JPS6146024A - アライメント方法 - Google Patents
アライメント方法Info
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- JPS6146024A JPS6146024A JP59166597A JP16659784A JPS6146024A JP S6146024 A JPS6146024 A JP S6146024A JP 59166597 A JP59166597 A JP 59166597A JP 16659784 A JP16659784 A JP 16659784A JP S6146024 A JPS6146024 A JP S6146024A
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- JP
- Japan
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- reticle
- alignment
- lens
- optical system
- wafer
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野）
本発明は、レチクルとウェハとのアライメント方法とく
にレチクルと、ウェハとをアライメントしたのちウェハ
を移動させることなく、その状態で露光できる露光位置
アライメントに適したアライメント方法に関するもので
ある。
にレチクルと、ウェハとをアライメントしたのちウェハ
を移動させることなく、その状態で露光できる露光位置
アライメントに適したアライメント方法に関するもので
ある。
（発明の背景）
第１図に示す如く、レチクル１上の回路パターン４を縮
小レンズ２を介してウェハ３上に１チツプ毎にパターン
６を露光する縮小投影露光装置を使用する場合、半導体
製造においては、上記の露光工程が複数回必要でオルか
っこの露光工程間の上記両パターン４，６の重ね合せを
行なうため、両パターン４．６の位置合せ（アライメン
ト）をする必要がある。
小レンズ２を介してウェハ３上に１チツプ毎にパターン
６を露光する縮小投影露光装置を使用する場合、半導体
製造においては、上記の露光工程が複数回必要でオルか
っこの露光工程間の上記両パターン４，６の重ね合せを
行なうため、両パターン４．６の位置合せ（アライメン
ト）をする必要がある。
このため、従来より上記レチクル１上にアライメント・
マーク５を、上記ウェハ３上にターゲット・マーク７を
形成してこれら両マーク５，７のアライメントを７ライ
メント光学系８，８′により行なっていた。また従来の
上記アライメント光学系８，８′は特開昭５７−１４２
６１２号および特開昭５５−１０８７４３号に記載され
ているように縮小レンズ２に対して固定され、かつ、上
記第１図を上方からみたものを第２図に示す如く、アラ
イメント光学系８．８′が、上記縮小レンズ２の中心光
軸１２上を通る直交軸１１′上に配置されていた。この
ようなアライメント光学系８，８′においては、複数の
露光工程で必要なアライメントを第１層目の露光工程で
作られたウェハ３上のターゲット・マーク７によファラ
イメントすることも可能でおるが、特定の工程間におけ
る上記ウエノ〜３のパターン６と、レチクル１のパター
ン４との重ね合せ精度がとくに要求逼れるときには、何
層口かの露光工程で、ウェハ３上にターゲット●マーク
７金めらたに形成することがある。
マーク５を、上記ウェハ３上にターゲット・マーク７を
形成してこれら両マーク５，７のアライメントを７ライ
メント光学系８，８′により行なっていた。また従来の
上記アライメント光学系８，８′は特開昭５７−１４２
６１２号および特開昭５５−１０８７４３号に記載され
ているように縮小レンズ２に対して固定され、かつ、上
記第１図を上方からみたものを第２図に示す如く、アラ
イメント光学系８．８′が、上記縮小レンズ２の中心光
軸１２上を通る直交軸１１′上に配置されていた。この
ようなアライメント光学系８，８′においては、複数の
露光工程で必要なアライメントを第１層目の露光工程で
作られたウェハ３上のターゲット・マーク７によファラ
イメントすることも可能でおるが、特定の工程間におけ
