JPS6287311A - ゴム系複合材料の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 り組すリ封Ｌ１艷 本発明は、金属基体とゴム組成物相互を接着性よく接合
して複合体をＩｆ造し得るゴム系複合材料の製造方法に
関する。

従来の技術及びＵが　奢しようとする　　−複合材料は
、機能性、を吉頼１１！、耐久性等の特性面、コスト面
などで中休よりはるかに優れたものが得られるため、最
近様々な分野で０゛目されており、各種材料の組合Ｕに
よる新規複ｆ！Ｉ祠判の開発が盛んである。

複合材料は投合形態によりブレンド型や積層型などに分
類されるが、そのうちｆａｌｉｉ型複合材料は、異方性
などの特異な性質を付与することができるため特に開発
が盛んであり、とりわけゴム系複合材料は、タイヤ、バ
ンパー等の自動車部品に限らず、電気、電子部品やスポ
ーツ用品などその利用分野も多く、新規複合材料の開発
が太き（期待されている材料分野であり、特に金属基体
を用いたゴム系複合材料は、上記タイヤ、バンパー等に
代表される産業上型Ｗな利用分野を有する。

上記積層型複合材料がｗＪ造可能であるか否かは、基体
と被覆物との接合の可否に依存するが、特にゴム組成物
を被覆物とする場合は接合性が悪く、接着性を付与、改
良する接合技術が積層型複合材料、とりわけゴム系複合
材料の主課題である。

従来、Ｖ４層型複合材判、とりわけゴム系複合材料に好
適な複合材料の製造方法としては、基体、被覆物の少＜
ｒ　くとも一方の表面に微細な粗面を形成し、もしくは
形成せずに接着剤を塗布してゴム組成物を接着づる方法
や湿式メッキ法により亜鉛亡プラス等の金属薄膜を形成
した後、金属薄成上にゴム組成物を加熱圧着して接着す
るなどの方法が採用されてきた。

このうち、−１記微細な粗面を利用した方法は、基体、
被覆物のいずれか一方が接合性が悪いとい・　われてい
るゴムや熱硬化性樹脂であっても接着性よく接合できる
が、基体、被覆物の少なくともいずれか一方の表面を粗
面化する必要があり、このため１Ｘ１３ｉ！ｉＬ得る複
合材料のサイズや、粗面を形成する方の材料の膜厚が制
限され、微細な複合体が製造できないなどといった欠点
を有する。

しかも、このように粗面を利用し或いは基体を粗面化せ
ずにｍ体とゴム組成物とを接着剤ににり複合化する方法
は、接着剤の粘着、ベタツキにＪ。

り作業性が低下１ノたり、余分な凝固した接着剤により
外観が損なわれたり、入１法精麿に狂いが生じたりする
。更に、接着剤を溶剤を用いずそのまま使用する場合に
３、末、接着剤の塗布ムラにより接着ムラ等が生じる場
合があり、この接着ムラ等をυ１除するために溶剤に接
着剤を溶解したものを使用する場合は、接着Ｊ）が低下
し、接着時間がかかる（よか、溶剤による環境衛１Ｉ−
１−の問題が牛しるので好ましくなく、このため現在で
は接着剤を使用しない接合技術が求めＩ）れている。

また、従来の湿式メッキ法による金属薄膜を利用した複
合１．４利の形成方法は、上述したにうに形成する複合
材ネ）１接合のための金属薄膜の金属材料としては通常
７ｎやプラス（７ｎ−Ｃｕｈ金）等のわずかなものが利
用されているにすぎず、このため被覆し１７るゴム組成
物の種類もわずかイにものに制限されており、史には湿
式メッキ法に特右の金Ｓ薄膜の膜厚が制御しにくく、と
りわけ電解メツキ法の場合に顕著に観察されることであ
るが、ｆｌｕ厚が不均一になり易く、均一な膜厚の金属
Ｓ膜を形成するためには数μｍ以上の膜厚とする必要が
あり、このため、製造する複合体の種類によって１よ金
１　Ｎ　！ｌ！の有する個有の性質が無視し得ず、複合
体の柔軟性が損なわれるなどの問題点や、酸、アルカリ
等による廃液処理などの問題点がある。

