JP2871104B2 - 相対位置合せ方法及び装置、並びにアライメント光学装置 - Google Patents
相対位置合せ方法及び装置、並びにアライメント光学装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば超ＬＳＩを製造
のための露光装置におけるＬＳＩチップのレイアウトや
露光マスクと半導体ウェハの位置合せ等を行うのに使用
して最適な相対位置合せ方法及び装置、並びにこれらを
使用して例えば露光マスクと半導体ウェハとの位置合せ
を行うアライメント光学装置に関する。
のための露光装置におけるＬＳＩチップのレイアウトや
露光マスクと半導体ウェハの位置合せ等を行うのに使用
して最適な相対位置合せ方法及び装置、並びにこれらを
使用して例えば露光マスクと半導体ウェハとの位置合せ
を行うアライメント光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩパターンを形成するには、
光露光装置が一般に用いられてきたが、ＬＳＩパターン
の微細化に伴って、光露光装置よりも微細なパターンを
形成することが可能なＸ線露光装置の開発が進められて
いる。このＸ線露光装置では、露光に先立ち、露光マス
ク（Ｘ線マスク）と半導体ウェハとを互いに平行に高精
度に位置合せするとともに、両者を平行に保持しながら
これらの隙間を極小（３０μｍ程度）に設定して近接露
光する必要がある。
光露光装置が一般に用いられてきたが、ＬＳＩパターン
の微細化に伴って、光露光装置よりも微細なパターンを
形成することが可能なＸ線露光装置の開発が進められて
いる。このＸ線露光装置では、露光に先立ち、露光マス
ク（Ｘ線マスク）と半導体ウェハとを互いに平行に高精
度に位置合せするとともに、両者を平行に保持しながら
これらの隙間を極小（３０μｍ程度）に設定して近接露
光する必要がある。
【０００３】従来、このような相対位置合せのための光
学系としては、図８に示すようなものが一般に知られて
いた。
学系としては、図８に示すようなものが一般に知られて
いた。
【０００４】即ち、図示しないレーザから射出された半
径ｒのレーザ光ビームは、第１のレンズ１内をこの光軸
に沿って透過し、この光軸に対して４５°の角度をもっ
て斜めに配置された反射面２ａを有する折返しミラー２
に入射して、この折返しミラー２の反射面２ａで直角に
反射される。そして、この反射された光ビームは、露光
マスク３の位置合せマークとしてのマスクマーク４（回
析格子）に垂直に入射し、このマスクマーク４及び半導
体ウェハ５の位置合せマークとしてのウェハマーク６
（回析格子）で回析された回析光が検出光として検出さ
れて、露光マスク３と半導体ウェハ５との相対位置合せ
が行われるようなされていた。ここに、露光マスク３と
半導体ウェハ５との隙間Ｚは、極小（３０μｍ程度）に
設定されている。
径ｒのレーザ光ビームは、第１のレンズ１内をこの光軸
に沿って透過し、この光軸に対して４５°の角度をもっ
て斜めに配置された反射面２ａを有する折返しミラー２
に入射して、この折返しミラー２の反射面２ａで直角に
反射される。そして、この反射された光ビームは、露光
マスク３の位置合せマークとしてのマスクマーク４（回
析格子）に垂直に入射し、このマスクマーク４及び半導
体ウェハ５の位置合せマークとしてのウェハマーク６
（回析格子）で回析された回析光が検出光として検出さ
れて、露光マスク３と半導体ウェハ５との相対位置合せ
が行われるようなされていた。ここに、露光マスク３と
半導体ウェハ５との隙間Ｚは、極小（３０μｍ程度）に
設定されている。
【０００５】ところで、Ｘ線露光装置における露光光
（Ｘ線）は、同図に破線で示すエリアで、露光マスク３
のパターンを照射して、このパターンを半導体ウェハ５
に転写するようなされている。従って、折返しミラー２
がこの露光光を遮らないようにするためには、折返しミ
ラー２と露光エリアとの間に、クリアランスＣ1 を設け
る必要がある。また、レーザ光ビームが折返しミラー２
で確実に反射されるためには、レーザ光ビームの外周と
折返しミラー２の端との間にも、余裕クリアランスＣ2
が必要となる。
（Ｘ線）は、同図に破線で示すエリアで、露光マスク３
のパターンを照射して、このパターンを半導体ウェハ５
に転写するようなされている。従って、折返しミラー２
がこの露光光を遮らないようにするためには、折返しミ
ラー２と露光エリアとの間に、クリアランスＣ1 を設け
る必要がある。また、レーザ光ビームが折返しミラー２
で確実に反射されるためには、レーザ光ビームの外周と
折返しミラー２の端との間にも、余裕クリアランスＣ2
が必要となる。
【０００６】このため、半径ｒのレーザ光ビームの中心
と露光エリアとの間に、クリアランス１（＝Ｃ1 ＋Ｃ2
＋ｒ）を設ける必要があり、１つの露光エリアとこれに
隣接する他の露光エリアとの間のスクライブラインの幅
Ｓが２１（Ｓ＝２１）となっている。具体的には、例え
ばＣ1 ＝１mm、Ｃ2 ＝１mm、ｒ＝０．２５mmとすると、
スクライブラインの幅Ｓ＝２（Ｃ1 ＋Ｃ2 ＋ｒ）＝４．
５mmとなっている。
と露光エリアとの間に、クリアランス１（＝Ｃ1 ＋Ｃ2
＋ｒ）を設ける必要があり、１つの露光エリアとこれに
隣接する他の露光エリアとの間のスクライブラインの幅
Ｓが２１（Ｓ＝２１）となっている。具体的には、例え
ばＣ1 ＝１mm、Ｃ2 ＝１mm、ｒ＝０．２５mmとすると、
スクライブラインの幅Ｓ＝２（Ｃ1 ＋Ｃ2 ＋ｒ）＝４．
５mmとなっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、スクライ
ブラインの幅Ｓが４．５mmもあると、１枚の半導体ウェ
ハから生産されるＬＳＩチップの数が少なくなって、半
導体ウェハ１枚当りのＬＳＩチップの生産効率が悪くな
り、半導体ウェハの有効利用が図れないという問題点が
あった。
ブラインの幅Ｓが４．５mmもあると、１枚の半導体ウェ
ハから生産されるＬＳＩチップの数が少なくなって、半
導体ウェハ１枚当りのＬＳＩチップの生産効率が悪くな
り、半導体ウェハの有効利用が図れないという問題点が
あった。
【０００８】また、露光マスクと半導体ウェハとの相対
位置合せを行うためには、アライメント光学系が少なく
とも３つ（Ｘ1 光学系，Ｘ2 光学系及びＹ光学系）備え
る必要があるが、これらの各アライメント光学系を調整
