JPH07100855B2 - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH07100855B2 JPH07100855B2 JP2028548A JP2854890A JPH07100855B2 JP H07100855 B2 JPH07100855 B2 JP H07100855B2 JP 2028548 A JP2028548 A JP 2028548A JP 2854890 A JP2854890 A JP 2854890A JP H07100855 B2 JPH07100855 B2 JP H07100855B2
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- Japan
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- thin film
- sample
- chamber
- insulating film
- coating type
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Description
本発明は薄膜形成方法に関し、特に塗布形絶縁膜を形成
した後にその上にCVD法によりさらに絶縁膜を形成する
薄膜形成方法に関する。
した後にその上にCVD法によりさらに絶縁膜を形成する
薄膜形成方法に関する。
従来技術では、塗布型絶縁膜の焼成とその後行うたとえ
ばCVD法などによる薄膜形成とは独立した装置で行って
いた。例えば、ソリッド・ステイト・テクノロジ誌,198
6年10月号，第95頁から第100頁（Solid State Technolo
gy/October（1986）pp.95−100）の特に第98頁第11行乃
至第28行において論じられている。
ばCVD法などによる薄膜形成とは独立した装置で行って
いた。例えば、ソリッド・ステイト・テクノロジ誌,198
6年10月号，第95頁から第100頁（Solid State Technolo
gy/October（1986）pp.95−100）の特に第98頁第11行乃
至第28行において論じられている。
従来技術では、塗布型絶縁膜の焼成後、引続いて行う例
えばCVD法による薄膜形成は連続処理可能な構造になっ
ておらず、大気中で焼成された塗布型絶縁膜の吸湿性が
高いために、CVD法による薄膜形成後、重ね膜の特性が
劣化する問題があった。 本発明の目的は、塗布型絶縁膜に吸湿させることなく、
CVD法による薄膜を形成できる薄膜形成方法を提供する
ことにある。
えばCVD法による薄膜形成は連続処理可能な構造になっ
ておらず、大気中で焼成された塗布型絶縁膜の吸湿性が
高いために、CVD法による薄膜形成後、重ね膜の特性が
劣化する問題があった。 本発明の目的は、塗布型絶縁膜に吸湿させることなく、
CVD法による薄膜を形成できる薄膜形成方法を提供する
ことにある。
本発明の要旨は、その両者の内部空間が連通可能に構成
された薄膜形成室と予備排気室を準備し、連通した二つ
の前記内部空間を仕切るためのゲートバルブを準備し、 外部より前記予備排気室内に搬入された前記試料上に形
成された塗布形絶縁膜表面にオゾンを供給すると共に、
前記試料をランプを用いて加熱することにより前記塗布
形絶縁膜を焼成し、 前記予備排気室内への前記オゾンの供給を停止した状態
で前記予備排気室内を真空排気し、 前記予備排気室内の前記真空排気が完了した状態で前記
ゲートバルブを開いて前記試料を前記予備排気室内から
前記薄膜形成室内へ搬送し、 前記薄膜形成室内に搬入した前記試料上の焼成した前記
塗布形絶縁膜上にCVD法によりさらに薄膜を形成するこ
とを特徴とする薄膜形成方法にある。 すなわち、例えばプラズマCVD装置の予備排気室内に試
料台を設置し、予備排気室内において該試料台に保持さ
れた試料を加熱する手段および試料にオゾンを供給する
手段を設ける。
された薄膜形成室と予備排気室を準備し、連通した二つ
の前記内部空間を仕切るためのゲートバルブを準備し、 外部より前記予備排気室内に搬入された前記試料上に形
成された塗布形絶縁膜表面にオゾンを供給すると共に、
前記試料をランプを用いて加熱することにより前記塗布
形絶縁膜を焼成し、 前記予備排気室内への前記オゾンの供給を停止した状態
で前記予備排気室内を真空排気し、 前記予備排気室内の前記真空排気が完了した状態で前記
ゲートバルブを開いて前記試料を前記予備排気室内から
前記薄膜形成室内へ搬送し、 前記薄膜形成室内に搬入した前記試料上の焼成した前記
