JPS6266632A - マスクとウエ−ハの位置合わせ方法 - Google Patents
マスクとウエ−ハの位置合わせ方法Info
- Publication number
- JPS6266632A JPS6266632A JP60207521A JP20752185A JPS6266632A JP S6266632 A JPS6266632 A JP S6266632A JP 60207521 A JP60207521 A JP 60207521A JP 20752185 A JP20752185 A JP 20752185A JP S6266632 A JPS6266632 A JP S6266632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detector
- light
- mask
- diffraction grating
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
マスク上に形成されたリニアフレネルゾーンターゲット
とウェーハ上に形成された回折格子とを組み合わせ、回
折格子からの反射回折光をヰ★知することによる、露光
工程などのマスクとウェーハとの位置合わせにおいて、 回折格子と該回折格子からの回折光を受ける光検知器と
の間に楕円状凹面反射鏡を設けて、光検知器が複数次の
回折光を一括して受けるようにすることにより、 光検知器の構成を単純にしながらその検知信号のＳ／Ｎ
を向上させたものである。
とウェーハ上に形成された回折格子とを組み合わせ、回
折格子からの反射回折光をヰ★知することによる、露光
工程などのマスクとウェーハとの位置合わせにおいて、 回折格子と該回折格子からの回折光を受ける光検知器と
の間に楕円状凹面反射鏡を設けて、光検知器が複数次の
回折光を一括して受けるようにすることにより、 光検知器の構成を単純にしながらその検知信号のＳ／Ｎ
を向上させたものである。
本発明は、半導体装置製造の露光工程などにおけるマス
クとウェーハの位置合わせ方法に係り、特に、リニアフ
レネルゾーンターゲットを用いた位置合わせ方法の改良
に関す。
クとウェーハの位置合わせ方法に係り、特に、リニアフ
レネルゾーンターゲットを用いた位置合わせ方法の改良
に関す。
半導体装置の高集積化に伴い半導体ウェーハに形成され
るパターンの微細化が進み、露光工程においては、Ｘｔ
ＪＩｎ光などが検討されるに至っているが、これと共に
プロキシミティ露光におけるマスクとウェーハの位置合
わせ精度の向上が必須になって来ている。
るパターンの微細化が進み、露光工程においては、Ｘｔ
ＪＩｎ光などが検討されるに至っているが、これと共に
プロキシミティ露光におけるマスクとウェーハの位置合
わせ精度の向上が必須になって来ている。
この位置合わせ精度を向上させる方法の一つとして、リ
ニアフレネルゾーンターゲット（ＬｉｎｅａｒＦｒｅｓ
ｎｅｌ Ｚｏｎｅ Ｔａｒｇｅｔ 、以下ＬＦＺＴと略
称する）を用いた位置合わせ方法がある。
ニアフレネルゾーンターゲット（ＬｉｎｅａｒＦｒｅｓ
ｎｅｌ Ｚｏｎｅ Ｔａｒｇｅｔ 、以下ＬＦＺＴと略
称する）を用いた位置合わせ方法がある。
この方法は、ウェーハ上に形成された回折格子からの反
射回折光を検知することによって位置合わせするため、
検知信号のＳ／Ｎの良いことが望まれている。
射回折光を検知することによって位置合わせするため、
検知信号のＳ／Ｎの良いことが望まれている。
第２図はＬＦＺＴを用いた位置合わせ方法を説明する斜
視図（ａ）、Ｙ方向に見た側断面図（ｂＪ、Ｘ方向に見
た部分側断面図（Ｃ）である。
視図（ａ）、Ｙ方向に見た側断面図（ｂＪ、Ｘ方向に見
た部分側断面図（Ｃ）である。
第２図において、■はマスク、２はマスクｌ上に形成さ
れたＬＦＺＴ、３はマスク１に対し所定の間隙を置いて
配置されたウェーハ、４はウェー光であり、ＸとＹは説
明の便のため示した方向である。
れたＬＦＺＴ、３はマスク１に対し所定の間隙を置いて
配置されたウェーハ、４はウェー光であり、ＸとＹは説
明の便のため示した方向である。
投射光５は、図（ａ）、（ｂｌに示す如（、一定の法則
で配列された複数の線群からなるＬＦＺＴ２を透過する
する際に回折して透過光６となり、Ｘ方向に集光してウ
ェーハ３上における回折格子４の並び方向（Ｙ方向）と
同一方向の集光ライン７上を照射する。
で配列された複数の線群からなるＬＦＺＴ２を透過する
する際に回折して透過光６となり、Ｘ方向に集光してウ
ェーハ３上における回折格子４の並び方向（Ｙ方向）と
同一方向の集光ライン７上を照射する。
そして集光ライン７が回折格子４上にある場合には、図