本発明は」：記事情に鑑みなされたもので、金属基体に
接着剤を用いることなく、又、湿式メッキを行なうこと
なく、しかもゴム組成物の接合力を高めてゴム組成物を
複合化する方法を提供することを目的とする。

を　　するための手　及び（１ 本発明者らは、上記目的を達成すべく、基体として各種
金属材料を用い、基体とゴム組成物との接合方法につき
鋭意検討を行なった結宋、亜鉛、銅、コバルト及びこれ
らの合金は、いずれもゴム組成物を加硫して通常の加硫
時に加温される温度と同程度の温度で圧着すると強固に
接着して接着性のよいゴム系複合材料が得られ、しかも
亜鉛、銅、コバル］・は真空熱ｗ法、イオンブレーティ
ング法、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、２４４Ｉ
スパッタリング法、高周波スパッタリング法から選ばれ
るドライメッキ法で基体１−に薄模としＣ簡単に付着形
成づることができ、得られた金属ｉｉＩ膜上にに記した
にうにゴム組成物が接着性よく接合し得ることを知見１
ノ、本発明をなすに至った。

従って本発明は、金属基体とゴム組成物とを接合してな
るゴム系複合材料の製造方法（Ｊおいで、基体表面十に
真空蒸着法、イオンブレーティング法、ＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法、２極スパッタリング法、高周波ス
パッタリング法から選ばれるドライメツ−１法により亜
鉛、銅、コバルト及びこれらの合金から選ばれる金属薄
膜を付着形成し、次いで該金属ｆｉｌ膜トに有機コバル
ト塩を含有したゴム組成物を加熱圧着してＩｌｌ硫接１
１−！するゴム系複合材料のｔｉｌ造方法を提供するも
のである。

以下、本発明を更に詳しく説明する。

本発明に係るゴム系複合材料の製造方法は、基体とゴム
組成物とを接合Ａることにより複合化するものであるが
、ここで基体としては、鉄鋼、アルミニウム、銅、銅合
金等の従来より広範な種類の金＃Ｒ材ネリが使用１ノ１
りる。また、基体の形状やサイズイＴども制限はなく、
目的に応じて適宜な材質、形状、サイズのＭ体を選択、
使用することができる。

本発明は上記の基体にゴム組成物を複合化する場合に、
まず基体表面十に真空蒸着法、イオンブレーティング１
、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、２極スパッタリ
ング法、高周波スパッタリング法から選ばれるドライメ
ッキ法により亜鉛、銅、コバル］〜及びこれらの合金か
ら選ばれる金属薄膜を形成するものであるが、このドラ
イメッキ法による金属薄膜の形成は、適宜、基体のサイ
ズ、形状にＪ：リドライメッキ装置のチャンバー容量、
固定冶具を選定１ノ、基体の材質、所望の膜厚、薄膜物
性等によりドライメッキ装置の例えば到達真空麿、アル
ゴン、酸素等のガスの注入の有無、基体温度、アニーリ
ングなどの操作条件、蒸発源の抵抗加熱、誘導加熱、電
子ビーム等の加熱方法などを選定して行（７えぽ良い。

又、本発明に係るドライメッキ法により合金ＮＩＨＪを
得る方法としては、ドライメッキ装買内に複数の各々独
立１）で加熱できる蒸発源を設置して合金組成に応じて
各蒸発源の加熱条件により同時蒸着する＜Ｔどの方法が
挙げられる。更に本発明に係る金属薄膜を１ｑるために
、ドライメッキ装置にλ／４制ａｌｌ法等の光学的膜厚
シリ御のための分光フィルター、モニターガラス等より
なる光学目測システムを設置したり、操作自動化のため
にドライメッキ装置の各種改造を行なったりなどするこ
とは差支えなく、むしろこうした設置、改造により薄膜
形成中に容易に膜厚を管理でき、製造品質の安定化が図
れるので本発明の目的に対してより好ましい。また、本
発明に係るドライメッキ法としては真空蒸着法、イオン
ブレーティング法、［）０マグネト［］ンスパッタリン
グ法、２極スパッタリング法、高周波スパッタリング法
を採用するもので、中で−ｂ貝空蒸着法は、他のドライ
メッキ方法に比較１ノで、装置の構造が簡単で操作性も
良く、安定した品質の薄膜を再現性Ｊ：＜広面積、高速
に得ることができ、工業的な量産にも適している点から
本発明の製造法に用いられるドライメッキ法として特に
好ましいものである。なお、上記比較の一例として薄膜
形成速度を示すと、真空蒸着法では１μ〜１００ＩＩＩ
Ｒ／ｍｉｎ　。