塗布形絶縁膜上にCVD法によりさらに薄膜を形成するこ
とを特徴とする薄膜形成方法にある。 すなわち、例えばプラズマCVD装置の予備排気室内に試
料台を設置し、予備排気室内において該試料台に保持さ
れた試料を加熱する手段および試料にオゾンを供給する
手段を設ける。
予備排気室内で塗布型絶縁膜を焼成した後、予備排気室
および薄膜形成室を減圧状態（水分を含まない状態にし
て、試料を薄膜形成室に移し、引き続き重ね膜を形成で
きるので、塗布型絶縁膜は焼成後に水分を吸収すること
がない。
および薄膜形成室を減圧状態（水分を含まない状態にし
て、試料を薄膜形成室に移し、引き続き重ね膜を形成で
きるので、塗布型絶縁膜は焼成後に水分を吸収すること
がない。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。本実
施例にはプラズマCVD装置に本発明を適用した場合につ
いて示した。 プラズマCVD反応室（薄膜形成室）12と予備排気室11
は、ゲートバルブ13によって仕切られており、薄膜を形
成すべき板状試料14は、搬送機構15によって、ゲートバ
ルブ13を通して、予備排気室11および反応室12両室間を
移動できる。また、予備排気室11には加熱用のランプ18
およびオゾン導入用のパイプ19が備えてある。パイプ19
の先端にはノズル17が付いている。 次にこの装置を用い、半導体素子の形成された板状試料
14上に形成した塗布型絶縁膜を焼成し、続いてこの膜上
にSiNx膜を形成した例を示す。まず、半導体素子の形成
された板状試料14上に通常のスピンコート法により東京
応化工業社製OCD−タイプ７を用いて塗布型絶縁膜を形
成した。次に予備排気室15内にある搬送機構15に板状資
料14を載置し、ランプ18により200℃に加熱した状態
で、オゾン発生器16で発生させたオゾンを、気流均一化
ノズル17を通して板状試料14表面に導びいた。この状態
で20分間保つことにより塗布絶縁膜を焼成した。 次に、オゾンの供給を停止し、予備排気室を真空排気し
た後、搬送機構15により板状試料14をプラズマ反応室12
にゲートバルブ13を通して搬送した。ここで従来法と同
様にプラズマCVD法によるSiNx薄膜を堆積した。上記説
明から明かなように、塗布型絶縁膜焼成後は試料を大気
に接触する事なく、プラズマCVD膜を形成できる。 焼成前とO3焼成後の塗布絶縁膜の赤外線吸収スペクトル
（高感度FT−IR光度計にて測定）を示す第２図から明ら
かなように、焼成前の膜には水分によるＯ−Ｈや有機質
のSi−CH3による吸収が確認できるのに対し、O3処理を
行なった膜は,O−ＨやSi−CH3の吸収が無くなってい
る。そして、焼成後の膜には新たにSi−Ｏの吸収が見ら
れ、焼成後の膜は完全に無機質化していると考えられ
る。
施例にはプラズマCVD装置に本発明を適用した場合につ
いて示した。 プラズマCVD反応室（薄膜形成室）12と予備排気室11
は、ゲートバルブ13によって仕切られており、薄膜を形
成すべき板状試料14は、搬送機構15によって、ゲートバ
ルブ13を通して、予備排気室11および反応室12両室間を
移動できる。また、予備排気室11には加熱用のランプ18
およびオゾン導入用のパイプ19が備えてある。パイプ19
の先端にはノズル17が付いている。 次にこの装置を用い、半導体素子の形成された板状試料
14上に形成した塗布型絶縁膜を焼成し、続いてこの膜上
にSiNx膜を形成した例を示す。まず、半導体素子の形成
された板状試料14上に通常のスピンコート法により東京
応化工業社製OCD−タイプ７を用いて塗布型絶縁膜を形
成した。次に予備排気室15内にある搬送機構15に板状資
料14を載置し、ランプ18により200℃に加熱した状態
で、オゾン発生器16で発生させたオゾンを、気流均一化
ノズル17を通して板状試料14表面に導びいた。この状態
で20分間保つことにより塗布絶縁膜を焼成した。 次に、オゾンの供給を停止し、予備排気室を真空排気し
た後、搬送機構15により板状試料14をプラズマ反応室12
にゲートバルブ13を通して搬送した。ここで従来法と同
様にプラズマCVD法によるSiNx薄膜を堆積した。上記説
明から明かなように、塗布型絶縁膜焼成後は試料を大気
に接触する事なく、プラズマCVD膜を形成できる。 焼成前とO3焼成後の塗布絶縁膜の赤外線吸収スペクトル
（高感度FT−IR光度計にて測定）を示す第２図から明ら
かなように、焼成前の膜には水分によるＯ−Ｈや有機質
のSi−CH3による吸収が確認できるのに対し、O3処理を
行なった膜は,O−ＨやSi−CH3の吸収が無くなってい
る。そして、焼成後の膜には新たにSi−Ｏの吸収が見ら
