KR980005337A - 스캔노광장치 및 스캔노광방법 - Google Patents

스캔노광장치 및 스캔노광방법 Download PDF

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Abstract

[과제]
스캔노광과 동시에 레티클(reticle)과 웨이퍼의 상대변위의 검출을 용이화하고, 스캔노광중에 있어서도 웨이퍼의 얼라인먼트(alignment)를 고정밀도로 행한다.
[해결수단]
스캔노광장치에 있어서, 레티클(2)상에서 묘화패턴 형성영역의 (15)의 스캔방향에 따른 양측에 연속적으로 배치된 1차원 회절격자 (3)와, 웨이퍼(9)의 칩영역(10)의 스캔방향에 따른 양측에 연속적으로 배치된 2차원 회절격자(11)와, 1차원 회절격자에 얼라인먼트광(1a, 1b)을 조사하고, 이것을 통과한 회절광을 투영렌즈(7)를 매개해서 2차원 회절격자에 집광시키며, 이것으로부터 반사한 회절광에 기초하여 2개의 회절격자의 스캔방향의 위치어긋남량을 검출하고, 위치어긋남량이 소정범위내에 들어가도록 레티클 및 웨이퍼의 적어도 한쪽의 위치를 미세조정하는 TTR 얼라인먼트장치를 구비한다.

Description

스캔노광장치 및 스캔노광방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 1은 본 발명의 제1실시형태에 따른 스캔노광장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.

Claims (20)