（Ｃ１に示す如く、透過光６の反射光は回折格子４によ
りＹ方向に回折して回折光８ａ、８ｂ・・・、になる。
（Ｃ１に示す如く、透過光６の反射光は回折格子４によ
りＹ方向に回折して回折光８ａ、８ｂ・・・、になる。
ここで８８は一次回折光、８ｂは二次回折光、８ｃは三
次回折光、・・・、である。
次回折光、・・・、である。
またウェーハ３をＸ方向に移動させると、集光ライン７
に対して回折格子４がＸ方向に移動し回折光８ａ、８ｂ
・・・、の強度は第３図に示す如く変化し、回折格子４
の中央が集光ライン７の位置に一致した時にその強度が
最大値を示す。
に対して回折格子４がＸ方向に移動し回折光８ａ、８ｂ
・・・、の強度は第３図に示す如く変化し、回折格子４
の中央が集光ライン７の位置に一致した時にその強度が
最大値を示す。
ＬＦＺＴを用いたマスクとウェーハの位置合わせは、上
記原理を利用したもので、回折光８８などを検知しなが
らウェーハ３をＸ方向に移動させ、回折光８ａなどの強
度の最大点をＸ方向の合わせ位置とする手法であり、投
射光５に波長が６０００〜８０００人程度のレーザ光程
度い、マスクｌとウェーハ３の間隙を１０μｍ程度にす
ることにより、０．１μｍ程度の位置合わせ精度が期待
されている。
記原理を利用したもので、回折光８８などを検知しなが
らウェーハ３をＸ方向に移動させ、回折光８ａなどの強
度の最大点をＸ方向の合わせ位置とする手法であり、投
射光５に波長が６０００〜８０００人程度のレーザ光程
度い、マスクｌとウェーハ３の間隙を１０μｍ程度にす
ることにより、０．１μｍ程度の位置合わせ精度が期待
されている。
第４図は従来方法例の要部を示す側断面図で、第２図の
Ｘ方向で見た図である。
Ｘ方向で見た図である。
先に述べたようにＬＦＺＴを用いた位置合わせにおいて
は、回折光８ａ、８ｂ・・・、の検知が必要である。
は、回折光８ａ、８ｂ・・・、の検知が必要である。
第４図図示の方法では、平面反射鏡９と光検知器１０を
設け、回折光８ａ、８ｂ・・・、の中で強度が最も大き
い一次回折光８ａを検知している。
設け、回折光８ａ、８ｂ・・・、の中で強度が最も大き
い一次回折光８ａを検知している。
しかしながら回折光８ａの強度は、回折光８ａ、８ｂ・
・・、の合計強度の略１／２程度であるため、上記従来
方法は、その分だけ検知信号のＳ／Ｎが悪く所望の位置
合わせに対して精度向上を困難にしている。
・・、の合計強度の略１／２程度であるため、上記従来
方法は、その分だけ検知信号のＳ／Ｎが悪く所望の位置
合わせに対して精度向上を困難にしている。
ちなみに−次回折光８ａの強度に対する二次および三次
回折光８ｂおよび８Ｃの強度は、それぞれ凡そ０．７倍
および０．２５倍であり、−次から三次までの合計強度
は全合計強度の９０％以上を占めている。
回折光８ｂおよび８Ｃの強度は、それぞれ凡そ０．７倍
および０．２５倍であり、−次から三次までの合計強度
は全合計強度の９０％以上を占めている。
従って一次から二次、三次と複数次の回折光８ａｓ８ｂ
・・・、の強度を検知して合計すれば問題のＳ／Ｎが改
善されるが、各回折光８ａ、８ｂ・・・、のそれぞれに
対して光検知器１０を設けると装置構成が複雑になり望
ましくない。
・・・、の強度を検知して合計すれば問題のＳ／Ｎが改
善されるが、各回折光８ａ、８ｂ・・・、のそれぞれに
対して光検知器１０を設けると装置構成が複雑になり望
ましくない。
第１図は本発明実施例の要部を示す側断面図である。
上記問題点は、第１図に示される如く、回折格子４と光
検知器１０との間に楕円状凹面反射鏡１１を設けて、光
検知器１０が複数次の回折光８ａ、８ｂ・・・、を一括
して受けるようにした本発明の位置合わせ方法によって
解決される。
検知器１０との間に楕円状凹面反射鏡１１を設けて、光
検知器１０が複数次の回折光８ａ、８ｂ・・・、を一括
して受けるようにした本発明の位置合わせ方法によって
解決される。
上記楕円状凹面反射鏡１１の二つの焦点位置に回折格子
４と光検知器１０のそれぞれが位置するように反射鏡１
１と光検知器１０を配置することにより、回折格子４か
らの回折光８ａ、８ｂ・・・は集光されて一緒に光検知
器１０に入射する。
４と光検知器１０のそれぞれが位置するように反射鏡１
１と光検知器１０を配置することにより、回折格子４か
らの回折光８ａ、８ｂ・・・は集光されて一緒に光検知
器１０に入射する。
このことから一つの光検知器１０により複数次の回折光
８ａ、８ｂ・・・、の合計強度を検知することが出来て
、単純な装置構成で検知信号のＳ／Ｎを高めることが可
能になる。
８ａ、８ｂ・・・、の合計強度を検知することが出来て
