JPS58100674A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPS58100674A JPS58100674A JP19809581A JP19809581A JPS58100674A JP S58100674 A JPS58100674 A JP S58100674A JP 19809581 A JP19809581 A JP 19809581A JP 19809581 A JP19809581 A JP 19809581A JP S58100674 A JPS58100674 A JP S58100674A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- vessel
- vacuum
- gas
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空処理装置に関し、真空状態に置かれた紙・
プラスチックなどの基板から発生するアウトガスをプラ
ズマ分光技術を応用して、簡便に、かつ処理進行中にモ
ニタリングし、その近傍の雰囲気を解析すると同時に、
外部からその雰囲気状態を制御できるようにしようとす
るものである。
プラスチックなどの基板から発生するアウトガスをプラ
ズマ分光技術を応用して、簡便に、かつ処理進行中にモ
ニタリングし、その近傍の雰囲気を解析すると同時に、
外部からその雰囲気状態を制御できるようにしようとす
るものである。
従来１紙或いはプラスチックなどの基板を真空状態に保
持する場合、加熱等によｐアウトガス（離脱ガス）を発
生し真空度を低下させる他に、それらを基板として真空
中で製品を作る場合、そのアウトガスの種類により製品
の満足すべき特性に影響を及ぼす場合があることが指摘
されていた。
持する場合、加熱等によｐアウトガス（離脱ガス）を発
生し真空度を低下させる他に、それらを基板として真空
中で製品を作る場合、そのアウトガスの種類により製品
の満足すべき特性に影響を及ぼす場合があることが指摘
されていた。
例えば、紙・プラスチックを材質とする基板に磁性材料
を真空蒸着させると、その際に発生するアウトガスによ
シ結晶性が崩れ磁気特性が低下したり、アウトガスの種
類により接着強度が変動し問題になっていた。このため
、アウトガスの種類と量を測定解析し製造管理に応用す
る手段と、さらにこの手法を発展させて、上記基板等試
料の加熱による脱ガス或いは各種ガス・蒸気の導入によ
る吸着量の増加を組合せることにより、上記試料の吸着
ガスの種類と量を制御しアウトガスの種類と量を最適な
ものとすることのできる装置が求められていた。
を真空蒸着させると、その際に発生するアウトガスによ
シ結晶性が崩れ磁気特性が低下したり、アウトガスの種
類により接着強度が変動し問題になっていた。このため
、アウトガスの種類と量を測定解析し製造管理に応用す
る手段と、さらにこの手法を発展させて、上記基板等試
料の加熱による脱ガス或いは各種ガス・蒸気の導入によ
る吸着量の増加を組合せることにより、上記試料の吸着
ガスの種類と量を制御しアウトガスの種類と量を最適な
ものとすることのできる装置が求められていた。
ところで紙・プラスチックから発生するアウトガスを測
定する手法としては、現在のところガス質量分析器があ
るが、再現性のある測定と、装置の維持・管理に問題が
あり、大型の試料や長尺の巻物から発生するガスの正確
な測定が困難でかづ任意の真空槽への導入が難しく、測
定される試料３／、−ジ と試料の設置される真空槽にかなりの制限があった。
定する手法としては、現在のところガス質量分析器があ
るが、再現性のある測定と、装置の維持・管理に問題が
あり、大型の試料や長尺の巻物から発生するガスの正確
な測定が困難でかづ任意の真空槽への導入が難しく、測
定される試料３／、−ジ と試料の設置される真空槽にかなりの制限があった。
本発明は、以上のよりな点に鑑みなされたもので、真空
状態に保持された紙・プラスチックから発生するアウト
ガスの構成を簡便なる手法で解析し、さらに該試料の加
熱と外部からのガス・蒸気の導入を組合わせてその吸着
量を変化させることにより上記アウトガスの種類と量を
容易に制御できるようにすることを目的としている。
状態に保持された紙・プラスチックから発生するアウト
ガスの構成を簡便なる手法で解析し、さらに該試料の加
熱と外部からのガス・蒸気の導入を組合わせてその吸着
量を変化させることにより上記アウトガスの種類と量を