  1. 묘화패턴이 형성된 레티클과, 상기 레티클이 탑재된 레티클 스테이지, 반도체 웨이퍼가 탑재된 웨이퍼 스테이지, 상기 레티클에 노광광을 조사하여 상기 묘화패턴을 투영렌즈를 매개해서 상기 반도체 웨이퍼상에 투영하는 투영광학계, 상기 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지를 묘화스캔방향에 대해 상대적으로 이동시키면서 상기 투영광학계를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼에 대한 축차노광을 행하는 스캔노광기구, 상기 레티클상에 묘화패턴 형성영역의 스캔방향에 따른 양측에 연속적으로 배치된 세로무늬 격자패턴을 갖는 1차원 회절격자, 상기 반도체 웨이퍼의 칩영역의 스캔방향에 따른 양측에 연속적으로 배치된 2차원 회절격자, 상기 1차원 회절격자에 얼라인먼트광을 조사하고, 상기 1차원 회절격자를 통과한 회절광을 상기 투영광학계의 투영렌즈를 매개해서 상기 2차원 회절격자에 집광시키며, 상기 2차원 회절격자로부터 반사한 회절광에 기초하여 상기 1차원 회절격자 및 2차원 회절격자의 스캔방향의 위치어긋남량을 검출하고, 이 검출된 위치어긋남량이 소정범위내에 들어가도록 상기 레티클 스테이지 및 웨이퍼 스테이지의 적어도 한쪽의 위치를 미세조정하는 TTR 얼라인먼트장치 및, 상기 레티클과 상기 투영렌즈 사이에 배치된 색수차 보정기구를 구비한 것을 특징으로 하는 스캔노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 TTR 얼라이먼트장치에 의해 얻어진 상기 레티클 및 반도체 웨이퍼의 상대위치정보에 기초하여 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하는 쇼트내 오차보정기구를 더 구비한 것을 특징으로 하는 스캔노광장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 기재된 스캔노광장치를 사용하여, 상기 스캔노광기구에 의한 노광을 행함과 동시에, 상기 TTR 얼라인먼트장치에 의해 상기 레티클상의 1차원 회절격자 및 상기 칩영역의 2차원 회절격자의 스캔방향의 위치어긋남량을 연속적으로 검출하고, 이 검출된 위치어긋남량이 소정범위내에 들어가도록 상기 레티클과 웨이퍼의 적어도 한쪽의 위치 또는 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하여 웨이퍼상의 칩영역마다 얼라인먼트를 행하는 것을 특징으로 하는 스캔노광방법.
  4. 묘화패턴이 형성된 레티클과, 상기 레티클이 탑재된 레티클 스테이지, 반도체 웨이퍼가 탑재된 웨이퍼 스테이지, 상기 레티클에 노광광을 조사하여 상기 묘화패턴을 투영렌즈를 매개해서 상기 반도체 웨이퍼상에 투영하는 투영광학계, 상기 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지를 묘화스캔방향에 대해 상대적으로 이동시키면서 상기 투영광학계를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼에 대한 노광을 행하는 스캔노광기구, 상기 레티클상에 묘화패턴 형성영역의 스캔방향에 따른 양측에 연속적으로 배치된 가로무늬 격자패턴을 갖는 1차원 회절격자, 상기 반도체 웨이퍼의 칩영역의 스캔방향에 따른 양측에 연속적으로 배치된 2차원 회절격자, 상기 1차원 회절격자에 얼라인먼트광을 조사하고, 상기 1차원 회절격자를 통과한 회절광을 상기 투영광학계의 투영렌즈를 매개해서 상기 2차원 회절격자에 집광시키며, 상기 2차원 회절격자로부터 반사한 회절광에 기초하여 상기 1차원 회절격자 및 2차원 회절격자의 스캔방향과 직각방향의 위치어긋남량을 검출하고, 이 검출된 위치어긋남량이 소정범위내에 들어가도록 상기 레티클 스테이지 및 웨이퍼 스테이지의 적어도 한쪽의 위치를 미세조정하는 TTR 얼라인먼트장치 및, 상기 레티클과 상기 투영렌즈 사이에 배치된 색수차 보정기구를 구비한 것을 특징으로 하는 스캔노광장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 TTR 얼라인먼트장치에 의해 얻어진 상기 레티클 및 반도체 웨이퍼의 상대위치정보에 기초하여 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하는 쇼트내 오차보정기구를 더 구비한 것을 특징으로 하는 스캔노광장치.
  6. 제4항 또는 제5항에 기재된 스캔노광장치를 사용하여, 상기 스캔노광기구에 의한 노광을 행함과 동시에, 상기 TTR 얼라인먼트장치에 의해 상기 레티클상의 1차원 회절격자 및 상기 칩영역의 2차원 회절격자의 스캔방향과 직각방향의 위치어긋남량을 연속적으로 검출하고, 이 검출된 위치어긋남량이 소정범위내에 들어가도록 상기 레티클과 웨이퍼의 적어도 한쪽의 위치 또는 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하여 웨이퍼상의 칩영역마다 얼라인먼트를 행하는 것을 특징으로 하는 스캔노광방법.
