JPS627846A - サセプタ - Google Patents
サセプタInfo
- Publication number
- JPS627846A JPS627846A JP14716285A JP14716285A JPS627846A JP S627846 A JPS627846 A JP S627846A JP 14716285 A JP14716285 A JP 14716285A JP 14716285 A JP14716285 A JP 14716285A JP S627846 A JPS627846 A JP S627846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- susceptor
- wafer
- dielectric constant
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、サセプタに関する。
従来、所謂バイポーラＩ Ｃ−？ ＭＯ８ＩＣからなる
半導体装置を製造する場合、第４図に示す如く、１層目
配線１を形成した半導体基板２上にプラズマ酸化膜ｓｆ
ｔ介して２層目配線４を形成することが行われている。
半導体装置を製造する場合、第４図に示す如く、１層目
配線１を形成した半導体基板２上にプラズマ酸化膜ｓｆ
ｔ介して２層目配線４を形成することが行われている。
このような層間絶縁膜や／ｆ ツシベーション膜となる
プラズマ酸化膜等を形成するためにサセプタが使用され
ている。サセプタ７の構造は、例えば第５図に示す如く
、平板状の基体５の複数枚を所定間隔で固定し、基体５
の相対向する内面の保持部で半導体ウェハ６ｔ−保持す
るようになっている。而して、基体５は、第６図（４）
に示す如く、カーデングラファイトで形成された基体本
体８の表面全面にプラズマ酸化膜９ｔ−被覆した構造を
有し、同図ω）に示す如く、その側面下部に設けられた
保持部１０によシ半導体ウェハ６を保持するようになっ
ている。この他にもカー？ング２ファイトからなる基体
本体８の表面に炭化硅素（ＳｔＣ）からなる被膜を形成
した基体も使用されている。
プラズマ酸化膜等を形成するためにサセプタが使用され
ている。サセプタ７の構造は、例えば第５図に示す如く
、平板状の基体５の複数枚を所定間隔で固定し、基体５
の相対向する内面の保持部で半導体ウェハ６ｔ−保持す
るようになっている。而して、基体５は、第６図（４）
に示す如く、カーデングラファイトで形成された基体本
体８の表面全面にプラズマ酸化膜９ｔ−被覆した構造を
有し、同図ω）に示す如く、その側面下部に設けられた
保持部１０によシ半導体ウェハ６を保持するようになっ
ている。この他にもカー？ング２ファイトからなる基体
本体８の表面に炭化硅素（ＳｔＣ）からなる被膜を形成
した基体も使用されている。
しかしながら、プラズマ酸化膜９を形成した基体５で構
成されたサセプタ７により、半導体基板２に下記条件で
厚さ１６００〜１７００Ｘのプラズマ酸化膜２を形成し
た場合１処理ロツト内での膜厚のばらつきは標準偏差値
（δ）で８０．２１である。また、１枚の半導体ウェハ
内でのプラズマ酸化膜２の膜厚のばらつきは、第７図に
特性線（Ｉ）にて示す如く±６チである。
成されたサセプタ７により、半導体基板２に下記条件で
厚さ１６００〜１７００Ｘのプラズマ酸化膜２を形成し
た場合１処理ロツト内での膜厚のばらつきは標準偏差値
（δ）で８０．２１である。また、１枚の半導体ウェハ
内でのプラズマ酸化膜２の膜厚のばらつきは、第７図に
特性線（Ｉ）にて示す如く±６チである。
プラズマ酸化膜の形成条件 （１）
反応ガス流量（Ｎ２０／５ｉＨ４） １９００／
４５ ８００Ｍ圧力 ０．８５
ｔｏｒｒ電源 １００ Ｗ温度
３８０ ℃堆積時間
４ 分生導体ウェノ・の処理枚数
７０ 枚また、炭化硅素膜を形成した基体で構成
されたサセプタによシ、半導体基板２に下記条件で厚さ
ＩＱＯＯ〜１２００Ｘのプラズマ酸化膜を形成した場合
、１処理ロフト内での膜厚のばらつきは標準偏差値（δ
）で９３１である。また、１枚の半導体ウェノ・内での
プラズマ酸化膜２の膜厚のばらつきは、第８図に特性線
Ｑｌ）にて示す如く±４チである。
４５ ８００Ｍ圧力 ０．８５
ｔｏｒｒ電源 １００ Ｗ温度
３８０ ℃堆積時間
４ 分生導体ウェノ・の処理枚数
７０ 枚また、炭化硅素膜を形成した基体で構成
されたサセプタによシ、半導体基板２に下記条件で厚さ
ＩＱＯＯ〜１２００Ｘのプラズマ酸化膜を形成した場合
、１処理ロフト内での膜厚のばらつきは標準偏差値（δ
）で９３１である。また、１枚の半導体ウェノ・内での
プラズマ酸化膜２の膜厚のばらつきは、第８図に特性線
Ｑｌ）にて示す如く±４チである。
プラズマ酸化膜の形成条件 （２）
反応ガス流量（Ｎ２０／５ＩＨ４） ２０００／
４７ ８００Ｍ圧力 ０．８５
ｔｏｒｒ電源 ＳＯＷ 温度 ３８０ ℃堆積時間
４分 半導体ウェハの処理枚数 ７０ 枚これらの
結果から明らかなように従来のサセプタ７でプラズマ酸
化膜２等の薄膜を形成した場合、１処理ロフト内及び１
枚の半導体ウェハ内での膜厚のばらつきが極めて太きい
。その結果、第９図に示す如く、例えば２層目配線４の
断切れが起きる等の問題がおった。
４７ ８００Ｍ圧力 ０．８５
ｔｏｒｒ電源 ＳＯＷ 温度 ３８０ ℃堆積時間
４分 半導体ウェハの処理枚数 ７０ 枚これらの
結果から明らかなように従来のサセプタ７でプラズマ酸
化膜２等の薄膜を形成した場合、１処理ロフト内及び１
枚の半導体ウェハ内での膜厚のばらつきが極めて太きい
。その結果、第９図に示す如く、例えば２層目配線４の
断切れが起きる等の問題がおった。
本発明は、１処理ロフト内及び１枚の半導体ウェハ内で
の膜厚の均一性を高くして、所定の薄膜を半導体ウェハ
に容易に形成することができるサセプタを提供すること
をその目的とするものである。
の膜厚の均一性を高くして、所定の薄膜を半導体ウェハ
に容易に形成することができるサセプタを提供すること
をその目的とするものである。
本発明は、半導体ウェハを保持する保持部を備えた基体
の露出表面に半導体ウェノ・の誘電率に近い誘電率を有
する保護被膜を形成したことによシ、１処理ロフト内及
び１枚の半導体ウェハ内で膜厚の均一性を高くして所定
の薄膜を半導体ウェハに容易に形成することができるサ
セプタである。
の露出表面に半導体ウェノ・の誘電率に近い誘電率を有
する保護被膜を形成したことによシ、１処理ロフト内及
び１枚の半導体ウェハ内で膜厚の均一性を高くして所定
の薄膜を半導体ウェハに容易に形成することができるサ
セプタである。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。このサセプタの基本構造は、第５図に示す従来のもの
と同様であるので図示を省略する。なお、同図では説明
を容易にするために半導体ウェハ６の保持部は図示を省
略している。本発明のサセプタは、同図に示す構造のも
のに限られず、以下に述べる保膿被膜を備えた基体で構
成されるもの全てを包含する。よって、以下に第１図を
参照してサセプタを構成する基体について説明する。こ
の基体２０は、絡平板状の基体本体２１の表面全面を被
処理体である半導体ウェハの誘電率に近い誘を率を有す
る保護被膜２２で覆われている。保護被膜２２としては
、例えば半導体ウェハがシリコンで形成されている場合
、非晶質シリコン膜等で形成するのが望ましい。保護被
膜２２の要件は、半導体ウェハの誘電率に近い誘電率を
有することであるから、半導体ウェハと同じ材質のもの
で形成しても良いことは勿論である。基体本体２１の材
質は、例えばカー？ングラファイトで形成されている。
。このサセプタの基本構造は、第５図に示す従来のもの
と同様であるので図示を省略する。なお、同図では説明
を容易にするために半導体ウェハ６の保持部は図示を省
略している。本発明のサセプタは、同図に示す構造のも
のに限られず、以下に述べる保膿被膜を備えた基体で構
成されるもの全てを包含する。よって、以下に第１図を
参照してサセプタを構成する基体について説明する。こ
の基体２０は、絡平板状の基体本体２１の表面全面を被
処理体である半導体ウェハの誘電率に近い誘を率を有す
る保護被膜２２で覆われている。保護被膜２２としては
、例えば半導体ウェハがシリコンで形成されている場合
、非晶質シリコン膜等で形成するのが望ましい。保護被
膜２２の要件は、半導体ウェハの誘電率に近い誘電率を
有することであるから、半導体ウェハと同じ材質のもの
で形成しても良いことは勿論である。基体本体２１の材
質は、例えばカー？ングラファイトで形成されている。
基体本体２１の側面部には、半導体ウェハを保持する次
めの保持部２３が形成されている。保護被膜２２の形成
の仕方としては、第２図に示す如く、少なくとも半導体
ウェハを保持部２３に設置した際に、基体本体２１の露
出表面を完全に覆うものであれば良い。例えば非晶質シ
リコン膜からなる膜厚が約１．５μｍの保護被膜２２を
プラズマＣＶＤ装置によって次のような条件下で容易に
形成することができる。
めの保持部２３が形成されている。保護被膜２２の形成
の仕方としては、第２図に示す如く、少なくとも半導体
ウェハを保持部２３に設置した際に、基体本体２１の露
出表面を完全に覆うものであれば良い。例えば非晶質シ
リコン膜からなる膜厚が約１．５μｍの保護被膜２２を
プラズマＣＶＤ装置によって次のような条件下で容易に
形成することができる。
非晶質シリコン膜からなる保護被膜の形成条件反応ガス
流量（ＳｉＨ４１００％） ２００ ＣＣ／ｍｉ
ｎ圧力 ０．８５ Ｔｏｒｒ電源
８０Ｗ 温度 ３８０℃ 上述のようにして非晶質シリコン膜からなる保護被膜２
２を形成した基体２０を用いて組立てられた第５図に示
す如き構造のサセプタを使用して、下記条件の下に７０
枚の半導体ウェノ・の表面に厚さ＝１４ｏｏ１のプラズ
マ酸化膜を形成したところ、１処理ロフト内での膜厚の
ばらつきは標準偏差値（δ）で３７Ｘであった。また、
１枚の半導体ウェノ・内でのプラズマ酸化膜の膜厚のば
らつきは、第３図に特性線（２）にて示す如く、±３チ
でありた。
流量（ＳｉＨ４１００％） ２００ ＣＣ／ｍｉ
ｎ圧力 ０．８５ Ｔｏｒｒ電源
８０Ｗ 温度 ３８０℃ 上述のようにして非晶質シリコン膜からなる保護被膜２
２を形成した基体２０を用いて組立てられた第５図に示
す如き構造のサセプタを使用して、下記条件の下に７０
枚の半導体ウェノ・の表面に厚さ＝１４ｏｏ１のプラズ
マ酸化膜を形成したところ、１処理ロフト内での膜厚の