容易に制御できるようにすることを目的としている。
以下に図面を用い本発明の詳細な説明する。
実施例１
この場合、真空処理がパンチ式で行なわれる。
第１図に示すように１紙或いはプラスチック基板１を真
空容器４中に設けた温度制御可能なヒーター２上に置き
、真空排気口１１を通しての排気によシ真空容器４内を
約１０ｔＯｒｒの真空度までに排気する。その後、基板
１近傍に設けた放電用電極３により弱く放電を起こさせ
る。その際放電が不安定な場合は、ムｒ＊Ｎｅ等の不活
性ガスを導入するのが良い。発生した。放電プラズマか
らの発光スペクトルを真空容器４の壁に設けたコルツ製
の覗き窓６を通して分光器６に導く。そして分光器６に
より分光された光スペクトルは光電子増倍管７、増幅器
８を通し、ペンレコーダー９により記録される。なお図
中１０は外部からのガス・蒸気導入部、１２は不活性ガ
ス導入部、１３は放電用電源である。
空容器４中に設けた温度制御可能なヒーター２上に置き
、真空排気口１１を通しての排気によシ真空容器４内を
約１０ｔＯｒｒの真空度までに排気する。その後、基板
１近傍に設けた放電用電極３により弱く放電を起こさせ
る。その際放電が不安定な場合は、ムｒ＊Ｎｅ等の不活
性ガスを導入するのが良い。発生した。放電プラズマか
らの発光スペクトルを真空容器４の壁に設けたコルツ製
の覗き窓６を通して分光器６に導く。そして分光器６に
より分光された光スペクトルは光電子増倍管７、増幅器
８を通し、ペンレコーダー９により記録される。なお図
中１０は外部からのガス・蒸気導入部、１２は不活性ガ
ス導入部、１３は放電用電源である。
第２図はプラスチックフィルム基板のまわりにＡｒ ガ
スを導入してプラズマを発生させ光スペクトルを測定し
た結果を示す。第２図に示した結果から、上記基板から
は、水分、−酸化炭素、窒素のアウトガスが発生してい
ることがわかる。なお第２図に示したこれらのスペクト
ル線は、基板温度によシ大きく変動することが観察され
た。この工程から次工程へ流す方法として以下に述べる
ような方法を検討した。
スを導入してプラズマを発生させ光スペクトルを測定し
た結果を示す。第２図に示した結果から、上記基板から
は、水分、−酸化炭素、窒素のアウトガスが発生してい
ることがわかる。なお第２図に示したこれらのスペクト
ル線は、基板温度によシ大きく変動することが観察され
た。この工程から次工程へ流す方法として以下に述べる
ような方法を検討した。
（１）次工程の基板温度に調整し、その際得られる発光
スペクトルパターンが、管理パターンの許容範囲内にあ
るかチェック後、次工程へ流す。
スペクトルパターンが、管理パターンの許容範囲内にあ
るかチェック後、次工程へ流す。
許容範囲を越える場合はその範囲に入る壕で加５ 。
熱し脱ガスをおこなう。許容範囲以下の場合はその範囲
に入るまでガス・蒸気導入部１０より。
に入るまでガス・蒸気導入部１０より。
ガス・蒸気を導入し、基板における吸着量を増加させる
。
。
（２） （１）の方法を特定のスペクトル線のみに注
目しておこなう。
目しておこなう。
（３）紙・プラスチック基板が変形しない程度の温度で
加熱処理をおこない、はぼ完全に脱ガスする。その後、
真空処理上良い影響を与えるガス・蒸気を導入して基板
に吸着せしめ、その基板近傍で放電を発生させ、そのス
ペクトル強度値が満足すべき範囲内にあるかチェック後
次工程へ流す。
加熱処理をおこない、はぼ完全に脱ガスする。その後、
真空処理上良い影響を与えるガス・蒸気を導入して基板
に吸着せしめ、その基板近傍で放電を発生させ、そのス
ペクトル強度値が満足すべき範囲内にあるかチェック後
次工程へ流す。
実施例２
この場合、紙或いはプラスチックなどの基板に対する真
空処理が連続式で行なわれ、真空処理装置は、第３図に
示すように、連続真空蒸着装置と連結した構造になって
いる。真空装置は図に示すように真空容器４０＃（、真
空排気１１．１１’。
空処理が連続式で行なわれ、真空処理装置は、第３図に
示すように、連続真空蒸着装置と連結した構造になって
いる。真空装置は図に示すように真空容器４０＃（、真
空排気１１．１１’。
１１′をそれぞれ有する差圧構造の真空室４１．４１’
。
。
４１′の３室を有する。長尺の紙或いはプラスチックの
基板１′は基板走行系１４により真空室４１から順に４
１’、４１”へと送られる。基板１′は劣化しない程度
の温度で高温キャン２′に沿って走行させることにより
脱ガスされる。その後真空室４１′で製品の特性に良い