る上記ウエノ〜３のパターン６と、レチクル１のパター
ン４との重ね合せ精度がとくに要求逼れるときには、何
層口かの露光工程で、ウェハ３上にターゲット●マーク
７金めらたに形成することがある。
このとき、上記ウェハ３上のターゲット●マーク７は第
３図に示す如くウェハ３の各パターン６のターゲット●
マーク７ａ〜７ｅ＝７ａ’−７。′は並列に形成されて
いる。そのため、従来のように７２イメント光学系８、
８′が固定の場合には、レチクル１上のアライメント−
マーク５，５′も固定となるので、レチクル１上の回路
パターン４をウェハ３上のパターン６に重ね合せるとき
、たとえば第３図に示す如くウェハ３のパターン６のタ
ーゲット７８′とレチクル上のアライメント−マーク５
′とでアライメントを行なったのち、ウェハ３を一定の
オフセット量ΔＡだけ移動嘔せて露光する必要がめった
。そのため、ウェハ３を移動するさいに発生する位置決
めエラーおよびスループットの低下という点からアライ
メント光学系の性能を十分に発揮することができなかっ
た。
３図に示す如くウェハ３の各パターン６のターゲット●
マーク７ａ〜７ｅ＝７ａ’−７。′は並列に形成されて
いる。そのため、従来のように７２イメント光学系８、
８′が固定の場合には、レチクル１上のアライメント−
マーク５，５′も固定となるので、レチクル１上の回路
パターン４をウェハ３上のパターン６に重ね合せるとき
、たとえば第３図に示す如くウェハ３のパターン６のタ
ーゲット７８′とレチクル上のアライメント−マーク５
′とでアライメントを行なったのち、ウェハ３を一定の
オフセット量ΔＡだけ移動嘔せて露光する必要がめった
。そのため、ウェハ３を移動するさいに発生する位置決
めエラーおよびスループットの低下という点からアライ
メント光学系の性能を十分に発揮することができなかっ
た。
（発明の目的）
本発明は上記従来の問題点を解決し、アライメント精度
と、スループットの向上が得られる縮小投影露光装置用
アライメント方法を提供することにある。
と、スループットの向上が得られる縮小投影露光装置用
アライメント方法を提供することにある。
（発明の概要）
本発明は上記の目的を達成するため、つぎに述べる要件
を具備したことを特徴とするものである。
を具備したことを特徴とするものである。
即ち、
（１） 従来、固定されていた前記アライメント光学
系８．８′を前記第１図に示す如く、前記縮小レンズ２
に対してその接線方向に移動するステーシ９．９′およ
び半径方向に移動するステージ１０。
系８．８′を前記第１図に示す如く、前記縮小レンズ２
に対してその接線方向に移動するステーシ９．９′およ
び半径方向に移動するステージ１０。
１０′上に搭載し、第４因および第５図に示すように前
記ウェハ３上の必要なターゲット●マーク７●，７＠′
に合致するように前記レチクル１上のアライメント−マ
ーク５，５′を移動して配置し、同時にアライメント光
学系８．８′の視野が上記レチクル１上のアライメント
・マーク５。
記ウェハ３上の必要なターゲット●マーク７●，７＠′
に合致するように前記レチクル１上のアライメント−マ
ーク５，５′を移動して配置し、同時にアライメント光
学系８．８′の視野が上記レチクル１上のアライメント
・マーク５。
５’に合致する如く移動させるようにしたこと、（２｝
また、高集積の半導体レジストでは、露光光と同一
の波長の光を吸収する吸光剤入タレジストおよび多層レ
ジストを使用している。本発明においてはアライメント
の波長として上記露光光と異なる波長の光を使用してい
る。アライメント時に露光光と異なる波長の光を使用し
て第４図に示す如く、アライメント光学系８，８′を距
離Ｘだけ移動させると第６図および第７図に示す如く、
前記縮小レンズ２の色収差の影響で上記ウェハ３上のタ
ーゲット・マーク７の＠１５が露光光の波長による像位
置１４からずれて、レチクルから離れることになる。そ
のため、第１図に示す如く、レチクル１の下面にアライ
メント光学系８，８′が設置されているときには、上記
レチクル１の面での反射による像１６がアライメントの
対象になる。ここで、上記アライメント光学系８，８′
を第４図に示す如く、上記縮小レンズ２の接線方向に対
する距離をＸ１第６９および第７図に示す如く、今上記
レチクル１から、上記縮小レンズ２に設けられた入射瞳
