JPS6273539A - セラミツクス回転体 - Google Patents
セラミツクス回転体Info
- Publication number
- JPS6273539A JPS6273539A JP60211053A JP21105385A JPS6273539A JP S6273539 A JPS6273539 A JP S6273539A JP 60211053 A JP60211053 A JP 60211053A JP 21105385 A JP21105385 A JP 21105385A JP S6273539 A JPS6273539 A JP S6273539A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- rotating body
- hole
- ceramic rotating
- rotator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技トド１分野］
本発明は、内部に導電路の形成されたセラミックス回転
体に関する。
体に関する。
［発明の技術的前日とその問題点］
磁気浮上形Ｘ線管用のセラミックス回転体等のセラミッ
クス回転体には、端部にターゲラ１〜からの電流取り出
し部を形成する必要があり、この電流取り出し部は従来
セラミックス焼結体内部の回転軸に沿って形成した貫通
孔に導電路となる金属ワイヤを挿入することにより形成
されていた。
クス回転体には、端部にターゲラ１〜からの電流取り出
し部を形成する必要があり、この電流取り出し部は従来
セラミックス焼結体内部の回転軸に沿って形成した貫通
孔に導電路となる金属ワイヤを挿入することにより形成
されていた。
しかしながらこの用な回転体ではセラミックス焼結体と
金属ワイヤとが一体化していないため、回転中、金属ワ
イヤの断線が生じたり、セラミックス回転体端部ての接
点不良を起こし易いという問題があった。また金属ワイ
ヤを中心に固定するのか困難で回転のバランスをとり難
いという問題もあった。
金属ワイヤとが一体化していないため、回転中、金属ワ
イヤの断線が生じたり、セラミックス回転体端部ての接
点不良を起こし易いという問題があった。また金属ワイ
ヤを中心に固定するのか困難で回転のバランスをとり難
いという問題もあった。
［発明の目的］
本発明はこのような問題を解消するためなされたもので
、セラミックス回転体の内部にセラミックスと一体化し
た導電路を有するセラミックス回転体を提供することを
目的とする。
、セラミックス回転体の内部にセラミックスと一体化し
た導電路を有するセラミックス回転体を提供することを
目的とする。
［発明の！！！！要］
すなわち本発明のセラミックス回転体は、回転軸に沿っ
て形成された貫通孔の内周面に、金属また金属化合物の
焼成により形成された導電路が形成されていることを特
徴としている。
て形成された貫通孔の内周面に、金属また金属化合物の
焼成により形成された導電路が形成されていることを特
徴としている。
本発明に使用するセラミックスとしては、アルミナ等の
酸化物、窒化ケイ素、窒化フルミニ【クム等の窒化物等
があげられるが、耐熱性、耐衝撃性等の点から窒化物が
好ましい。
酸化物、窒化ケイ素、窒化フルミニ【クム等の窒化物等
があげられるが、耐熱性、耐衝撃性等の点から窒化物が
好ましい。
本発明における導電路は、セラミックス回転体の回転軸
に治って形成されたｎ通孔の内周面に、メタライズ用組
成物を塗布あるいは浸漬により被着さＵ、非酸化ＩＬＬ
雰囲気中で約１１００°Ｃ以上に加熱焼成して形成され
るａなおこのような液状のメタライズ用組成物の使用に
代えで、未焼成ヒラミックス回転体の回転軸に沿って形
成された貫通孔内に、粉末状のメタライズ用組成物を配
置したのちセラミックスの焼成条件で焼成しで形成する
ことも可能である。
に治って形成されたｎ通孔の内周面に、メタライズ用組
成物を塗布あるいは浸漬により被着さＵ、非酸化ＩＬＬ
雰囲気中で約１１００°Ｃ以上に加熱焼成して形成され
るａなおこのような液状のメタライズ用組成物の使用に
代えで、未焼成ヒラミックス回転体の回転軸に沿って形
成された貫通孔内に、粉末状のメタライズ用組成物を配
置したのちセラミックスの焼成条件で焼成しで形成する
ことも可能である。
このようなメタライズ用組成物としては、金属あるいは
焼成により導電性となる、金属のケイ化物、窒化物、酸
化物、炭化物、硼化物等をあげることができる。
焼成により導電性となる、金属のケイ化物、窒化物、酸
化物、炭化物、硼化物等をあげることができる。
なお回転体を構成するセラミックス焼結体が酸化物系セ
ラミックスの場合、メタライズ用組成物としては通常の
