JPH03232971A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH03232971A JPH03232971A JP2854890A JP2854890A JPH03232971A JP H03232971 A JPH03232971 A JP H03232971A JP 2854890 A JP2854890 A JP 2854890A JP 2854890 A JP2854890 A JP 2854890A JP H03232971 A JPH03232971 A JP H03232971A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 7
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 33
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体素子製造装置に係り、特に塗布型絶縁
膜(たとえば、東京応化工業製品OCDに代表されるよ
うなSi有機化合物溶液より形成する絶縁膜)および気
相反応法による絶縁膜形成を連続して行うに好適な薄膜
形成装置の構造に関する。 [従来の技術1 従来技術では、塗布型絶縁膜の焼成とその後行うたとえ
ばCVD法などによる薄膜形成とは独立した装置で行っ
ていた。例えば、ソリッド・ステイト・テクノロジ誌、
1986年10月号。 第95頁から第100頁(S olid S tate
Technology/ 0ctober (1986
) pp、 95−100)の特に第98頁第11行乃
至第28行において論じられている。
膜(たとえば、東京応化工業製品OCDに代表されるよ
うなSi有機化合物溶液より形成する絶縁膜)および気
相反応法による絶縁膜形成を連続して行うに好適な薄膜
形成装置の構造に関する。 [従来の技術1 従来技術では、塗布型絶縁膜の焼成とその後行うたとえ
ばCVD法などによる薄膜形成とは独立した装置で行っ
ていた。例えば、ソリッド・ステイト・テクノロジ誌、
1986年10月号。 第95頁から第100頁(S olid S tate
Technology/ 0ctober (1986
) pp、 95−100)の特に第98頁第11行乃
至第28行において論じられている。
従来技術では、塗布型絶縁膜の焼成後、引続いて行う例
えばCVD法による薄膜形成は連続処理可能な構造にな
っておらず、大気中で焼成された塗布型絶縁膜の吸湿性
が高いために、CVD法による薄膜形成後、重ね膜の特
性が劣化する問題があった。 本発明の目的は、塗布型絶縁膜に吸湿させることなく、
CVD法による薄膜を連続形成する装置を提供すること
にある。 【課題を解決するための手段] 上記目的は、プラズマCVD装置等の気相薄膜形成装置
の予備排気室内で塗布型絶縁膜を焼成可能とすることに
より達成される。 すなわち、例えばプラズマCVD装置の予備排気室内に
試料台を設置し、予備排気室内において該試料台に保持
された試料を加熱する手段および試料にオゾンを供給す
る手段を設ける。 [作用] 予備排気室内で塗布型絶縁膜を焼成した後、予備排気室
および薄膜形成室を減圧状態(水分を含まない状態にし
て、試料を薄膜形成室に移し、りき続き重ね膜を形成で
きるので、塗布型絶縁膜は焼成後に水分を吸収すること
がない。 【実施例) 以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。本実
施例にはプラズマCVD装置に本発明を適用した場合に
ついて示した。 プラズマCVD反応室(薄膜形成室)12と予備排気室
11は、ゲートバルブ13によって仕切られており、薄
膜を形成すべき板状試料14は、搬送機構15によって
、ゲートバルブ13を通して、予備排気室11および反
応室12両室間を移動できる。また、予備排気室11に
は加熱用のう− ンプ18およびオゾン導入用のパイプ19が備えである
。パイプ19の先端にはノズル17が付いている。 次にこの装置を用い、半導体素子の形成された板状試料
14上に形成した塗布型絶縁膜を焼成し、続いてこの膜
上にS i N x膜を形成した例を示す。 まず、半導体素子の形成された板状試料14上に通常の
スピンコード法により東京応化工業社製○CD−タイプ
7を用いて塗布型絶縁膜を形成した。次に予備排気室1
5内にある搬送機構15に板状資料14を載置し、ラン
プ18により200℃に加熱した状態で、オゾン発生器
16で発生させたオゾンを、気流均一化ノズル17を通
して板状試料14表面に導びいた。この状態で20分間
保つことにより塗布絶縁膜を焼成した。 次に、オゾンの供給を停止し、予備排気室を真空排気し
た後、搬送機構15により板状試料14をプラズマ反応
室12にゲートバルブ13を通して搬送した。ここで従
来法と同様にプラズマCVD法によるS i N x薄
膜を堆積した。上記説明=4− から明かなように、塗布型絶縁膜焼成後は試料を大気に
接触する事なく、プラズマCVD膜を形成できる。 焼成前と03焼成後の塗布絶縁膜の赤外線吸収スペクト
ル(高感度FT−IR光度計にて測定)を示す第2図か
ら明らかなように、焼成前の膜には水分による○−Hや
有機質の5i−CH,による吸収が確認できるのに対し
、03処理を行なった膜は、O−Hや5i−CH,の吸
収が無くなっている。そして、焼成後の膜には新たにS
i−〇の吸収が見られ、焼成後の膜は完全に無機質化し
ていると考えられる。 [発明の効果] 本発明によれば、塗布型絶縁膜を吸湿させることなく、
プラズマCVD膜を形成することができるので、重ね膜
のクラック等が発生しないのはもとより、絶縁耐圧低下
2表面リーク電流増加等の特性劣化を起さない効果があ
る。
えばCVD法による薄膜形成は連続処理可能な構造にな
っておらず、大気中で焼成された塗布型絶縁膜の吸湿性
が高いために、CVD法による薄膜形成後、重ね膜の特
性が劣化する問題があった。 本発明の目的は、塗布型絶縁膜に吸湿させることなく、
CVD法による薄膜を連続形成する装置を提供すること
にある。 【課題を解決するための手段] 上記目的は、プラズマCVD装置等の気相薄膜形成装置
の予備排気室内で塗布型絶縁膜を焼成可能とすることに
より達成される。 すなわち、例えばプラズマCVD装置の予備排気室内に
試料台を設置し、予備排気室内において該試料台に保持
された試料を加熱する手段および試料にオゾンを供給す
る手段を設ける。 [作用] 予備排気室内で塗布型絶縁膜を焼成した後、予備排気室
および薄膜形成室を減圧状態(水分を含まない状態にし
て、試料を薄膜形成室に移し、りき続き重ね膜を形成で
きるので、塗布型絶縁膜は焼成後に水分を吸収すること
