JPS59123236A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS59123236A JPS59123236A JP23009582A JP23009582A JPS59123236A JP S59123236 A JPS59123236 A JP S59123236A JP 23009582 A JP23009582 A JP 23009582A JP 23009582 A JP23009582 A JP 23009582A JP S59123236 A JPS59123236 A JP S59123236A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- ion gun
- substrate
- coated
- film
- Prior art date
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/048—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3464—Sputtering using more than one target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は薄膜の形成方法にかかり、特に凹凸のある基板
面に平坦な薄膜を被着する方法に関する。
面に平坦な薄膜を被着する方法に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
例えば、半導体集積回路（ＩＣ）など半導体装置を製造
する際に、半導体基板に多数の半導体素子が設けられて
、これらの素子を接続するために基板面上に複数の配線
層が多層に積層される。その場合、半導体基板は半導体
素子を形成して凹凸があり、更にその面上に配線層と絶
縁膜とを交互に積層すると、益々凹凸が激しく段差が大
きくなって、配線層の断線や短絡か起こりやすくなる。
する際に、半導体基板に多数の半導体素子が設けられて
、これらの素子を接続するために基板面上に複数の配線
層が多層に積層される。その場合、半導体基板は半導体
素子を形成して凹凸があり、更にその面上に配線層と絶
縁膜とを交互に積層すると、益々凹凸が激しく段差が大
きくなって、配線層の断線や短絡か起こりやすくなる。
そのために、従来よりこのような薄膜の被着方法や被着
後の処理方法を工夫して表面を平坦にする方法が色々と
提案されている。しかし、それらは必ずしも再現性良く
平坦化されず且つ表面の凹凸状態に左右される方法であ
る。また、例えばバイアススパックリング法などは容易
に平坦化されるが、半導体基板にバイアスによる損傷が
与える欠点がある。
後の処理方法を工夫して表面を平坦にする方法が色々と
提案されている。しかし、それらは必ずしも再現性良く
平坦化されず且つ表面の凹凸状態に左右される方法であ
る。また、例えばバイアススパックリング法などは容易
に平坦化されるが、半導体基板にバイアスによる損傷が
与える欠点がある。
（Ｃ）発明の目的
本発明はこのような欠点をなくして、安定に被着薄膜の
表面を平坦化、平滑化する形成方法を提案するものであ
る。
表面を平坦化、平滑化する形成方法を提案するものであ
る。
ｆｄ） 発明の構成
その目的は、回転する試料と、被着膜利料あるいはイオ
ンガンの何れか一方を対面配置し、該被着膜材料あるい
はイオンガンの何れか一方の側方より上記試料面に対向
してイオンガンあるいは被着膜材料の何れか他方を配し
、薄膜の被着と同時に試料の凸部表面に被着した薄膜を
イオンガンから発するイオンで除去しながら薄膜を被着
させる薄膜の形成方法によって達成させることができる
。
ンガンの何れか一方を対面配置し、該被着膜材料あるい
はイオンガンの何れか一方の側方より上記試料面に対向
してイオンガンあるいは被着膜材料の何れか他方を配し
、薄膜の被着と同時に試料の凸部表面に被着した薄膜を
イオンガンから発するイオンで除去しながら薄膜を被着
させる薄膜の形成方法によって達成させることができる
。
（ｅｌ 発明の実施例
以下１図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図はスパックリング法で被着しながら側方よりイオ
ンガンでエツチングする実施例の反応装置概要図で、反
応容器１内において数１００回／分で回転する試料基板
２の正面にＰＳＧ基板ターゲット３を対面して配置し、
ターゲット３の側方に試料基板面に対向してイオンガン
４を配してあり、イオンガン４は試料基板面に４５〜７
０度の角度（θ）で保持されている。スパッタカスおよ
びエツチングイオンガスはいずれもアルゴン（Ａｒ）で
ある。
ンガンでエツチングする実施例の反応装置概要図で、反
応容器１内において数１００回／分で回転する試料基板
２の正面にＰＳＧ基板ターゲット３を対面して配置し、
ターゲット３の側方に試料基板面に対向してイオンガン
４を配してあり、イオンガン４は試料基板面に４５〜７
０度の角度（θ）で保持されている。スパッタカスおよ
びエツチングイオンガスはいずれもアルゴン（Ａｒ）で
ある。
かくして、試料基板２は第２図に示すようにシリコン基
板２０上にアルミニウム配線層２１が設けてあって、そ
の上に燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）Ｍ２２を被着するとする