効果を示すガス・蒸気を制御された量だけ導入し基板１
′に吸着せしめる。上記ガス・蒸気の吸着量が調整され
た基板は、真空室４１′の入口部で実施例１と同様にプ
ラズマ分光の手法によりアウトガスの発生状況が検出さ
れ、得られた信号は高温キャン２′の温度、ガス・蒸気
導入部１ｏの流量制御にフィードバックされる。なお、
この例の場合光伝送路を簡略化するため、イメージファ
イバ６′が用いられている。このようにしてアウトガス
の発生状況が確認された基板１′は真空室４１′内にお
いて蒸発源１５からの蒸着物質でもって連続蒸着される
。
基板１′は基板走行系１４により真空室４１から順に４
１’、４１”へと送られる。基板１′は劣化しない程度
の温度で高温キャン２′に沿って走行させることにより
脱ガスされる。その後真空室４１′で製品の特性に良い
効果を示すガス・蒸気を制御された量だけ導入し基板１
′に吸着せしめる。上記ガス・蒸気の吸着量が調整され
た基板は、真空室４１′の入口部で実施例１と同様にプ
ラズマ分光の手法によりアウトガスの発生状況が検出さ
れ、得られた信号は高温キャン２′の温度、ガス・蒸気
導入部１ｏの流量制御にフィードバックされる。なお、
この例の場合光伝送路を簡略化するため、イメージファ
イバ６′が用いられている。このようにしてアウトガス
の発生状況が確認された基板１′は真空室４１′内にお
いて蒸発源１５からの蒸着物質でもって連続蒸着される
。
連続式の具体例として、高分子フィルム基板上に、磁化
方向が膜面に対し垂直方向にある磁性層を連続真空蒸着
により形成する場合を説明する。
方向が膜面に対し垂直方向にある磁性層を連続真空蒸着
により形成する場合を説明する。
７ ノ −ｉ＋
なおここで従来この例では、垂直方向の保磁力が基板か
ら発生するアウトガスにより低下したり。
ら発生するアウトガスにより低下したり。
長尺方向においてアウトガス発生ばらつきにより変動し
問題になっていた。そのため、前記高温キャンによる脱
ガス工程の導入が検討されたが、フィルム基板の表面状
態を悪化させないようにキャン温度を制御する必要が生
じた。そこで本発明による装置を用い前記アウトガスモ
ニターで最適条件を検討した。ここでは磁性層の接着強
度を一ヒげるという目的も兼ねて、酸素ガスを導入して
放電プラズマを発生袋せた。その結果、ＯＨラジカルの
発光強度工１と酸素のイオン線の発光強度工２が！−Ｉ
２ ＜ ＩＩ ＜ Ｉ２の関係を満たすようにキャン温
度を制御することにより、基板の表面状態が劣下せずに
、第４図に示すように、従来の場合３００〜７０００ｅ
ｌ とばらついていた保磁力が本発明による装置を用
いた場合６６０〜７０００ｅ と安定することが判明
した。
問題になっていた。そのため、前記高温キャンによる脱
ガス工程の導入が検討されたが、フィルム基板の表面状
態を悪化させないようにキャン温度を制御する必要が生
じた。そこで本発明による装置を用い前記アウトガスモ
ニターで最適条件を検討した。ここでは磁性層の接着強
度を一ヒげるという目的も兼ねて、酸素ガスを導入して
放電プラズマを発生袋せた。その結果、ＯＨラジカルの
発光強度工１と酸素のイオン線の発光強度工２が！−Ｉ
２ ＜ ＩＩ ＜ Ｉ２の関係を満たすようにキャン温
度を制御することにより、基板の表面状態が劣下せずに
、第４図に示すように、従来の場合３００〜７０００ｅ
ｌ とばらついていた保磁力が本発明による装置を用
いた場合６６０〜７０００ｅ と安定することが判明
した。
以上のように本発明による装置を用いることにより９紙
・プラスチックなどの基板からのアウト１１開口Ｕ３８
−１００６７４ （３）ガスの発生状態を適正に制御す
ることができ、したがってこのアウトガスの発生状態が
適正に９（１ｊ御された基板を用い磁気記録媒体などを
製造することによりその製造歩留り、品質を容易に高め
ることができる。
・プラスチックなどの基板からのアウト１１開口Ｕ３８
−１００６７４ （３）ガスの発生状態を適正に制御す
ることができ、したがってこのアウトガスの発生状態が
適正に９（１ｊ御された基板を用い磁気記録媒体などを
製造することによりその製造歩留り、品質を容易に高め
ることができる。
第１図は本発明の実施例１における真空処理装置の構成
を示す図、第２図は上紀真空処理装置の要部をなすアウ
トガスモニタにより処理すべきプラスチックフィルム基
板からのガス発生状況を検出したときのガス発光スペク
トラムを示す図、第３図は本発明の実施例２における真
