JP3553572B2 - 露光装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は露光装置に関し、特に半導体素子や液晶表示素子の製造用露光装置等におけるのTTR(Through the Reticle)方式やTTM(Through the Mask) 方式によるアライメント(相対位置合わせ)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図7および図8は、従来の露光装置におけるアライメント方式を説明する図である。
図7に示すように、投影光学系71がある程度の色収差を有するような場合には、マスク(またはレチクル)Mと投影光学系71との間にアライメント光(非露光光)用の色収差補正光学系72を設けている。そして、光源73からのアライメント光は色収差補正光学系72および投影光学系71を介し、露光光は投影光学系71のみを介してウエハWに達するように構成している。こうして、露光光とアライメント光との色収差を補正した状態で、マスクMとウエハWとのアライメントを行う。
【0003】
一方、図8に示すように、たとえばダイソン型の投影光学系81を用いた露光装置では、露光光とアライメント光との色収差が少ないので、アライメント光(非露光光)用の色収差補正光学系を設ける必要はない。そして、マスクMおよびウエハ(またはプレート)Wの双方がアライメント光学系の焦点深度内に入るように構成し、マスクMとウエハWとのアライメントを同時に行う。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
図7に示すような色収差補正光学系を設けた従来の露光装置では、マスク上およびウエハ上において投影光学系のある像高での光軸方向の色収差は一定である。しかしながら、光軸方向の色収差ばかりでなく、非露光光であるアライメント光に対して、波長の違いによる倍率色収差、波長の違いによる像面湾曲、非点収差等が発生する。しかも、これらの諸収差量は、投影光学系の像高に依存して変化する。
【0005】
アライメントに際しては、所定の像高において収差補正されたアライメント光学系を用いて、ウエハ上の露光マークとマスクマークとの位置合わせを行う。この場合、露光光が収差補正用光学系で遮られないようにする必要がある。このため、投影光学系の露光フィールドより外の領域でアライメントするように、ウエハステージによりウエハマークを露光フィールドより外の領域に移動させてから位置合わせを行っている。
【0006】
このように、色収差補正光学系を設けた従来の露光装置では、投影光学系の所定像高においてのみ収差補正がなされている。このため、二次元的に移動可能なウエハステージが不可欠であるとともに、ウエハステージの頻繁な移動に伴って位置ずれが発生するという不都合があった。
【0007】
また、図8に示すようなダイソン型の投影光学系を用いた従来の露光装置では、前述したように収差量そのものは少ない。しかしながら、非露光光であるアライメント光に対して、光軸方向の収差がある程度発生するとともに、テレセントリック性の崩れが発生する。その結果、マスクとウエハとを同時に位置合わせすると、上述の光軸方向の収差およびテレセントリック性の崩れに起因して位置ずれが発生するという不都合があった。
【0008】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、投影光学系のすべての像高において高精度なアライメントが可能な露光装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明においては、第1の基板に形成されたパターンの像を投影光学系を介して第2の基板上に投影露光する露光装置において、前記投影光学系に対して相対的に移動可能に設けられ、前記投影光学系で投影露光する際の露光光とは異なる波長のアライメント光を用いてアライメントを行うアライメント光学系を備え、前記アライメント光学系は、前記第1の基板の任意の位置に形成された第1マークと、前記第2の基板の任意の位置に形成された第2マークとに対してアライメント光を供給すると共に、前記第1および第2マークからの光に基づいて、前記第1および第2の基板の相対的な位置を検出し、さらに前記第1および第2マークの位置における第1および第2の基板の前記アライメント光学系に対する前記第1及び第2の基板の面と直交する方向における合焦情報をそれぞれ検出する合焦情報検出手段を有し、前記合焦情報に基づいて、前記アライメント光学系を前記第1および第2マークに合焦させた上で該第1および第2マークを検出し、該投影光学系の像高における前記露光光と前記アライメント光との波長の違いによる倍率色収差を補正して、前記第1および第2のマークの位置合わせすることを特徴とする露光装置を提供する。
【0010】
本発明の好ましい態様によれば、前記合焦情報検出手段は、前記アライメント光に基づいて前記第1の基板上に走査ビームを形成するための走査ビーム形成光学系と、前記第1の基板上に形成された走査ビームを光学的に走査するための走査手段と、前記第1の基板上に形成された走査ビームによる光学的走査によって生成される前記第1マークからの光および前記投影光学系を介して前記第2の基板上に形成された走査ビームによる光学的走査によって生成される前記第2マークからの光をそれぞれ光電検出するための光電検出手段とを備え、前記光電検出手段において得られた電気信号に基づいて、前記第1の基板および前記第2の基板の前記アライメント光学系に対する合焦情報をそれぞれ検出し、位置合わせする。
【0011】
【作用】
本発明では、マスクのような第1の基板とプレートのような第2の基板との相対的な位置を検出するためのアライメント光学系自体が、アライメント位置におけるマスクおよびプレートのベストフォーカス位置(最良合焦位置)を合焦情報として求めることができる。したがって、まずアライメント光学系に対するマスクおよびプレートの合焦情報としてベストフォーカス位置を求め、そのベストフォーカス位置において、マスクとプレートとの相対位置合わせ(アライメント)を行う。そして、マスクとプレートとの相対位置合わせ終了後に、露光光に対するベストフォーカス位置にマスクおよびプレートを移動させて露光を行うことができる。
【0012】
すなわち、本発明では、アライメント光と露光光との波長の違いによる像面湾曲、非点収差、軸上色収差等が発生するような投影光学系であっても、アライメント光に対してピントの合った状態でマスクとプレートとの相対位置合わせを高精度に行うことができる。
また、例えばダイソン型光学系またはオフナー型光学系からなる投影光学系のように露光光とアライメント光との軸上色収差がでほとんど無い場合も、波長の違いによるテレセントリック性の崩れが発生する。この場合、アライメント光に対してベストフォーカス位置に合わせることにより、テレセントリック性の崩れに起因する位置合わせ誤差を回避することができる。
【0013】
また、本発明では、アライメント位置においてベストフォーカス位置を求めることができるので、アライメント光学系を投影光学系に対して相対移動させて、視野領域および露光領域内の任意のアライメント位置においてマスクおよびプレートをベストフォーカス位置に位置決めする構成が可能になる。換言すれば、投影光学系の特定の像高に限定されることなくすべての像高において高精度なアライメントが可能である。
【0014】
【実施例】
本発明の実施例を、添付図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の実施例にかかる露光装置の構成を概略的に示す斜視図である。
図1の装置では、所定の回路パターンが形成されたマスク1と、ガラス基板上にレジストが塗布されたプレート2とが一体的に移動される方向をy方向とし、マスク1の面内でy方向と直交する方向をx方向とし、マスク1の面に対する法線方向をz方向としている。
【0015】
図1において、照明光学系100からの露光光は、マスク1を均一に照明する。そして、投影光学系内に設けられた視野絞りSa〜Scによって規定されたマスク1の視野領域4a〜4cに形成されたパターンは、それぞれ等倍正立の投影光学系3a〜3cを介してプレート2上の各露光領域に転写される。したがって、各投影光学系3a〜3cに対してマスク1とプレート2とを一体的にy方向に相対移動させつつ露光することにより、一回の走査露光でマスクのパターン領域全体をプレートの露光領域全体に転写することができる。
【0016】
なお、図示のように、各投影光学系3a〜3cは、2つのダイソン型光学系をz方向に直列的に接続した構成を有する。
また、図1の装置は、マスク1とプレート2とのxy平面内における二次元アライメントを行うためのアライメント光学系を備えている。アライメント光学系では、走査方向と直交する方向(走査直交方向すなわちx方向)において両端に位置決めされた投影光学系3aおよび3cを介して、マスクマークとプレートマークとの相対位置検出を行う。
