JP2010090434A - 半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本願発明は半導体集積回路装置の製造工程におけるプラズマ・プロセスで、プロセス・チャンバ外に設けられたアンテナにより、プラズマから発生する電磁波を受信することで、同チャンバ内の水分をインサイチュー・モニタ(In Situ Monitor)するものである。
【選択図】図15
Description
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
(a)ウエハを第1の処理チャンバ内に導入する工程;
(b)前記工程(a)の後、前記第1の処理チャンバ内において、プラズマを励起することにより、前記ウエハに対して、気相処理を実行する工程、
ここで、前記工程(b)中において、前記第1の処理チャンバの外部に設けられたアンテナにより、前記第1の処理チャンバ内の前記プラズマから発生する電波を受信することにより、前記第1の処理チャンバ内の水分をモニタする。
(c)前記工程(a)の前に、前記マルチ・チャンバ型のウエハ処理装置内の第2の処理チャンバ内に前記ウエハを導入する工程;
(d)前記工程(c)の後であって前記工程(a)の前に、前記第2の処理チャンバ内において、前記ウエハに対して、デガス処理を実行する工程。
(a)マルチ・チャンバ型のウエハ処理装置内のデガス処理チャンバ内にウエハを導入する工程;
(b)前記工程(a)の後、前記デガス処理チャンバ内において、前記ウエハに対して、デガス処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記ウエハ処理装置内を通って、前記ウエハを前記ウエハ処理装置内のスパッタリング成膜処理チャンバ内に移送する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記スパッタリング成膜処理チャンバ内において、プラズマを励起することにより、前記ウエハに対して、スパッタリング処理により、前記ウエハの第1の主面上に、メタル膜を形成する工程、
ここで、前記工程(d)中において、前記スパッタリング成膜処理チャンバの外部に設けられたアンテナにより、前記スパッタリング成膜処理チャンバ内の前記プラズマから発生する電波を受信することにより、前記スパッタリング成膜処理チャンバ内の水分をモニタする。
(a)ウエハ処理チャンバ;
(b)前記ウエハ処理チャンバ内にプラズマを励起するためのプラズマ励起機構;
(c)前記ウエハ処理チャンバの外側に設けられ、前記プラズマから生成した電波を受信するための受信アンテナ;
(d)前記受信アンテナからの受信信号から前記ウエハ処理チャンバ内の水分に起因する信号成分を抽出する水分信号抽出部。
1.本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクションに分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
まず、以下のセクション2および3(ここではセクション2を念頭に説明する)で使用する半導体集積回路装置の製造装置等に関して説明する。図14に、ウエハ1に対して気相処理(デガス処理、スパッタリング成膜、CVD処理、エッチング等)を実行する複数のウエハ処理チャンバを有するマルチ・チャンバ型のウエハ処理装置30の平面図を示す。なお、セクション3のプロセスにおいては、たとえば、これらのチャンバの内、一つをアルミニウム・スパッタリング成膜用に設定すればよい。もちろん、別装置としてもよい。また、ここでは、エッチングは別の装置で処理しているが、同一の装置で処理するようにしてもよい。更に、ここでは、スパッタリング成膜とCVD処理を同一の装置で実施しているが、別装置としてもよい。同様に、チタンと窒化チタンのスパッタリング成膜を同一の装置の別チャンバで実施する構造となっているが、同一チャンバで、連続的に実施してもよい。以下、マルチ・チャンバ型のウエハ処理装置30の構造ならびに動作の概要を説明する。
先ず、タングステン系M1配線を有するウエハ・プロセスの要部(コンタクト・ホール完成後)を説明する。図1に示すように、P型シリコン単結晶ウエハ1(半導体基板)の一部にn型ウエル領域2が形成されており、それの縁に沿って半導体基板1の第1の主面側1a(デバイス主面側)に、STI(Shallow Trench Isolation)絶縁膜領域3が形成されている。このSTI絶縁膜領域3によって、Nチャネル領域5nとPチャネル領域5pが分離されている。半導体基板1のデバイス主面側1aの表面領域のNチャネル領域5nには、nチャネルMISFET4nの一部を構成するN型ソース・ドレイン領域6nが設けられている。一方、半導体基板1のデバイス主面側1aの表面領域のPチャネル領域5pには、pチャネルMISFET4pの一部を構成するP型ソース・ドレイン領域6pが設けられている。これらのN型ソース・ドレイン領域6nおよびP型ソース・ドレイン領域6pの表面は、シリサイド化(たとえばニッケル・モノ・シリサイド層)されている。nチャネルMISFET4nは、その他に半導体基板1上のゲート絶縁膜8、その上のn型ポリ・シリコン・ゲート電極10n、更にその上のシリサイド層9(たとえばニッケル・モノ・シリサイド層)、およびこれらを囲むサイド・ウォール・スペーサ絶縁膜7等を有する。