JPH03232971A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH03232971A JPH03232971A JP2854890A JP2854890A JPH03232971A JP H03232971 A JPH03232971 A JP H03232971A JP 2854890 A JP2854890 A JP 2854890A JP 2854890 A JP2854890 A JP 2854890A JP H03232971 A JPH03232971 A JP H03232971A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 7
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体素子製造装置に係り、特に塗布型絶縁
膜（たとえば、東京応化工業製品ＯＣＤに代表されるよ
うなＳｉ有機化合物溶液より形成する絶縁膜）および気
相反応法による絶縁膜形成を連続して行うに好適な薄膜
形成装置の構造に関する。 ［従来の技術１ 従来技術では、塗布型絶縁膜の焼成とその後行うたとえ
ばＣＶＤ法などによる薄膜形成とは独立した装置で行っ
ていた。例えば、ソリッド・ステイト・テクノロジ誌、
１９８６年１０月号。 第９５頁から第１００頁（Ｓ ｏｌｉｄ Ｓ ｔａｔｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ／ ０ｃｔｏｂｅｒ （１９８６
） ｐｐ、 ９５−１００）の特に第９８頁第１１行乃
至第２８行において論じられている。
膜（たとえば、東京応化工業製品ＯＣＤに代表されるよ
うなＳｉ有機化合物溶液より形成する絶縁膜）および気
相反応法による絶縁膜形成を連続して行うに好適な薄膜
形成装置の構造に関する。 ［従来の技術１ 従来技術では、塗布型絶縁膜の焼成とその後行うたとえ
ばＣＶＤ法などによる薄膜形成とは独立した装置で行っ
ていた。例えば、ソリッド・ステイト・テクノロジ誌、
１９８６年１０月号。 第９５頁から第１００頁（Ｓ ｏｌｉｄ Ｓ ｔａｔｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ／ ０ｃｔｏｂｅｒ （１９８６
） ｐｐ、 ９５−１００）の特に第９８頁第１１行乃
至第２８行において論じられている。
従来技術では、塗布型絶縁膜の焼成後、引続いて行う例
えばＣＶＤ法による薄膜形成は連続処理可能な構造にな
っておらず、大気中で焼成された塗布型絶縁膜の吸湿性
が高いために、ＣＶＤ法による薄膜形成後、重ね膜の特
性が劣化する問題があった。 本発明の目的は、塗布型絶縁膜に吸湿させることなく、
ＣＶＤ法による薄膜を連続形成する装置を提供すること
にある。 【課題を解決するための手段］ 上記目的は、プラズマＣＶＤ装置等の気相薄膜形成装置
の予備排気室内で塗布型絶縁膜を焼成可能とすることに
より達成される。 すなわち、例えばプラズマＣＶＤ装置の予備排気室内に
試料台を設置し、予備排気室内において該試料台に保持
された試料を加熱する手段および試料にオゾンを供給す
る手段を設ける。 ［作用］ 予備排気室内で塗布型絶縁膜を焼成した後、予備排気室
および薄膜形成室を減圧状態（水分を含まない状態にし
て、試料を薄膜形成室に移し、りき続き重ね膜を形成で
きるので、塗布型絶縁膜は焼成後に水分を吸収すること
がない。 【実施例） 以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。本実
施例にはプラズマＣＶＤ装置に本発明を適用した場合に
ついて示した。 プラズマＣＶＤ反応室（薄膜形成室）１２と予備排気室
１１は、ゲートバルブ１３によって仕切られており、薄
膜を形成すべき板状試料１４は、搬送機構１５によって
、ゲートバルブ１３を通して、予備排気室１１および反
応室１２両室間を移動できる。また、予備排気室１１に
は加熱用のう− ンプ１８およびオゾン導入用のパイプ１９が備えである
。パイプ１９の先端にはノズル１７が付いている。 次にこの装置を用い、半導体素子の形成された板状試料
１４上に形成した塗布型絶縁膜を焼成し、続いてこの膜
上にＳ ｉ Ｎ ｘ膜を形成した例を示す。 まず、半導体素子の形成された板状試料１４上に通常の
スピンコード法により東京応化工業社製○ＣＤ−タイプ
７を用いて塗布型絶縁膜を形成した。次に予備排気室１
５内にある搬送機構１５に板状資料１４を載置し、ラン
プ１８により２００℃に加熱した状態で、オゾン発生器
１６で発生させたオゾンを、気流均一化ノズル１７を通
して板状試料１４表面に導びいた。この状態で２０分間
保つことにより塗布絶縁膜を焼成した。 次に、オゾンの供給を停止し、予備排気室を真空排気し
た後、搬送機構１５により板状試料１４をプラズマ反応
室１２にゲートバルブ１３を通して搬送した。ここで従
来法と同様にプラズマＣＶＤ法によるＳ ｉ Ｎ ｘ薄
膜を堆積した。上記説明＝４− から明かなように、塗布型絶縁膜焼成後は試料を大気に
接触する事なく、プラズマＣＶＤ膜を形成できる。 焼成前と０３焼成後の塗布絶縁膜の赤外線吸収スペクト
ル（高感度ＦＴ−ＩＲ光度計にて測定）を示す第２図か
ら明らかなように、焼成前の膜には水分による○−Ｈや
有機質の５ｉ−ＣＨ，による吸収が確認できるのに対し
、０３処理を行なった膜は、Ｏ−Ｈや５ｉ−ＣＨ，の吸
収が無くなっている。そして、焼成後の膜には新たにＳ
ｉ−〇の吸収が見られ、焼成後の膜は完全に無機質化し
ていると考えられる。 ［発明の効果］ 本発明によれば、塗布型絶縁膜を吸湿させることなく、
プラズマＣＶＤ膜を形成することができるので、重ね膜
のクラック等が発生しないのはもとより、絶縁耐圧低下
２表面リーク電流増加等の特性劣化を起さない効果があ
る。
えばＣＶＤ法による薄膜形成は連続処理可能な構造にな
っておらず、大気中で焼成された塗布型絶縁膜の吸湿性
が高いために、ＣＶＤ法による薄膜形成後、重ね膜の特
性が劣化する問題があった。 本発明の目的は、塗布型絶縁膜に吸湿させることなく、
ＣＶＤ法による薄膜を連続形成する装置を提供すること
にある。 【課題を解決するための手段］ 上記目的は、プラズマＣＶＤ装置等の気相薄膜形成装置
の予備排気室内で塗布型絶縁膜を焼成可能とすることに
より達成される。 すなわち、例えばプラズマＣＶＤ装置の予備排気室内に
試料台を設置し、予備排気室内において該試料台に保持
された試料を加熱する手段および試料にオゾンを供給す
る手段を設ける。 ［作用］ 予備排気室内で塗布型絶縁膜を焼成した後、予備排気室
および薄膜形成室を減圧状態（水分を含まない状態にし
て、試料を薄膜形成室に移し、りき続き重ね膜を形成で
きるので、塗布型絶縁膜は焼成後に水分を吸収すること
がない。 【実施例） 以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。本実
施例にはプラズマＣＶＤ装置に本発明を適用した場合に
ついて示した。 プラズマＣＶＤ反応室（薄膜形成室）１２と予備排気室
１１は、ゲートバルブ１３によって仕切られており、薄
膜を形成すべき板状試料１４は、搬送機構１５によって
、ゲートバルブ１３を通して、予備排気室１１および反
応室１２両室間を移動できる。また、予備排気室１１に
は加熱用のう− ンプ１８およびオゾン導入用のパイプ１９が備えである
。パイプ１９の先端にはノズル１７が付いている。 次にこの装置を用い、半導体素子の形成された板状試料
１４上に形成した塗布型絶縁膜を焼成し、続いてこの膜
上にＳ ｉ Ｎ ｘ膜を形成した例を示す。 まず、半導体素子の形成された板状試料１４上に通常の
スピンコード法により東京応化工業社製○ＣＤ−タイプ
７を用いて塗布型絶縁膜を形成した。次に予備排気室１
５内にある搬送機構１５に板状資料１４を載置し、ラン
プ１８により２００℃に加熱した状態で、オゾン発生器
１６で発生させたオゾンを、気流均一化ノズル１７を通
して板状試料１４表面に導びいた。この状態で２０分間
保つことにより塗布絶縁膜を焼成した。 次に、オゾンの供給を停止し、予備排気室を真空排気し
た後、搬送機構１５により板状試料１４をプラズマ反応
室１２にゲートバルブ１３を通して搬送した。ここで従
来法と同様にプラズマＣＶＤ法によるＳ ｉ Ｎ ｘ薄
膜を堆積した。上記説明＝４− から明かなように、塗布型絶縁膜焼成後は試料を大気に
接触する事なく、プラズマＣＶＤ膜を形成できる。 焼成前と０３焼成後の塗布絶縁膜の赤外線吸収スペクト
ル（高感度ＦＴ−ＩＲ光度計にて測定）を示す第２図か
ら明らかなように、焼成前の膜には水分による○−Ｈや
有機質の５ｉ−ＣＨ，による吸収が確認できるのに対し
、０３処理を行なった膜は、Ｏ−Ｈや５ｉ−ＣＨ，の吸
収が無くなっている。そして、焼成後の膜には新たにＳ
ｉ−〇の吸収が見られ、焼成後の膜は完全に無機質化し
ていると考えられる。 ［発明の効果］ 本発明によれば、塗布型絶縁膜を吸湿させることなく、
プラズマＣＶＤ膜を形成することができるので、重ね膜
のクラック等が発生しないのはもとより、絶縁耐圧低下
２表面リーク電流増加等の特性劣化を起さない効果があ
る。
第１図は本発明による気相薄膜形成装置の概略断面図、
第２図は、塗布型絶縁膜の焼成前および焼成後の赤外線
吸収スペクトルを示す図である。 １４・・試料、１５・・・試料台、１６・・オゾン発生
器、１８・・・加熱用ランプ。
第２図は、塗布型絶縁膜の焼成前および焼成後の赤外線
吸収スペクトルを示す図である。 １４・・試料、１５・・・試料台、１６・・オゾン発生
器、１８・・・加熱用ランプ。
Claims (1)
- １．薄膜形成室と予備排気室を有し、かつ、上記２室の
間を減圧下で試料の搬送が可能な構造になっている気相
薄膜形成装置において、上記予備排気室内の試料を加熱
する手段および試料にオゾンを供給する手段を有してい
ることを特徴とする気相薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2028548A JPH07100855B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2028548A JPH07100855B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03232971A true JPH03232971A (ja) | 1991-10-16 |
| JPH07100855B2 JPH07100855B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=12251712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2028548A Expired - Fee Related JPH07100855B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07100855B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000208500A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Nec Corp | コ―ルドウォ―ル型枚葉式ランプ加熱炉 |
| KR100455427B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기표면처리장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6280276A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-13 | Nec Kyushu Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH01298164A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Canon Inc | 機能性堆積膜の形成方法 |
-
1990
- 1990-02-09 JP JP2028548A patent/JPH07100855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6280276A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-13 | Nec Kyushu Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH01298164A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Canon Inc | 機能性堆積膜の形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000208500A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Nec Corp | コ―ルドウォ―ル型枚葉式ランプ加熱炉 |
| KR100455427B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기표면처리장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07100855B2 (ja) | 1995-11-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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