モリブデン−マンガン系あるいはタングステン−マンガ
ン系が適しており、窒化物系ビラミックスの場合はモリ
ブデン酸Ｊ３よび／またはタングステン酸の金属塩とＩ
Ｖａ族遷移金属（Ｔｉ、Ｚｒ、ｌ−１ｆ ）まだはその
化合物を含むメタライズ用組成物、とくに−Ｅリブデン
酸すヂウムと二酸化チタンとを含むメタライズ用組成物
が適している。
ラミックスの場合、メタライズ用組成物としては通常の
モリブデン−マンガン系あるいはタングステン−マンガ
ン系が適しており、窒化物系ビラミックスの場合はモリ
ブデン酸Ｊ３よび／またはタングステン酸の金属塩とＩ
Ｖａ族遷移金属（Ｔｉ、Ｚｒ、ｌ−１ｆ ）まだはその
化合物を含むメタライズ用組成物、とくに−Ｅリブデン
酸すヂウムと二酸化チタンとを含むメタライズ用組成物
が適している。
このようにｔノで焼成により形成された導電路は、被着
物質が焼成によりセラミックスと反応して一体化してい
るので強固なものとなる。
物質が焼成によりセラミックスと反応して一体化してい
るので強固なものとなる。
［発明の実施例］
次に本発明の実施例について説明１−る。
実施例１
焼１１’ｌ助材として酸化イツトリウム５重量％、アル
ミ＋４手量％、窒化アルミニウム３小吊％およびバイン
ダを含む窒化グ゛イ素粉末を用いて、常法により第１図
に示すように、回転軸に貫通孔１ａを所定の磁気浮上形
Ｘ線管用回転体の形状に成形し、これを窒素雰囲気中で
、約１７５０’Ｃで２時間焼成した。このセラミックス
回転体１を直立さけ、中心の貫通孔２にモリブデン酸リ
チウム、二酸化チタン、酢酸ブチル（千吊比で１：１ニ
ア）から成るメタライズ用組成物を流し込み、貫通孔の
内周面に被着したのら、空気中で約７５０°Ｃ１５分間
加熱してモリ１デン酸リチウムを１８融し、次いで窒素
：水素−１−１：１の混合ガス中で１３００’Ｃ１６０
分間加熱焼成して導電路３＠形成した。
ミ＋４手量％、窒化アルミニウム３小吊％およびバイン
ダを含む窒化グ゛イ素粉末を用いて、常法により第１図
に示すように、回転軸に貫通孔１ａを所定の磁気浮上形
Ｘ線管用回転体の形状に成形し、これを窒素雰囲気中で
、約１７５０’Ｃで２時間焼成した。このセラミックス
回転体１を直立さけ、中心の貫通孔２にモリブデン酸リ
チウム、二酸化チタン、酢酸ブチル（千吊比で１：１ニ
ア）から成るメタライズ用組成物を流し込み、貫通孔の
内周面に被着したのら、空気中で約７５０°Ｃ１５分間
加熱してモリ１デン酸リチウムを１８融し、次いで窒素
：水素−１−１：１の混合ガス中で１３００’Ｃ１６０
分間加熱焼成して導電路３＠形成した。
このようにして形成した導電路は、ビラミックスとの缶
石性に優れており、Ｘ線管のバランス取りが容易であっ
た。なお、導電路は分析の結果、窒化チタン、しリブデ
ンを主体とする物質で形成されていた。
石性に優れており、Ｘ線管のバランス取りが容易であっ
た。なお、導電路は分析の結果、窒化チタン、しリブデ
ンを主体とする物質で形成されていた。
実施例２
窒化ケイ素粉末に、焼結助＋４どして酸化イツトリウム
５重量％、アルミノ４申１［！’Ｏ１窒化）′ルミニウ
ム３重量％を添加し、さらにバインダを混合して半円柱
状の成形体４ａ、４． ｂを２個成形した。
５重量％、アルミノ４申１［！’Ｏ１窒化）′ルミニウ
ム３重量％を添加し、さらにバインダを混合して半円柱
状の成形体４ａ、４． ｂを２個成形した。
−ｈの成形体４ｆｆ：１の所定の位置に厚ＩＩＱ法によ
りペースト状の二酸化チタン５を印刷し、他方の成形体
４ｂ’２ｉＭねて脱脂したのら窒素雰囲気中で約１７５
０°Ｃで２時間加熱して焼成した。このようにして得ら
れたセラミックス焼結体の△、Ｂ位置でテスターを用い
て導通の有無を確認したところ、セラミックス焼結体内
部に良好な導電路が形成されていることがわかった。、
なお、導電路は分析したところ窒化チタンを主体とする
物質で形成されていた。
りペースト状の二酸化チタン５を印刷し、他方の成形体
４ｂ’２ｉＭねて脱脂したのら窒素雰囲気中で約１７５
０°Ｃで２時間加熱して焼成した。このようにして得ら
れたセラミックス焼結体の△、Ｂ位置でテスターを用い
て導通の有無を確認したところ、セラミックス焼結体内
部に良好な導電路が形成されていることがわかった。、
なお、導電路は分析したところ窒化チタンを主体とする
物質で形成されていた。
［発明の効果１
以上説明したように、本発明のセラミックス回転体は導
電路がセラミックスと強固に密着しているので、バラン
ス取りに問題がなく、また断線のおそれもない。従って
高速で回転する磁気浮上形Ｘ線管のターゲット保持用と
して有用Ｃ゛ある。
電路がセラミックスと強固に密着しているので、バラン
ス取りに問題がなく、また断線のおそれもない。従って
高速で回転する磁気浮上形Ｘ線管のターゲット保持用と
して有用Ｃ゛ある。
第１図は本発明の一実施例を示す磁気浮上形Ｘ線管用の
セラミックス回転体を示ず断面図、第２図は本発明の他
の実施例の′！！Ｊ造方法合方法斜視図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・セラミックス回転体
２・・・・・・・・・・・・・・・貫通孔３・・・・・
・・・・・・・・・・導電路４ａ、４ｂ・・・セラミッ
クス成形体 渠 １ 巳 ｂ ４２コ
セラミックス回転体を示ず断面図、第２図は本発明の他
の実施例の′！！Ｊ造方法合方法斜視図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・セラミックス回転体
２・・・・・・・・・・・・・・・貫通孔３・・・・・
・・・・・・・・・・導電路４ａ、４ｂ・・・セラミッ
クス成形体 渠 １ 巳 ｂ ４２コ
Claims (6)
- （１）回転軸に沿つて形成された孔の内周面に、金属ま
た金属化合物の焼成により形成された導電路が形成され
ていることを特徴とするセラミックス回転体。 - （２）導電路は、前記孔の内周面に被着されたメタライ
ズ用組成物の焼成により形成されている特許請求の範囲
第１項記載のセラミックス回転体。 - （３）セラミックス回転体が酸化物系セラミックス焼結
体であつて、メタライズ用組成物がモリブデン−マンガ
ン系あるいはタングステン−マンガン系のメタライズ用
組成物である特許請求の範囲第２項記載のセラミックス
回転体。 - （４）セラミックス回転体が、窒化物系セラミックス焼
結体であつて、メタライズ用組成物がモリブデン酸リチ
ウムと二酸化チタンとを主として含むものである特許請
求の範囲第２項記載のセラミックス回転体。 - （５）導電路は、未焼成のセラミックス回転体の孔にメ
タライズ用組成物を被着させたのち焼成して形成される
特許請求の範囲第１項または第２項記載のセラミックス
回転体。 - （６）セラミックス回転体は、Ｘ線管用である特許請求
の範囲第１項ないし第５項のいずれか１項記載のセラミ
ックス回転体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60211053A JPS6273539A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | セラミツクス回転体 |
| KR1019860007492A KR890003856B1 (ko) | 1985-09-10 | 1986-09-08 | 세라믹스 소결체용 금속화 조성물 |
| EP86306983A EP0215638A1 (en) | 1985-09-10 | 1986-09-10 | Metallizing composition for sintered ceramic article |
| US07/143,288 US4820562A (en) | 1985-09-10 | 1988-01-07 | Metallizing composition for sintered ceramic article |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60211053A JPS6273539A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | セラミツクス回転体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273539A true JPS6273539A (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=16599605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60211053A Pending JPS6273539A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-26 | セラミツクス回転体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273539A (ja) |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP60211053A patent/JPS6273539A/ja active Pending
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