JPS6287307A - 化合物半導体の分割方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ）　産業上の利用分野 本発明は精度の高い化合物半導体の分割方法に関する。

口）従来の技術 従来より半導体ウェハの分割方法は特公昭５３−９８９
６号公報に示されるように切断を主とするダイシング法
とへき開を利用するスクライプ法がある。分割に際して
制度を求められる時はスクライプ法を用いるが、第２図
に示すようにスクライプ方向とへき開方位とがわずかで
もずれると分割側面（１６）かのこ歯状になる。この傾
向は硅素等でもみられる力釈化合物半導体の場合結晶が
脆いので顕著である。さらに光プリンタヘッド用モノリ
シック発光ダイオード等では発光部間距離が一定でない
と印字品質を劣悪化きせるので、素−Ｅ分割において端
の発光部から素子端縁になるべき位置までの距離の許’
ｓｉｔは狭く、断るのこ歯状の凹凸は大きい時ｔｏｕｍ
をこえるので発光領域（１２）や電極（１３）を損傷し
不都合である。

一゛力実開昭５４−８６９４８号公報の如くスクライプ
針を２本使って深い傷をつ（Ｊてスクライプする装置も
あるが、硅素の如く比較的やわらかい半導体ウェハでは
効果があるが化合物半導体ではあまり効果がなかった。

ハ）発明が解決しようとする問題点 本発明は一ヒ述の点を考慮してなされたもので、不良素
子のできにくい化合物半導体の分割方法を提供するもの
である。

二）問題点を解決するための手段 本発明は平行で間隔の狭いスクライブラインを設げて加
圧する化合物半導体の分割方法である。

ホ）　作用 これによりへき開方位とのずれがあっても２本のスクラ
イブラインの間を渡るようにして割れるので素子等に悪
影響を与えることはない。

へ）実施例 第１図（ａ）乃至（ｃ）は本発明実施例の化合物半導体
の分割方法を説明する工程図で、ＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ
光プリンタ用発光グイオードアレイの場合を例にとって
いる。まず半導体ウェハ（１〉の表面には選択拡散等に
て発光領域（２）（２）・・・や電極（３）（３）・・
・を設はであるが、所定の個所にへき開方向に一致させ
てスクライブライン（４）（４）を設ける。スクライブ
ライン（４）（４）は例えばダイヤモンドポインタによ
ってけがくことで設けられるが２本１組で設けられ、そ
の間隔（１）は数１１１ｎと狭い。次いで第１図（ｂ）
に示すようにウェハ（１）の裏面より［１−ラ（５）で
加圧して素子分離をする。分離側面は２木のスクライブ
ライン（４）（４）のうち一方に沿ってへき開して得ら
れるが、・＼き開方位が微妙にずれたときには第１図（
Ｃ）に示すように２本のスクライブライン（４）（４）
の間を泄るよにしてへき関して分離側面（６）が得られ
る。従−ってこの場合もある程度ののと歯状となるがそ
の凹凸はスクライブライン（４）（４）の１１１によン
Ｔ規制されるので発光領域（２＞（２）・・・や電極（
３）（３）・・・には影響がない。

スクライブライン（４）（４）の間隔（１）は重ならな
い程度に近ければよいが、あまり離れると効果がなく、
スクライブライン（４Ｈ４）の外側に向かってへき開す
ることがある。実験によると９岬以下の巾であれば内側
がへき関した。

ト）発明の効果 以上の如くにより大きな凹凸を有するへき開は生じない
から従来へき開の不良率が１３％あったものが４％以下
となり、精度のよい分割が行なえる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）乃至（ｃ）は本発明実施例の化合物半導体
の分割方法を説明する工程図、第２図は従来の分割方法
によって得られた素子の要部平面図である。 （１）・・・ウェハ　（２）（２）・・・発光領域　（
３）（３）・・・を極　（４）（４）・・・スクライブ
ライン　（５）・・・ローラ、（６）・・・分離側面

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）化合物半導体ウェハの表面に平行で間隔の狭いスク
   ライブラインをウェハのへき開方向に設ける工程と、そ
   のウェハを加圧する工程を具備した事を特徴とする化合
   物半導体の分割方法。 ２）前記スクライブラインは間隔が９μｍ以下である事
   を特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の化合物半
   導体の分割方法。