する際に、他のアライメント光学系が邪魔になってしま
うことを確実に防止するとともに、それらの各アライメ
ント光学系に備えられている移動機構の組立て及び調整
を容易に行えるようにする必要がある。
位置合せを行うためには、アライメント光学系が少なく
とも３つ（Ｘ1 光学系，Ｘ2 光学系及びＹ光学系）備え
る必要があるが、これらの各アライメント光学系を調整
する際に、他のアライメント光学系が邪魔になってしま
うことを確実に防止するとともに、それらの各アライメ
ント光学系に備えられている移動機構の組立て及び調整
を容易に行えるようにする必要がある。
【０００９】本発明は上記に鑑み、スクライブラインの
幅をできるだけ小さくすることにより、１枚の半導体ウ
ェハから生産されるＬＳＩチップの数を多くして、半導
体ウェハ１枚当りのチップの生産効率を格段に向上させ
て半導体ウェハの有効利用を図り、更に露光マスクと半
導体ウェハとの相対位置合せを行うためアライメント光
学装置において、各アライメント光学系が互いに干渉し
てしまうことを防止するとともに、その移動機構の組立
て及び調整を容易に行うことができるようにしたものを
提供することを目的とする。
幅をできるだけ小さくすることにより、１枚の半導体ウ
ェハから生産されるＬＳＩチップの数を多くして、半導
体ウェハ１枚当りのチップの生産効率を格段に向上させ
て半導体ウェハの有効利用を図り、更に露光マスクと半
導体ウェハとの相対位置合せを行うためアライメント光
学装置において、各アライメント光学系が互いに干渉し
てしまうことを防止するとともに、その移動機構の組立
て及び調整を容易に行うことができるようにしたものを
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の相対位置合せ方法は、光源から射出された
光ビームを第１のレンズに向かって該レンズの光軸に略
平行に移行させる工程と、この光ビームを前記第１のレ
ンズにこの光軸から所定距離偏心させた状態で入射させ
ることにより、この第１のレンズを透過した光ビームを
この光軸に対して斜めに移行させる工程と、前記第１の
レンズの光軸に対して斜めに移行する光ビームを反射さ
せ、この反射した光ビームを第１及び第２の物体の各位
置合せマークに斜めに入射させる工程と、これらの各位
置合せマークを移行した光ビームを検出して、前記第１
及び第２の文体の相対位置合せを行う工程とを経るよう
にしたもの、及び光源から射出された光ビームを第１の
レンズ内をこの光軸に略平行に透過させる工程と、前記
第１のレンズを透過した光ビームをこの光軸に対して
（４５°−α／２）の角度をもって配置された反射面に
入射させて、この反射された光ビームを第１及び第２の
物体の各位置合せマークに（９０°−α）の角度で斜め
に入射させる工程と、これらの各位置合せマークを移行
した光ビームを検出して、前記第１及び第２の物体の相
対位置合せを行う工程とを経るようにしたものである。
め、本発明の相対位置合せ方法は、光源から射出された
光ビームを第１のレンズに向かって該レンズの光軸に略
平行に移行させる工程と、この光ビームを前記第１のレ
ンズにこの光軸から所定距離偏心させた状態で入射させ
ることにより、この第１のレンズを透過した光ビームを
この光軸に対して斜めに移行させる工程と、前記第１の
レンズの光軸に対して斜めに移行する光ビームを反射さ
せ、この反射した光ビームを第１及び第２の物体の各位
置合せマークに斜めに入射させる工程と、これらの各位
置合せマークを移行した光ビームを検出して、前記第１
及び第２の文体の相対位置合せを行う工程とを経るよう
にしたもの、及び光源から射出された光ビームを第１の
レンズ内をこの光軸に略平行に透過させる工程と、前記
第１のレンズを透過した光ビームをこの光軸に対して
（４５°−α／２）の角度をもって配置された反射面に
入射させて、この反射された光ビームを第１及び第２の
物体の各位置合せマークに（９０°−α）の角度で斜め
に入射させる工程と、これらの各位置合せマークを移行
した光ビームを検出して、前記第１及び第２の物体の相
対位置合せを行う工程とを経るようにしたものである。
【００１１】相対位置合せ装置は、光ビームを射出する
光源と、光軸がこの光ビームの移行する方向に略平行に
配置された第１のレンズと、前記光ビームを前記第１の
レンズにこの光軸から所定間隔偏心させた状態で透過さ
せることにより、前記第１のレンズを透過した光ビーム
をこの光軸に対して斜めに移行させる偏心手段と、前記
第１のレンズの光軸に対して斜めに移行させた光ビーム
を反射させ、反射した光ビームを第１及び第２の物体の
各位置合わせマークに斜めに入射させる反射面を有する
折返しミラーと、これらの各位置合せマークを移行した
光ビームを検出して、第１及び第２の物体の相対位置合
せを行う位置合せ手段とを備えたもの、及び光ビームを
射出する光源と、光軸に略平行に光ビームが透過するよ
うに配置された第１のレンズと、この第１のレンズの光
軸に対して（４５°−α／２）の角度をもって斜めに配
置され、前記第１のレンズを透過した光ビームを反射さ
せて反射した光ビームを第１及び第２の物体の各位置合
せマークに（９０°−α）の角度で斜めに入射させる反
射面を有する折返しミラーと、これらの各位置合せマー
クを移行した光ビームを検出して、第１及び第２の物体
の相対位置合せを行う位置合せ手段とを備えたものであ
る。
光源と、光軸がこの光ビームの移行する方向に略平行に
配置された第１のレンズと、前記光ビームを前記第１の
レンズにこの光軸から所定間隔偏心させた状態で透過さ
せることにより、前記第１のレンズを透過した光ビーム
をこの光軸に対して斜めに移行させる偏心手段と、前記
第１のレンズの光軸に対して斜めに移行させた光ビーム
を反射させ、反射した光ビームを第１及び第２の物体の
各位置合わせマークに斜めに入射させる反射面を有する
折返しミラーと、これらの各位置合せマークを移行した
光ビームを検出して、第１及び第２の物体の相対位置合
せを行う位置合せ手段とを備えたもの、及び光ビームを
射出する光源と、光軸に略平行に光ビームが透過するよ
うに配置された第１のレンズと、この第１のレンズの光
軸に対して（４５°−α／２）の角度をもって斜めに配
置され、前記第１のレンズを透過した光ビームを反射さ
せて反射した光ビームを第１及び第２の物体の各位置合
せマークに（９０°−α）の角度で斜めに入射させる反
射面を有する折返しミラーと、これらの各位置合せマー
クを移行した光ビームを検出して、第１及び第２の物体
の相対位置合せを行う位置合せ手段とを備えたものであ
る。
【００１２】アライメント光学装置は、射出された光ビ
ームを入射光として第１及び第２の物体の各位置合せマ
ークに位置合せ方向と直交する方向から斜めに入射させ
る入射光学系と、これらの各位置合せマークで回析され
て得られる光ビームを検出光として受光する検出光学系
とを備えたアライメント光学装置において、前記検出光
が該位置合せマークに垂直に立てた垂線に関して前記入
射光と同じ側に戻るよう構成するとともに、前記入射光
学系及び検出光学系を同一の光学ベース上に搭載したも
のである。
ームを入射光として第１及び第２の物体の各位置合せマ
ークに位置合せ方向と直交する方向から斜めに入射させ
る入射光学系と、これらの各位置合せマークで回析され
て得られる光ビームを検出光として受光する検出光学系
とを備えたアライメント光学装置において、前記検出光
が該位置合せマークに垂直に立てた垂線に関して前記入
射光と同じ側に戻るよう構成するとともに、前記入射光
学系及び検出光学系を同一の光学ベース上に搭載したも
のである。
【００１３】
【作用】請求項１及び２記載の発明では、光ビームが第
１のレンズにこの光軸から所定距離偏心した状態で入射
した後、この光軸に斜めに移行されて反射面で反射さ
れ、この反射後の光ビームが第１及び第２の物体の各位
置合せマークに斜めに入射する。このため、光ビームの
位置合せマークへの入射点を、位置合せマークに垂直に
入射させるようにした従来の場合に比べて、露光エリア
の近くに位置させることができる。
１のレンズにこの光軸から所定距離偏心した状態で入射
した後、この光軸に斜めに移行されて反射面で反射さ
れ、この反射後の光ビームが第１及び第２の物体の各位
置合せマークに斜めに入射する。このため、光ビームの
位置合せマークへの入射点を、位置合せマークに垂直に
入射させるようにした従来の場合に比べて、露光エリア
の近くに位置させることができる。
【００１４】従って、スクライブラインの幅を小さくす
ることができ、１枚の半導体ウェハから生産されるＬＳ
Ｉチップの数を著しく多くすることができる。
ることができ、１枚の半導体ウェハから生産されるＬＳ
Ｉチップの数を著しく多くすることができる。
【００１５】また、請求項５及び６記載の発明では、第
１のレンズの光軸に対して（４５°−α／２）の角度を
もって斜めに配置された折返しミラーの反射面に、第１
のレンズを透過した光ビームが入射し、この反射面で反
射された光ビームが第１及び第２の物体の各位置合せマ
ークに（９０°−α）の角度で斜めに入射する。
１のレンズの光軸に対して（４５°−α／２）の角度を
もって斜めに配置された折返しミラーの反射面に、第１
のレンズを透過した光ビームが入射し、この反射面で反
射された光ビームが第１及び第２の物体の各位置合せマ
ークに（９０°−α）の角度で斜めに入射する。
【００１６】従って、この場合にも、光ビームの位置合
せマークへの入射点を、従来の場合に比べ露光エリア近
くに位置させることでき、スクライブラインの幅を小さ
くして、１枚の半導体ウェハから生産されるＬＳＩチッ
プの数を著しく多くすることができる。
せマークへの入射点を、従来の場合に比べ露光エリア近
くに位置させることでき、スクライブラインの幅を小さ
くして、１枚の半導体ウェハから生産されるＬＳＩチッ
プの数を著しく多くすることができる。
【００１７】更に、請求項７記載の発明では、各アライ
メント光学系の入射光学系と検出光学系とを同一の光学
ベース上に搭載することによって、各アライメント光学
系を各々個々に単一の光学ベース上に搭載して、アライ
メント光学系の数と光学ベースの数とを一致させること
ができ、これによって各アライメント光学系同士が互い
に干渉し合ってしまうことを防止するとともに、この移
動機構の組立て及び調整を容易となすことができる。
メント光学系の入射光学系と検出光学系とを同一の光学
ベース上に搭載することによって、各アライメント光学
系を各々個々に単一の光学ベース上に搭載して、アライ
メント光学系の数と光学ベースの数とを一致させること
ができ、これによって各アライメント光学系同士が互い
に干渉し合ってしまうことを防止するとともに、この移
動機構の組立て及び調整を容易となすことができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１９】図１乃至図３はこの発明の第１の実施例に
係る相対位置合せ装置を示すものである。
係る相対位置合せ装置を示すものである。
【００２０】図１において、光軸１０で焦点距離ｆ1 の
第１レンズ１１が備えられており、この第１のレンズ１
１の光軸１０と同軸に焦点距離ｆ2 の第２のレンズ１２
が配置されている。この第１のレンズ１１の光軸１０に
対して４５°の角度をもって斜めに配置された反射面１
３ａを有する折返しミラー１３が露光マスク１４に対し
て距離ｆ1 ／２を置いて配置されている。露光マスク１
４及び半導体ウェハ１５の所定位置には、後述する回析
格子で構成された位置合せマークとしてのマスクマーク
１６及びウェハマーク１７が設けられている。
第１レンズ１１が備えられており、この第１のレンズ１
１の光軸１０と同軸に焦点距離ｆ2 の第２のレンズ１２
が配置されている。この第１のレンズ１１の光軸１０に
対して４５°の角度をもって斜めに配置された反射面１
３ａを有する折返しミラー１３が露光マスク１４に対し
て距離ｆ1 ／２を置いて配置されている。露光マスク１
４及び半導体ウェハ１５の所定位置には、後述する回析
格子で構成された位置合せマークとしてのマスクマーク
１６及びウェハマーク１７が設けられている。
【００２１】更に、この第１の実施例では、第１及び第
２のレンズ１１，１２の間の所定位置に位置して、厚さ
ｔのプレーンパラレル１８（偏心手段）が、傾き角θを
もって配置されている。
２のレンズ１１，１２の間の所定位置に位置して、厚さ
ｔのプレーンパラレル１８（偏心手段）が、傾き角θを
もって配置されている。
【００２２】次に、上記実施例における光ビームの経路
を説明する。図示しないレーザ源から射出された半径ｒ
のレーザ光ビームは、光軸１０上を移行し第２のレンズ
１２を透過して、プレーンパラレル１８に入射する。す
ると、このプレーンパラレル１８から射出された光ビー
ムは、この中心が光軸１０から所定距離εだけ偏心され
た状態となって移行される。ここで、プレーンパラレル
１８と偏心距離εとの間には、プレーンパラレル１８の
屈折率をｎとした時、 ε＝ｔθ（１−１／ｎ） の関係がある。
を説明する。図示しないレーザ源から射出された半径ｒ
のレーザ光ビームは、光軸１０上を移行し第２のレンズ
１２を透過して、プレーンパラレル１８に入射する。す
ると、このプレーンパラレル１８から射出された光ビー
ムは、この中心が光軸１０から所定距離εだけ偏心され
た状態となって移行される。ここで、プレーンパラレル
１８と偏心距離εとの間には、プレーンパラレル１８の
屈折率をｎとした時、 ε＝ｔθ（１−１／ｎ） の関係がある。
【００２３】この偏心距離εだけ偏心された光ビーム
は、焦点位置１９で焦点を結んだ後、光軸１０に平行に
移行されて第１のレンズ１１に入射する。この第１のレ
ンズ１１から射出された光ビームは、平行光であり、か
つ光軸１０に対して角度αだけ斜めにされて移行され、
折返しミラー１３に入射する。ここでこの角度αと偏心
距離εとの間には、 ε＝ｆ1 tan α の関係がある。
は、焦点位置１９で焦点を結んだ後、光軸１０に平行に
移行されて第１のレンズ１１に入射する。この第１のレ
ンズ１１から射出された光ビームは、平行光であり、か
つ光軸１０に対して角度αだけ斜めにされて移行され、
折返しミラー１３に入射する。ここでこの角度αと偏心
距離εとの間には、 ε＝ｆ1 tan α の関係がある。
【００２４】従って、折返しミラー１３の反射面１３ａ
で反射された光ビームは、マスク１４に垂直な垂線２０
（光ビームの中心の折返しミラー１３での反射点からマ
スク１４に垂直に下ろした線）に対して角度αだけ斜め
にされて、露光マスク１４のマスウマーク（位置合わせ
マーク）１６に入射することになる。
で反射された光ビームは、マスク１４に垂直な垂線２０
（光ビームの中心の折返しミラー１３での反射点からマ
スク１４に垂直に下ろした線）に対して角度αだけ斜め
にされて、露光マスク１４のマスウマーク（位置合わせ
マーク）１６に入射することになる。
【００２５】次に、この実施例でスクライブラインの幅
をどの程度縮小できるかについて説明する。
をどの程度縮小できるかについて説明する。
【００２６】先ず、折返しミラー１３の位置では、折返
しミラー１３と露光エリアとの間のクリアランスＣ1 が
あり、光ビームの外周とミラー１３の端との間に余裕ク
リアランスＣ2 がある。そのため、光ビーム（半径：
ｒ）の折返しミラー１３における中心即ち垂線２０と露
光エリアとの間には、クリアランス１（＝Ｃ1 ＋Ｃ2 ＋
ｒ）が設けられている。このクリアランス１は、上記従
来例と同じである。
しミラー１３と露光エリアとの間のクリアランスＣ1 が
あり、光ビームの外周とミラー１３の端との間に余裕ク
リアランスＣ2 がある。そのため、光ビーム（半径：
ｒ）の折返しミラー１３における中心即ち垂線２０と露
光エリアとの間には、クリアランス１（＝Ｃ1 ＋Ｃ2 ＋
ｒ）が設けられている。このクリアランス１は、上記従
来例と同じである。
【００２７】一方、光ビームは、露光マスク１４に垂直
な垂線２０に対して角度αだけ斜めになって露光マスク
１４のマスクマーク１６に入射しているため、このマス
クマーク１６への入射点は、垂線２０から略ｆ1／２・t
an αの位置になっておりこのｆ1／２・tan αだけ露光
エリアに近付けられている。そのため、光ビームの中心
と露光エリアとの間のクリアランス１′は、折返しミラ
ー１３の位置に比べてｆ1／２・tan αだけ小さくなっ
ており、 １′＝（Ｃ1 ＋Ｃ2 ＋ｒ）−ｆ1／２・tan α となる。従って、１つの露光エリアとこれに隣接する他
の露光エリアと間のスクライブラインの幅Ｓ′は、 Ｓ′＝２１′ ＝２｛（Ｃ1 ＋Ｃ2 ＋ｒ）−ｆ1／２・tan ｝ となり、従来よりｆ1 ・tan αだけ小さくすることが可
能となる。
な垂線２０に対して角度αだけ斜めになって露光マスク
１４のマスクマーク１６に入射しているため、このマス
クマーク１６への入射点は、垂線２０から略ｆ1／２・t
an αの位置になっておりこのｆ1／２・tan αだけ露光
エリアに近付けられている。そのため、光ビームの中心
と露光エリアとの間のクリアランス１′は、折返しミラ
ー１３の位置に比べてｆ1／２・tan αだけ小さくなっ
ており、 １′＝（Ｃ1 ＋Ｃ2 ＋ｒ）−ｆ1／２・tan α となる。従って、１つの露光エリアとこれに隣接する他
の露光エリアと間のスクライブラインの幅Ｓ′は、 Ｓ′＝２１′ ＝２｛（Ｃ1 ＋Ｃ2 ＋ｒ）−ｆ1／２・tan ｝ となり、従来よりｆ1 ・tan αだけ小さくすることが可
能となる。
【００２８】具体的には、例えばＣ1 ＝Ｃ2 ＝１mm、ｒ
＝０．２５mm程度であり、これの値を上記Ｓの式に代入
すると、折返しミラー１３の位置におけるクリアランス
１＝２．２５mmとなり、Ｓ＝４．５０mmとなる。
＝０．２５mm程度であり、これの値を上記Ｓの式に代入
すると、折返しミラー１３の位置におけるクリアランス
１＝２．２５mmとなり、Ｓ＝４．５０mmとなる。
【００２９】これに対して、α＝３deg、ｆ1 ＝５０mm
を上記Ｓ′の式に代入すると、露光マスク１４のマスク
マーク１６への入射点におけるクリアランス１′＝０．
９４mmとなり、Ｓ′＝１．８８mmとなる。従って、２つ
の露光エリア間のクリアランスを従来に比べ、 ΔＳ＝４．５０−１．８８＝２．６６mm も小さくすることができることになる。
を上記Ｓ′の式に代入すると、露光マスク１４のマスク
マーク１６への入射点におけるクリアランス１′＝０．
９４mmとなり、Ｓ′＝１．８８mmとなる。従って、２つ
の露光エリア間のクリアランスを従来に比べ、 ΔＳ＝４．５０−１．８８＝２．６６mm も小さくすることができることになる。
【００３０】従って、スクライブラインの幅を小さくす
ることができ、１枚の半導体ウェハから生産されるＬＳ
Ｉチップの数を著しく多くすることができる。即ち、半
導体ウェハ１枚当りのチップの生産効率を格段に向上さ
せて半導体ウェハの有効利用を図ることができる。
ることができ、１枚の半導体ウェハから生産されるＬＳ
Ｉチップの数を著しく多くすることができる。即ち、半
導体ウェハ１枚当りのチップの生産効率を格段に向上さ
せて半導体ウェハの有効利用を図ることができる。