【0017】
図1では、視野領域4c(および投影光学系3c)に対応する第1アライメント光学系の構成を全体的に示し、視野領域4a(および投影光学系3a)に対応する第2アライメント光学系の構成についてはその一部だけを破線で示している。なお、2つのアライメント光学系はともに同じ構成を有するので、以下、第1アライメント光学系の構成について説明する。
【0018】
図示のアライメント光学系は、マスクマークおよびプレートマークを観察するための観察光学系を備えている。観察光学系では、たとえば水銀ランプやハロゲンランプやLED等からなる非感光性の観察用光源10から射出された光が、照明コンデンサーレンズ11を介した後ミラーM1によって反射され、分割プリズムP1に入射する。分割プリズムP1で反射された光は、ダイクロイックミラーD1で反射され、第1対物レンズ12に入射する。第1対物レンズ12を介した光は、落射ミラーM2で反射され、マスク1上の視野領域4c内にあるマスクマークを照明する。照明光は、さらに投影光学系3cを介してプレート2上のプレートマークを照明する。
【0019】
照明光に対するプレートマークからの光は、再び投影光学系3cを介してマスク1に戻る。さらに、落射ミラーM2、第1対物レンズ12、ダイクロイックミラーD1を介した後、分割プリズムP1に入射する。分割プリズムP1を透過した光は、観察用第2対物レンズ13を介してCCDのような撮像素子14上に結像する。
一方、照明光に対するマスクマークからの光は、落射ミラーM2、第1対物レンズ12、ダイクロイックミラーD1を介した後、分割プリズムP1に入射する。分割プリズムP1を透過した光は、観察用第2対物レンズ13を介してCCD14上に結像する。
こうして、観察光学系により、マスクマークおよびプレートマークの双方の像を同時に観察し、画像処理に基づいてマスクマークとプレートマークとの相対的な位置を検出することができる。
【0020】
アライメント光学系はまた、マスクマークおよびプレートマークを線状ビームで二次元的に走査するための走査光学系を備えている。走査光学系において、たとえばHe−Neレーザ、半導体レーザ等のレーザ光源Lからy方向に射出されたアライメント光は、シリンドリカルレンズ20を介してz方向に延びた線状ビームとなる。シリンドリカルレンズ20を介したビームは、2つのレーザミラーLM1およびLM2を介して、たとえば直角プリズムからなる移動ミラーIMに入射する。
【0021】
移動ミラーIMに入射したビームは、互いに直交する2つの反射面により180度偏向された後、入射ビームに対して平行に射出する。なお、移動ミラーIMは、たとえばxy平面と平行なテーブル(不図示)上に固定され、テーブルは図中矢印で示すようにx方向に往復移動することができるように構成されている。
【0022】
こうして、移動ミラーIMを射出したビームは、上述のシリンドリカルレンズ20の集光作用により線状ビームとして結像する。なお、テーブルのx方向移動すなわち移動ミラーIMのx方向移動に応じて、線状ビームもx方向に移動(すなわち平行変位)する。
線状ビームからの光は、分割プリズムLP1に入射して2つのビームに分離される。すなわち、分割プリズムLP1を透過した第1ビームは、レーザミラーLM5、分割プリズムLP3およびレーザミラーLM6を介して、長手方向がx方向(シリンドリカルレンズ20の屈折力の方向)に延びた線状ビーム9xとして結像する。
【0023】
また、分割プリズムLP1で反射された第2ビームは、レーザミラーLM3、分割プリズムLP2およびレーザミラーLM4を介して、長手方向がz方向に延びた線状ビーム9yとして結像する。
図示のように、2つの線状ビーム9xおよび9yは、長手方向が互いに直交し且つ空間的に分離されている。すなわち、2つの線状ビーム9xおよび9yの中心は、後述する第2対物レンズ21の光軸からそれぞれ偏心している。
【0024】
2つの線状ビーム9xおよび9yからの光は、それぞれ第2対物レンズ21、ダイクロイックミラーD1、第1対物レンズ12、および落射ミラーM2を介し、マスク1面上においてそれぞれx方向用走査ビームおよびy方向用走査ビームとして結像する。