ばらつきは標準偏差値（δ）で３７Ｘであった。また、
１枚の半導体ウェノ・内でのプラズマ酸化膜の膜厚のば
らつきは、第３図に特性線（２）にて示す如く、±３チ
でありた。
プラズマ酸化膜の形成条件 （３）
電源 ＳＯＷ
圧力 ０．８５Ｔｏｒｒ温度
３８０℃ このように実施例のサセプタで均一な膜厚のプラズマ酸
化ｋを容易に形成できるのは、次の理由によるものと考
えられる。す七ブタを構成する基体２００表面に牛導体
つェノ・６と同等の誘電率を有する保護被膜２２が形成
されている。
３８０℃ このように実施例のサセプタで均一な膜厚のプラズマ酸
化ｋを容易に形成できるのは、次の理由によるものと考
えられる。す七ブタを構成する基体２００表面に牛導体
つェノ・６と同等の誘電率を有する保護被膜２２が形成
されている。
このため保持部２３に半導体ウェノＳ６を設置しても１
枚の基体２０の全域が同電位となり、基体２０間での放
電の強さく電界）の異なる領域がプラズマ酸化膜の形成
の際に生じないためと考えられる。すなわち、第１０図
に示す如く、電界のかかる半導体ウェハ６間囚と基体２
０の表面間（Ｂ）は、ともにシリコンで形成されている
ため電界強度が一定の値となり、１処理ロフト内及び１
枚の半導体ウェハ６内で膜厚の均一度の高いプラズマ酸
化膜を形成できるものと考えられる。
枚の基体２０の全域が同電位となり、基体２０間での放
電の強さく電界）の異なる領域がプラズマ酸化膜の形成
の際に生じないためと考えられる。すなわち、第１０図
に示す如く、電界のかかる半導体ウェハ６間囚と基体２
０の表面間（Ｂ）は、ともにシリコンで形成されている
ため電界強度が一定の値となり、１処理ロフト内及び１
枚の半導体ウェハ６内で膜厚の均一度の高いプラズマ酸
化膜を形成できるものと考えられる。
以上説明した如く１本発明に係るサセプタによれば、ｌ
処理ロフト内及び１枚の半導体ウェハ内での膜厚の均一
性を高くして、所定の薄膜を半導体ウェハに容易に形成
することができるものである。
処理ロフト内及び１枚の半導体ウェハ内での膜厚の均一
性を高くして、所定の薄膜を半導体ウェハに容易に形成
することができるものである。
第１図は、本発明の一実施例の要部の断面図、第２図は
、本発明の他の実施例の要部の断面図、第３図、第７図
、及び第８図は、プラズマ酸化膜の膜厚と半導体ウェハ
の周縁部からの距離との関係を示す特性図、第５図は、
従来のサセプタの斜゛視図、第４図は、２層配線構造の
断面図、第６図（４）は、従来のサセプタの太部の断面
図、同図（Ｂ）は、同要部に半導体ウェノＳｋ設置した
状態を示す断面図、第９図は、２層配線構造における断
線の状態を示す断面図、第１０図は、本発明の一実施例
の作用を示す説明図である。 ２０・・・基体、２１・・・基体本体、２２・・・保護
被膜、２３・・・保持部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第４図
、本発明の他の実施例の要部の断面図、第３図、第７図
、及び第８図は、プラズマ酸化膜の膜厚と半導体ウェハ
の周縁部からの距離との関係を示す特性図、第５図は、
従来のサセプタの斜゛視図、第４図は、２層配線構造の
断面図、第６図（４）は、従来のサセプタの太部の断面
図、同図（Ｂ）は、同要部に半導体ウェノＳｋ設置した
状態を示す断面図、第９図は、２層配線構造における断
線の状態を示す断面図、第１０図は、本発明の一実施例
の作用を示す説明図である。 ２０・・・基体、２１・・・基体本体、２２・・・保護
被膜、２３・・・保持部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第４図
Claims (1)
- 被処理体の半導体ウェハを保持する保持部を有する基体
の少なくとも該保持部を除く露出表面が、前記被処理体
の誘電率に近い値の誘電率を有する保護被膜で形成され
ていることを特徴とするサセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14716285A JPS627846A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14716285A JPS627846A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | サセプタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS627846A true JPS627846A (ja) | 1987-01-14 |
| JPH0372151B2 JPH0372151B2 (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=15423990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14716285A Granted JPS627846A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS627846A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6432041B1 (en) | 1998-09-09 | 2002-08-13 | Olympus Optical Co., Ltd. | Endoscope shape detecting apparatus wherein form detecting processing is controlled according to connection state of magnetic field generating means |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50747A (ja) * | 1973-05-02 | 1975-01-07 |
-
1985
- 1985-07-04 JP JP14716285A patent/JPS627846A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50747A (ja) * | 1973-05-02 | 1975-01-07 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6432041B1 (en) | 1998-09-09 | 2002-08-13 | Olympus Optical Co., Ltd. | Endoscope shape detecting apparatus wherein form detecting processing is controlled according to connection state of magnetic field generating means |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0372151B2 (ja) | 1991-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10106974A (ja) | チタン膜及びチタンナイトライド膜の連続成膜方法 | |
| JP3161394B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2758845B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3155792B2 (ja) | ホットプレート | |
| JP2975885B2 (ja) | ガス分散器及びプラズマ処理装置 | |
| US6639279B1 (en) | Semiconductor transistor having interface layer between semiconductor and insulating layers | |
| JPH10284475A (ja) | 処理方法 | |
| JPS62193147A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3381767B2 (ja) | 成膜方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPS627846A (ja) | サセプタ | |
| JPH0437578B2 (ja) | ||
| JP3357991B2 (ja) | 静電吸着装置 | |
| JPH04132220A (ja) | プラズマテーパエッチング方法 | |
| JPH0610140A (ja) | 薄膜堆積装置 | |
| JPH04100221A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0766139A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH02292826A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3259453B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置に用いる電極及びプラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6039822A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS622544A (ja) | 無声放電型ガスプラズマ処理装置 | |
| JPH01265568A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3282326B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US5714406A (en) | Method for forming film on semiconductor substrate by thermal CVD method | |
| TW497133B (en) | Device and method for preventing over-thick film deposition on the edge of a wafer | |
| JP2000208424A (ja) | 処理装置とその方法 |