がない。 【実施例) 以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。本実
施例にはプラズマCVD装置に本発明を適用した場合に
ついて示した。 プラズマCVD反応室(薄膜形成室)12と予備排気室
11は、ゲートバルブ13によって仕切られており、薄
膜を形成すべき板状試料14は、搬送機構15によって
、ゲートバルブ13を通して、予備排気室11および反
応室12両室間を移動できる。また、予備排気室11に
は加熱用のう− ンプ18およびオゾン導入用のパイプ19が備えである
。パイプ19の先端にはノズル17が付いている。 次にこの装置を用い、半導体素子の形成された板状試料
14上に形成した塗布型絶縁膜を焼成し、続いてこの膜
上にS i N x膜を形成した例を示す。 まず、半導体素子の形成された板状試料14上に通常の
スピンコード法により東京応化工業社製○CD−タイプ
7を用いて塗布型絶縁膜を形成した。次に予備排気室1
5内にある搬送機構15に板状資料14を載置し、ラン
プ18により200℃に加熱した状態で、オゾン発生器
16で発生させたオゾンを、気流均一化ノズル17を通
して板状試料14表面に導びいた。この状態で20分間
保つことにより塗布絶縁膜を焼成した。 次に、オゾンの供給を停止し、予備排気室を真空排気し
た後、搬送機構15により板状試料14をプラズマ反応
室12にゲートバルブ13を通して搬送した。ここで従
来法と同様にプラズマCVD法によるS i N x薄
膜を堆積した。上記説明=4− から明かなように、塗布型絶縁膜焼成後は試料を大気に
接触する事なく、プラズマCVD膜を形成できる。 焼成前と03焼成後の塗布絶縁膜の赤外線吸収スペクト
ル(高感度FT−IR光度計にて測定)を示す第2図か
ら明らかなように、焼成前の膜には水分による○−Hや
有機質の5i−CH,による吸収が確認できるのに対し
、03処理を行なった膜は、O−Hや5i−CH,の吸
収が無くなっている。そして、焼成後の膜には新たにS
i−〇の吸収が見られ、焼成後の膜は完全に無機質化し
ていると考えられる。 [発明の効果] 本発明によれば、塗布型絶縁膜を吸湿させることなく、
プラズマCVD膜を形成することができるので、重ね膜
のクラック等が発生しないのはもとより、絶縁耐圧低下
2表面リーク電流増加等の特性劣化を起さない効果があ
る。
第1図は本発明による気相薄膜形成装置の概略断面図、
第2図は、塗布型絶縁膜の焼成前および焼成後の赤外線
吸収スペクトルを示す図である。 14・・試料、15・・・試料台、16・・オゾン発生
器、18・・・加熱用ランプ。
第2図は、塗布型絶縁膜の焼成前および焼成後の赤外線
吸収スペクトルを示す図である。 14・・試料、15・・・試料台、16・・オゾン発生
器、18・・・加熱用ランプ。
Claims (1)
- 1.薄膜形成室と予備排気室を有し、かつ、上記2室の
間を減圧下で試料の搬送が可能な構造になっている気相
薄膜形成装置において、上記予備排気室内の試料を加熱
する手段および試料にオゾンを供給する手段を有してい
ることを特徴とする気相薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2028548A JPH07100855B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2028548A JPH07100855B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03232971A true JPH03232971A (ja) | 1991-10-16 |
JPH07100855B2 JPH07100855B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=12251712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2028548A Expired - Fee Related JPH07100855B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07100855B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208500A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Nec Corp | コ―ルドウォ―ル型枚葉式ランプ加熱炉 |
KR100455427B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기표면처리장치 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6280276A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-13 | Nec Kyushu Ltd | プラズマcvd装置 |
JPH01298164A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Canon Inc | 機能性堆積膜の形成方法 |
-
1990
- 1990-02-09 JP JP2028548A patent/JPH07100855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6280276A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-13 | Nec Kyushu Ltd | プラズマcvd装置 |
JPH01298164A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Canon Inc | 機能性堆積膜の形成方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208500A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Nec Corp | コ―ルドウォ―ル型枚葉式ランプ加熱炉 |
KR100455427B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기표면처리장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07100855B2 (ja) | 1995-11-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |