JPS6280276A - プラズマcvd装置 - Google Patents

プラズマcvd装置

Info

Publication number
JPS6280276A
JPS6280276A JP22105085A JP22105085A JPS6280276A JP S6280276 A JPS6280276 A JP S6280276A JP 22105085 A JP22105085 A JP 22105085A JP 22105085 A JP22105085 A JP 22105085A JP S6280276 A JPS6280276 A JP S6280276A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
wafer
trays
tray
holders
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22105085A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Osaki
大崎 実
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP22105085A priority Critical patent/JPS6280276A/ja
Publication of JPS6280276A publication Critical patent/JPS6280276A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプラズマCVD装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、この種のプラズマCVD装置は第3図(α)。
(b)に示すように側力室Yに未処理ウェーハーストレ
ー13を処理室1に搬入する為の真空予備室7と、処理
済のウェーハーストレー9を処理室1から搬出する為の
真空予備室18 、19と、ウェーハースを処理する処
理室1が設置され、作業面Mより搬入された未処理のウ
ェーハーストレー13は側力室Yに設置された処理部1
で処理され、再び作業iffiMへ回収される構成とな
っていた。2はガス吹き出し板、3はガス供給機構、4
は高周波源、5はウェーハーストレー搬送機構である。
6は排気装置、14 、15はパルプ、17は壁である
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のプラズマGO装置においては、ウェーハ
ーストレーを搬入する真空予備室と処理済のウェー・・
−ストレーを処理室から回収する真空予備室とから構成
されているために、作業面から搬入されたウェーハース
トレーを再び作業面に取り出すには回収用の真空予備室
から作業面までの搬送系を必要とし、装置の設置面積を
広くとるという欠点がある@ 本発明は前記問題点を解消し、装置の設置面積を小さく
するプラズマCVD装置を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はプラズマG〕を行うウエーノ1−ス処理i1 
ト前記つニーハース処理室ヘウエーノ1−ストレーを搬
入・搬出する真空予備室を有するプラズマCVD装置に
おいて、前記真空予備室にウェーハーストレーを上下2
段に収納するトレーホルダーと・トレーホルダーを上下
に動かす機構と、2段のトレーホルダーのウェーハース
トレーをそれぞれ単独で作業面から真空予備室を通して
ウエーノ・−ス処理室へ搬入・搬出する機構を有するこ
とを特徴とするプラズマQの装置である。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。ウェーハー
ス処理室1には下からガスが吹き出す吹き出し板2と、
吹き出し板2にガスを供給するガス供給機構3があり、
ガス吹き出し板2には高周波源4が印加され、ウェーハ
ーストレー搬送機構5を有し、排気装置6で排気される
構成になっており、真空予備室7にはウェーハーストレ
ー搬送機構8と、ウェーハーストレー9,13を2段に
収納するトレーホルダー10と、2段のトレーホルダー
10を上下に動作させる機構11を有し、排気装置12
で排気できる構成になっており、作業面Mにあるウェー
ハーストレー13をパルプ14を開け、2段のトレーホ
ルダー10を下げ上段に乗せ、バルブ14を閉じ排気機
構12で真空引きした後、バルブ15を開け、あらかじ
め真空引きしであるウエーノ・−ス処理室1へ搬送し、
パルプ15を閉じ処理を行う。
一方真空予備室7を大気圧にして、再び作業面のウェー
ハーストレー13を真空予備室702段トレーホルダー
の上段に乗せ、真空引きを行い、2段のトレホルダーを
上下に動作させる機構11で上に上げておき、ヒーター
16で加熱しながら待機させておく。ウェーハース処理
室1で処理が終了したウェーハーストレー9をパルプ1
5を通して2段トレーホルダーの下段に搬出し、2段ト
レーホルダー11を下に下げ上段に入っていたウェーハ
ーストレー13をウェーハース処理室1へ搬入させバル
ブ15を閉じ、真空予備室7を大気圧にし作業面より未
処理のウェーハーストレー13を2段トレーホルダー1
0の上段に入れ、2段トレーホルダー10を上に上げ、
下段に入っている処理済のウェーハーストレー13を作
業面へ取り出し、バルブ14を閉じ真空引きする。2段
トレーの上段と下段の駆動は第2図に示すようにトレー
ホルダー10が上下に移動するときは外部からの駆動伝
達部を切り離し、トレーホルダー10が所定の位置に達
しウェーハーストレー9,13を移動させるときには、
駆動伝達部を接続することにより目的を達成させる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は真空予備室に2段のトレー
ホルダーとトレーホルダーを外部より上下に駆動させる
機構とトレーホルダーのウェーハーストレーをウェーハ
ース処理室へ搬入及び搬出させる機構を有することによ
って、真空予備室を1つだけにすることができ、装置の
設置面積を小さくすることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(α)は本発明の一実施例を示す平面図、(b)
は第1図(ωのA−A′線断面図、第2図はトレーホル
ダーの斜視図、第3図(α)は従来例を示す平面図、(
b)は第3図(α)のA−N線断面図である。 1・・・ウェーハース処理室、2・・・ガス吹き出し板
、3・・・ガス供給機構、4・・・高周波源、5・・・
ウェーハーストレー搬送機構、6・・・排気装置、7・
・・真空予備室、8・・・真空予備室搬送機構、9・・
・処理済のウェーハーストレー、10・・・トレーホル
ダー、11・・・トレーホルダー上下動作機構、12・
・・真空予備室の排気装置、13・・・未処理のウェー
ハーストレー、14.15・・・パルプ、16・・・ヒ
ーター、17・・・壁、18.19・・・回収用真空予
備室 特許出願人  九州日本電気株式会社 \−,,ニー′