x方向用走査ビームは長手方向がx方向に延び、y方向用走査ビームは長手方向がy方向に延びた線状ビームである。そして、移動ミラーIMのx方向往復移動に伴って、x方向用走査ビームはy方向に移動してx方向マスクマークを走査し、y方向用走査ビームはx方向に移動してy方向マスクマークを走査するようになっている。
【0025】
一方、x方向用走査ビームおよびy方向用走査ビームからの光は、さらに投影光学系3cを介してプレート2面上にそれぞれx方向用走査ビームおよびy方向用走査ビームとして結像する。
前述したように、投影光学系3cはマスクパターンの等倍正立像をプレート2上に形成するように構成されている。したがって、プレート2上においても、x方向用走査ビームは長手方向がx方向に延び、y方向用走査ビームは長手方向がy方向に延びた線状ビームである。そして、移動ミラーIMのx方向往復移動に伴って、x方向用走査ビームはy方向に移動してx方向プレートマークを走査し、y方向用走査ビームはx方向に移動してy方向プレートマークを走査するようになっている。また、移動ミラーIMのx方向往復移動に伴うマスク1上の走査ビームの移動量と、プレート2上の走査ビームの移動量とは等しい。
【0026】
x方向走査ビームに対するx方向マスクマークからの第1回折光(または散乱光)は、落射ミラーM2、第1対物レンズ12、ダイクロイックミラーD1、第2対物レンズ21、およびレーザミラーLM6を介した後、分割プリズムLP3に入射する。
また、y方向走査ビームに対するy方向マスクマークからの第2回折光(または散乱光)は、落射ミラーM2、第1対物レンズ12、ダイクロイックミラーD1、第2対物レンズ21、およびレーザミラーLM4を介した後、分割プリズムLP2に入射する。
【0027】
分割プリズムLP3を透過した第1回折光は、瞳リレーレンズ22bを介して、第1対物レンズ12の瞳面と共役な位置に配置されたフォトディテクタ23bに達して光電検出される。また、分割プリズムLP2を透過した第2回折光は、瞳リレーレンズ22aを介して、第1対物レンズ12の瞳面と共役な位置に配置されたフォトディテクタ23aに達して光電検出される。
【0028】
一方、x方向走査ビームに対するx方向プレートマークからの第3回折光(または散乱光)は、投影光学系3c、落射ミラーM2、第1対物レンズ12、ダイクロイックミラーD1、第2対物レンズ21、およびレーザミラーLM6を介した後、分割プリズムLP3に入射する。
また、y方向走査ビームに対するy方向プレートマークからの第4回折光(または散乱光)は、投影光学系3c、落射ミラーM2、第1対物レンズ12、ダイクロイックミラーD1、第2対物レンズ21、およびレーザミラーLM4を介した後、分割プリズムLP2に入射する。
【0029】
分割プリズムLP3を透過した第3回折光は、瞳リレーレンズ22bを介して、第1対物レンズ12の瞳面および投影光学系3cの瞳面と共役な位置に配置されたフォトディテクタ23bに達して光電検出される。
また、分割プリズムLP2を透過した第4回折光は、瞳リレーレンズ22aを介して、第1対物レンズ12の瞳面および投影光学系3cの瞳面と共役な位置に配置されたフォトディテクタ23aに達して光電検出される。
なお、アライメント光学系は投影光学系に対して相対的に移動可能であり、マスク1上の視野領域4c内の任意の位置にアライメント光が入射可能に構成されているので、マスクマークの位置はその範囲において任意に選択可能である。
【0030】
さらに、図1の装置は、移動ミラーIMのx方向移動量Δを計測するための計測手段(不図示)を備えている。計測手段として、たとえば干渉計やレーザスケールやエンコーダ等を用いることができる。
このように、移動ミラーIMのx方向移動量Δを計測することにより、この計測値に基づいて、移動ミラーIMによる線状ビームの平行変位量をひいては走査ビームの移動量を正確に求めることができる。すなわち、走査位置を正確に求めて、高精度なビーム走査を行うことができる。
【0031】
ところで、通常、各投影光学系は露光波長に対して設計され、マスク1およびプレート2は露光光に対してベストフォーカスになるように構成されている。実際に、図1のようにいわゆる色収差の少ないダイソン型光学系を2組用いて投影光学系を構成した露光装置においても、アライメント光の波長にもよるが十数μm〜100μm程度の軸上色収差が生じてしまう。
【0032】
また、アライメント位置が露光フィールドを移動可能に構成しているので、軸上色収差ばかりでなく露光光とアライメント光との波長の違いによる投影光学系の像面の変動も考慮する必要がある。
また、アライメント光に対するテレセントリック性の崩れも露光光に対するテレセントリック性の崩れとは異なる。そして、当然のことながら、その崩れ量もアライメント光に対する方が露光波長に対するより大きくなる。
以下、図2〜図4を参照して像面の変動およびテレセントリック性の崩れについて説明する。
【0033】
図2は、波長の違いによる投影光学系の像面の変動を示す図である。なお、図2(a)中において、実線は露光光を破線はアライメント光をそれぞれ示している。
図2(a)では、アライメント光に対する投影光学系3による軸上色収差が△で、アライメント光に対する像面がS’で示されている。また、図2(b)には、投影光学系3の像高Yに対するマスクと像面S’との距離(Δ+δ)の変化を表わしている。
このように、アライメント位置に応じて軸上色収差△と像面差δとの総和分だけプレート2またはマスク1を投影光学系3の光軸方向に移動させて、アライメント光学系に対してプレート2およびマスク1をそれぞれベストフォーカス位置に位置決めすることができる。
【0034】
図3は、波長の違いによる投影光学系のテレセントリック性の崩れを示す図である。図3(a)中において、実線は露光光を破線はアライメント光をそれぞれ示している。また、図3(b)では、投影光学系3の像高Yに対するテレセントリック性の崩れ量θの変化を表わしている。
図示のように、投影光学系3は、露光波長に対してマスク1側およびプレート2側の双方においてテレセントリックな、いわゆる両側テレセントック光学系である。露光光とアライメント光との波長の違いにより、投影光学系3の像高Yに依存してテレセントリック性の崩れ量θが変化していることがわかる。
【0035】
図4は、投影光学系のテレセントリック性の崩れとアライメント位置におけるベストフォーカス位置の差との関係を示す図である。なお、図4には、図1のアライメント光学系の観察光学系と基本的に同じ構成を有する一対のアライメント系が示されている。
図4において、アライメント系の光源10(10’)からのアライメント照明光は、コンデンサーレンズ11(11’)、ミラーM(M’)、第1対物レンズ12(12’)、落射ミラーM2(M2’)を介してマスク1上を照明し、さらに投影光学系3を介してプレート2上を照明する。
【0036】
この場合、図示のように、アライメント光に対して、プレート2上でテレセントリック性がθだけ崩れる。そして、露光光(図中実線で示す)とアライメント光(図中破線で示す)との波長の違いにより、アライメント位置において、アライメント光に対するベストフォーカス位置が露光光に対するベストフォーカス位置から△’だけ投影光学系3の光軸方向に沿ってずれてしまう。
すなわち、プレート2側換算で、テレセントリック性の崩れによる位置ずれ量δ’は、次の式(1)で与えられる。
δ’=△’θ (1)
【0037】
換言すれば、この位置ずれδ’を解消するには、プレート2を投影光学系3の光軸方向に沿って△’だけ移動させて、プレート2をベストフォーカス位置に移動させればよいことになる。
アライメント系では、照明光に対するマスクマークおよびプレートマークからの光が、第1対物レンズ12と第2対物レンズ13との作用によりCCD14上に結像する。そして、画像処理によりマスクマークとプレートマークとの相対位置ずれを検出することができる。
【0038】
ところで、従来のオートフォーカス系では、例えば露光フィールドの中央点(1点)におけるz方向(投影光学系の光軸方向)の位置だけを読み取るように露光装置に固定されている。このため、露光フィールド内を移動するアライメント位置におけるz方向位置を従来のオートフォーカス系で計測することは不可能である。
そこで、本発明では、アライメント光学系自体がオートフォーカス機構を備えている。
【0039】
以下、図5および図6を参照して、アライメント光学系自体によるオートフォーカスについて説明する。
図5は、図1のアライメント光学系の観察光学系を利用したオートフォーカスを説明する図である。図5において、(a)は図1のCCD14を介して得られるマスクマークMM1およびMM2並びにプレートマークPM1〜PM3の画像である。また、(b)〜(d)は、マスクマークMM1およびMM2並びにプレートマークPM1〜PM3に対応して得られるCCD14の出力信号を示している。
【0040】