同様に、pチャネルMISFET4pは、前記P型ソース・ドレイン領域6pの外、半導体基板1上のゲート絶縁膜8、その上のp型ポリ・シリコン・ゲート電極10p、更にその上のシリサイド層9(たとえばニッケル・モノ・シリサイド層)、およびこれらを囲むサイド・ウォール・スペーサ絶縁膜7等を有する。更に、これら及び半導体基板1のデバイス主面側1aを覆うように、プリ・メタル(Pre−Metal)層間絶縁膜11が形成されている。プリ・メタル層間絶縁膜11は、通常、下層の薄い窒化シリコン膜(エッチ・ストップ膜)と上層の厚い酸化シリコン系絶縁膜等から構成されている。この厚い酸化シリコン系絶縁膜としては、P−TEOS(Plasma−Tetraethylorthosilicate)を用いた酸化シリコン系絶縁膜等を例示することができる。コンタクト・ホール12(ほぼ円形の微細開口)の形成は、レジスト・パターンをエッチング・マスクとして、たとえばフルオロ・カーボン系のエッチング・ガス(CF4,CHF3,C2F6,C3F8,C4F8,C5F8およびこれらの混合ガス)、希釈ガス(たとえば、アルゴン、ヘリウムなど)、その他の添加ガス(たとえば酸素、水素、二酸化炭素)等を主要な成分として含む混合ガス中で、ドライ・エッチング(窒化シリコン膜等をエッチング・ストップ膜として、使用して)によって実行する。孔底の窒化シリコン膜は、同様にたとえばフルオロ・カーボン系その他のエッチング・ガス(CF4,CHF3,NF3,SF6およびこれらの混合ガス)、希釈ガス(たとえば、アルゴン、ヘリウムなど)、その他の添加ガス(たとえば酸素水素、二酸化炭素、窒素)等を主要な成分として含む混合ガス中で、ドライ・エッチングによって除去する。レジストの除去及び必要な洗浄が完了する(このような一連のパターニング処理を以下「通常のリソグラフィ」という)と、ウエハ1は搬送容器32に収納されて、マルチ・チャンバ型のウエハ処理装置30(図14の統合成膜装置)のロード・ポートに移送される。
セクション2の図1から図9までは基本的に同じであり、説明は繰り返さない(図13以降のプロセスについてもセクション2と同じ)。以下図9のデガス処理の後から説明する(図14のデガス処理チャンバ35でデガス完了)。図12に示すように、たとえば処理チャンバ36,37等において、比較的薄い下層バリア・メタル膜19をスパッタリング成膜等により形成する。たとえば処理チャンバ40等において、その上に、主配線層である比較的厚いアルミニウム系主配線層20(一般にアルミニウムを主要な成分として、銅、シリコン、その他の添加物を数%程度含む)をスパッタリング成膜により形成する。次に、たとえば処理チャンバ36,37等において、アルミニウム系主配線層20上に比較的薄い上層バリア・メタル膜18(一部は反射防止膜)をスパッタリング成膜等により形成する。各バリア・メタル膜18、19は、一般に下層のチタン膜と上層の窒化チタン膜から構成されている。
セクション1で説明した図16を参照しつつ、実際の受信信号57等の例を説明する。水分起因のパルスを含む実際の受信信号57は、図17に示すようなものとなる。すなわち、数ミリ・ボルト程度以下の波高で比較的平坦なプラズマ背景放射(プラズマの自然ゆらぎにより放射される電波)、水分等に起因し、典型的には30ナノ秒(短パルス長P1)から100ナノ秒(長パルス長P2)程度(長くとも5マイクロ秒、すなわち5000ナノ秒以下)のパルス長を持ち、波高が前者よりも高い短パルス信号、および、強度が短パルス信号と同程度で、これらよりもパルス長が十分に長い(通常100マイクロ秒を超える)異常放電等に起因する長パルス信号等(長すぎて図面に表示するのが困難であるが)を含んでいる。短パルス長P1(水分起因のパルスの一例のパルス長の下限)すなわち時点T1から時点T2の期間に着目すると、短パルス長P1の間が、水分子の回転スペクトル放射に直接起因する擾乱で、長パルス長P2の内、短パルス長P1後の期間すなわち、時点T2から時点T3の期間は2次的な擾乱と見ることもできる。これらを考慮すると、パルス長は、背景放射のみの状態から波高が急上昇する時点T1の直前から、2次的な擾乱が背景放射の強度枠内に収まる時点T3までの期間を取るのが好適と考えられる。これでも100ナノ秒程度であり、上限値5000ナノ秒(5マイクロ秒)と比較すると十分に小さい値である。
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
1a ウエハの第1の主面側(またはデバイス主面側)
1b ウエハの裏面
2 n型ウエル領域
3 STI絶縁膜領域
4n nチャネルMISFET
4p pチャネルMISFET
5n nチャネル領域
5p pチャネル領域
6n n型ソース・ドレイン領域
6p p型ソース・ドレイン領域
7 サイド・ウォール・スペーサ絶縁膜
8 ゲート絶縁膜
9 シリサイド層
10n n型ポリ・シリコン・ゲート電極
10p p型ポリ・シリコン・ゲート電極
11 プリ・メタル層間絶縁膜
12 コンタクト・ホール
14 デガス(脱ガス)
15 バリア・メタル膜
15a (バリア・メタル膜の内の)下層チタン膜
15b (バリア・メタル膜の内の)中層窒化チタン膜
15c (バリア・メタル膜の内の)上層窒化チタン膜
16 W−CVD膜
16a タングステン・プラグ
17 タングステン・スパッタリング膜
18 TiN反射防止膜
19 アルミニウム下層バリア・メタル膜
20 アルミニウム系主配線膜
30 マルチ・チャンバ型のウエハ処理装置
31 ロード・ポート
32 ウエハ容器
33 ロード・ロック室
34 真空搬送室