空処理装置の構成を示す図、第４図は本発明の効果を示
す図である０ １．１′・・・・・・基板、２．２′・・・・・基板温
度制御部、３・・・・・・放電用電極、４，４０・・・
・・・真空容器、６・・・・・・覗き窓、５′・・・・
・・イメージファイバ、６・・・・・・分子器、７・・
・・・・光電子増倍管、８・・・・・・増幅器、９・・
・・・ペンレコーダー、１ｏ・・・・・・ガス・蒸気導
入部、１１．１１’、１１’・・・・・真空排気口、１
４・・・・・・基板走９１−） 行系、１５・・・・・・蒸発源、４１．４１’、４１″
・・・・・・真空室Ｏ
を示す図、第２図は上紀真空処理装置の要部をなすアウ
トガスモニタにより処理すべきプラスチックフィルム基
板からのガス発生状況を検出したときのガス発光スペク
トラムを示す図、第３図は本発明の実施例２における真
空処理装置の構成を示す図、第４図は本発明の効果を示
す図である０ １．１′・・・・・・基板、２．２′・・・・・基板温
度制御部、３・・・・・・放電用電極、４，４０・・・
・・・真空容器、６・・・・・・覗き窓、５′・・・・
・・イメージファイバ、６・・・・・・分子器、７・・
・・・・光電子増倍管、８・・・・・・増幅器、９・・
・・・ペンレコーダー、１ｏ・・・・・・ガス・蒸気導
入部、１１．１１’、１１’・・・・・真空排気口、１
４・・・・・・基板走９１−） 行系、１５・・・・・・蒸発源、４１．４１’、４１″
・・・・・・真空室Ｏ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 処理すべき試料を装填するための真空槽と、上記真空槽
内に装填された試料の近傍において上記試料から離脱し
たガスをプラズマ化する手段と。 プラズマ化したガスの発光スペクトルを検出する手段と
を有することを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19809581A JPS58100674A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19809581A JPS58100674A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100674A true JPS58100674A (ja) | 1983-06-15 |
| JPS6145703B2 JPS6145703B2 (ja) | 1986-10-09 |
Family
ID=16385409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19809581A Granted JPS58100674A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100674A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05113401A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-05-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 発光分光分析方法および装置 |
| JP2010090434A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置の製造装置 |
-
1981
- 1981-12-08 JP JP19809581A patent/JPS58100674A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05113401A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-05-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 発光分光分析方法および装置 |
| JP2010090434A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置の製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6145703B2 (ja) | 1986-10-09 |
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