、単純な装置構成で検知信号のＳ／Ｎを高めることが可
能になる。
以下、第１図を用い実施例について説明する。
第１図は第４図に対応する図である。
同図において、回折格子４と光検知器１０の受光面はそ
れぞれ楕円状凹面反射鏡１１の焦点位置にある。そして
楕円状凹面反射鏡１１の反射面は回折格子４からの一次
から三次までの回折光８ａ〜８ｃを反射する広さを有し
ている。
れぞれ楕円状凹面反射鏡１１の焦点位置にある。そして
楕円状凹面反射鏡１１の反射面は回折格子４からの一次
から三次までの回折光８ａ〜８ｃを反射する広さを有し
ている。
このため光検知器１０には一次から三次までの回折光８
８〜８ｃが入射し、その強度は一次回折光８ａのみが入
射した従来例の略２倍になる。これに伴い検知信号のＳ
／Ｎも略２倍に向上する。
８〜８ｃが入射し、その強度は一次回折光８ａのみが入
射した従来例の略２倍になる。これに伴い検知信号のＳ
／Ｎも略２倍に向上する。
一方、第２図（ａ）、（ｂ）に示す如く透過光５はＸ方
向に集光して回折格子４を照射するため、回折光８ａ、
８ｂ・・・の出射方向もＸ方向に拡がりを有する。この
ため本実施例では楕円状凹面反射Ｇｖ１１１の反射面が
回転楕円状凹面に形成されている。がくすることにより
、回折光８ａ〜８ｃの上記拡がった分も光検知器１０に
集光され、更にＳ／Ｎが改善されている。
向に集光して回折格子４を照射するため、回折光８ａ、
８ｂ・・・の出射方向もＸ方向に拡がりを有する。この
ため本実施例では楕円状凹面反射Ｇｖ１１１の反射面が
回転楕円状凹面に形成されている。がくすることにより
、回折光８ａ〜８ｃの上記拡がった分も光検知器１０に
集光され、更にＳ／Ｎが改善されている。
また光検知器１０は、その受光面の大きさが約４龍φあ
って回折格子４の並びの長さ例えば約１５０μ鴎より遥
かにに大きいので、位置合わせ過程における回折格子４
の移動の際にも回折光８ａ〜８ｃの受光における欠けの
発生がな（、回折光８８〜８ｃの合計強度を正確に検知
する。
って回折格子４の並びの長さ例えば約１５０μ鴎より遥
かにに大きいので、位置合わせ過程における回折格子４
の移動の際にも回折光８ａ〜８ｃの受光における欠けの
発生がな（、回折光８８〜８ｃの合計強度を正確に検知
する。
以上説明したように本発明の構成によれば、ＬＦＺＴを
用いたマスクとウェーハの位置合わせにおいて、光検知
器の構成を単純にしながらその検知信号のＳ／Ｎを向上
させることが出来て、単純な装置構成で位置合わせ精度
の向上を可能にさせる効果がある。
用いたマスクとウェーハの位置合わせにおいて、光検知
器の構成を単純にしながらその検知信号のＳ／Ｎを向上
させることが出来て、単純な装置構成で位置合わせ精度
の向上を可能にさせる効果がある。
第１図は本発明実施例の要部を示す側断面図、第２図は
ＬＦＺＴを用いた位置合わせ方法を説明する斜視図（ａ
ｌ、Ｙ方向に見た側断面図（′ｂ）、Ｘ方向に見た部分
側断面図（Ｃ）、第３図は反射回折光の強度分布図、 第４図は従来方法例の要部を示す側断面図、である。 図において、 １はマスク、 ２はＬＦＺＴ （リニアフレネルゾーンターゲット）、 ３はウェーハ、 ４は回折格子、 ５は投射光（単波長の平行光線）、 ６は透過光、 ７は集光ライン、 ８ａ、８ｂ、８ｃは回折光、 ９は平面反射鏡、 １０は光検知器、 １１は楕円状凹面反射鏡、 である。 回析尤の強度形す作図 第３［Ｚ 部分便１ｒ！ｆｒ面図 ＬＦＺＴを出いＴ；１π置合すぜ方法の脱Ｈ月図 （Ｌ
）−（ｃ） 第 ２ 図
ＬＦＺＴを用いた位置合わせ方法を説明する斜視図（ａ
ｌ、Ｙ方向に見た側断面図（′ｂ）、Ｘ方向に見た部分
側断面図（Ｃ）、第３図は反射回折光の強度分布図、 第４図は従来方法例の要部を示す側断面図、である。 図において、 １はマスク、 ２はＬＦＺＴ （リニアフレネルゾーンターゲット）、 ３はウェーハ、 ４は回折格子、 ５は投射光（単波長の平行光線）、 ６は透過光、 ７は集光ライン、 ８ａ、８ｂ、８ｃは回折光、 ９は平面反射鏡、 １０は光検知器、 １１は楕円状凹面反射鏡、 である。 回析尤の強度形す作図 第３［Ｚ 部分便１ｒ！ｆｒ面図 ＬＦＺＴを出いＴ；１π置合すぜ方法の脱Ｈ月図 （Ｌ
）−（ｃ） 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マスク（１）上に形成されたリニアフレネルゾーンター
ゲット（２）とウェーハ（３）上に形成された回折格子
（４）とを対向させて該リニアフレネルゾーンターゲッ
ト（２）に単波長の平行光線（５）を投射し、該回折格
子（４）から反射した回折光（８ａ、８ｂ・・・）を光
検知器（１０）で受けて検知することにより該マスク（