35 デガス処理チャンバ(第2の処理チャンバ)
36 チタン・スパッタリング成膜処理チャンバ(処理チャンバ又は第1の処理チャンバ)
37 窒化チタン・スパッタリング成膜処理チャンバ(処理チャンバ又は第1の処理チャンバ)
38 窒化チタンCVDチャンバ
39 タングステンCVDチャンバ
40 タングステン・スパッタリング・チャンバ(処理チャンバ又は第1の処理チャンバ)
41 下部電極(ウエハ・ステージ)
42 上部電極
43 直流バイアス電源
44 真空排気系
45 クライオ・ポンプ
46 メカニカル荒引きポンプ
47 プラズマ
48 電波
49 観測窓
50 ターゲット
51 受信アンテナ
52 アンテナ・シールド
53 排気口
54 ガス導入口
55 プラズマ励起機構
56 水分信号抽出部
57 受信信号
71 フィルタリング処理
72 増幅処理
73 最大値計測処理
74 積算処理
75 比較処理
76 長パルス長の異常放電等起因の信号有無確認処理
77 中間パルス長の異常放電等起因の信号有無確認処理
78 水分信号抽出・判定処理
P1 短パルス長(水分起因のパルスの一例のパルス長の下限)
P2 長パルス長(水分起因のパルスの一例のパルス長の上限)
R1 コンタクト・ホール周辺領域
T1 長短パルス長の始点
T2 短パルス長の終点
T3 長パルス長の終点
Claims (20)
- 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)ウエハを第1の処理チャンバ内に導入する工程;
(b)前記工程(a)の後、前記第1の処理チャンバ内において、プラズマを励起することにより、前記ウエハに対して、気相処理を実行する工程、
ここで、前記工程(b)中において、前記第1の処理チャンバの外部に設けられたアンテナにより、前記第1の処理チャンバ内の前記プラズマから発生する電波を受信することにより、前記第1の処理チャンバ内の水分をモニタする。 - 前記1項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1の処理チャンバは、マルチ・チャンバ型のウエハ処理装置内にある。
- 前記2項の半導体集積回路装置の製造方法において、更に以下の工程を含む:
(c)前記工程(a)の前に、前記ウエハ処理装置内の第2の処理チャンバ内に前記ウエハを導入する工程;
(d)前記工程(c)の後であって前記工程(a)の前に、前記第2の処理チャンバ内において、前記ウエハに対して、デガス処理を実行する工程。 - 前記1項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記気相処理は、スパッタリング成膜処理である。
- 前記1項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記気相処理は、メタル膜のスパッタリング成膜処理である。
- 前記5項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記メタル膜は、チタン、タングステン、タンタル、ルテニウム、およびこれらの窒化物からなる群から選択された一つを主要な成分とする。
- 前記5項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記メタル膜は、チタンまたはその窒化物を主要な成分とする。
- 前記5項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記メタル膜は、タングステンまたはその窒化物を主要な成分とする。
- 前記1項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記電波の帯域は、1GHz以上、6GHz以下である。
- 前記1項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記電波のパルス長は、5マイクロ秒以下である。
- 前記1項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記電波のパルス長は、100マイクロ秒以下である。
- 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)マルチ・チャンバ型のウエハ処理装置内のデガス処理チャンバ内にウエハを導入する工程;
(b)前記工程(a)の後、前記デガス処理チャンバ内において、前記ウエハに対して、デガス処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記ウエハ処理装置内を通って、前記ウエハを前記ウエハ処理装置内のスパッタリング成膜処理チャンバ内に移送する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記スパッタリング成膜処理チャンバ内において、プラズマを励起することにより、前記ウエハに対して、スパッタリング処理により、前記ウエハの第1の主面上に、メタル膜を形成する工程、
ここで、前記工程(d)中において、前記スパッタリング成膜処理チャンバの外部に設けられたアンテナにより、前記スパッタリング成膜処理チャンバ内の前記プラズマから発生する電波を受信することにより、前記スパッタリング成膜処理チャンバ内の水分をモニタする。 - 前記12項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記メタル膜は、チタン、タングステン、タンタル、ルテニウム、およびこれらの窒化物からなる群から選択された一つを主要な成分とする。
- 前記12項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記メタル膜は、チタンまたはその窒化物を主要な成分とする。
- 前記12項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記メタル膜は、タングステンまたはその窒化物を主要な成分とする。
- 前記12項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記電波の帯域は、1GHz以上、6GHz以下である。
- 前記12項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記電波のパルス長は、5マイクロ秒以下である。
- 前記12項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記電波のパルス長は、100マイクロ秒以下である。
- 以下を含む半導体集積回路装置の製造装置:
(a)ウエハ処理チャンバ;
(b)前記ウエハ処理チャンバ内にプラズマを励起するためのプラズマ励起機構;
(c)前記ウエハ処理チャンバの外側に設けられ、前記プラズマから生成した電波を受信するための受信アンテナ;
(d)前記受信アンテナからの受信信号から前記ウエハ処理チャンバ内の水分に起因する信号成分を抽出する水分信号抽出部。 - 前記19項の半導体集積回路装置の製造装置において、前記受信アンテナは、前記ウエハ処理チャンバの外壁の前記電波の内の水分に起因する信号成分を実質的に透過する部分の近傍に設けられている。
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011002769B4 (de) | 2011-01-17 | 2013-03-21 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Hybridkontaktstruktur mit Kontakten mit kleinem Aspektverhältnis in einem Halbleiterbauelement |
US20150087144A1 (en) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Apparatus and method of manufacturing metal gate semiconductor device |
US9312140B2 (en) * | 2014-05-19 | 2016-04-12 | International Business Machines Corporation | Semiconductor structures having low resistance paths throughout a wafer |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58100674A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空処理装置 |
JPH06129999A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-13 | Miyake Denshi Kogyo Kk | 含水率の連続測定装置 |
JPH09310173A (ja) * | 1996-05-21 | 1997-12-02 | Anelva Corp | スパッタリング後の基板の取り扱い方法及びスパッタリング装置 |
JPH11236666A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-08-31 | Murata Mfg Co Ltd | 成膜装置、および誘電体膜の製造方法 |
JP2002033280A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置、仕込・取出室及び仕込・取出室内部の排気方法 |
JP2003243367A (ja) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Fab Solution Kk | 異常放電検出装置及び方法 |
JP2004158714A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2005277397A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2007511867A (ja) * | 2003-05-22 | 2007-05-10 | エリーゼン ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテ | プラズマ源装置 |
JP2008151591A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Canon Inc | 水分の検出方法および成膜装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5292393A (en) * | 1986-12-19 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Multichamber integrated process system |