と、スパッタリングによる被着とイオンガンによるエツ
チングとが繰り換えされて第２図から次第に第３図に示
すように配線層２１の上には薄く被着し、凹部の基板２
０の上には厚く被着する。それは凸部分（配線層２１上
）がイオンガンによって激しくエツチングされて多量に
除去されるからで、やがては第４図に示すように配線層
２１を埋めた平坦なｐｓｃｎ＠の表面を得ることができ
る。
板２０上にアルミニウム配線層２１が設けてあって、そ
の上に燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）Ｍ２２を被着するとする
と、スパッタリングによる被着とイオンガンによるエツ
チングとが繰り換えされて第２図から次第に第３図に示
すように配線層２１の上には薄く被着し、凹部の基板２
０の上には厚く被着する。それは凸部分（配線層２１上
）がイオンガンによって激しくエツチングされて多量に
除去されるからで、やがては第４図に示すように配線層
２１を埋めた平坦なｐｓｃｎ＠の表面を得ることができ
る。
次ぎに、他の実施例を説明すると、第５図は化学気相成
長（ＣＶＤ）法で被着しながら側方よりイオンガンでエ
ツチングする実施例の反応装置概要図で、反応容器１１
内において約４００°Ｃに加熱され且つ数１００回／分
で回転する試料基板１２の正面にイオンガン１３を対面
して配置し、イオンガン１３の側方より反応ガスを導入
して試料基板１２上に被着量を形成する。反応ガスはモ
ノシラン、ホスフィン、酸素の混合ガスで、イオンガン
にはアルゴン（Δｒ）を用いる。
長（ＣＶＤ）法で被着しながら側方よりイオンガンでエ
ツチングする実施例の反応装置概要図で、反応容器１１
内において約４００°Ｃに加熱され且つ数１００回／分
で回転する試料基板１２の正面にイオンガン１３を対面
して配置し、イオンガン１３の側方より反応ガスを導入
して試料基板１２上に被着量を形成する。反応ガスはモ
ノシラン、ホスフィン、酸素の混合ガスで、イオンガン
にはアルゴン（Δｒ）を用いる。
試料基板１２は上記と同様に第６図に示すようにシリコ
ン基板２０上にアルミニウム配線層２１が設けてあり、
その上に燐珪酸ガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）膜２３を被着する
とする。そうすると、ＰＳＧ被着膜の成長とイオンガン
によるエツチングとが繰り換えされて第６図から次第に
第７図に示すように配線層２１の側面先端部はエツチン
グが激しいため余り被着されずに、基板２０および配線
層２１の上に多く被着する。且つ、配線層２１上は凸部
分であるから基板２０よりエツチングされやすくて、基
板２０上より被着量は少ない。このようにして、次第に
第８図に示すように配線層２〕を埋めて少し凹凸ばでき
るが、はぼ平坦化した平滑なＰＳＧ膜２３の表面が得ら
れる。
ン基板２０上にアルミニウム配線層２１が設けてあり、
その上に燐珪酸ガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）膜２３を被着する
とする。そうすると、ＰＳＧ被着膜の成長とイオンガン
によるエツチングとが繰り換えされて第６図から次第に
第７図に示すように配線層２１の側面先端部はエツチン
グが激しいため余り被着されずに、基板２０および配線
層２１の上に多く被着する。且つ、配線層２１上は凸部
分であるから基板２０よりエツチングされやすくて、基
板２０上より被着量は少ない。このようにして、次第に
第８図に示すように配線層２〕を埋めて少し凹凸ばでき
るが、はぼ平坦化した平滑なＰＳＧ膜２３の表面が得ら
れる。
上記は一例であり、被着方法としてはスパックリング法
、ＣＶＤ法のほかに蒸着法、プラスマＣＶＤ法、イオン
鍍金法などいずれにも通用することができる。また、イ
オンガンのエノチンクカスとしてはアルゴン（八ｒ）の
イ也、ヘリウム（ｌｌｅ） 。
、ＣＶＤ法のほかに蒸着法、プラスマＣＶＤ法、イオン
鍍金法などいずれにも通用することができる。また、イ
オンガンのエノチンクカスとしてはアルゴン（八ｒ）の
イ也、ヘリウム（ｌｌｅ） 。
キセノン（Ｘｅ） 、 ラドン（Ｒｎ）を用いてもよ
い。
い。
且つ、イオンガンの位置は凹凸の程度に応して上記両方
式を使い分けることが望ましい。
式を使い分けることが望ましい。
（ｆ） 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明は凹凸部のある
面上に平坦な薄膜を被着する方法で、被着前の表面凹凸
に左右されることなく、表面が平坦化されるために半導
体装置の高信頼化並びに高集積化に著しく貢献するもの
である。
面上に平坦な薄膜を被着する方法で、被着前の表面凹凸
に左右されることなく、表面が平坦化されるために半導
体装置の高信頼化並びに高集積化に著しく貢献するもの
である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明にかかる一実施例の反応装置概要図、第
２図ないし第４図はその被着工程順断面図、第５図は本
発明にかかる他の実施例の反応装置概要図、第６図ない
し第８図はその被着工程順断面図である。 図中、１，１１は反応容器、２．１２は試料基板、３は
