、還元雰囲気中の
焼成であるにも拘らず、シート抵抗が７７．３Ω／口〜
１２５．ＯＸ １０”Ω／口、耐湿試験による抵抗変化
率ΔＲが−２，０％〜＋２．０％の範囲内の厚膜抵抗体
を提供することができる。
なお、表に示さｊしていない本発明の範囲外の試料によ
り次のことが確館さ粁でいる。
り次のことが確館さ粁でいる。
（１１炭化モリブデンの１９を３０３量部よりも少なく
てると、抵抗値が高くなＶ購ぎる。
てると、抵抗値が高くなＶ購ぎる。
（２）炭化モリブデンの１を８０１量部よりも多くてる
と、焼結が困難になる。
と、焼結が困難になる。
（３） ガラスの量’＆１０重量部よりも少なくする
と、焼結が困難になる。
と、焼結が困難になる。
（４） ガラスの１を６０重１部よりも多くすると、
抵抗値が高くなり過ぎる。
抵抗値が高くなり過ぎる。
１５）炭酸塩の襲を１０１量部よりも少なくてると、抵
抗変化率ΔＲを二２％の範囲に収めることが困難になる
。
抗変化率ΔＲを二２％の範囲に収めることが困難になる
。
（６） 炭酸塩の量を６０ｉｉｉ部よ、！ｌｌも多く
すると、抵抗変化率ΔＲを±２％の範囲に収めることが
困難になる。
すると、抵抗変化率ΔＲを±２％の範囲に収めることが
困難になる。
〔実施例２〕
ガラスの組成が変化しても、実施例１と同様な作用効果
が得らｊＬることを確ρ）ぬるために、次の如くガラス
粉末を作製した。二酸化珪素（８ｉ０．）７５．０Ｎｉ
ｉｉ部、三酸化ニホウ素（Ｂ＊Ｏａ） １３．０ 重量
部、Ｒｅ力にシウム（ＣａＣＯｍ） １０−０ ＊ｆ１
部、及び酸体アルミニウム（Ａｌｔ（Ｊｓ） ２．Ｏｉ
ｉ ｉｔ部を混合し、実施例１と同様の手法にて粉末状
のガラスを得た。
が得らｊＬることを確ρ）ぬるために、次の如くガラス
粉末を作製した。二酸化珪素（８ｉ０．）７５．０Ｎｉ
ｉｉ部、三酸化ニホウ素（Ｂ＊Ｏａ） １３．０ 重量
部、Ｒｅ力にシウム（ＣａＣＯｍ） １０−０ ＊ｆ１
部、及び酸体アルミニウム（Ａｌｔ（Ｊｓ） ２．Ｏｉ
ｉ ｉｔ部を混合し、実施例１と同様の手法にて粉末状
のガラスを得た。
次に、このガラスを使用して実施例１の試料層２６と同
−耐層の抵抗材料！実施例１と同一の方法で得、こ２″
Ｌを使用して実施例１と同一の方法でＭ−１１１造の多
層セラミック回路Ｍ板を形成し、実施例１と同様に電気
的特性を測定したところ、シート抵抗値は６．９８７
Ｘ １０Ω／口、抵抗変化率△Ｒは−０，４％であった
。
−耐層の抵抗材料！実施例１と同一の方法で得、こ２″
Ｌを使用して実施例１と同一の方法でＭ−１１１造の多
層セラミック回路Ｍ板を形成し、実施例１と同様に電気
的特性を測定したところ、シート抵抗値は６．９８７
Ｘ １０Ω／口、抵抗変化率△Ｒは−０，４％であった
。
この実施例２から明らかなように、ガラスの組成を変え
ても抵抗特性に大きな相違は見らｔない。
ても抵抗特性に大きな相違は見らｔない。
つ筐り、本発明において使用されるガラスは必ずしも特
定された１つの組成に限られるものではない。なお、実
施例１における５ｉ０１−ＺｎＯＺｒ０ｔ −ＣａＯ−
Ａ１．０．系ガラス、実施例２のＳｉｎ、 −Ｂ、０．
−ＣａＯ−Ａ１．０ｇ系ガラスはいずｔも作業、６（Ｉ
ＸＩＯ’ホイズとなる温度）が９００〜１２００℃のガ
ラスである。本発明に係わるガラスは、実施例１及び２
の組成のガラスに限ることなく、９００〜１２００℃の
作業Ａ’＆有し、且つ還元雰囲気で焼成する際に金楓化
されや丁い金属酸化物（ＰｂＣ）、 Ｓｎｏｗ、Ｓｔ、
Ｏ，等）を含まないものであれば、どのようなものでも
よい。
定された１つの組成に限られるものではない。なお、実
施例１における５ｉ０１−ＺｎＯＺｒ０ｔ −ＣａＯ−
Ａ１．０．系ガラス、実施例２のＳｉｎ、 −Ｂ、０．
−ＣａＯ−Ａ１．０ｇ系ガラスはいずｔも作業、６（Ｉ
ＸＩＯ’ホイズとなる温度）が９００〜１２００℃のガ
ラスである。本発明に係わるガラスは、実施例１及び２
の組成のガラスに限ることなく、９００〜１２００℃の