他のＩＪプライッキ法では０．１〜１μｔａ　／ｓｉｎ
であり、真空蒸着法が高速にＳＳを形成するために有利
であることがわかる。

上記方法により得られた金属薄膜は、亜鉛、銅、コバル
ト及びこれらの合金から選ばれる金属材料により構成す
る必要があるが、これらの合金材料については、本質的
に亜鉛、銅、コバル］・のいずれかの金属を含有してい
れば、これらのいずれかの金属と加硫時、ゴム組成物と
の間に分子間引力が効果的に働き、従って基体とゴム組
成物とが良好に接合し得る。この場合、相手金属の種類
、合金組成等に特に１Ｉ１１１＃ｉはないが、実用的な
接着強度を得るためには、接着に寄与する亜鉛、銅、コ
バルト３挿成分の合計容１（ｉｌｌ！占有面積）が全合
金成分容量（薄膜面積）の５０％以上であることが好ま
しい。また、上記方法にＪ：り得られた金属薄膜の膜厚
には特に制限はないが、１０人〜１００μｍが薄膜の生
産性から好ましく、複合体の性質に影響を及ぼさイ【い
稈度のＷＩｊ膜といった点から、特に１０八〜１μｍが
好ま１ノい。

次いで、本発明のゴム系複合＋Ａ利の製造方法は、上記
方法により得られた金属Ｍ膜」二にゴム組成物を加熱圧
着して加硫接着Ｊ−るもので、金属薄膜と加硫ゴム組成
物どの分子間引力を利用した方法によりゴム系複合材料
の製造を行なうものである。

ここで、本発明に用いられるゴム組成物中のゴム成分は
、天然ゴム（ＮＲ）、およびＩｓ造式中に炭素−炭素二
重結合を有する合成ゴムを申独あるいは２種以上ブレン
ドしたものが使用できる。２Ｌ記合成ゴムにはイソプレ
ン、ブタジェン、クロロプレン等のハ役ジーｒン化合物
の１１１独重合体であるポリイソプレンゴム（ＩＲＥ、
ポリブタジェンゴム（ＢＲ）、ポリクロロプレンゴム等
、前記共役ジエン化合物とスチレン、アクリロニトリル
、ビニルピリジン、アクリル酸、メタクリル酸、アルキ
ルアクリレート類、アルキルメタクリレート類等のビニ
ル化合物との共重合体であるスチレンブタジェンＪｔ１
合ゴム（ＳＢＲ）、ビニルピリジンブタジェンスチレン
共重合ゴム、アクリロニトリルブタジェン共重合ゴム、
アクリル酸ブタジ丁ン共重合ゴム、メタクリル酸ブタジ
ェン共重合ゴム、メチルアクリレートブタジェン共重合
ゴム、メチルメタクリレートブタジェン共重合ゴム等、
エチレン、プ１］ピレン、イソブチレン等のオレフィン
類とジエン化合物との共重合体〔例えばイソブチレンイ
ソプレンＪＵｆｆ１合ゴム（ＩＩＲ））、オレフィン類
と非共役ジエンとの共重合体（ＦＰＤＭ）〔例えばエチ
レン、プロピレン、シクロペンタジェン三元共重合体、
エチレンプロピレン−５−■ヂリデンー２−ノルボルネ
ン三元共重合体、エチレンプロピレン−１，４−ヘキサ
ジエン三元共重合体〕、シフ【］オオレインを開環重合
させて得られるポリアルケナマ−（例えばポリベンテナ
マー）、Ａキシラン環の開環重合によって得られるゴム
（例えば硫黄加硫が可能なポリエビクロロヒドリ＝　　
１１　− ンゴム〕、ボリア【１ビ１ノンΔキシドゴム等が含まれ
る。また、前記各種ゴムのハロゲン化物、例λば塩素化
イソブチ１ノンイソブ１ノンｊｌ　ｌ　Ａゴム（ＣＪ−
１１Ｒ）、臭素化イソブチレンイソプ１ノン共重合ゴム
（ｔａｒ−ＩＩＲ）等も含まれる。更に、ノルボルネン
の開環重合体も用いうる。また更に、ブレン！！ゴムと
１ノでは」−述のゴムに１−ビクロルヒドリンゴム、ボ
リア【］ピレンＡギシドゴム、クロルスルフィン化ポリ
エチレン等の飽和弾性体をブレンドして用いることもで
きる。

