JPS6287596A - ホスホニウム化合物の合成方法 - Google Patents

ホスホニウム化合物の合成方法

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JPS6287596A
JPS6287596A JP60224774A JP22477485A JPS6287596A JP S6287596 A JPS6287596 A JP S6287596A JP 60224774 A JP60224774 A JP 60224774A JP 22477485 A JP22477485 A JP 22477485A JP S6287596 A JPS6287596 A JP S6287596A
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JP
Japan
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formula
formulas
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mathematical
chemical formulas
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JP60224774A
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Masako Matsumoto
昌子 松本
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  • Thiazole And Isothizaole Compounds (AREA)
  • Indole Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はホスホニウムイミデート化合物の合成方法に関
するものであり、一般式 ラム化合物と−S Ot−または−C−あるいは−N=
N−の基によって活性化された水素原子を存するイミド
化合物とをアルカリの存在下反応さける事を特徴とする
下記一般式で示されるホスホニウムイミデート化合物の
合成方法に係るものである。
(但し式中R+、Ilt、ns及びR4はアルギル1k
、アルケニルW1アリール基、ベンジル基よりなる群よ
り選ばれた置換尤を表わし、Xはハロゲン原−r−〇 と連結している事を表イっず。なおR5は水素原子又は
メチル基を表イっす。) 本発明によって得られる化合物はエボキン樹l旨硬化剤
及び硬化促進剤、ウレタンポリマーの重合触媒、難燃剤
、相間移動触媒、農医薬の反応中間体等として極めて何
州な物質である。
最近、有機ホスフィン系化合物が工業的に容易に得られ
るようになりその一つとして本願の原料であるホスホニ
ウムハライドがある。ボスフィン化合物は一般に反応性
が高く、取扱い困難な点が多く、それを四級化する事に
よって得られる該ホスホニウムハライドはホスフィンに
比べて安定化はされるが、反応性が弱くなり各種の重合
触媒として実用化が困難であった。ところが本願の化合
物群については強塩基性物質であるホスポニウムカヂオ
ンと弱酸性物質であるイミデートアニオンの塩であるた
めホスフィン化合物よりは安定化されており、又、反応
性についてはアニオン成分が強酸性物質であるハロゲン
イオンに代り弱酸性物質であるイミデートアニオンのた
めホスホニウムハライドよりは活性である。そのため&
 Lluポリマーの重合触媒及び重合促進触媒としての
可能性が大いに期待できるものである。
次に本発明における実施の概略について述べる。
即ち相当するホスホニウムハライドとそれと等モル以上
のイミド化合物をアルカリの存在下に常温乃至100℃
で30分から3時間で分子間脱ハロゲン化水素を行なっ
て目的物を得る。なおアルカリの使用量はホスホニウム
ハライドに対し1.0〜1.5倍モルが適当である。反
応は水溶液中で行なう事が好ましく、反応生成物の分離
は析出する結晶の1戸取らしくはn−ヘキサジ、ベンゼ
ン、トルエン等の炭化水素系溶剤らしくはジクロルメヂ
レン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶剤を使
用して抽出しても良い。使用するアルカリとしては水酸
化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属の水酸
化物又は水酸化カルシウム、水酸化マグネノウム等のア
ルカリ土類金属の水酸化物あるいはアルカリ、アルカリ
土類金属の炭酸塩が適当である。
;戸数結晶は必要に応じ常法に従い再結晶し精力するこ
とらできる。また溶剤抽出の場合は水洗にて副生ずる無
機塩を除去し、しかる後に溶剤を面会し目的物を得るこ
とができろ。
本発明の方法によって得られる代表的な生成物の物性を
第1表に示す。
(以下余白) ■     ■     ■    ■く      
 ω       Q       −廿 來 巨 次に合成方法の実施の態様を実施例によって説明4−ろ
実施例1゜ 水酸化すトリウL、 21.2gr(0,53% /l
/ )を水200mI!。
に溶解しこれにベンゾトリアゾール57.6gr(0,
48モル)を室温で溶解さlる。続いてテトラ−n−ブ
チルホスホニウムクロライドの80%水溶液170gr
(0,46モル)を加えて70〜80℃にて1時間加熱
かくはんを行なった。
反応液を室温まで冷却後クロロホルム300m1にて抽
出後1回当り300mfの水にて3回水洗を行なった。
クロロポルム層を分取し減圧濃縮し淡褐色のオイル状物
質のテトラ−n−ブチルホスホニウムベンシトリアシレ
ート159.1gr(収率91.5%)を得た。
実施例2゜ ベンゾスルフィミド25.1gr(0,14モル八水酸
化ナトリウム6 grco、tsモル)を水100m[
に溶解し、これにテトラ−n−ブチルホスホニウムクロ
ライドの80%水溶液so6gr(o、t4モル)を加
えて70〜80℃にて1時間加熱かくはんを行なった。
クロロホルムt(1(1mI!、で抽出後水洗、溶剤面
会しメ11【色透明オイル状物質のテ[・ラーn−ブヂ
ルホスホニウムヘンゾスルフイミデート57.0gr(
収率94,2%)を得た。
実施例3゜ フタールイミF’ 8 、9 g r (0、06モル
)、水酸化すトリウム2.7gr(0,07モル)を水
50m児に溶解し、これにトリーn−ブヂルベンジルホ
スポニウムクUライド20gr(0,06モル)を加え
室温にて30分間かくはんを行なった後クロロホルムに
て抽出、水洗、溶剤面会の操作を行なって淡黄色結晶の
トリーローブチルベンジルホスホニウムフタルイミデー
ト23.9gr(収率89,5%)を得た。
実施例4゜ ベンゾスルフィミド9.4gr(0,05モル)、Jk
酸化ナトリウム2.3gr(0,06モル)を水50m
えに溶解(7これにトリフェニルベンジルホスホニラム
ク〔Jライド20gr(0,05モル)をよくかきまげ
ながら加えた。
50〜60℃にて加熱かくはん1時間後室温まで冷却し
生成した結晶をJゝ別水洗しアセトンと水の混合溶剤に
て再結晶を行なって白色結晶のトリフェニルベンジルス
ルフィミゾ−1−27,6gr(収率93.1%)を 
得 ノこ 。
実施例5゜ トリルトリアゾール13.3gr(0,10モル)、水
酸化カリウム5.9gr(0,11モル)を水100m
j!に溶解しこれにトリー〇−ブヂルアリルホスポニウ
ムブロマイド32.3gr(0,10モル)を加えて室
温にて1時181かくはん後ジクロルメチレンにて抽出
を行ない水洗、溶剤面会の操作の後淡褐色オイル状物質
のトリーn−ブチルアリルホスホニウムトリルトリアシ
レー ト33.2gr(収率884%)を得た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式▲数式、化学式、表等があります▼で示され るホスホニウム化合物と−SO_2−又は▲数式、化学
    式、表等があります▼、あるいは−N=N−の基によっ
    て活性化された水素原子を有するイミド化合物とをモル
    比1又は1以上の割合でアルカリの存在下反応させる事
    を特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中R_1、R_2、R_3及びR_4はアルキル基
    、アルケニル基、アリール基、ベンジル基よりなる群よ
    り選ばれた置換基を表わし、Xはハロゲン原子を表わし
    、Qは ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
    式、表等があります▼あるいは▲数式、化学式、表等が
    あります▼ の結合手によってN原子と連結している事を表わす。但
    しR_5は水素原子又はメチル基を表わす。)で示され
    るホスホニウム化合物の合成方法 2、式 ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
    等があります▼ で示される特許請求範囲第1項記載の合成方法(但しR
    _1、R_2、R_3、R_4は特許請求範囲第1項記
    載に同じである。) 3、式 ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
    等があります▼ で示される特許請求範囲第1項記載の合成方法(但しR
    _1、R_2、R_3、R_4は前項に同じである。)
    4、式 ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
    等があります▼ で示される特許請求範囲第1項記載の合成方法(但しR
    _1、R_2、R_3、R_4は前項に同じでありR_
    5は水素原子又はメチル基を表わす。)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002097182A (ja) * 2000-09-20 2002-04-02 Nippon Chem Ind Co Ltd ホスホニウム化合物およびその製造方法、並びにその組成物

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002097182A (ja) * 2000-09-20 2002-04-02 Nippon Chem Ind Co Ltd ホスホニウム化合物およびその製造方法、並びにその組成物

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