り一ゲノト、４．１３はイオンガン。 ２０はンリコン基板、２１ばアルミニウム配線層。 ２２．２３はＰＳＧ膜を示している。 第１図 ｔπ ３１ヅ 第４じ 、２ 第 ５ 区 八 第６・′・・・ Ｃ）５７ ・ Σ８（ツ、′１ ３ ５８、４ 、１．４ １Ｉ′１許庁長宮殿 １°Ｉ（ｌ’ｌの大小 昭和タフ’１ オ胃ロｆＩ第λ〕θ／）９左シ；３ １
山 ｌｌ 鳶 Ｉ る 青
２図ないし第４図はその被着工程順断面図、第５図は本
発明にかかる他の実施例の反応装置概要図、第６図ない
し第８図はその被着工程順断面図である。 図中、１，１１は反応容器、２．１２は試料基板、３は
り一ゲノト、４．１３はイオンガン。 ２０はンリコン基板、２１ばアルミニウム配線層。 ２２．２３はＰＳＧ膜を示している。 第１図 ｔπ ３１ヅ 第４じ 、２ 第 ５ 区 八 第６・′・・・ Ｃ）５７ ・ Σ８（ツ、′１ ３ ５８、４ 、１．４ １Ｉ′１許庁長宮殿 １°Ｉ（ｌ’ｌの大小 昭和タフ’１ オ胃ロｆＩ第λ〕θ／）９左シ；３ １
山 ｌｌ 鳶 Ｉ る 青
Claims (1)
- 回転する試料と、被着膜材料あるいはイオンガンの何れ
か一方を対面配置し、該被着膜材料あるいはイオンガン
の何れか一方の側方より上記試料面に対向してイオンガ
ンあるいは被着膜材料の何れか他方を配し、薄膜の被着
と同時に試料の凸部表面に被着した薄膜をイオンガンか
ら発するイオンで除去しながら薄膜を被着させることを
特徴とする薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23009582A JPS59123236A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23009582A JPS59123236A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59123236A true JPS59123236A (ja) | 1984-07-17 |
Family
ID=16902467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23009582A Pending JPS59123236A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59123236A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9853325B2 (en) | 2011-06-29 | 2017-12-26 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
| US10601074B2 (en) | 2011-06-29 | 2020-03-24 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
| US10658705B2 (en) | 2018-03-07 | 2020-05-19 | Space Charge, LLC | Thin-film solid-state energy storage devices |
| US11527774B2 (en) | 2011-06-29 | 2022-12-13 | Space Charge, LLC | Electrochemical energy storage devices |
| US11996517B2 (en) | 2011-06-29 | 2024-05-28 | Space Charge, LLC | Electrochemical energy storage devices |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP23009582A patent/JPS59123236A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9853325B2 (en) | 2011-06-29 | 2017-12-26 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
| US10199682B2 (en) | 2011-06-29 | 2019-02-05 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
| US10601074B2 (en) | 2011-06-29 | 2020-03-24 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
| US11527774B2 (en) | 2011-06-29 | 2022-12-13 | Space Charge, LLC | Electrochemical energy storage devices |
| US11996517B2 (en) | 2011-06-29 | 2024-05-28 | Space Charge, LLC | Electrochemical energy storage devices |
| US10658705B2 (en) | 2018-03-07 | 2020-05-19 | Space Charge, LLC | Thin-film solid-state energy storage devices |
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