作業Ａ’＆有し、且つ還元雰囲気で焼成する際に金楓化
されや丁い金属酸化物（ＰｂＣ）、 Ｓｎｏｗ、Ｓｔ、
Ｏ，等）を含まないものであれば、どのようなものでも
よい。
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形例が可能なものである。
次の変形例が可能なものである。
（ａｌ 炭化モリブデンとガラスと炭酸酸とを含む抵
抗体ペーストを塗布したグリーンシートの焼成温度を１
０００℃〜１２００℃の範囲で変化させても、抵抗値Ｒ
７及び抵抗変化率ΔＲが殆んど変化しないことが確認さ
ｔている。例えば、実施例１の試料Ａ５と同一組成で焼
成温度のみを１０００ ”Ｃ１１０５０℃、１１５０℃
、１２００ ’Ｃに変化させた時の抵抗値−はｓ ５．
１０ Ｘ ｉ ｏ’Ω／口、８５．２０ Ｘ１０’Ω／
口、８５．３３ Ｘ １０’Ω／口、８５．１５ Ｘ
１０’Ω／口であり、また机抗変イヒ率ΔＲは＋１．９
％、＋１．８％、＋１．４％であった。他の組成に訃い
てもほぼ同様な結果が得られた。
抗体ペーストを塗布したグリーンシートの焼成温度を１
０００℃〜１２００℃の範囲で変化させても、抵抗値Ｒ
７及び抵抗変化率ΔＲが殆んど変化しないことが確認さ
ｔている。例えば、実施例１の試料Ａ５と同一組成で焼
成温度のみを１０００ ”Ｃ１１０５０℃、１１５０℃
、１２００ ’Ｃに変化させた時の抵抗値−はｓ ５．
１０ Ｘ ｉ ｏ’Ω／口、８５．２０ Ｘ１０’Ω／
口、８５．３３ Ｘ １０’Ω／口、８５．１５ Ｘ
１０’Ω／口であり、また机抗変イヒ率ΔＲは＋１．９
％、＋１．８％、＋１．４％であった。他の組成に訃い
てもほぼ同様な結果が得られた。
（ｂｌ グリーンシートｙ焼成する時の雰囲気を中性
雰囲気（不活性雰囲気）としてもよい。また、グリーン
シートを焼成する前の有機物を分解及び飛散させるため
の酸化性雰囲気の熱処理温度を例えば４００℃〜６００
℃で変化させてもよい。
雰囲気（不活性雰囲気）としてもよい。また、グリーン
シートを焼成する前の有機物を分解及び飛散させるため
の酸化性雰囲気の熱処理温度を例えば４００℃〜６００
℃で変化させてもよい。
（ｃｌ ガラスと炭化モリブデンとの混合物のアルゴ
ン雰囲気中での焼成温度を、例えば９００〜１２００℃
の範囲で変化させてもよい。またこの焼成をアルゴンガ
ス以外の不活性雰囲気、又は真空中、又は中性雰囲気、
又は還元性雰囲気で行ってもよい。
ン雰囲気中での焼成温度を、例えば９００〜１２００℃
の範囲で変化させてもよい。またこの焼成をアルゴンガ
ス以外の不活性雰囲気、又は真空中、又は中性雰囲気、
又は還元性雰囲気で行ってもよい。
ｒｄｌ 抵抗体ペーストを作るたぬの有機バインダ溶
液（ビヒクル）は、ニトロセルロース等の樹脂を、テレ
ピン油、ブチルカルピトールアセテート等の高沸廃溶剤
に溶かしたものでもよい。また、この有機バインダ溶液
の食は１５〜３５車量部程度が望ましい。
液（ビヒクル）は、ニトロセルロース等の樹脂を、テレ
ピン油、ブチルカルピトールアセテート等の高沸廃溶剤
に溶かしたものでもよい。また、この有機バインダ溶液
の食は１５〜３５車量部程度が望ましい。
上述から明らη為な如く、本発明のペースト状抵抗材料
とニッケル等の卑金桐の導体ペーストとを非酸化雰囲気
で同時焼成することができ、且つ本発明の抵抗材料には
貴金湘が含筺れてぃない。従って、多層セラミック回路
基鈑、又はこｔに類似の電気回路部品の小型化及び低コ
スト化に寄与することができる。また、本発明の抵抗材
料は前述の特許出願の抵抗材料に比較し、ＷＰｒ湿性の
良い抵抗体を提供することができる。
とニッケル等の卑金桐の導体ペーストとを非酸化雰囲気
で同時焼成することができ、且つ本発明の抵抗材料には
貴金湘が含筺れてぃない。従って、多層セラミック回路
基鈑、又はこｔに類似の電気回路部品の小型化及び低コ
スト化に寄与することができる。また、本発明の抵抗材
料は前述の特許出願の抵抗材料に比較し、ＷＰｒ湿性の
良い抵抗体を提供することができる。
第１図は本発明の実施例に係わる多層セラミック回路基
８２ヲ作製する際のグリーンシー）１体膜及び抵抗体膜
のパターンを示す平面図、ｋ２図は第１図のロー■線に
相当する部分の焼成後の多層セラミック回路基板を示す
断面図である。 （１）・・・グリーンシート片、（２）・・・導体膜、
＋３１・・・抵抗体膜、（４１・・・クリーンシート片
。 代 理 人 高 野 則 次第１図 第２図
８２ヲ作製する際のグリーンシー）１体膜及び抵抗体膜
のパターンを示す平面図、ｋ２図は第１図のロー■線に
相当する部分の焼成後の多層セラミック回路基板を示す
断面図である。 （１）・・・グリーンシート片、（２）・・・導体膜、
＋３１・・・抵抗体膜、（４１・・・クリーンシート片
。 代 理 人 高 野 則 次第１図 第２図
Claims (3)
- （１）炭化モリブデン３０〜８０重量部、 ガラス１０〜６０重量部、 炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、及び炭酸バリウ
ムの内の少なくとも１種の炭酸塩１０〜６０重量部、 適当量の有機結合剤及び溶剤、 から成るペースト状抵抗材料。 - （２）前記炭化モリブデンは、１炭化１モリブデン（Ｍ
ｏＣ）及び／又は１炭化２モリブデン（Ｍｏ＿２Ｃ）で
ある特許請求の範囲第１項記載の抵抗材料。 - （３）前記ガラスは、作業点が９００〜１２００℃の範
囲のものである特許請求の範囲第１項又は第２項記載の
抵抗材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229177A JPS6288306A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 抵抗材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229177A JPS6288306A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 抵抗材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288306A true JPS6288306A (ja) | 1987-04-22 |
| JPH0362286B2 JPH0362286B2 (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=16887999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60229177A Granted JPS6288306A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 抵抗材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6288306A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2396505B (en) * | 2002-12-20 | 2006-01-11 | Imagination Tech Ltd | 3D Vector method of inter-field motion detection |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP60229177A patent/JPS6288306A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0362286B2 (ja) | 1991-09-25 |
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