JPS627719A - エポキシ樹脂の製法 - Google Patents
エポキシ樹脂の製法Info
- Publication number
- JPS627719A JPS627719A JP14641185A JP14641185A JPS627719A JP S627719 A JPS627719 A JP S627719A JP 14641185 A JP14641185 A JP 14641185A JP 14641185 A JP14641185 A JP 14641185A JP S627719 A JPS627719 A JP S627719A
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- JP
- Japan
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- epichlorohydrin
- dicyclopentadiene
- catalyst
- reaction
- pref
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- Pending
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- Epoxy Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、下記一般式〔■°〕
(I)
〔式中nは、0〜10で平均値を示す。〕で表わされる
エポキシ樹脂の製法に関するものである。
エポキシ樹脂の製法に関するものである。
〔従来の技術および発明が解決すべき問題点〕エポキシ
樹脂は機械的特性、゛電気的特性、熱的特性、耐薬品性
、接着性等の緒特性に優れているため、電気および電子
材料分野において、幅広く使用されている。最近電子部
品特に集積回路の高集積化にともない、樹脂封止用エポ
キシ樹脂は、硬化後の残留応力が少ないこと、耐熱性、
可撓性に優れていることが要求されている。
樹脂は機械的特性、゛電気的特性、熱的特性、耐薬品性
、接着性等の緒特性に優れているため、電気および電子
材料分野において、幅広く使用されている。最近電子部
品特に集積回路の高集積化にともない、樹脂封止用エポ
キシ樹脂は、硬化後の残留応力が少ないこと、耐熱性、
可撓性に優れていることが要求されている。
そこで発明者らは、残留応力の低下、可撓性付与、耐熱
性の向上を目的として鋭意検討の結果、所期の目的に適
合したT it: 4シ樹脂の製法を見出した。
性の向上を目的として鋭意検討の結果、所期の目的に適
合したT it: 4シ樹脂の製法を見出した。
従来、ジシクロペンタジェンとレゾルシノール重合物の
エポキシ化物としては、5orokinV、P、らのh
法K him、 P ros、 U kr、 1970
(4)57、 LJSSR219178,があるがそ
の方法では、レゾルシノールとジシクロペンタジェンを
氷酢酸およびBFsを用いて125〜190℃で反応し
たのち反応物をそのままECHに溶解し、75℃でレゾ
ルシノールのモル数の半量のNaOHを加えエポキシ化
を行っている。この方法では重合物中に残存するモノマ
ーが数5〜士数%におよぶうえ、添加Na0HIが不足
しているため、エポキシ真理も理論量より低い値にとど
まる。
エポキシ化物としては、5orokinV、P、らのh
法K him、 P ros、 U kr、 1970
(4)57、 LJSSR219178,があるがそ
の方法では、レゾルシノールとジシクロペンタジェンを
氷酢酸およびBFsを用いて125〜190℃で反応し
たのち反応物をそのままECHに溶解し、75℃でレゾ
ルシノールのモル数の半量のNaOHを加えエポキシ化
を行っている。この方法では重合物中に残存するモノマ
ーが数5〜士数%におよぶうえ、添加Na0HIが不足
しているため、エポキシ真理も理論量より低い値にとど
まる。
このため、エポキシ化後の樹脂を硬化した、硬化体の電
気特性および機械的特性に悪い影響を与える。
気特性および機械的特性に悪い影響を与える。
本発明者らは、これらの問題点を解決するために検討し
た結果、ジシクロペンタジェンとレゾルシノールを重合
させた後減圧蒸留および、又は分別沈澱により、未反応
モノマーを1%以下まで除去し、さらに(留去物から逆
算した)反応レゾルシノールの水Mu当aに相等するN
aOHを゛加えることにより、電気特性、機械的特性に
優れた硬化物をもたらす、エポキシ樹脂を製造できるこ
とを見い出した。
た結果、ジシクロペンタジェンとレゾルシノールを重合
させた後減圧蒸留および、又は分別沈澱により、未反応
モノマーを1%以下まで除去し、さらに(留去物から逆
算した)反応レゾルシノールの水Mu当aに相等するN
aOHを゛加えることにより、電気特性、機械的特性に
優れた硬化物をもたらす、エポキシ樹脂を製造できるこ
とを見い出した。
(作用)
以下、本発明を詳述する。
本発明の製造法には、2つの工程が含まれる。
レゾルシノール類とジシクロペンタジェンを触媒の存在
下あるいは無触媒下で1合する第1の工程と、重合物の
持つフェノール性水酸基を、エピクロルヒドリンにより
、グリシジル化する第2の工程である。
下あるいは無触媒下で1合する第1の工程と、重合物の
持つフェノール性水酸基を、エピクロルヒドリンにより
、グリシジル化する第2の工程である。
第1工程において、使用されるレゾルシノール類はレゾ
ルシノール、2−メチルレゾルシノール等があげられる
。その他の多価フェノール類も使用することもできる。
ルシノール、2−メチルレゾルシノール等があげられる
。その他の多価フェノール類も使用することもできる。
触媒としては、ルイス酸であれば使用でき、AJ2CJ
!3、BF3、zn CJ!z 、H2804、Ti、
C,e+ 、H3P0+やチグラー触媒などを挙げるこ
とができる。
!3、BF3、zn CJ!z 、H2804、Ti、
C,e+ 、H3P0+やチグラー触媒などを挙げるこ
とができる。
これら、を1種あるいは2種以上混合して使用すること
もできる。レゾルシノール類を加熱溶融させ、そこへ触
媒を添加し、均一に溶解した後、50〜180℃好まし
くは70〜140℃でジシクロペンタジェンを滴下する
。それぞれの添加量はジシクロペンタジェン1モルに対
し触媒の種類によっても異なるが、触媒0.001〜0
.5モル好ましくはo、oos〜0.1モル、レゾルシ
ノール類0.1〜10.0モル好ましくは0.5〜5モ
ルである。
もできる。レゾルシノール類を加熱溶融させ、そこへ触
媒を添加し、均一に溶解した後、50〜180℃好まし
くは70〜140℃でジシクロペンタジェンを滴下する
。それぞれの添加量はジシクロペンタジェン1モルに対
し触媒の種類によっても異なるが、触媒0.001〜0
.5モル好ましくはo、oos〜0.1モル、レゾルシ
ノール類0.1〜10.0モル好ましくは0.5〜5モ
ルである。
この工程において、ジシクロペンタジェンとレゾルシノ
ール類の混合物に触媒を徐々に添加してもよいしジシク
ロペンタジェンに触媒を添加し、そこへレゾルシノール
類を徐々に加えてもよい。原料の配合によって異なるが
、添加時間は1〜10時間、その後数時間反応させる。
ール類の混合物に触媒を徐々に添加してもよいしジシク
ロペンタジェンに触媒を添加し、そこへレゾルシノール
類を徐々に加えてもよい。原料の配合によって異なるが
、添加時間は1〜10時間、その後数時間反応させる。
次に未反応モノマーを減圧蒸留又は、分別沈澱により1
%以下に除去し、さらに触媒の種類によっては、水と混
合しない有機溶媒に、重合物を溶解1ノだ後、水により
洗浄後、有機層を濃縮して、一般式(II)で示される
重合物を得る。
%以下に除去し、さらに触媒の種類によっては、水と混
合しない有機溶媒に、重合物を溶解1ノだ後、水により
洗浄後、有機層を濃縮して、一般式(II)で示される
重合物を得る。
(U)
〔式中nは、0〜10で平均値を示す。〕第2工程にお
いては、第1工程で得た重合物(II)を、そのフェノ
ール性水酸基当凶の1〜20倍モル好ましくは、3〜1
0倍モルの1ビクOルヒドリンに溶解する。この反応液
を第4#lアンモニウム塩等の触媒の存在下、10〜1
40℃好ましくは、50〜100℃に保ち、付加反応さ
せ、フェノール性OHにエピクロルヒドリンが付加した
、アルファークロルヒドリン体を生成させる。ここで用
いる触媒としては、臭化テトラメチルアンモニウム、臭
化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化テトラエチル
アンモニウム等の4@アンモニウム塩、トリメチルアミ
ン専の3級アミン類、ハ〔1ゲン化ホスホニウム塩、臭
七カリウム等のハロゲン化アルカリ金属などを挙げるこ
とができる。単一あるいは混合しても用いることができ
る。用いる触媒量は、重合物(If)100重量部に対
し、0.02〜5.0重量部程度である。
いては、第1工程で得た重合物(II)を、そのフェノ
ール性水酸基当凶の1〜20倍モル好ましくは、3〜1
0倍モルの1ビクOルヒドリンに溶解する。この反応液
を第4#lアンモニウム塩等の触媒の存在下、10〜1
40℃好ましくは、50〜100℃に保ち、付加反応さ
せ、フェノール性OHにエピクロルヒドリンが付加した
、アルファークロルヒドリン体を生成させる。ここで用
いる触媒としては、臭化テトラメチルアンモニウム、臭
化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化テトラエチル
アンモニウム等の4@アンモニウム塩、トリメチルアミ
ン専の3級アミン類、ハ〔1ゲン化ホスホニウム塩、臭
七カリウム等のハロゲン化アルカリ金属などを挙げるこ
とができる。単一あるいは混合しても用いることができ
る。用いる触媒量は、重合物(If)100重量部に対
し、0.02〜5.0重量部程度である。
また、触媒を用いずアルカリの添加方法を変更すること
によっても、付加閉環を行うこともできるが、この方法
では、電気・電子産業が求めている高純度樹脂を製造す
ることは難しい欠点を有する。
によっても、付加閉環を行うこともできるが、この方法
では、電気・電子産業が求めている高純度樹脂を製造す
ることは難しい欠点を有する。
次に反応系にアルカリを添加しながら反応系を40〜3
00awHgの減圧下に保持し、水をエピクロルヒドリ
ンと共沸させることにより留去する。ここではアルカリ
の添加速度と蒸留条件を調整することにより反応系内の
水含有率を0.1〜5.0重量%とする。
00awHgの減圧下に保持し、水をエピクロルヒドリ
ンと共沸させることにより留去する。ここではアルカリ
の添加速度と蒸留条件を調整することにより反応系内の
水含有率を0.1〜5.0重量%とする。
反応系内から水を除去せずに実施することも可能である
が、反応系中の水によってエピクロルヒドリンが分解す
るため、工業的実施には不利であり、しかも副It成物
が多量に生成する原因になり好ましくない。アルカリ使
用量は重合物(IT)のフェノール性水酸基当吊にλ1
して0.90 ”−1,50当量である。アルカリとし
ては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウ
ム、炭酸す1〜リウム等が挙げられるが、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウムが好ましい。
が、反応系中の水によってエピクロルヒドリンが分解す
るため、工業的実施には不利であり、しかも副It成物
が多量に生成する原因になり好ましくない。アルカリ使
用量は重合物(IT)のフェノール性水酸基当吊にλ1
して0.90 ”−1,50当量である。アルカリとし
ては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウ
ム、炭酸す1〜リウム等が挙げられるが、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウムが好ましい。
反応温度は30〜140℃、好ましくは50〜110℃
である。反応時間は実質的に閉環反応(脱ハ【]ゲン化
水素化)が完結するまでであり、通常0.5〜15時間
、好ましくは2〜8時間である。
である。反応時間は実質的に閉環反応(脱ハ【]ゲン化
水素化)が完結するまでであり、通常0.5〜15時間
、好ましくは2〜8時間である。
次いで過剰の1ビクロルヒドリンを減圧蒸留によって留
去した後、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケト
ン、トルエン等の有機溶剤に反応物を溶解し、副生じた
ハロゲン化金属塩を濾過する。濾液を数回純水により洗
浄し、その後有機層を減圧濃縮することにより、本発明
のエポキシ化合物を得る。
去した後、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケト
ン、トルエン等の有機溶剤に反応物を溶解し、副生じた
ハロゲン化金属塩を濾過する。濾液を数回純水により洗
浄し、その後有機層を減圧濃縮することにより、本発明
のエポキシ化合物を得る。
以下に実施例を示すが、これは例示の目的で掲げたもの
で、これにより本発明を制約するものではない。尚、以
下単に部とあるはいずれも重量部を意味する。
で、これにより本発明を制約するものではない。尚、以
下単に部とあるはいずれも重量部を意味する。
実施例ル
ゾルシノール1,000部を温度計、冷却器、撹I¥装
置、滴下管を付した反応器内に仕込み、100±5℃に
保ちながら、47%BF3エーテルコンプレックス15
部を加え、完全に混合するまで撹拌した後、ジシクロペ
ンタジェン415部を4時間かけて滴下した。滴下後、
1時間100±5℃で保持した侵、180℃、4 m
l−1gで未反応上ツマ−を留去したのらさらにメタノ
ール500部に溶解した。このメタノール溶液に水25
0部を加え、分別沈澱により樹脂を分取し、残存モノ7
1%以下の目的とする重合物925部を得た。
置、滴下管を付した反応器内に仕込み、100±5℃に
保ちながら、47%BF3エーテルコンプレックス15
部を加え、完全に混合するまで撹拌した後、ジシクロペ
ンタジェン415部を4時間かけて滴下した。滴下後、
1時間100±5℃で保持した侵、180℃、4 m
l−1gで未反応上ツマ−を留去したのらさらにメタノ
ール500部に溶解した。このメタノール溶液に水25
0部を加え、分別沈澱により樹脂を分取し、残存モノ7
1%以下の目的とする重合物925部を得た。
重合物200部をエピクロルヒト92500部に溶解し
、触媒としてベンジルトリエチルアンモニウムブロマイ
ドを1.0g加え、80’Cで6時間反応させた後、そ
こへ49%Na1l−1128部を150±50srH
gの減圧下エピクロルヒドリンと水を共沸させ、水を系
外に出しくrがら6.0時間かけて滴下した。反応系を
80℃に保+5ながらさらに6時間撹拌を続けた後、エ
ピクロルヒドリンを減圧留去し、ヌチルイソブチルケト
ン500部に溶解した。次に反応によって生じたNaC
(を濾過し、濾液の有機層を水洗したのlっ、減圧濃縮
して目的の化合物CT)を224部得た。
、触媒としてベンジルトリエチルアンモニウムブロマイ
ドを1.0g加え、80’Cで6時間反応させた後、そ
こへ49%Na1l−1128部を150±50srH
gの減圧下エピクロルヒドリンと水を共沸させ、水を系
外に出しくrがら6.0時間かけて滴下した。反応系を
80℃に保+5ながらさらに6時間撹拌を続けた後、エ
ピクロルヒドリンを減圧留去し、ヌチルイソブチルケト
ン500部に溶解した。次に反応によって生じたNaC
(を濾過し、濾液の有機層を水洗したのlっ、減圧濃縮
して目的の化合物CT)を224部得た。
化合物(J)の分析結果を表−1および添付図面第1図
、第2図に示す。
、第2図に示す。
表−1
2)カラム :TSK GEL 1−IXL4,0
00x1゜HXL 3,000X1. ト(XL
2,000X2g媒:THF、流a lai!/m1
n3)エタノール溶液
00x1゜HXL 3,000X1. ト(XL
2,000X2g媒:THF、流a lai!/m1
n3)エタノール溶液
第1図は本発明法でiFlられた化合物のG P C(
ゲルパーミュションクロマトグラフ)を示す図表、第2
図は同上のIRを示す図表である。 第1図 響 耐 (TIME)
ゲルパーミュションクロマトグラフ)を示す図表、第2
図は同上のIRを示す図表である。 第1図 響 耐 (TIME)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)レゾルシノール類とジシクロペンタジエンを重合さ
せ、蒸留又は分別沈澱により未反応物を除去した後、エ
ピクロルヒドリンを反応させることを特徴とする下記一
般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔 I 〕 〔式中nは、0〜10で平均値を示す。〕 で表わされるエポキシ樹脂の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14641185A JPS627719A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | エポキシ樹脂の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14641185A JPS627719A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | エポキシ樹脂の製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS627719A true JPS627719A (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=15407084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14641185A Pending JPS627719A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | エポキシ樹脂の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS627719A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4939743A (en) * | 1988-05-18 | 1990-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
US5189082A (en) * | 1991-09-26 | 1993-02-23 | Cheil Industries, Inc. | Imide epoxy resins for sealing semiconductor elements |
US5254605A (en) * | 1991-11-30 | 1993-10-19 | Cheil Industries, Inc. | Imide epoxy resin composition for sealing semiconductor elements |
US5266612A (en) * | 1992-01-18 | 1993-11-30 | Cheil Industries, Inc. | Imide epoxy resin composition for sealing semiconductor elements |
-
1985
- 1985-07-03 JP JP14641185A patent/JPS627719A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4939743A (en) * | 1988-05-18 | 1990-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
US5189082A (en) * | 1991-09-26 | 1993-02-23 | Cheil Industries, Inc. | Imide epoxy resins for sealing semiconductor elements |
US5254605A (en) * | 1991-11-30 | 1993-10-19 | Cheil Industries, Inc. | Imide epoxy resin composition for sealing semiconductor elements |
US5266612A (en) * | 1992-01-18 | 1993-11-30 | Cheil Industries, Inc. | Imide epoxy resin composition for sealing semiconductor elements |
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