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)プラズマCVDを行うウェーハース処理室と前記
    ウェーハース処理室へウェーハーストレーを搬入・搬出
    する真空予備室を有するプラズマCVD装置において、
    前記真空予備室にウェーハーストレーを上下2段に収納
    するトレーホルダーと、トレーホルダーを上下に動かす
    機構と、2段のトレーホルダーのウェーハーストレーを
    それぞれ単独で作業面から真空予備室を通してウェーハ
    ース処理室へ搬入・搬出する機構を有することを特徴と
    するプラズマCVD装置。
JP22105085A 1985-10-03 1985-10-03 プラズマcvd装置 Pending JPS6280276A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22105085A JPS6280276A (ja) 1985-10-03 1985-10-03 プラズマcvd装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22105085A JPS6280276A (ja) 1985-10-03 1985-10-03 プラズマcvd装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6280276A true JPS6280276A (ja) 1987-04-13

Family

ID=16760707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22105085A Pending JPS6280276A (ja) 1985-10-03 1985-10-03 プラズマcvd装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6280276A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03232971A (ja) * 1990-02-09 1991-10-16 Hitachi Ltd 薄膜形成方法
JP2005211865A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Masato Toshima プラズマ処理装置
US20070199509A1 (en) * 2003-09-05 2007-08-30 Moffatt William A Apparatus for the efficient coating of substrates

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03232971A (ja) * 1990-02-09 1991-10-16 Hitachi Ltd 薄膜形成方法
US20070199509A1 (en) * 2003-09-05 2007-08-30 Moffatt William A Apparatus for the efficient coating of substrates
JP2005211865A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Masato Toshima プラズマ処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101291630B1 (ko) 클린 스토커와 물품의 보관방법
JP2001519095A (ja) カセットから炉へのウエーハ移送用のシステム及び方法
KR19990082011A (ko) 진공 일체형 표준 메카니컬 인터페이스 시스템
JP2600399B2 (ja) 半導体ウエーハ処理装置
JPH0336735B2 (ja)
JP5314607B2 (ja) 接合装置、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2001135704A (ja) 基板処理装置及び基板搬送用トレイの搬送制御方法
JP3632812B2 (ja) 基板搬送移載装置
TWI697065B (zh) 真空處理裝置
JPH11513006A (ja) 基板キャリアおよびロードロック用ドア駆動装置
JPS6280276A (ja) プラズマcvd装置
JP2002246432A (ja) 基板処理装置
JPH10247675A (ja) マルチチャンバシステム及びその搬送台車並びにゲートバルブさらにはその排気制御方法及びその装置
JPS5831532A (ja) プラズマ処理装置
JPS62996B2 (ja)
JPH02140948A (ja) 真空処理装置
JP2000323548A (ja) 真空処理システム
JPS6328863A (ja) 真空処理装置
JPH04233747A (ja) キャリアストッカ
JPS61246381A (ja) 真空処理装置
JPH1074815A (ja) 搬送方法及びその装置
US6030459A (en) Low-pressure processing device
KR0166381B1 (ko) 진공처리장치
JPH03134176A (ja) 真空処理装置用ユニット
WO2021220807A1 (ja) 基板処理装置及び基板搬送方法