更に本発明に用いるゴム組成物中には、常法に従い、！
ｆＩｉｌ造するゴム系複合体の［目的、用途などに応じ
てカーボンブラック、シリカ、炭酸カルシウム、＠酸カ
ルシウム、クレイ、ケイソウ土、マイカ等の充填剤、鉱
物油、植物油、合成可塑剤等の軟化剤、およびステアリ
ン酸等の加硫促進助剤、老化防止剤、架橋剤等を添加す
ることができる。

上記ゴム組成物と金属薄膜との接合は、１述した如く金
属薄膜上にゴム組成物を加熱圧着して加硫接着するもの
であるが、本発明のゴム系複合材Ｉｌ＋の［＋法に用い
られる加＠法としては、一般的でかつ最も重要＜Ｔ硫黄
加硫のほかに有機イオウ化合物による加硫、例えばジチ
オジモルフオリン、チウラム加硫、過酸化物加硫、キノ
イド加硫、樹脂加硫、金属］ｎ加硫、金属酸化物加硫、
ポリアミン加硫、放射線加硫、ヘキサメチレンテトラミ
ン加硫等などの方法が挙げられる。

又、本発明のゴム系複合材料の！ｌＩ造方法にて行なわ
れる加熱及び圧着の操作は、金属基体及びゴム組成物の
原形を損うことのない程度の温度、圧力にて金属ｉＪ膜
の形成された基体とゴム組成物とを密着すること、及び
亜鉛、銅、コバルト又はこれらの合金と加硫ゴム組成物
との分子間引力を形成するに必要な賦活熱エネルギーを
供給すること、更にはゴム組成物を加硫するに必要な賦
活熱エネルギーを供給することを目的として行なわれる
ものであり、このための適正な温度、圧力は基体及びゴ
ム組成物の種類により適宜選定され、その範囲は限定さ
れない。

１１飢１」 １メト説明したＪ、うに、金属基体表面上に真空蒸着法
、イオンプ１ノーティング法、ｒ）Ｃマグネト【］ンス
パッタリングン人、２極スパッタリングｉ人、高周波ス
パッタリング法から選ばれるドライメツ：１法により非
錯、銅及びこれらの合金から選ばれる金属薄膜を付着形
成し、次いで該金属薄膜上にゴムｌｆｌ成物を加熱圧着
して加硫接着するようにしたので、非常に接合性よく幅
広い種類の金属基体とゴム組成物とを複合化でき、しか
も接着剤や湿式メッキ法を使用しなくともよいので接着
剤や湿式メッキ法の使用に伴なう神々の問題点が解決さ
れ、耐久性の優れたゴム系複合材料が１ｇられ、また基
体として従来ゴム組成物との複合化が困難であった材質
、形状、４Ｊイズのものも使用することができる。

以下、実施例、比較例及び参考列を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に−ｊ限される
ものではない。

（実施例１〜６．比較例１．参考例１）基体材料として
＋ｔ＋　２５　ｕ　ｘ長さ６０關×厚さ２．３關の鉄鋼
片（４ｉｊ貿８８−４１　＞を用い、基体表面の洗浄、
乾燥を行ない、しかる後、基体を真空蒸着装置に設置し
、チャンバー内を１０−５丁ｏｒｒ以下の真空度として
から、この中に微苗のＡｒガスを流入して真空度を５ｘ
１０−３Ｔｏｒｒに調整した後、ＲＦ高周波電源による
ＲＦグロー放電にて５分間基体表面をクリーニングした
。クリーニング後、ＲＦグロー放電を止め、抵抗加熱法
により基体表面に第２表に示す膜厚の７０薄膜を形成し
た。なお、上記膜厚の測定はテーラーホブソン社製タリ
スデップを用いて行なった。