  7. 묘화패턴이 형성된 레티클과, 상기 레티클이 탑재된 레티클 스테이지, 반도체 웨이퍼가 탑재된 웨이퍼 스테이지, 상기 레티클에 노광광을 조사하여 상기 묘화패턴을 투영렌즈를 매개해서 상기 반도체 웨이퍼상에 투영하는 투영광학계, 상기 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지를 묘화스캔방향에 대해 상대적으로 이동시키면서 상기 투영광학계를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼에 대한 축차노광을 행하는 스캔노광기구, 상기 레티클상에 묘화패턴 형성영역의 스캔방향에 따른 양측에 연속적으로 배치된 세로무늬 격자패턴을 갖는 제1의 1차원 회절격자, 상기 레티클상에 묘화패턴 형성영역의 스캔방향에 따른 양측에서 묘화패턴 형성영역의 전범위에 배치된 가로무늬 격자패턴을 갖는 제2의 1차원 회절격자, 상기 반도체 웨이퍼의 칩영역의 스캔방향에 따른 양측에 연속적으로 배치된 2차원 회절격자, 상기 제1, 제2의 1차원 회절격자에 얼라인먼트광을 조사하고, 상기 제1, 제2의 1차원 회절격자를 통과한 회절광을 상기 투영광학계의 투영렌즈를 매개해서 상기 2차원 회절격자에 집광시키며, 상기 2차원 회절격자로부터 반사한 회절광에 기초하여 상기 제1, 제2의 1차원 회절격자 및 2차원 회절격자의 스캔방향의 위치어긋남량 및 스캔방향과 직각인 방향의 위치어긋남량을 검출하고, 이 검출된 위치어긋남량이 소정범위내에 들어가도록 상기 레티클 스테이지 및 웨이퍼 스테이지의 적어도 한쪽의 위치를 미세조정하는 TTR 얼라인먼트장치 및, 상기 레티클과 상기 투영렌즈 사이에 배치된 색수차 보정기구를 구비한 것을 특징으로 하는 스캔노광장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 TTR 얼라인먼트장치에 의해 얻어진 상기 레티클 및 반도체 웨이퍼의 상대위치정보에 기초하여 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하는 쇼트내 오차보정기구를 더 구비한 것을 특징으로 하는 스캔노광장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 기재된 스캔노광장치를 사용하여, 상기 스캔노광기구에 의한 노광을 행함과 동시에, 상기 TTR 얼라인먼트장치에 의해 상기 레티클상의 1차원 회절격자 및 상기 칩영역의 2차원 회절격자의 스캔방향의 위치어긋남량 및 스캔방향과 직각인 방향의 위치어긋남량을 연속적으로 검출하고, 이 검출된 위치어긋남량이 소정범위내에 들어가도록 상기 레티클과 웨이퍼의 적어도 한쪽의 위치 또는 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하여 웨이퍼상의 칩영역마다 얼라인먼트를 행하는 것을 특징으로 하는 스캔노광방법.
  10. 묘화패턴이 형성된 레티클과, 상기 레티클이 탑재된 레티클 스테이지, 반도체 웨이퍼가 탑재된 웨이퍼 스테이지, 상기 레티클에 노광광을 조사하여 상기 묘화패턴을 투영렌즈를 매개해서 상기 반도체 웨이퍼상에 투영하는 투영광학계, 상기 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지를 묘화스캔방향에 대해 상대적으로 이동시키면서 상기 투영광학계를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼에 대한 노광을 행하는 스캔노광기구, 상기 레티클상에 묘화패턴 형성영역의 스캔방향에 따른 양측에 연속적으로 배치된 각각 세로무늬 격자패턴을 갖는 2조의 1차원 회절격자, 상기 반도체 웨이퍼의 칩영역의 스캔방향에 따른 양측에 연속적으로 배치된 2차원 회절격자 및, 상기 2조의 1차원 회절격자에 서로 다른 파장의 얼라인먼트광을 조사하고, 상기 2조의 1차원 회절격자를 각각 통과한 회절광을 상기 투영광학계의 투영렌즈를 매개해서 상기 2차원 회절격자에 집광시키며, 상기 2차원 회절격자로부터 반사한 회절광에 기초하여 상기 2조의 1차원 회절격자 및 2차원 회절격자의 스캔방향의 위치어긋남량을 검출하고, 이 검출된 위치어긋남량이 소정범위내에 들어가도록 상기 레티클 스테이지 및 웨이퍼 스테이지의 적어도 한쪽의 위치를 위치를 미세조정하는 TTR 얼라인먼트장치를 구비한 것을 트징으로 하는 스캔노광장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 TTR 얼라인먼트장치에 의해 얻어진 상기 레티클 및 반도체 웨이퍼의 상대위치정보에 기초하여 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하는 쇼트내 오차보정기구를 더 구비한 것을 특징으로 하는 스캔노광장치.