１３までの距離ｔ” Ｌｓ上記縮小レンズ２の色収差を
ΔＬとすると、 上記縮小レンズ２０色収差によってウェハ３上のターゲ
ット・マーク７．７′は、次式で表わされるずれ量ΔＸ
を発生する。
また、高集積の半導体レジストでは、露光光と同一
の波長の光を吸収する吸光剤入タレジストおよび多層レ
ジストを使用している。本発明においてはアライメント
の波長として上記露光光と異なる波長の光を使用してい
る。アライメント時に露光光と異なる波長の光を使用し
て第４図に示す如く、アライメント光学系８，８′を距
離Ｘだけ移動させると第６図および第７図に示す如く、
前記縮小レンズ２の色収差の影響で上記ウェハ３上のタ
ーゲット・マーク７の＠１５が露光光の波長による像位
置１４からずれて、レチクルから離れることになる。そ
のため、第１図に示す如く、レチクル１の下面にアライ
メント光学系８，８′が設置されているときには、上記
レチクル１の面での反射による像１６がアライメントの
対象になる。ここで、上記アライメント光学系８，８′
を第４図に示す如く、上記縮小レンズ２の接線方向に対
する距離をＸ１第６９および第７図に示す如く、今上記
レチクル１から、上記縮小レンズ２に設けられた入射瞳
１３までの距離ｔ” Ｌｓ上記縮小レンズ２の色収差を
ΔＬとすると、 上記縮小レンズ２０色収差によってウェハ３上のターゲ
ット・マーク７．７′は、次式で表わされるずれ量ΔＸ
を発生する。
ΔＸ＝−・ΔＬ
本発明は、上記ウエノ・３上のターゲット・マーク７の
ずれ量ΔＸを考慮せずにアライメントするため、上記レ
チクル１のアライメント・マーク５．５′の代わシに、
レチクル１上に回折ノシターンを形成し、この回折ノく
ター／の回折像を、上記レチクル１の面での反射による
像１６の位置に形成し、この像１６の位置に光の焦点が
合致するようにアライメント光学系８，８′を移動させ
てウェハ３上のターゲット・マーク７．７′の像と、レ
チクル１のアライメント・マーク５．５′とのアライメ
ントを行なうこと を特徴とするものである０ （発明の実施例） 以下本発明の実施例を示す図面について説明する。第８
図に示す如く、レチクル１上のアライメントマーク５．
５′には、上記ウエノ・３上のターゲット・マーク７．
７′の像を反射させるためのミラ一部３１とこのミラ一
部３１に隣接して双曲線ノくターン部Ｕとから形成され
ている０この双曲線ノ（ターン部あは、双曲綜群又は擬
似双曲線群から形成されている。
ずれ量ΔＸを考慮せずにアライメントするため、上記レ
チクル１のアライメント・マーク５．５′の代わシに、
レチクル１上に回折ノシターンを形成し、この回折ノく
ター／の回折像を、上記レチクル１の面での反射による
像１６の位置に形成し、この像１６の位置に光の焦点が
合致するようにアライメント光学系８，８′を移動させ
てウェハ３上のターゲット・マーク７．７′の像と、レ
チクル１のアライメント・マーク５．５′とのアライメ
ントを行なうこと を特徴とするものである０ （発明の実施例） 以下本発明の実施例を示す図面について説明する。第８
図に示す如く、レチクル１上のアライメントマーク５．
５′には、上記ウエノ・３上のターゲット・マーク７．
７′の像を反射させるためのミラ一部３１とこのミラ一
部３１に隣接して双曲線ノくターン部Ｕとから形成され
ている０この双曲線ノ（ターン部あは、双曲綜群又は擬
似双曲線群から形成されている。
第９図に７２イメント光学系８．８′の構成を示す。先
づ矢印四よりの光ビーム３２′がビームスプリッタ冴、
拡大レンズｎ１リレーレンズｎおよびミラー２１を介し
て上記ミラ一部３１に照射すると、第７図に１６で示す
位置に形成されたウニノー３上のターゲット・マーク７
．７′の像を上記ミラー２１、リレーレンズｎ１拡大レ
ンズｎ１ビームスプリツタ２４ｔ−介してセ／す５で検
出する０また矢印間で示す光ビーム３２が上記光ビーム
３２′と平行に凹レンズ路、凸レンズ！およびミラーあ
を介してレチクル１上の双曲線パターン部具に照射する
と、この双曲線パターン部具によシ回折して第８図に鵠
で示す位置に線状の回折像を形成する。このときの回折
像の光強度断面あは第１Ｏ図に示す如く分布をしている
。而して第６図に示す距離Ｘが０のときには、ウェハ３