上記真空蒸着法により得られた基体表面の金属薄膜トに
下記第１表に示す種類の未加硫ゴム組成物を貼り合わせ
た後、１１４５℃で４０分間加圧して上記ゴム組成物を
加硫接着した。

上記ゴム組成物を加硫接着ｌ）で１けられたゴム系複合
材料につき、引張りｉ＋を験機により５（’）ｍｍ／１
ｎの引張３！度にて９０°剥離試験を行ない、接着性を
評価した。

また、比較のために上記洗浄、乾燥後の鉄鋼片及び参考
のために上記サイズの亜鉛片を洗浄、乾燥したものを基
体として用い、これら基体］−に７ｎ薄般を形成（ｔず
番、：直接、実施例１と同様に１）でゴム組成物を加硫
接着してゴム系複合材料を１ｑ、実施例１と同様の方法
にて接着性を評価（）た。

以」−の接着１１評価帖宋を第２表に併閉する。

第２表の結宋から、鉄鋼ｔＴＡ利からなる基体とゴム組
成物は加硫接着しない（比較例１）が、！ｌＩｉ鉛材料
からなる基体とゴム組成物は接着性Ｊ、く加硫接着しく
参考例１）、この接着性よく接合した参考例１のゴム系
複合材料ど同−基体材料、即ちゴム系複合材料が加硫接
着しなかった比較例１のゴム系複合材料の基体１−に７
０を真空蒸着し、本発明の製造方法に従って製造した実
施例１〜６のゴム系複合材料はＺｎの蒸ｉ膜の膜厚に依
存１！ず優れた接着性を示１ノ、７ｎの蒸着躾が４０人
と極めて薄い場合でも参考例１のゴム系複合材料の基イ
ホ、即ち亜鉛片と同等の接着力、接着性能を示す接着性
に優れたものであり、本発明の効宋が確認された。

〔実施例７〜９．比較例２〜４．参考例２．３〕実ｍ例
１の７ｎＷｌ膜に代えて、第３表に示す神類、膜厚の金
属薄膜を形成した以外は実施例１と同様にして実施例７
〜９及び比較例２〜４のゴム系複合材料を１り、また、
参考例′１の基体材料に代えて第３表に示’？１基体＋
４料を用いたＩＸ　ＩＡｌ、、Ｌ参考例１と同様にして
参考例２，３のゴム系複合材料を冑、これらゴム系複合
材料の接着性を上記実施例１と同様の方法にて評価した
。

」ス上の接着性評価結果を第３表に併記する。

第２表及び第３表の結果から、金属薄膜の材料として非
錯、銅、コバルト及び黄銅などのこれらの合金から選ば
れる金属を真空蒸着し、本発明の方法に従って製造した
ゴム系複合材１ｉｔ（実施例７〜９）Ｉよ、接着性に優
れているが、上記以外の材料の例えばＳｎ、Ｎｉ　、Ａ
Ｊを用いて金属薄膜を形成することにより本発明の範囲
を外れて製造したゴム系複合材料（比較例２〜４）はた
とえ他の部分が本発明の方法に従っていようとも接着性
に優れたものは冑られず、本発明の効果をより一層具体
的に示すものである。

又、参考例３からは、参考例１と同様にゴム系複合材料
の接着性は基体材料と加ｆａ時のゴム組成物との接合面
（界面）での相互材料間の分子間引力の形成を示唆する
ものであり、参考例２のゴム系複合材料は接着力に劣っ
ていたが、これは加硫接着時の金属破壊に基くものであ
り、同材料を目視観察すると界面では基体とゴム組成物
がしっかりと接合しており、従って上記推定を裏付ける
ものである。

〔実施例１０へ・１４〕 実施例１で用いたものと同じ材質、形状の鉄鋼片を基体
としてマグネト１１ンスパッタ装置の基板ホルダーに設
置し、１０　　’　−「ｏｒｒ　１ス下の真空度にして
からチ１１ンバー内にＡｒガスを微邑流し込み、真空度
を（’）、ＩＴｏｒｒとし、１３．５６ＭＨｚの高周波
によるグ［１−放電にて５分間基体表面をクリーニング
した。次にターゲット金属としＴＺｎｌｎい、−６００
Ｖ（７）直流電ｎ：〈ターゲット電圧〉を印加し、Ａｒ
プラズマでスパッターを行ない、第４表に示す７０薄膜
を付着形成した。

上記ドライメッキ法により得られた基体表面の金属ｗＩ
膜上に実施例１と同様のゴム組成物を実施例１と同様に
して加硫接着を行イＴい、ゴム系複合材料（実施例１０
〜１４）を得、実施例１と同様の方法にて接着性を評価
した。

以上の接着性評価結果を第４表に併記する。

第４表 第４表の結束から、ドライメッキ法としてＤｃ７グネト
目ンメンスパッタリング法いても、本発明の製造方法（
こ従って製造した実施例１０〜１４のゴム系複合材料は
、７ｎ薄膜の膜厚に依存することなく接着性に優れてお
り、本発明の効果が確認された。

〔実施例１５．１６、比較例５〕 実施例１０のゴム系複合材料を得るために付着形成した
金属薄膜の金属種を７０がらＣ’ｏ、ｃｕ。

Ａノに代え、スパッタリング条件のうちターゲット電圧
をＣｏの場合は一６００ＶＸＣ１ｌの場合は一１Ｉ’５
０Ｖ、Ａ、１（ｒ）場合は一３００Ｖとした以外は実施
例１０と同様にしてゴム系複合材料（実施例１５，１６
、比較例５）を得、同様の方法にて接着性を評価した。

以上の接着性評価結束を第５表に示す。

第５表 第５表の結１！　ｈ目う、本発明の製造方法に従い、本
発明の範囲を満足Ｊる金属種の金属薄膜を１妾合面に付
着形成した場合には、実施例１０と同様、ドライメツ１
−法と１ノでＤＣマグネト［１ンスパッタリング法を用
いでも接着性に優れたゴム系複合材料が冑られるが、金
属薄膜の金属種が本発明の範囲を外れる場合に（１、比
較例４と同様、ドライメッキ法を真空蒸着法からｌ−Ｉ
　Ｃマグネトロンスパッタリング法に代えて′ｂ接接着
に優れたゴム系複合材料は得られず、本発明の効果がよ
り一層確認されるとともに、接合が分子間引力の形成（
Ｊ、るｔつ−２４＝ のであり、接合面に付着形成する金属薄膜の金属種に依
存することが確認された。

〔実施例１７〜１９〕 実施例１と同様の基体、ドライメッキ装置を用い、蒸発
金属としてＺｎ　、Ｃｕ　、７ｎ−Ｃｕ合金（プラス組
成）を用い、実施例１と同様の基体表面のクリーニング
後、第６表に示すイオンブレーティング条件にて基体表
面に金属Ｍ膜を形成した。

以下、実施例１と同様のゴム組成物を実施例１と同様に
して加硫接着を行ない、ゴム系複合材料（実施例１７〜
１９）を得、実施例１と同様の方法にて接着性を評価し
た。

以上の接着性評価結束を第６表に併記する。

第６表 第６表の結果から、ドライメッキ法と１ノてイオンプレ
ーティング法を用いても本発明のＩ　ｌｕｌ＋を満足す
る金ＷＩ４種の金属薄膜を接合面に付着形成し、本発明
の製造方法に従ってゴム系複合材料を製造した場合には
ドライメッキ法の種類によらず接着性に優れたゴム系複
合材料が得られることが確認された。

＝　　２６　− 手続補正帯（自発） 昭和６１年３月５日 昭和６０年特許願第２２９６４０号 ２、発明の名称 ゴム系複合材料の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　　所　　東京都中央区京橋−丁目１０番１号氏　　
名　　（５２７）株式会社　　ブリデストン代表者　　
家　入　　昭 ４、代理人　〒１０４ 住　　所　　東京都中央区銀座３丁目１１番１４号ダパ
クリエートビル５階　電話（５４５）６４５４明細書の
「特許請求の範囲」の欄及び「発明の詳細６、補正の内
容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。

（２）明細書の第２頁第１３行１１及び第１７行１゛１
にそれぞれ「バンパー」とあるのをいずれも「防振ゴム
」と訂正する。

（３）同第２「ｆ第１５行目に［新規複合材料の・・・
期待さ］とあるのを［複合材料の開発がさかんになさ］
と訂正する。

（４）同第３頁第８行目の「組成物を」の次に［間接的
に」を挿入する。

（５）同第３頁第１Ｏ行１１の「圧着して」の次に「直
接」を挿入する。

（６）同第３頁第１２行］］乃至第１９行［１に［この
うち、・・・を有する。」とあるのを削除する。

（７）同第３頁第２０行目に「しかも、このように」と
あるのを「このうち」と訂正する。

（８）同第４頁第２行目乃至第１２行目に「複合化する
方法は、・・・求められている。」とあるのを「複合化
する間接的な方法は、防振ゴムの製造等で実用に供せら
れているが、被着体の前処理、接着剤の管理を要するな
ど塗工上のさまざまな留意点を要し、工程が複雑である
上、有機溶媒の使用や前処理剤の後処理等の安全衛生面
でも問題が多い。また、このような間接的な接着法はタ
イヤの如く高度に過酷な環境下に晒されるものに対して
は実質的には使用できないという問題があり、このため
タイヤ製造等の業界においては接着剤を使用しない接合
技術が求められている。」と訂正する。

（９）同第９頁第１４行目に「分子間引力」とあるのを
「接着ノ月と訂正する。

（１０）同第９頁第１６行目乃至第１０頁第１行目に「
この場合・・・が好ましい。」とあるのを削除する。

（１１）同第１３頁第４行目乃至第７行目に「過酸化物
加硫、・・・加硫等」とあるのを削除する。

（１２）同第１７頁の第２表における脚注（注３）に［
表中Ｒはゴム破壊、Ｍ／Ｒは金属／ゴム間の界面剥離を
表わし、各々の数値は破壊ないし剥離の％を表わし、Ｍ
／Ｒｘ＝Ｒ−（１００−Ｘ）の関係がある。」とあるの
を「表中Ｒはゴム破壊、Ｍ／Ｒは金属／ゴム間の界面剥
離を表わし、各々の数値は破壊ないし剥離の％を表わす
。」と訂正する。

（１３）同第２０頁の第４表における脚注（注４）の第
２行目に［し、Ｒ／　Ｔ　ｘ　＝　Ｒ−（１−００−ｘ
　）の関係がある。ｊとあるのを「す。」と訂正する。

（１４）同第２１頁第１４行目乃至第１５行目にｒ分子
間引ノ月とあるのを［接着力Ｊと訂正する。

（１５）同第２４頁最終行目乃至第２５頁第１行目に「
接合が・・・であり、」とあるのを削除する。

以」ニ 特許請求の範囲 ［１，金属基体とゴム組成物とを接合してなるゴム系複
合材料の製造方法において、金属基体表面一」―に真空
蒸着法、イオンブレーティング法、ＤＣマグネトロンス
パッタリング法、２極スパッタリング法、高周波スパッ
タリング法から選ばれるドライメッキ法により亜鉛、銅
、コバルト及びこれらの合金から選ばれる金属薄膜を付
着形成し、次いで該金属薄膜上に有機コバルト塩を含有
したゴム組成物を加熱圧着して加硫接着することを特徴
とするゴム系複合材料の製造方法。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、金属基体とゴム組成物とを接合してなるゴム系複合
   材料の製造方法において、金属基体表面上に真空蒸着法
   、イオンプレーティング法、ＤＣマグネトロンスパッタ
   リング法、２極スパッタリング法、高周波スパッタリン
   グ法から選ばれるドライメッキ法により亜鉛、銅、コバ
   ルト及びこれらの合金から選ばれる金属薄膜を付着形成
   し、次いで該金属薄膜上に有機コバルト塩を含有したゴ
   ム組成物を加熱圧着して加硫接着することを特徴とする
   ゴム系複合材料の製造方法。 ２、加硫が硫黄加硫である特許請求の範囲第１項記載の
   方法。