【００３１】次に、露光マスク１４のマスクマーク（位
置合せマーク）１６には、図２に示されるように、ピッ
チＰx である１次元回析格子が設けられ、半導体ウェハ
１５のウェハマーク（位置合せマーク）１７には、ピッ
チＰx ，ＰAYの市松状回析格子が位置合せ用マークとし
て、ピッチＰGYである１次元回析格子が間隔設定用マー
クとして夫々設けられている。
置合せマーク）１６には、図２に示されるように、ピッ
チＰx である１次元回析格子が設けられ、半導体ウェハ
１５のウェハマーク（位置合せマーク）１７には、ピッ
チＰx ，ＰAYの市松状回析格子が位置合せ用マークとし
て、ピッチＰGYである１次元回析格子が間隔設定用マー
クとして夫々設けられている。
【００３２】マスクマーク（１次元回析格子）１６に入
射された光ビームは、この１次元回析格子で回析され
て、ウェハマーク（１次元及び市松状回析格子）１７に
移行されて回析される。このウェハマーク１７の１次元
回析格子で回析された回析光は、再度マスクマーク１６
で回析された後、図３に破線で示されるように、折返し
ミラー１３に移行され、このミラー１３で反射されて、
第１のレンズ１１に向かって移行される。その結果、こ
の回析光は、図示しない検出手段によって検出され、こ
の検出された光に基づいて、露光マスク１４と半導体ウ
ェハ１５との間の隙間Ｚが所定の値に設定される。
射された光ビームは、この１次元回析格子で回析され
て、ウェハマーク（１次元及び市松状回析格子）１７に
移行されて回析される。このウェハマーク１７の１次元
回析格子で回析された回析光は、再度マスクマーク１６
で回析された後、図３に破線で示されるように、折返し
ミラー１３に移行され、このミラー１３で反射されて、
第１のレンズ１１に向かって移行される。その結果、こ
の回析光は、図示しない検出手段によって検出され、こ
の検出された光に基づいて、露光マスク１４と半導体ウ
ェハ１５との間の隙間Ｚが所定の値に設定される。
【００３３】一方、ウェハマーク１７の市松状回析格子
で回析された回析光は、上記間隙設定用の回析光と同様
に、再度マスクマーク１６で回析された後、折返しミラ
ー１３に移行され、このミラー１３で反射され、第１の
レンズ１１に向かって移行される。その後、この回析光
は、図示しない検出手段によって検出されて、検出され
た光に基づいてマスク１４とウェハ１５とがこれらに平
行な方向（Ｘ方向）に位置合せされる。
で回析された回析光は、上記間隙設定用の回析光と同様
に、再度マスクマーク１６で回析された後、折返しミラ
ー１３に移行され、このミラー１３で反射され、第１の
レンズ１１に向かって移行される。その後、この回析光
は、図示しない検出手段によって検出されて、検出され
た光に基づいてマスク１４とウェハ１５とがこれらに平
行な方向（Ｘ方向）に位置合せされる。
【００３４】このように、この実施例では、ウェハマー
ク１７に２つの回析格子が設けられているため、間隙設
定と位置合せを同時に実行することができる。特に、ウ
ェハマーク１７の１次元回析格子のピッチＰGY＝５μ
ｍ、同じく市松状回析格子のピッチＰAY＝７μｍのよう
に設定した場合に、間隙設定用の回析光と位置合せ用の
回析光とを異なった位置に分布させて、両者の回析光が
互いに干渉してしまうことを防止することができる。
ク１７に２つの回析格子が設けられているため、間隙設
定と位置合せを同時に実行することができる。特に、ウ
ェハマーク１７の１次元回析格子のピッチＰGY＝５μ
ｍ、同じく市松状回析格子のピッチＰAY＝７μｍのよう
に設定した場合に、間隙設定用の回析光と位置合せ用の
回析光とを異なった位置に分布させて、両者の回析光が
互いに干渉してしまうことを防止することができる。
【００３５】なお、この実施例では、露光マスク１４と
半導体ウェハ１５との間隙設定と位置合せとを同時に実
行するようなされているが、これらを別々に実行する場
合にも適用可能なことは勿論である。更に、マスクマー
ク１６及びウエハマーク１７の回析格子は、図示の実施
例に限定されることなく、１次元、２次元または市松状
格子から適宜選択することができる。
半導体ウェハ１５との間隙設定と位置合せとを同時に実
行するようなされているが、これらを別々に実行する場
合にも適用可能なことは勿論である。更に、マスクマー
ク１６及びウエハマーク１７の回析格子は、図示の実施
例に限定されることなく、１次元、２次元または市松状
格子から適宜選択することができる。
【００３６】次に、図４を参照して、上記第１の実施例
の変形例を説明する。
の変形例を説明する。
【００３７】上述した実施例では、偏心手段としてプレ
ーンパラレル１８を設けた例を示しているが、この変形
例は、第２のレンズ１２をその光軸２１を第１のレンズ
１１の光軸１０から所定距離εだけ偏心させて配置して
偏心手段を構成したものである。
ーンパラレル１８を設けた例を示しているが、この変形
例は、第２のレンズ１２をその光軸２１を第１のレンズ
１１の光軸１０から所定距離εだけ偏心させて配置して
偏心手段を構成したものである。
【００３８】これによって、図示しない光源から射出さ
れた光ビームは、第２のレンズ１２の光軸２１上を移行
し、この第２のレンズ１２を透過した後、第１の実施例
と同じ位置の第１のレンズ１１の光軸１０から所定距離
だけ偏心された焦点距離１９に焦点を結ぶ。そのため、
光ビームは、第１の実施例と同様に、第１のレンズ１１
に入射し、このレンズ１１から射出された光ビームは、
光軸１０に対して角度α斜めにされて移行する。即ち、
この変形例でも、光ビームは、垂直２０に対して角度α
斜めに移行してマスクマーク１６に入射することにな
る。そのため、２つの露光エリア間のクリアランスＳ′
を小さくなして、スクライブラインの幅Ｓ′を小さくす
ることができ、半導体ウェハ１枚当りのＬＳＩチップの
生産効率を格段に向上させて半導体ウェハの有効利用を
図ることができる。
れた光ビームは、第２のレンズ１２の光軸２１上を移行
し、この第２のレンズ１２を透過した後、第１の実施例
と同じ位置の第１のレンズ１１の光軸１０から所定距離
だけ偏心された焦点距離１９に焦点を結ぶ。そのため、
光ビームは、第１の実施例と同様に、第１のレンズ１１
に入射し、このレンズ１１から射出された光ビームは、
光軸１０に対して角度α斜めにされて移行する。即ち、
この変形例でも、光ビームは、垂直２０に対して角度α