のターゲット・マーク７．７′の像がレチクル１上のミ
ラ一部３１で反射して位置１６に結ばれ、この位置１６
に形成されたウニ／−３のターゲット・マーク７．７′
の像は光束３７の中心線北上に形成され、ここで上記光
束３７の中心線３８は縮小レンズ２に形成された入射瞳
１３の中心線上を通過する。そのため上記レチクル１上
の双曲線）くターン部あに照射される上記アライメント
光学系８，８′からの照明光３２を上記光束３７の中心
線間に平行にすれば、上記アライメント光学系８，８′
よりの光ビーム３２が双曲線パターン部具により回折３
６されることによって形成された像おを位置１６に形成
されたウェハ３のターゲット・マーク７．７′の像にほ
ぼ重合することができる。−力筒１１図に示すように上
記距＠Ｘが大きい場合には、上記ウニ／〜３のターゲッ
ト・マーク７．７′の像は光束３７の中心線あがミラ一
部３１に反射したときの延長線のΔＸずれた１６の位置
に形成される。そこで、レチクル１上の双曲線パターン
部あに照射される上記アライメント光学系８，８′より
の光ビーム３２を上記の場合と同様に光束３７の中心ｌ
１ｊ３８上に平行にすれば、上記アライメント光学系８
，８′の光ビーム３２が双曲線パターン部具によシ回折
３６されることによって形成されｆｃ像３３ｔ−位置１
６に形成されたウニ／−３のターゲットマーク７．７’
像に重合することができ、これをアライメント光学系８
、８’ 、 ９ 、９’のセンサ５と同−視野内で検
出することができる。
づ矢印四よりの光ビーム３２′がビームスプリッタ冴、
拡大レンズｎ１リレーレンズｎおよびミラー２１を介し
て上記ミラ一部３１に照射すると、第７図に１６で示す
位置に形成されたウニノー３上のターゲット・マーク７
．７′の像を上記ミラー２１、リレーレンズｎ１拡大レ
ンズｎ１ビームスプリツタ２４ｔ−介してセ／す５で検
出する０また矢印間で示す光ビーム３２が上記光ビーム
３２′と平行に凹レンズ路、凸レンズ！およびミラーあ
を介してレチクル１上の双曲線パターン部具に照射する
と、この双曲線パターン部具によシ回折して第８図に鵠
で示す位置に線状の回折像を形成する。このときの回折
像の光強度断面あは第１Ｏ図に示す如く分布をしている
。而して第６図に示す距離Ｘが０のときには、ウェハ３
のターゲット・マーク７．７′の像がレチクル１上のミ
ラ一部３１で反射して位置１６に結ばれ、この位置１６
に形成されたウニ／−３のターゲット・マーク７．７′
の像は光束３７の中心線北上に形成され、ここで上記光
束３７の中心線３８は縮小レンズ２に形成された入射瞳
１３の中心線上を通過する。そのため上記レチクル１上
の双曲線）くターン部あに照射される上記アライメント
光学系８，８′からの照明光３２を上記光束３７の中心
線間に平行にすれば、上記アライメント光学系８，８′
よりの光ビーム３２が双曲線パターン部具により回折３
６されることによって形成された像おを位置１６に形成
されたウェハ３のターゲット・マーク７．７′の像にほ
ぼ重合することができる。−力筒１１図に示すように上
記距＠Ｘが大きい場合には、上記ウニ／〜３のターゲッ
ト・マーク７．７′の像は光束３７の中心線あがミラ一
部３１に反射したときの延長線のΔＸずれた１６の位置
に形成される。そこで、レチクル１上の双曲線パターン
部あに照射される上記アライメント光学系８，８′より
の光ビーム３２を上記の場合と同様に光束３７の中心ｌ
１ｊ３８上に平行にすれば、上記アライメント光学系８
，８′の光ビーム３２が双曲線パターン部具によシ回折
３６されることによって形成されｆｃ像３３ｔ−位置１
６に形成されたウニ／−３のターゲットマーク７．７’
像に重合することができ、これをアライメント光学系８
、８’ 、 ９ 、９’のセンサ５と同−視野内で検
出することができる。
而して上記アライメント光学系８，８′よりの先ビーム
３２を光束３７の中心線あ上に平行するには、第８図お
よび第１３図に示すように、まずアライメント光学系８
．８’、 ９ 、 ｃ＋／ｊｐレチクル１上の双曲線パ
ターン部あに照射する光ビーム＆の方向よル入射し縮小
レンズ２に対して固定し、上記光ビーム３２は実質的に
縮／トレンズ２の中心を通る関係にする。また凹レンズ
四を半径方向移動ステージｌＯ上に固定し上記光ビーム