US6026762A (en) * | 1997-04-23 | 2000-02-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improved remote microwave plasma source for use with substrate processing systems |
JP2001516963A (ja) * | 1997-09-17 | 2001-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスプラズマ処理を監視しかつ管理するためのシステムおよび方法 |
US6442736B1 (en) * | 2000-10-03 | 2002-08-27 | L'air Liquide Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'expolitation Des Procedes Georges Claude | Semiconductor processing system and method for controlling moisture level therein |
JP4287682B2 (ja) | 2003-03-20 | 2009-07-01 | 原田産業株式会社 | 異常放電検出装置 |
JP2005209935A (ja) | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Fab Solution Kk | 放電検出装置 |
US20050188922A1 (en) * | 2004-02-26 | 2005-09-01 | Tokyo Electron Limited. | Plasma processing unit |
US20060234398A1 (en) * | 2005-04-15 | 2006-10-19 | International Business Machines Corporation | Single ic-chip design on wafer with an embedded sensor utilizing rf capabilities to enable real-time data transmission |
-
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- 2008-10-08 JP JP2008261310A patent/JP2010090434A/ja active Pending
-
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- 2009-09-09 US US12/556,027 patent/US8338298B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58100674A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空処理装置 |
JPH06129999A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-13 | Miyake Denshi Kogyo Kk | 含水率の連続測定装置 |
JPH09310173A (ja) * | 1996-05-21 | 1997-12-02 | Anelva Corp | スパッタリング後の基板の取り扱い方法及びスパッタリング装置 |
JPH11236666A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-08-31 | Murata Mfg Co Ltd | 成膜装置、および誘電体膜の製造方法 |
JP2002033280A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置、仕込・取出室及び仕込・取出室内部の排気方法 |
JP2003243367A (ja) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Fab Solution Kk | 異常放電検出装置及び方法 |
JP2004158714A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2007511867A (ja) * | 2003-05-22 | 2007-05-10 | エリーゼン ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテ | プラズマ源装置 |
JP2005277397A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2008151591A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Canon Inc | 水分の検出方法および成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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