斜めに移行してマスクマーク１６に入射することにな
る。そのため、２つの露光エリア間のクリアランスＳ′
を小さくなして、スクライブラインの幅Ｓ′を小さくす
ることができ、半導体ウェハ１枚当りのＬＳＩチップの
生産効率を格段に向上させて半導体ウェハの有効利用を
図ることができる。
【００３９】次に、図５を参照して、第２の実施例を説
明する。
明する。
【００４０】この実施例では、折返しミラー１３の反射
面１３ａが、第１のレンズ１１の光軸１０に対して（４
５°−α／２）の角度をもって配置されている。
面１３ａが、第１のレンズ１１の光軸１０に対して（４
５°−α／２）の角度をもって配置されている。
【００４１】これにより、第１のレンズ１１の光軸１０
上を透過した光ビームが折返しミラー１３の反射面１３
ａで反射されると、この反射された光ビームは、垂線２
０に対して角度α斜めに移行する。そのため、上記第１
の実施例と同様に、この光ビームのマスクマーク１６へ
の入射点は、垂線２０から略ｆ1／２・tan αの位置と
なる。
上を透過した光ビームが折返しミラー１３の反射面１３
ａで反射されると、この反射された光ビームは、垂線２
０に対して角度α斜めに移行する。そのため、上記第１
の実施例と同様に、この光ビームのマスクマーク１６へ
の入射点は、垂線２０から略ｆ1／２・tan αの位置と
なる。
【００４２】これによって、光ビームの中心と露光エリ
アとの間のクリアランスは、 １′＝（Ｃ1 ＋Ｃ2 ＋ｒ）−ｆ1／２・tan α １つの露光エリアとこれに隣接する他の露光エリアとの
スクライブラインは、 Ｓ′＝２１′ ＝２｛（Ｃ1 ＋Ｃ2 ＋ｒ）−ｆ1／２・tan α｝ となり、従来よりｆ1 ・tan αだけこの間隔を小さくす
ることができる。従って、スクライブラインの幅を小さ
くすることができ、半導体ウェハ１枚当りのチップの生
産効率を格段に向上させて半導体ウェハの有効利用を図
ることができる。
アとの間のクリアランスは、 １′＝（Ｃ1 ＋Ｃ2 ＋ｒ）−ｆ1／２・tan α １つの露光エリアとこれに隣接する他の露光エリアとの
スクライブラインは、 Ｓ′＝２１′ ＝２｛（Ｃ1 ＋Ｃ2 ＋ｒ）−ｆ1／２・tan α｝ となり、従来よりｆ1 ・tan αだけこの間隔を小さくす
ることができる。従って、スクライブラインの幅を小さ
くすることができ、半導体ウェハ１枚当りのチップの生
産効率を格段に向上させて半導体ウェハの有効利用を図
ることができる。
【００４３】図６及び図７は、上記原理を利用した本発
明に係るアライメント光学装置の一実施例を示すもので
ある。
明に係るアライメント光学装置の一実施例を示すもので
ある。
【００４４】即ち、このアライメント光学装置には、３
つのアライメント光学系、即ち、Ｘ1 光学系２２，Ｘ2
光学系２３及びＹ光学系２４が備えられている。これら
の各光学系２２，２３，２４には、互いに直交する方向
に移動自在なマークサーチ移動機構２５とチップサーチ
移動機構２６とが上下に配置されて備えられ、これによ
って位置合せマーク（マスクマーク１６及びチップマー
ク１７）のサーチと半導体チップのサーチが行えるよう
になされている。
つのアライメント光学系、即ち、Ｘ1 光学系２２，Ｘ2
光学系２３及びＹ光学系２４が備えられている。これら
の各光学系２２，２３，２４には、互いに直交する方向
に移動自在なマークサーチ移動機構２５とチップサーチ
移動機構２６とが上下に配置されて備えられ、これによ
って位置合せマーク（マスクマーク１６及びチップマー
ク１７）のサーチと半導体チップのサーチが行えるよう
になされている。
【００４５】この各マークサーチ移動機構２５の上面の
光学ベース２７上には、露光マスク１４上のマスクマー
ク（位置合わせマーク）１６に対して光ビームを位置合
せ方向と直角方向に斜めに入射させる入射光学系２８
と、半導体ウェハ１５から露光マスク１４を経由して得
られた検出光２９を受光する検出光学系３０が搭載され
ている。この入射光学系２８は、図４に示すように、即
ち主に第１のレンズ１１、第２のレンズ１２及び折返し
ミラー１３とから、同図に示すように配置されて構成さ
れている。また、検出光学系３０は、前記折返しミラー
１３で再び反射された検出光２９を反射させて側方に導
く一対の反射ミラー３１ａ，３１ｂと、光路を調節する
ための２つのレンズ３２，３３とから主に構成されてい
る。
光学ベース２７上には、露光マスク１４上のマスクマー
ク（位置合わせマーク）１６に対して光ビームを位置合
せ方向と直角方向に斜めに入射させる入射光学系２８
と、半導体ウェハ１５から露光マスク１４を経由して得
られた検出光２９を受光する検出光学系３０が搭載され
ている。この入射光学系２８は、図４に示すように、即
ち主に第１のレンズ１１、第２のレンズ１２及び折返し
ミラー１３とから、同図に示すように配置されて構成さ
れている。また、検出光学系３０は、前記折返しミラー
１３で再び反射された検出光２９を反射させて側方に導
く一対の反射ミラー３１ａ，３１ｂと、光路を調節する
ための２つのレンズ３２，３３とから主に構成されてい
る。
【００４６】ここに、上記のように入射光学系２８と検
出光学系３０とを同一の光学ベース２７上に搭載するた
めには、露光マスク１４または半導体ウェハ１５に設け
られる位置合せマーク（マスクマーク１６またはウェハ
マーク１７）のうち、少なくとも一方をそのマークを解
析した回析光が２次元分布するような２次元分布作用の
マーク（２次元回析格子、市松状回析格子、あるいは１
次元回析格子を各々マクスマーク１６とウェハマーク１
７に用いて、組合せて回析光を２次基分布させるもの）
とする必要がある。
出光学系３０とを同一の光学ベース２７上に搭載するた
めには、露光マスク１４または半導体ウェハ１５に設け
られる位置合せマーク（マスクマーク１６またはウェハ
マーク１７）のうち、少なくとも一方をそのマークを解
析した回析光が２次元分布するような２次元分布作用の
マーク（２次元回析格子、市松状回析格子、あるいは１
次元回析格子を各々マクスマーク１６とウェハマーク１
７に用いて、組合せて回析光を２次基分布させるもの）
とする必要がある。
【００４７】図示の実施例では、マスクマーク１６は透
過窓１６ａとｘ方向のピッチがｐx の１次元格子１６ｂ
で、ウェハマーク１７はｘ方向のピッチｐx の市松状格
子１７ａと１次元格子１７ｂで構成されているととも
に、マスクマーク１６の１次元格子１６ｂとウェハマー