  12. 제10항 또는 제11항에 기재된 스캔노광장치를 사용하여, 상기 스캔노광기구에 의한 노광을 행함과 동시에, 상기 TTR 얼라인먼트장치에 의해 상기 레티클상의 1차원 회절격자 및 상기 칩영역의 2차원 회절격자의 스캔방향의 위치어긋남량을 연속적으로 검출하고, 이 검출된 위치어긋남량이 소정범위내에 들어가도록 상기 레티클과 웨이퍼의 적어도 한쪽의 위치 또는 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하여 웨이퍼상의 칩영역마다 얼라인먼트 행하는 것을 특징으로 하는 스캔노광방법.
  13. 제1항에 기재된 스캔노광장치를 사용하여, 어떤 제조로트에서의 미리 지정된 특정의 웨이퍼에 대해 상기 TTR 얼라인먼트장치에 의해 레티클과 웨이퍼의 상대변위를 검출한 데이터를 유지하는 단계와, 다른 웨이퍼의 노광중에 상기 유지데이터를 사용하여 상기 레티클과 웨이퍼의 적어도 한쪽의 위치 또는 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 스캔노광방법.
  14. 제2항에 기재된 스캔노광장치를 사용하여, 어떤 제조로트에서의 미리 지정된 특정의 웨이퍼에 대해 상기 TTR 얼라인먼트장치에 의해 레티클과 웨이퍼의 상대변위를 검출한 데이터를 유지하는 단계와, 다른 웨이퍼의 노광중에 상기 유지데이터를 사용하여 상기 레티클과 웨이퍼의 적어도 한쪽의 위치 또는 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 스캔노광방법.
  15. 제4항에 기재된 스캔노광장치를 사용하여, 어떤 제조로트에서의 미리 지정된 특정의 웨이퍼에 대해 상기 TTR 얼라인먼트장치에 의해 레티클과 웨이퍼의 상대변위를 검출한 데이터를 유지하는 단계와, 다른 웨이퍼의 노광중에 상기 유지데이터를 사용하여 상기 레티클과 웨이퍼의 적어도 한쪽의 위치 또는 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 스캔노광방법.
  16. 제5항에 기재된 스캔노광장치를 사용하여, 어떤 제조로트에서의 미리 지정된 특정의 웨이퍼에 대해 상기 TTR 얼라인먼트장치에 의해 레티클과 웨이퍼의 상대변위를 검출한 데이터를 유지하는 단계와, 다른 웨이퍼의 노광중에 상기 유지데이터를 사용하여 상기 레티클과 웨이퍼의 적어도 한쪽의 위치 또는 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 스캔노광방법.
  17. 제7항에 기재된 스캔노광장치를 사용하여, 어떤 제조로트에서의 미리 지정된 특정의 웨이퍼에 대해 상기 TTR 얼라인먼트장치에 의해 레티클과 웨이퍼의 상대변위를 검출한 데이터를 유지하는 단계와, 다른 웨이퍼의 노광중에 상기 유지데이터를 사용하여 상기 레티클과 웨이퍼의 적어도 한쪽의 위치 또는 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 스캔노광방법.
  18. 제8항에 기재된 스캔노광장치를 사용하여, 어떤 제조로트에서의 미리 지정된 특정의 웨이퍼에 대해 상기 TTR 얼라인먼트장치에 의해 레티클과 웨이퍼의 상대변위를 검출한 데이터를 유지하는 단계와, 다른 웨이퍼의 노광중에 상기 유지데이터를 사용하여 상기 레티클과 웨이퍼의 적어도 한쪽의 위치 또는 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 스캔노광방법.
  19. 제10항에 기재된 스캔노광장치를 사용하여, 어떤 제조로트에서의 미리 지정된 특정의 웨이퍼에 대해 상기 TTR 얼라인먼트장치에 의해 레티클과 웨이퍼의 상대변위를 검출한 데이터를 유지하는 단계와, 다른 웨이퍼의 노광중에 상기 유지데이터를 사용하여 상기 레티클과 웨이퍼의 적어도 한쪽의 위치 또는 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 스캔노광방법.
  20. 제11항에 기재된 스캔노광장치를 사용하여, 어떤 제조로트에서의 미리 지정된 특정의 웨이퍼에 대해 상기 TTR 얼라인먼트장치에 의해 레티클과 웨이퍼의 상대변위를 검출한 데이터를 유지하는 단계와, 다른 웨이퍼의 노광중에 상기 유지데이터를 사용하여 상기 레티클과 웨이퍼의 적어도 한쪽의 위치 또는 쇼트 패턴내의 고차의 계통오차를 보정하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 스캔노광방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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