３２はアライメント光学系８ 、８’ 、 ９ 、９’
の上記縮小レンズ２に対する接線方向の移動と無関係に
する。上記光ビーム３２は凹レンズあから焦点距離だけ
離れたＰ点に虚の集光Ｐを形成する。一方の凸レンズ２
７を接線方向移動ステージ９，９′上に設置すると、ア
ライメント光学系８，８′が縮小レンズ２に対する接線
方向に距離Ｘだけずれたとき、これに伴って上記凸しン
ｘ７１も照明光３２から距離Ｘだけずれる。ここで上記
凸レンズｎの焦点距離をＮとし、凸レンズｎを上記Ｐ点
から距離Ｎだけ離れた位置に設置すると、凸レンズ２７
を出た光ビーム３２は該凸レンズｎの中心とＰ点とを結
ぶ直線４０に平行表光ビームとなる〇一方ツウエバ３タ
ーゲット・マーク７．７′の鍬はレチクル１上のミラー
３１の中心点１４（第７図参照）と、縮／ＪＮレンズ２
の入射瞳１３の中心とを結ぶ直線上におるため、この光
のレチクル１に対する傾きはレチクル１と縮小レンズ２
０入射瞳１３との間のでるるので、Ｎ＝、Ｌが成立し、
かつ光ビーム３２の中心が上記レチクル１上のミラ一部
３１の中心点１４に一致させるには凸レンズごとレチク
ル１との間の距離をＭとしたとき、Ｍ＝Ｌが成立しなけ
ればならない。このように上記レチクル１上の双曲線パ
ターン部３４によって形成される回折１３３と、ウェハ
３のターゲット・マーク７．７′の像が形成される位置
１６とを略等くすることができる。
３２を光束３７の中心線あ上に平行するには、第８図お
よび第１３図に示すように、まずアライメント光学系８
．８’、 ９ 、 ｃ＋／ｊｐレチクル１上の双曲線パ
ターン部あに照射する光ビーム＆の方向よル入射し縮小
レンズ２に対して固定し、上記光ビーム３２は実質的に
縮／トレンズ２の中心を通る関係にする。また凹レンズ
四を半径方向移動ステージｌＯ上に固定し上記光ビーム
３２はアライメント光学系８ 、８’ 、 ９ 、９’
の上記縮小レンズ２に対する接線方向の移動と無関係に
する。上記光ビーム３２は凹レンズあから焦点距離だけ
離れたＰ点に虚の集光Ｐを形成する。一方の凸レンズ２
７を接線方向移動ステージ９，９′上に設置すると、ア
ライメント光学系８，８′が縮小レンズ２に対する接線
方向に距離Ｘだけずれたとき、これに伴って上記凸しン
ｘ７１も照明光３２から距離Ｘだけずれる。ここで上記
凸レンズｎの焦点距離をＮとし、凸レンズｎを上記Ｐ点
から距離Ｎだけ離れた位置に設置すると、凸レンズ２７
を出た光ビーム３２は該凸レンズｎの中心とＰ点とを結
ぶ直線４０に平行表光ビームとなる〇一方ツウエバ３タ
ーゲット・マーク７．７′の鍬はレチクル１上のミラー
３１の中心点１４（第７図参照）と、縮／ＪＮレンズ２
の入射瞳１３の中心とを結ぶ直線上におるため、この光
のレチクル１に対する傾きはレチクル１と縮小レンズ２
０入射瞳１３との間のでるるので、Ｎ＝、Ｌが成立し、
かつ光ビーム３２の中心が上記レチクル１上のミラ一部
３１の中心点１４に一致させるには凸レンズごとレチク
ル１との間の距離をＭとしたとき、Ｍ＝Ｌが成立しなけ
ればならない。このように上記レチクル１上の双曲線パ
ターン部３４によって形成される回折１３３と、ウェハ
３のターゲット・マーク７．７′の像が形成される位置
１６とを略等くすることができる。
なお、上記アライメント光学系８，８′に設置されてい
るレンズ２２，２３、凸レンズ刀、凹レンズ四等の製作
誤差によりウェハ３のターゲット・マーク７．７′の像
と、レチクル１の双曲線パターン部あによる回折あによ
る像おとの間に若干位置ずれを発生することも考えられ
るが、これに関しては、アライメントにおける固有のオ
フセット量としてソフトウェア等で予じめ補正をしてお
くことができる。また上記ウェハ３のターゲット・マー
ク７゜７′の像を回折によって行なう方法として、二次
元の７レネルゾーンターゲツト等を用いることも可能で
ある。
るレンズ２２，２３、凸レンズ刀、凹レンズ四等の製作
誤差によりウェハ３のターゲット・マーク７．７′の像
と、レチクル１の双曲線パターン部あによる回折あによ
る像おとの間に若干位置ずれを発生することも考えられ
るが、これに関しては、アライメントにおける固有のオ
フセット量としてソフトウェア等で予じめ補正をしてお
くことができる。また上記ウェハ３のターゲット・マー
ク７゜７′の像を回折によって行なう方法として、二次