ク１７の一次元格子１７ｂが互いに直交して、２次元分
布作用の格子となるようなされている。
過窓１６ａとｘ方向のピッチがｐx の１次元格子１６ｂ
で、ウェハマーク１７はｘ方向のピッチｐx の市松状格
子１７ａと１次元格子１７ｂで構成されているととも
に、マスクマーク１６の１次元格子１６ｂとウェハマー
ク１７の一次元格子１７ｂが互いに直交して、２次元分
布作用の格子となるようなされている。
【００４８】そして、入射光の入射角度α、半導体ウェ
ハ１５上の市松状格子、１次元格子のｙ方向ピッチを夫
々Ｐy1，Ｐy2とし、これらのピッチＰy1，Ｐy2で夫々決
まる一次回析光の角度をθy1，θy2とすると、 sin(θy1) ＝sin(α) −λ／ｐy1 sin(θy2) ＝sin(α) −λ／ｐy2 が成り立つようになされている。ここにλは光の波長で
ある。
ハ１５上の市松状格子、１次元格子のｙ方向ピッチを夫
々Ｐy1，Ｐy2とし、これらのピッチＰy1，Ｐy2で夫々決
まる一次回析光の角度をθy1，θy2とすると、 sin(θy1) ＝sin(α) −λ／ｐy1 sin(θy2) ＝sin(α) −λ／ｐy2 が成り立つようになされている。ここにλは光の波長で
ある。
【００４９】即ち、sin(θy1) ，sin(θ2 )が各々負の
値を取るように、上記入射角α及びピッチｐy1，ｐy2が
選択されている。例えば、入射角α＝２deg 、ピッチｐ
y1＝５μｍ，ｐy2＝７μｍとすると、θy1＝−５．２６
deg ，θy2＝−３．１８deg となり、このピッチｐy1，
ｐy2で決まる１次回析光は、入射光と同じ側に戻ってく
る。これにより、検出光２９は、同じ折返しミラー１３
で反射した後、入射光学系２８と同一の光学ベース２７
上に設けられた検出光学系３０に導かれる。
値を取るように、上記入射角α及びピッチｐy1，ｐy2が
選択されている。例えば、入射角α＝２deg 、ピッチｐ
y1＝５μｍ，ｐy2＝７μｍとすると、θy1＝−５．２６
deg ，θy2＝−３．１８deg となり、このピッチｐy1，
ｐy2で決まる１次回析光は、入射光と同じ側に戻ってく
る。これにより、検出光２９は、同じ折返しミラー１３
で反射した後、入射光学系２８と同一の光学ベース２７
上に設けられた検出光学系３０に導かれる。
【００５０】なお、上記の説明は、ｘ方向が位置合わせ
方向であるＸ1 光学系２２について説明したが、他の光
学系２３，２４も同様である。
方向であるＸ1 光学系２２について説明したが、他の光
学系２３，２４も同様である。
【００５１】このように、３つの光学系、即ちＸ1 光学
系２２、Ｘ2 光学系２３及びＹ光学系２４において、そ
れらの各入射光学系２８と検出光学系３０を同一の光学
ベース２７上に搭載することにより、各光学系２２，２
３，２４が互いに干渉してしまうことを防止しつつ光軸
調整を行うことができるとともに、マークサーチ移動機
構２５及びチップサーチ移動機構２６を簡素化してその
組立て及び調整を容易となすことができる。
系２２、Ｘ2 光学系２３及びＹ光学系２４において、そ
れらの各入射光学系２８と検出光学系３０を同一の光学
ベース２７上に搭載することにより、各光学系２２，２
３，２４が互いに干渉してしまうことを防止しつつ光軸
調整を行うことができるとともに、マークサーチ移動機
構２５及びチップサーチ移動機構２６を簡素化してその
組立て及び調整を容易となすことができる。
【００５２】
【発明の効果】上述したように、この発明にかかる相対
位置合せ方法及び装置では、光ビームが折返しミラーの
反射面で反射されて、第１及び第２の物体の各位置合せ
マーク（マスクマーク及びウェハマーク）に斜めに入射
される。そのため、光ビームの位置合せマークへの入射
点を従来の場合（位置合せマークに垂直に入射される場
合）ぬ比べて、露光エリアの近くに位置させることがで
きる。
位置合せ方法及び装置では、光ビームが折返しミラーの
反射面で反射されて、第１及び第２の物体の各位置合せ
マーク（マスクマーク及びウェハマーク）に斜めに入射
される。そのため、光ビームの位置合せマークへの入射
点を従来の場合（位置合せマークに垂直に入射される場
合）ぬ比べて、露光エリアの近くに位置させることがで
きる。
【００５３】従って、スクライブラインの幅を小さくす
ることができ、１枚の半導体ウェハから生産されるＬＳ
Ｉチップの数を著しく多くすることができ、半導体ウェ
ハ１枚当りのチップの生産効率を格段に向上させて半導
体ウェハの有効利用を図ることができる。
ることができ、１枚の半導体ウェハから生産されるＬＳ
Ｉチップの数を著しく多くすることができ、半導体ウェ
ハ１枚当りのチップの生産効率を格段に向上させて半導
体ウェハの有効利用を図ることができる。
【００５４】更に、アライメント光学装置によれば、各
アライメント光学系同士が互いに干渉し合ってしまうこ
とを防止しつつ光軸調整を行うことができるととに、こ
の各光学系の移動機構の組立て及び調整を容易となすこ
とができる。
アライメント光学系同士が互いに干渉し合ってしまうこ
とを防止しつつ光軸調整を行うことができるととに、こ
の各光学系の移動機構の組立て及び調整を容易となすこ
とができる。
【図１】第１の実施例に係る相対位置合せ装置の模式
図。
図。
【図２】図１に示す位置合せ装置に用いられる回析格子
の平面図。
の平面図。
【図３】図１に示す位置合せ装置において、位置合せマ
ークから検出手段に移行する回析光の経路を示す模式
図。
ークから検出手段に移行する回析光の経路を示す模式
図。
【図４】第１の実施例の変形例を示す模式図。
【図５】第２の実施例を示す模式図。
【図６】アライメント光学装置の一実施例を示す概略斜
視図。
視図。
【図７】図６に示すアライメント光学装置に用いられる
回析格子の斜視図。
回析格子の斜視図。
【図８】従来例を示す模式図。
１０ 第１のレンズの光軸 １１ 第１のレンズ １２ 第２のレンズ（偏心手段） １３ 折返しミラー １３ａ 折返しミラーの反射面 １４ 露光マスク（第１の物体） １５ 半導体ウェハ（第２の物体） １６ マスクマーク（位置合わせマーク） １７ ウェハマーク（位置合わせマーク） １８ プレーンパラレル（偏心手段） ２２ アライメント光学系 ２３ アライメント光学系 ２４ アライメント光学系 ２５ マークサーチ移動機構 ２６ チップサーチ移動機構 ２７ 光学ベース ２８ 入射光学系 ３０ 検出光学系
Claims (7)
- 【請求項１】光源から射出された光ビームを第１のレン
ズに向かって該レンズの光軸に略平行に移行させる工程
と、 この光ビームを前記第１のレンズにこの光軸から所定距
離偏心させた状態で入射させることにより、この第１の
レンズを透過した光ビームをこの光軸に対して斜めに移
行させる工程と、 前記第１のレンズの光軸に対して斜めに移行する光ビー
ムを反射させ、この反射した光ビームを第１及び第２の
物体の各位置合せマークに斜めに入射させる工程と、 これらの各位置合せマークを移行した光ビームを検出し
て、前記第１及び第２の物体の相対位置合せを行う工
程、 とを経ることを特徴とする相対位置合せ方法。 - 【請求項２】光ビームを射出する光源と、 光軸がこの光ビームの移行する方向に略平行に配置され
た第１のレンズと、 前記光ビームを前記第１のレンズにこの光軸から所定間
隔偏心させた状態で透過させることにより、前記第１の
レンズを透過した光ビームをこの光軸に対して斜めに移
行させる偏心手段と、 前記第１のレンズの光軸に対して斜めに移行させた光ビ
ームを反射させ、反射した光ビームを第１及び第２の物
体の各位置合わせマークに斜めに入射させる反射面を有
する折返しミラーと、 これらの各位置合せマークを移行した光ビームを検出し
て、第１及び第２の物体の相対位置合せを行う位置合せ
手段、 とを備えたことを特徴とする相対位置合せ装置。 - 【請求項３】前記偏心手段は、光源と第１のレンズとの
間に配置され、光源から射出された光ビームを透過させ
て該光ビームを前記第１のレンズにこの光軸から所定距
離偏心させた状態で入射させるプレーンパラレルからな
ることを特徴とする請求項２記載の相対位置合せ装置。 - 【請求項４】前記偏心手段は、光源と第１のレンズとの
間に配置され、光源から射出された光ビームを透過させ
て該光ビームを前記第１のレンズにこの光軸から所定距
離偏心させた状態で入射させる第２のレンズからなるこ
とを特徴とする請求項２記載の相対位置合せ装置。 - 【請求項５】光源から射出された光ビーム第１のレンズ
内をこの光軸に略平行に透過させる工程と、 前記第１のレンズを透過した光ビームをこの光軸に対し
て（４５°−α／２）の角度をもって配置された反射面
に入射させて、この反射された光ビームを第１及び第２
の物体の各位置合せマークに（９０°−α）の角度で斜
めに入射させる工程と、 これらの各位置合せマークを移行した光ビームを検出し
て、前記第１及び第２の物体の相対位置合せを行う工
程、 とを経ることを特徴とする相対位置合せ方法。 - 【請求項６】光ビームを射出する光源と、 光軸に略平行に光ビームが透過するように配置された第
１のレンズと、 この第１のレンズの光軸に対して（４５°−α／２）の
角度をもって斜めに配置され、前記第１のレンズを透過
した光ビームを反射させて反射した光ビームを第１及び
第２の物体の各位置合せマークに（９０°−α）の角度
で斜めに入射させる反射面を有する折返しミラーと、 これらの各位置合せマークを移行した光ビームを検出し
て、第１及び第２の物体の相対位置合せを行う位置合せ
手段、 とを備えたことを特徴とする相対位置合わせ装置。 - 【請求項７】射出された光ビームを入射光としてひ第１
及び第２の物体の各位置合せマークに位置合せ方向と直
交する方向から斜めに入射させる入射光学系と、これら
の各位置合せマークで回析されて得られる光ビームを検
出光として受光する検出光学系とを備えたアライメント
光学装置において、前記検出光が該位置合せマークに垂
直に立てた垂線に関して前記入射光と同じ側に戻るよう
構成するとともに、前記入射光学系及び検出光学系を同
一の光学ベース上に搭載したことを特徴とするアライメ
ント光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2403886A JP2871104B2 (ja) | 1989-12-21 | 1990-12-19 | 相対位置合せ方法及び装置、並びにアライメント光学装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32971589 | 1989-12-21 | ||
| JP1-329715 | 1989-12-21 | ||
| JP2403886A JP2871104B2 (ja) | 1989-12-21 | 1990-12-19 | 相対位置合せ方法及び装置、並びにアライメント光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03291504A JPH03291504A (ja) | 1991-12-20 |
| JP2871104B2 true JP2871104B2 (ja) | 1999-03-17 |
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ID=26573312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2403886A Expired - Fee Related JP2871104B2 (ja) | 1989-12-21 | 1990-12-19 | 相対位置合せ方法及び装置、並びにアライメント光学装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2871104B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2003324057A (ja) * | 2002-05-01 | 2003-11-14 | Sony Corp | アライメント装置およびアライメント方法 |
| CN109211130B (zh) * | 2018-09-18 | 2020-03-31 | 昆明北方红外技术股份有限公司 | 透镜中心厚度及透镜间隔的测量装置及方法 |
-
1990
- 1990-12-19 JP JP2403886A patent/JP2871104B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH03291504A (ja) | 1991-12-20 |
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