れ、焼成後の膜は完全に無機質化していると考えられ
る。
本発明によれば、塗布型絶縁膜を吸湿させることなく、
プラズマCVD膜を形成することができるので、重ね膜の
クラック等が発生しないのはもとより、絶縁耐圧低下，
表面リーク電流増加等の特性劣化を起さない効果があ
る。
プラズマCVD膜を形成することができるので、重ね膜の
クラック等が発生しないのはもとより、絶縁耐圧低下，
表面リーク電流増加等の特性劣化を起さない効果があ
る。
第１図は本発明による気相薄膜形成装置の概略断面図、
第２図は、塗布型絶縁膜の焼成前および焼成後の赤外線
吸収スペクトルを示す図である。 14…試料、15…試料台、16…オゾン発生器、18…加熱用
ランプ。
第２図は、塗布型絶縁膜の焼成前および焼成後の赤外線
吸収スペクトルを示す図である。 14…試料、15…試料台、16…オゾン発生器、18…加熱用
ランプ。
Claims (1)
- 【請求項１】その両者の内部空間が連通可能に構成され
た薄膜形成室と予備排気室を準備し、連通した二つの前
記内部空間を仕切るためのゲートバルブを準備し、 外部より前記予備排気室内に搬入された前記試料上に形
成された塗布形絶縁膜表面にオゾンを供給すると共に、
前記試料をランプを用いて加熱することにより前記塗布
形絶縁膜を焼成し、 前記予備排気室内への前記オゾンの供給を停止した状態
で前記予備排気室内を真空排気し、 前記予備排気室内の前記真空排気が完了した状態で前記
ゲートバルブを開いて前記試料を前記予備排気室内から
前記薄膜形成室内へ搬送し、 前記薄膜形成室内に搬入した前記試料上の焼成した前記
塗布形絶縁膜上にCVD法によりさらに薄膜を形成するこ
とを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2028548A JPH07100855B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2028548A JPH07100855B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03232971A JPH03232971A (ja) | 1991-10-16 |
| JPH07100855B2 true JPH07100855B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=12251712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2028548A Expired - Fee Related JPH07100855B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07100855B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3156925B2 (ja) * | 1999-01-11 | 2001-04-16 | 日本電気株式会社 | コールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉 |
| KR100455427B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 오염이 방지되도록 게이트 밸브가 설치되는 열교환기표면처리장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6280276A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-13 | Nec Kyushu Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH01298164A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Canon Inc | 機能性堆積膜の形成方法 |
-
1990
- 1990-02-09 JP JP2028548A patent/JPH07100855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03232971A (ja) | 1991-10-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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