元の７レネルゾーンターゲツト等を用いることも可能で
ある。
以上述べたる如く、本発明によれば、アライメント光学
系を縮小レンズに対して接線方向あるいは半径方向に移
動可能にし）かっ−上記アライメント光学系を移動した
場合でも縮小投影露光装置におけるレチクルと、ウェハ
のパターンとの位置合せを高精度に保持しかつスループ
ットを保つことが出来る効果を有する。
系を縮小レンズに対して接線方向あるいは半径方向に移
動可能にし）かっ−上記アライメント光学系を移動した
場合でも縮小投影露光装置におけるレチクルと、ウェハ
のパターンとの位置合せを高精度に保持しかつスループ
ットを保つことが出来る効果を有する。
第１図は本発明の実施例を示す縮小投影装置のアライメ
ント光学系を示す斜視図、第２図および第４図はレチク
ルと、アライメント光学系との関係を示す平面図、第３
図および第５図はレチクル上のパターンと、ウェハ上の
パターンとの関係を示す平面図、Ｋ６図は双曲線パター
ン部の色収差によるウェハのターゲット・マークの像の
形成位置を示す説明図、第７図はアライメント光学系を
示す斜視図、第８図はレチクルとアライメント・マーク
との位置関係を示す斜視図、第９図に双曲線パターン部
による回折像の断面光強度分布図、第ｉｏ図は縮小レン
ズの色収差がＯの場合の第９図ＯＲ矢視側面図、第１１
図は縮小レンズの色収差を有する場合の第９図のＲ矢視
側面図、第１２図は第９図に示すレチクルに対するアラ
イメント光学系の光学系統図である。 １・・・レチクル、２・・・縮小レンズ、３・・・ウェ
ハ、４・・・レチクル１のパターン、５・・・レチクル
１上のアライメント・マーク、６・・・ウェハ３のパタ
ーン、７・・・ウェハ３上のターゲット・マーク、８．
８′・・・アライメント光学系、９ ＊ ９’ ＄ １
０ ＊ １０’・・・ステージ、１３・・・入射瞳
ント光学系を示す斜視図、第２図および第４図はレチク
ルと、アライメント光学系との関係を示す平面図、第３
図および第５図はレチクル上のパターンと、ウェハ上の
パターンとの関係を示す平面図、Ｋ６図は双曲線パター
ン部の色収差によるウェハのターゲット・マークの像の
形成位置を示す説明図、第７図はアライメント光学系を
示す斜視図、第８図はレチクルとアライメント・マーク
との位置関係を示す斜視図、第９図に双曲線パターン部
による回折像の断面光強度分布図、第ｉｏ図は縮小レン
ズの色収差がＯの場合の第９図ＯＲ矢視側面図、第１１
図は縮小レンズの色収差を有する場合の第９図のＲ矢視
側面図、第１２図は第９図に示すレチクルに対するアラ
イメント光学系の光学系統図である。 １・・・レチクル、２・・・縮小レンズ、３・・・ウェ
ハ、４・・・レチクル１のパターン、５・・・レチクル
１上のアライメント・マーク、６・・・ウェハ３のパタ
ーン、７・・・ウェハ３上のターゲット・マーク、８．
８′・・・アライメント光学系、９ ＊ ９’ ＄ １
０ ＊ １０’・・・ステージ、１３・・・入射瞳
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体の露光に使用される縮小投影露光装置におけ
るレチクルと、ウェハとを位置合せするアライメント方
法において、アライメント光学系をレチクルとウェハと
の間に介在する縮小レンズの接線方向および半径方向に
移動可能にし、かつ上記レチクル上のアライメント・マ
ークを回折パターンにより形成し、該回折パターンに照
射するアライメント光学系よりのレチクル照明の光ビー
ムの傾きを上記回折パターンと、上記縮小レンズの入射
瞳の中心とを結ぶ直線に平行になるように調整すること
により、上記回折パターンによつて回折される像と、レ
チクルの１部をミラーとして用いて露光光と異なる波長
でアライメントするさいに縮小レンズの色収差によりレ
チクルから離れた位置に形成されるウェハのターゲット
・マークの像とを同一位置に形成し、これによつてレチ
クルとウェハのパターンを位置合せすることを特徴とす
るアライメント方法。 ２、前記レチクル上のアライメント・マークに形成され
た回折パターン部を双曲線パターンであることを特徴と
する前記特許請求の範囲第１項記載のアライメント方法
。 ３、前記レチクル上の回折パターンがフレネルゾーンプ