１）と該ウェーハ（３）の位置合わせをするに際して、 該回折格子（４）と該光検知器（１０）との間に楕円状
凹面反射鏡（１１）を設けて、該光検知器（１０）が複
数次の回折光（８ａ、８ｂ・・・）を一括して受けるよ
うにしたことを特徴とするマスクとウェーハの位置合わ
せ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207521A JPS6266632A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | マスクとウエ−ハの位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207521A JPS6266632A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | マスクとウエ−ハの位置合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6266632A true JPS6266632A (ja) | 1987-03-26 |
| JPH0149006B2 JPH0149006B2 (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=16541096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60207521A Granted JPS6266632A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | マスクとウエ−ハの位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6266632A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07142383A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-06-02 | Nec Corp | 現像用センサ装置 |
| KR101231207B1 (ko) * | 2011-01-05 | 2013-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 마스크 인장용 정렬기판, 이의 제조방법 및 이를 이용한 증착 마스크 인장방법 |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP60207521A patent/JPS6266632A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07142383A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-06-02 | Nec Corp | 現像用センサ装置 |
| KR101231207B1 (ko) * | 2011-01-05 | 2013-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 마스크 인장용 정렬기판, 이의 제조방법 및 이를 이용한 증착 마스크 인장방법 |
| US8851009B2 (en) | 2011-01-05 | 2014-10-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Alignment master glass for tensioning vapor deposition mask, method for manufacturing the same, and method for tensioning vapor deposition mask using the same |
| US9333600B2 (en) | 2011-01-05 | 2016-05-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Method for tensioning vapor deposition mask using an alignment master glass |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0149006B2 (ja) | 1989-10-23 |
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