KR100455427B1 - 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기표면처리장치 - Google Patents

오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기표면처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기 표면처리장치는 조립되어진 열교환기(200)가 장착되는 캐리어(101)와, 그 캐리어(101)를 순차적으로 이송시키기 위한 이송부(103)와, 상기 캐리어(101)에 의하여 이송되는 열교환기(200)들의 전체 표면에 표면처리막을 연속적으로 형성시키기 위한 표면처리부(102)와, 그 표면처리부(102)의 양측에 배치되어 열교환기(200)들이 장착된 캐리어(101)를 표면처리부(102)에 로딩/언로딩하기 위한 트랜스퍼(104)와, 상기 캐리어(101)가 표면처리부(102)를 통과할때에 캐리어(101)에 장착된 열교환기(200)에 전원을 인가하기 위한 전원인가부(105)로 구성되는 표면처리장치에서, 상기 표면처리부(102)가 클리닝챔버(112), 중합챔버(113), 포스트챔버(114), 언로딩챔버(115)로 구성되고, 그 각 챔버들에는 게이트 밸브(116)를 설치하되, 그 게이트 밸브(116)를 중합챔버(113)를 중심으로 외측에 위치되도록 각각 설치하여, 중합챔버(113)에서 증착시 오-링의 소손에 의한 오염물질에 의해 오염발생이 방지된다.

Description

오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기 표면처리장치{FOUL PREVENTED CONTINUOUS SURFACE TREATMENT DEVICE OF HEAT EXCHANGER WITH GATE VALVE}
본 발명은 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기 표면처리장치에 관한 것으로, 특히 게이트 밸브가 중합 챔버를 중심으로 챔버들의 외측에 배치되도록 하여 중합챔버에서 발생되는 오염물질들이 주변 챔버로 유입되어 오염되는 것이 방지되도록 한 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기 표면처리장치에 관한 것이다.
열교환기는 냉장고와 같은 냉동기기나 에어콘과 같은 공조기기에 설치되어, 주변의 더운 공기를 차가운 공기로 열교환하는 기기로서, 기액분리를 위한 어큐믈레이터, 냉매를 통과시키는 냉매 파이프, 방열을 위한 방열핀, 냉매 파이프의 양단부를 고정하기 위한 앤드 플레이트 등으로 구성되어 진다.
도 1은 종래 냉장고에 장착되는 열교환기의 일예를 보인 정면도로서, 도시된 바와 같이, 냉매가 통과됨과 아울러 긴시간동안 냉매가 흐르도록 지그재그형상으로 절곡되어 있는 알루미늄 재질의 관체로된 냉매 파이프(1)의 양단부가 철판재질의 앤드 플레이트(END PLATE)(2)(2')로 고정되어 있고, 그 앤드 플레이트(2)(2')의 사이에는 열교환면적일 넓게 형성되도록 상기 냉매 파이프(1)에 삽입됨과 아울러 일정간격이 유지되도록 알루미늄 재질의 판체로된 방열핀(3)들이 결합되어 있으며, 이 도면에서는 생략되어 있으나 통상적으로 냉매 파이프(1)의 단부에 기액분리를 위한 어큐믈레이터(ACCUMULATOR)(미도시)가 연결되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 종래의 열교환기는 소정크기로 가공된 방열핀(3)들을 냉매 파이프(1)에 삽입하여 조립하고, 그와 같이 방열핀(3)들이 조립된 냉매 파이프(1)의 양단부에 앤드 플레이트(2)(2')를 결합하여 고정되도록 한다.
그리고, 상기와 같은 방열핀(3)에는 경우에 따라 열교환기의 효율을 향상시키기 위하여 표면에 표면처리를 함으로써 친수성 또는 소수성 및 내부식성의 향상을 위한 처리를 하게 되는데, 이와 같은 표면처리의 대표적인 방법으로 플라즈마를 이용한 친수성막을 부품의 표면에 증착시키는 방법이 소개되고 있다.
또한, 최근에는 플라즈마 증착장치에서 시트상태의 소재 표면에 연속적으로 친수성 막을 증착하여 대량으로 소재를 제작한 다음, 그 소재를 가공하여 방열핀(3)으로 이용함으로써 열교환기를 대량생산할 수 있도록 하는 기술에 대한 연구도 함께 진행되고 있다.
한편, 여러 연구자들에 의하여 친수성을 극대화시키려는 연구도 활발하게 이루어지고 있는데, 그 대표적인 예가 조립되어진 열교환기를 표면처리장치에 연속적으로 통과시키며 열교환기 전면에 표면처리를 대량으로 하는 방법이며, 그러나, 이와 같은 방법은 열교환기를 증착하기 위한 증착챔버에서 주변의 챔버로 이물질들이 유입되는 경우에 표면처리 제품의 품질을 저하시키게 되므로 그에 대한 대책마련에 어려움이 있는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명의 목적은 증착챔버의 증착작업시 게이트 밸브의 오-링이 소손되어 발생되는 오염이 방지될 수 있도록 하는데 적합한 게이트 밸브가 설치되는 열교환기 표면처리장치를 제공함에 있다.
도 1은 종래 열교환기의 구조를 보인 정면도.
도 2는 본 발명에 따른 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기표면처리장치를 개략적으로 보인 구성도.
도 3은 본 발명에 따른 게이트 밸브의 구조를 보인 횡단면도.
도 4는 본 발명에 따른 게이트 밸브의 구조를 보인 종단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
101 : 캐리어 102 : 표면처리부
103 : 이송부 104 : 트랜스퍼
111 : 로딩챔버 112 : 클리닝챔버
113 : 중합챔버 114 : 포스트챔버
115 : 언로딩챔버 116 : 게이트 밸브
131 : 챔버본체 132 : 밸브케이스
133 : 에어 실린더 133a : 실린더 로드
134 : 외측 밸브 플레이트 135 : 링크
136 : 스프링 137 : 오-링
138 : 내측 밸브 플레이트 141 : 엘엠 가이드
142 : 가이드 레일 200 : 열교환기
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여조립되어진 열교환기가 장착되는 캐리어와, 그 캐리어를 순차적으로 이송시키기 위한 이송부와, 그 캐리어에 의하여 이송되는 열교환기들의 전체 표면에 표면처리막을 연속적으로 형성시키기 위한 표면처리부와, 그 표면처리부의 양측에 배치되어 열교환기들이 장착된 캐리어를 표면처리부에 로딩/언로딩하기 위한 트랜스퍼와, 상기 캐리어가 표면처리부를 통과할때에 캐리어에 장착된 열교환기에 전원을 인가하기 위한 전원인가부로 구성되고,상기 표면처리부는 로딩 챔버, 클리닝 챔버, 중합 챔버, 포스트 챔버, 언로딩 챔버가 순차적으로 배치되어 구성되며,
상기 각 챔버들은 게이트 밸브에 의하여 개폐가능하게 구성되데, 그 게이트 밸브는 중합 챔버를 중심으로 각 챔버 본체의 외측에 설치되는 밸브 케이스와, 그 밸브 케이스의 외부에 설치되는 에어 실린더와, 상기 밸브 케이스의 내부에 배치되며 후단부가 에어 실린더의 실린더 로드에 연결되어 있는 외측 밸브 플레이트와, 그 외측 밸브 플레이트의 내측에 밀착된 상태로 일측면은 외측 밸브 플레이트에 수개의 링크와 스프링으로 연결되고 반대면에는 챔버의 개구부를 실링하기 위한 오-링이 설치되어 있는 내측 밸브 플레이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기 표면처리장치가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기 표면처리장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기표면처리장치를 개략적으로 보인 구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 게이트 밸브의 구조를 보인 횡단면도이며, 도 4는 본 발명에 따른 게이트 밸브의 구조를 보인 종단면도이다.
도시된 바와 같이, 완성품으로 조립되어진 다수개의 열교환기(200)를 장착할 수 있도록 다수개의 캐리어(CARRIER)(101)가 일정간격을 두고 일측에 배열되어 있고, 타측에는 캐리어(101)에 장착되어 있는 열교환기(200)들의 표면에 표면처리를 실시하기 위한 표면처리부(102)가 마련되어 있으며, 상기 캐리어(101)들은 이송부(103)에 의하여 연속적으로 표면처리부(102)의 전방으로 이송될 수 있도록 되어 있고, 그와 같이 이동된 캐리어(101)들은 표면처리부(102)의 양측에 설치된 트랜스퍼(TRANSFER)(104)에 의하여 표면처리부(102)에 로딩 또는 언로딩할 수 있도록 되어 있으며, 상기 표면처리부(102)에는 전원인가부(105)에 의하여 캐리어(101)에 장착된 상태로 이송되는 열교환기(200)에 전원이 인가될 수 있도록 되어 있다.
그리고, 상기 표면처리부(102)는 전방에서 외부공기가 기기 내부로 유입되는 것을 차단하기 위한 로딩챔버(LOADING CHAMBER)(111), 열교환기에 부착된 이물질을 제거하기 위한 클리닝챔버(CLEANING CHAMBER)(112), 표면처리가 이루어지는 중합챔버(113), 후처리를 위한 포스트챔버(POST CHAMBER)(114), 후방에서 기기내부로 외부공기가 유입되는 것을 차단하기 위한 언로딩챔버(UNLOADING CHAMBER)(115)가 터널형상으로 배치되어 있고, 그 각각의 챔버들의 사이에는 중합챔버(113)를 중심으로 각챔버의 외측에 밀폐를 위한 게이트 밸브(GATE VALVE)(116)들이 장착되어 있다.
또한, 상기 각 챔버들의 후위에는 챔버들의 내부공기를 외부로 펌핑하기 위한 펌프(121)가 각각 설치되어 있고, 상기 클리닝챔버(112), 중합챔버(113), 포스트챔버(114)에는 가스공급기구(122)가 설치되어 있다.
상기 게이트 밸브(116)는 챔버 본체(131)의 외측에 설치되는 밸브 케이스(132)와, 그 밸브 케이스(132)의 외부에 설치되는 에어 실린더(133)와, 상기 밸브 케이스(132)의 내부에 배치되며 후단부가 에어 실린더(133)의 실린더 로드(133a)에 연결되어 있는 외측 밸브 플레이트(134)와, 그 외측 밸브 플레이트(134)의 내측에 밀착된 상태로 일측면은 외측 밸브 플레이트(134)에 수개의 링크(135)와 스프링(136)으로 연결되고 반대면에는 챔버의 개구부를 실링하기 위한 오-링(137)이 설치되어 있는 내측 밸브 플레이트(138)로 구성되어 있다.
상기 외측 밸브 플레이트(134)에는 엘엠 가이드(141)가 설치되어 있고, 상기 밸브 케이스(132)에는 상기 엘엠 가이드(141)가 삽입된 상태로 슬라이딩될 수 있도록 가이드 레일(142)이 형성되어 있다.
도면중 미설명 부호 139는 단차부이다.
상기와 같이 구성되어 있는 본 발명에 따른 2열 연속처리가 가능한 열교환기 표면처리장치에서 열교환기의 표면처리가 이루어지는 것을 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 본 발명의 열교환기 표면처리장치에서의 표면처리 작업은 열교환기가 완전히 조립된 상태에서 이루어진다.
즉, 알루미늄 소재의 파이프를 적절한 형상과 크기로 절곡 및 절단하여 냉매파이프를 제작한 다음 그 냉매파이프에 알루미늄 재질의 방열핀을 삽입하여 결합하고, 냉매파이프의 양단부에 앤드 플레이트를 결합하여 열교환기(200)를 완성한다.
그리고, 그와 같이 조립된 열교환기(200)를 캐리어(101)에 장착한 후, 이송부(103)에 의하여 연속적으로 표면처리부(102)의 전방으로 이송되어지도록 하면, 표면처리부(102)의 전방에 배치되어 있는 트랜스퍼(104)가 열교환기(200)가 장착된 캐리어(101)를 로딩챔버(111)로 로딩하고, 그와 같이 로딩된 캐리어(101)가 표면처리부(102)의 내부를 통과하게 된다.
그와 같이, 캐리어(101)가 표면처리부(102)의 클리닝챔버(112), 중합챔버(113), 포스트챔버(114), 언로딩챔버(115)를 차례로 이동할때에 중합챔버(113)에서는 캐리어(101)에 장착된 열교환기(200)에 전원이 인가됨과 아울러 전극(미도시)에도 전원이 인가되며, 동시에 챔버의 내부로 가스가 공급됨으로써, 발생되는 플라즈마에 의한 표면처리막의 증착이 이루어지게 된다.
그리고, 상기와 같이 증착작업이 이루어질때에 각 챔버들의 외측에 설치된 게이트 밸브(116)들은 각 챔버가 진공이 유지될 수 있도록 개폐가 되는데, 그와 같이 개폐되는 게이트 밸브(116)의 오-링(137)이 중합챔버(113)의 외측에 위치하므로 공정진행시 발생되는 고열에 의한 오-링(137)의 소손 및 그에 따른 오염발생이 방지되어 진다.
상기의 표면처리부(102)에서 열교환기의 표면에 이루어지는 대표적인 표면처리는 친수성막을 표면에 증착시키는 친수처리이며, 경우에 따라서는 초소수성막을 증착시키는 초소수성처리 및 내부식성막을 증착시키는 내부식처리 등이 있다.
따라서, 각각의 처리방법에 따라 가스의 종류 및 공정조건은 각각 다르게 설정될 것이며, 단 본 발명에서는 완전히 조립된 1개 또는 여러개의 열교환기를 캐리어(101)에 장착한 상태에서 연속적으로 표면처리가 이루어지므로, 열교환기 전체에 표면처리가 이루어져서 열교환기의 효율을 향상될뿐 아니라, 대량생산이 이루어지게 된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기 표면처리장치는 표면처리막의 증착이 이루어지는 표면처리부가 클리닝챔버, 중합챔버, 포스트챔버, 언로딩챔버로 구성되고, 그 각 챔버들에는 게이트 밸브를 설치하되, 그 게이트 밸브를 중합챔버를 중심으로 외측에 위치되도록 각각 설치하여, 게이트 밸브의 오-링이 소손되어 오염이 되는 것을 방지하는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 조립되어진 열교환기가 장착되는 캐리어와, 그 캐리어를 순차적으로 이송시키기 위한 이송부와, 그 캐리어에 의하여 이송되는 열교환기들의 전체 표면에 표면처리막을 연속적으로 형성시키기 위한 표면처리부와, 그 표면처리부의 양측에 배치되어 열교환기들이 장착된 캐리어를 표면처리부에 로딩/언로딩하기 위한 트랜스퍼와, 상기 캐리어가 표면처리부를 통과할때에 캐리어에 장착된 열교환기에 전원을 인가하기 위한 전원인가부로 구성되고,
    상기 표면처리부는 로딩 챔버, 클리닝 챔버, 중합 챔버, 포스트 챔버, 언로딩 챔버가 순차적으로 배치되어 구성되며,
    상기 각 챔버들은 게이트 밸브에 의하여 개폐가능하게 구성되데, 그 게이트 밸브는 중합 챔버를 중심으로 각 챔버 본체의 외측에 설치되는 밸브 케이스와, 그 밸브 케이스의 외부에 설치되는 에어 실린더와, 상기 밸브 케이스의 내부에 배치되며 후단부가 에어 실린더의 실린더 로드에 연결되어 있는 외측 밸브 플레이트와, 그 외측 밸브 플레이트의 내측에 밀착된 상태로 일측면은 외측 밸브 플레이트에 수개의 링크와 스프링으로 연결되고 반대면에는 챔버의 개구부를 실링하기 위한 오-링이 설치되어 있는 내측 밸브 플레이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기 표면처리장치.
  2. 삭제
  3. 제 2항에 있어서, 상기 외측 밸브 플레이트에는 엘엠 가이드가 설치되어 있고, 상기 밸브 케이스에는 상기 엘엠 가이드가 삽입된 상태로 슬라이딩될 수 있도록 가이드 레일이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 표면처리장치.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1713110B1 (de) * 2005-04-08 2016-03-09 Applied Materials GmbH & Co. KG Anlage zum Beschichten eines Substrats und Modul
KR101951222B1 (ko) * 2011-08-16 2019-04-25 엘지디스플레이 주식회사 트레이 및 증착 시스템
KR101666936B1 (ko) * 2013-05-28 2016-10-17 주식회사 이오테크닉스 공정 챔버 시스템

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01259175A (ja) * 1988-04-09 1989-10-16 Ulvac Corp 多層膜成膜用プラズマｃｖｄ装置
JPH03232971A (ja) * 1990-02-09 1991-10-16 Hitachi Ltd 薄膜形成方法
JPH0853752A (ja) * 1994-08-10 1996-02-27 Idemitsu Material Kk 真空成膜装置およびその減圧方法
KR19980015505A (ko) * 1996-08-22 1998-05-25 구자홍 플라즈마에 의한 친수성 방열핀 제작장치 및 방법
KR20010013160A (ko) * 1997-12-04 2001-02-26 박호군 플라즈마를 이용한 냉동 공조용 금속 재료 표면상의고분자 중합막 합성방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01259175A (ja) * 1988-04-09 1989-10-16 Ulvac Corp 多層膜成膜用プラズマｃｖｄ装置
JPH03232971A (ja) * 1990-02-09 1991-10-16 Hitachi Ltd 薄膜形成方法
JPH0853752A (ja) * 1994-08-10 1996-02-27 Idemitsu Material Kk 真空成膜装置およびその減圧方法
KR19980015505A (ko) * 1996-08-22 1998-05-25 구자홍 플라즈마에 의한 친수성 방열핀 제작장치 및 방법
KR20010013160A (ko) * 1997-12-04 2001-02-26 박호군 플라즈마를 이용한 냉동 공조용 금속 재료 표면상의고분자 중합막 합성방법

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