レートであることを特徴とする前記特許請求の範囲第１
項記載のアライメント方法。 ４、前記アライメント光学系に前記縮小レンズに対して
固定された光源と、凹レンズと、上記アライメント光学
系を搭載し上記縮小レンズの接線方向に移動させるステ
ージに固定され、上記レチクルとの距離およびその焦点
距離が互いに上記縮小レンズの入射瞳と、レチクルとの
距離に等しくなる如く配置された凸レンズとを設け、こ
の凸レンズの焦点が上記凹レンズの前側焦点を通つて縮
小レンズの接線方向に延びる直線上を移動することによ
り、上記アライメント光学系よりのレチクル照明用の光
をレチクルの回折パターンと、縮小レンズの入射瞳中心
とを結ぶ直線に対して平行な光ビームにすることを特徴
とする前記特許請求の範囲第１項記載のアライメント方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166597A JPS6146024A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | アライメント方法 |
| US06/762,329 US4701050A (en) | 1984-08-10 | 1985-08-05 | Semiconductor exposure apparatus and alignment method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166597A JPS6146024A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | アライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6146024A true JPS6146024A (ja) | 1986-03-06 |
| JPH0230174B2 JPH0230174B2 (ja) | 1990-07-04 |
Family
ID=15834235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59166597A Granted JPS6146024A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | アライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6146024A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61100931A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Hitachi Ltd | 縮小投影式アライメント方法 |
| JP2018157497A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | セイコーＮｐｃ株式会社 | 双曲線パターンを使った撮影装置及び撮影方法 |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP59166597A patent/JPS6146024A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61100931A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Hitachi Ltd | 縮小投影式アライメント方法 |
| JPH0318732B2 (ja) * | 1984-10-24 | 1991-03-13 | Hitachi Ltd | |
| JP2018157497A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | セイコーＮｐｃ株式会社 | 双曲線パターンを使った撮影装置及び撮影方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0230174B2 (ja) | 1990-07-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |