JPH01259175A - 多層膜成膜用プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はプラズマＣＶＤ法により基板上に例えば太陽電
池用にｐｊｎの３層のａ−８ｉ膜等を形成するに使用さ
れる多層膜成膜用プラズマＣＶＤ装置に関する。

（従来の技術） 従来の多層膜成膜用プラズマＣＶＤ装置は、第１図示の
ように、複数の成膜室ａＳｂ、ｃを仕切弁ｄ、ｅを介し
て連続して設けるを一般とし、端部の成膜室ａに仕切弁
ｆを介して設けた仕込室ｇからキャリアに取付けた基板
りが搬入され該成膜室ａに於ける基板りへの成膜が終る
と、仕切弁ｄを開けて次の成膜室すへと基板りを送りそ
の上に次の成膜を施し、更に次の仕切弁ｅを開けて成膜
室Ｃに於て更に成膜したのち取出室１へ仕切弁ｊを開け
て送り込み、そこから外部へ３層の成膜を終えた基板り
を取出す。各成膜室ａ、ｂ、ｃ、仕込室ｇ及び取出室１
には夫々真空ポンプｋを接続し、また各成膜室ａ、ｂ。

Ｃには電源に接続された電極Ｉとヒータｍが用意され、
プロセスガスが該電極Ｉを介して導入される。

（発明が解決しようとする課題） 該仕込室ｇ内に基板りが外部から持込まれると該室ｇ内
を真空に排気し、必要に応して基板りを加熱する。所定
の真空に達し、基板りの加熱が終ると電極１１ヒータｍ
のパワーが切られた状態にある第１の成膜室ａに基板り
か送り込まれ、仕切弁ｄか閉じられると該室ａ内のガス
圧調整を行なってパワーを投入し基板りへの加熱成膜か
行なわれる。この成膜の終了後、成膜室ａ内を次の成膜
室すと同雰囲気、同圧に設定し、画室ａ、ｂ間の仕切弁
ｅを開け、基板りを次の成膜ｙｂへ送り込む。接法の成
膜室すて前の成膜室ａと同様に加熱され異種の膜か基板
りに成膜される。この一連の動作に於て、第１の成膜室
ａは仕込室ｇと同圧、同雰囲気から成膜用の雰囲気と圧
力に変イつり、更に次の成膜室すと同圧、同雰囲気に調
整され、他の室とのコンタミネーションを防止する必要
かある場合には、該成膜室ａを一旦高真空に排気される
。またこれに伴ない電極１１ヒータｍへのパワーも投入
遮断か繰返される。成膜室すから史に次の成膜至Ｃへ、
該成膜室Ｃから取出室１へと基板りが送られるときも、
前記と同様の調整か各室に於てイｊなわれる。

このようにｈ（板りを移動さぜるために各成膜室ａ、ｂ
Ｘ　ｃでガスの調圧やコンタミネーションを防くための
高真空１）１．気、パワーの投入遮断を繰返すことか必
要となり、その結果成膜か断続的になって能率か低下す
る欠点かある。

本発明はこうした欠点を解決し連続的に成膜を行なえる
プラズマＣＶ　Ｉ）装置を提供することを１」的とする
ものである。

（課題を解決するだめの手段） 本発明では、基板か順次通過する複数の成膜至を設け、
該基板」二に各成膜室てプラスマＣＶ　ｌ）による薄膜
を順次形成して多層膜を成膜するようにしたものに於て
、各成膜室を、各成膜γの雰囲気と圧力を保持し１１す
る長さと基板の通過を許容するスリット状の通路を備え
たダクトて亙に接続することより、前記課題を解決する
ようにした。

（作　用） 各成膜至は夫々各種の成膜に適した雰囲気と圧力とに調
整され、電極及びヒータにパワーを投入してプラスマＣ
ＶＤの用意をし、仕込室から所定の前処理の終えた基板
を第１の成膜至へ次次と送り込む。第１の成膜室で移動
する基板に成膜し、ダクトを介して次の成膜室へ送られ
次の成膜を同様に基板を移動し乍ら行なったのち更に次
の成膜室ヘダクトを介して送り、同様にして成膜し７、
取出室から取出される。各成膜室間は各成膜室の雰囲気
と圧力を保持し得る長さを有し基板か通過し得る程度の
狭いスリット状の通路を有するダクトで接続されている
ので、特別に仕切弁を設ける必要かなくなり、連続的に
基板に成膜を施せ、装置の運転か簡単で効率良く成膜出
来る。

（実施例） 本発明の実施例を図面に基づき説明するに、第２図に於
て初号（１）は適当なギヤリア取（＝１けられて搬送さ
れる基板、（２）　（３）　（４）は内部に夫々電極（
５）とヒータ（６）を備えると共に、真空ポンプに接続
されたＪＪＩ気管（７）を有する成膜室を示し、各成膜
室には従来のものと同様に、例えば電極（５）に形成し
た通路（８）を介して、プロセスカスか導入される。

（９）　（１■は各成膜室（２）　（３）　（４）を一
連に接続するダクトを示し、各ダクｌ−（９）　（１Ｇ
）は両隣りの成膜室の雰囲気、圧力か保持し得る程度に
長く旧つ基板がキャリアと共に通路出来る程度に狭いス
リット状の通路のダクトで形成される。（Ｉｔはヒータ
（ＩＤ及び真空ポンプに連らなる排気管（ＩＱを備えた
仕込室、（Ｉ４）は真空ポンプに連らなる排気管０！ｉ
）を備えた取出室で、該仕込室（１１）は仕切弁ｌ′Ｉ
Ｏを介して第１の成膜室（２）に連設され、取出室１１
４）は仕切弁面を介して最後の成膜至（４）に接続され
る。

その作動を説明すると、まず外部より仕込室（１１）内
へ適当なキャリアに取伺けた基板（１）を取込み、該仕
込室（１１）内を真空ＩＭ＋気したのちヒータ（ｌｈを
作動させて基板（１）を加熱し、該室（′１１）内を第
１の成膜室（２）と同圧にしたのち仕切弁浦を開けて基
板（１）を第１の成膜￥（２）へ送る。各成膜室（２）
　（３）（４）は基板（１）に送り込みに（ｉｉｉｉえ
て各′ｔヒ極（５）及びヒータ（６）へパワーを投入し
、ｖ１気管（７）からの真空排気とプロセスガスの導入
とで、各至内の雰囲気とカス圧とが予め調整される。第
１の成膜室（２）に送り込まれた基板（１）はキャリア
の移動により次の成膜室（３）へダクト（９）を介して
送られ、更に次の成膜室（４）へと送られる。各成膜室
（２）　（３）　（４）を基板（１）か移動する間に次
々と異種の薄膜の層か形成され、図示の場合、３層の膜
が形成される。該基板（１）が最終の成膜室（４）に於
ける成膜を終えると該室（４）と同圧に予め調整された
取出室ｑ＠へ仕切弁（１７１を開けて取出される。

各成膜室（２）　（３）　（４）の雰囲気及び圧力は互
に異なるか、各室を互に接続するダクト（９）　（Ｉｔ
）は狭く長いので各室の独立した雰囲気及び圧力は維持
され、各室間は開放状態にあるので基板（１）の移動を
止めることなく次の室へと移動させ得、その際、弁の開
閉、雰囲気、圧力の調整か不要であるから操作が簡単に
なる。

尚、各成膜室（２）　（３）　（４）間に厳格なコンタ
ミネーションの防止か要求されるときは、各ダクト（９
）０■に排気管器（ＩＥ＋）を設け、各ダクト（９）　
（１）内を高真空に排気することによりその防止を行な
える。

（発明の効果） 以上のように本発明によるときは、複数の成膜室間を長
く狭いスリット状の通路を有するダクトで互に接続する
ようにしたので、各室間に仕切弁を設けることなく各室
の個々の雰囲気と圧力を保持することが出来、基板を移
動し乍ら連続的に成膜を行なえ、雰囲気や調圧の操作、
電極等へのパワーの投入操作か簡単になる等の効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例の説明線図、第２図は本発明の詳細な説
明線図である。 （１）・・・基　板 （２）　（３）　（４）・・成膜室 （９）　ｑＯ・・・ダクト

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板が順次通過する複数の成膜室を設け、該基板上に各
   成膜室でプラズマＣＶＤによる薄膜を順次形成して多層
   膜を成膜するようにしたものに於て、各成膜室を、各成
   膜室の雰囲気と圧力を保持し得る長さと基板の通過を許
   容するスリット状の通路を備えたダクトで互に接続した
   ことを特徴とする多層膜成膜用プラズマＣＶＤ装置。