なお、図5(b)〜(d)では、アライメント光学系がマスクマークMM1およびMM2に対してピントが合っている状態で、プレート2をz方向に沿ってステージ移動させた時に得られる信号を示している。そして、図5(c)においてプレートマークPMの信号強度がピークになるので、このプレート2のz方向位置において、プレート2がアライメント光学系に対してベストフォーカスとなることがわかる。
このように、アライメント光学系の観察光学系を介してマスクマークMM1およびMM2並びにプレートマークPM1〜PM3から得られる信号強度に基づいて、それぞれマスク1およびプレート2をアライメント位置においてベストフォーカス位置に位置決めすることができる。
【0041】
図6は、図1のアライメント光学系の走査光学系を利用したオートフォーカスを説明する図である。図6において、(a)は、マスク1上に形成された2本の回折格子状マークMM1およびMM2と、プレート2上に形成された3本の回折格子状マークPM1〜PM3と、これらの回折格子状マークに対して光走査させる走査ビームLBとの関係を示している。
また、(b)〜(d)は、マスクマークMM1およびMM2並びにプレートマークPM1〜PM3に対応して得られるフォトディテクタ23の出力信号を示している。
【0042】
なお、図6(b)〜(d)では、アライメント光学系がマスクマークMMに対してピントが合っている状態で、プレート2をz方向に沿ってステージ移動させた時に得られる信号を示している。そして、図6(c)においてプレートマークPMの信号強度がピークになるので、このプレート2のz方向位置において、プレート2がアライメント光学系に対してベストフォーカスとなることがわかる。このように、アライメント光学系の走査光学系を介してマスクマークMM1およびMM2並びにプレートマークPM1〜PM3から得られる信号強度に基づいて、それぞれマスク1およびプレート2をアライメント位置においてベストフォーカス位置に位置決めすることができる。
【0043】
以上のように、本実施例によれば、アライメント光学系の観察光学系または走査光学系を介して、アライメント位置においてマスクおよびプレートのベストフォーカス位置をそれぞれ求めることができる。実際に、各アライメント動作の際にベストフォーカス位置を求め、マスクおよびプレートをベストフォーカス位置に位置決めした状態でアライメントを行えば、露光光とアライメント光との波長の違いに起因する相対位置合わせ誤差は生じない。
【0044】
しかしながら、アライメント動作のたびにベストフォーカス位置を求めると、スループットの低下を招く恐れがある。そこで、図1に示すように、プレートステージ上にアライメント位置の移動可能範囲に亘って基準マークKMを設けるのがよい。そして、露光光とアライメント光との波長の違いによる投影光学系のベストフォーカスの位置の変化を予め求め、投影光学系の像高に応じたフォーカス位置の変化をオフセット情報として記憶させる。こうしたオフセット情報は、投影光学系に固有の特性である。したがって、従来のオートフォーカス系で求めた投影光学系の特定像高におけるベストフォーカス情報と、投影光学系の像高に応じたベストフォーカス位置変化分のオフセット情報とに基づいて、従来のオートフォーカス系だけで高精度なアライメントを行うことができる。すなわち、波長の違いによるベストフォーカス位置の変化に起因する相対位置合わせの誤差を回避することができる。
【0045】
この場合、従来のオートフォーカス系で読み取っている箇所とアライメント位置とが実際には異なるので、プレートのうねりやレジスト塗布ムラ等がある場合には、各アライメント位置において必ずしも厳密にベストフォーカス情報を得ることはできない。その結果、相対位置合わせの誤差は残存することになる。
しかしながら、従来のオートフォーカス系で複数の箇所を測定することによって、上述のプレートのうねりやレジスト塗布ムラ等の影響をできるだけ少なくすることが可能である。
また、露光光とアライメント光との波長の違いによる非点収差がある場合には、計測方向を互いに直交するx方向とy方向とにと分けて二次元的にアライメント計測をしてもよい。また、投影光学系の視野においてx方向およびy方向に対して45°方向の線上においてマークをx方向とy方向とで同時に計測してもよい。
【0046】
また、例えば2組のダイソン型光学系またはオフナー型光学系からなる投影光学系を用いる場合には問題にならないが、その他の投影光学系の場合には露光光とアライメント光との波長の違いによる倍率差が生じることもある。
この場合、基準マークKMを用いて露光光で位置合わせを行い、その状態でプレートおよびマスクの少なくとも一方をz方向に移動させてアライメント光で位置合わせを行う。そして、投影光学系の各像高において露光光とアライメント光との波長の違いによる倍率差(倍率色収差)を求めることができる。そして、投影光学系の像高による倍率差(xy平面)やz方向のベストフォーカス位置の差を、アライメント時にオフセットとして補正することができる。
【0047】
特に、図1に示すように、マスクおよびプレートを投影光学系に対して相対的に移動させつつ走査露光を行う走査型露光装置では、アライメントのために一度走査を行い、その復路走査で露光することができる。このため、露光光とアライメント光との波長の違いによるベストフォーカス位置の差だけz方向にオフセットをもたせて往路のアライメント用走査を行う。この場合、従来のオートフォーカス系によるz方向の位置検出を用いて上述のアライメントとを行えば、アライメント位置が多数点になってもスループットの低下を招くことなく、しかも安価で正確なマスクとプレートとの位置合わせが可能となる。
【0048】
【効果】
以上説明したように、本発明の露光装置では、露光光とアライメント光との波長の違いによる投影光学系のベストフォーカス位置の差、およびテレセントリック性の崩れに起因する相対位置合わせずれを解消することができ、実質的にアライメント精度を向上させることができる。
また、投影光学系中にアライメント光用の補正光学系を挿入する必要がないので安価な露光装置を実現することができる。
さらに、アライメント位置が移動可能な構成を採っているので、この移動範囲内の任意の位置に形成したアライメントマークに基づいて、相対位置合わせを正確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例にかかる露光装置の構成を概略的に示す斜視図である。
【図2】波長の違いによる投影光学系の像面の変動を示す図である。
【図3】波長の違いによる投影光学系のテレセントリック性の崩れを示す図である。
【図4】投影光学系のテレセントリック性の崩れとアライメント系計測位置におけるベストフォーカス位置との関係を示す図である。
【図5】図1のアライメント光学系の観察光学系を利用したオートフォーカスを説明する図である。
【図6】図1のアライメント光学系の走査光学系を利用したオートフォーカスを説明する図である。
【図7】従来の露光装置におけるアライメント方式を説明する図である。
【図8】従来の別の露光装置におけるアライメント方式を説明する図である。
【符号の説明】
1 マスク
2 プレート
3 投影光学系
4 視野領域
9 線状ビーム
10 観察用光源
11 コンデンサーレンズ
12 第1対物レンズ
13 観察用第2対物レンズ
14 CCD
20 シリンドリカルレンズ
21 第2対物レンズ
L レーザ光源
IM 移動ミラー
LP 分割プリズム
LM レーザミラー
D1 ダイクロイックミラー
100 照明光学系
Claims (12)
- 第1の基板に形成されたパターンの像を投影光学系を介して第2の基板上に投影露光する露光装置において、
前記投影光学系に対して相対的に移動可能に設けられ、前記投影光学系で投影露光する際の露光光とは異なる波長のアライメント光を用いてアライメントを行うアライメント光学系を備え、
前記アライメント光学系は、前記第1の基板の任意の位置に形成された第1マークと、前記第2の基板の任意の位置に形成された第2マークとに対してアライメント光を供給すると共に、前記第1および第2マークからの光に基づいて、前記第1および第2の基板の相対的な位置を検出し、さらに前記第1および第2マークの位置における第1および第2の基板の前記アライメント光学系に対する前記第1及び第2の基板の面と直交する方向における合焦情報をそれぞれ検出する合焦情報検出手段を有し、
前記合焦情報に基づいて、前記アライメント光学系を前記第1および第2マークに合焦させた上で該第1および第2マークを検出し、該投影光学系の像高における前記露光光と前記アライメント光との波長の違いによる倍率色収差を補正して、前記第1および第2のマークの位置合わせすることを特徴とする露光装置。 - 前記合焦情報検出手段は、
前記アライメント光に基づいて前記第1の基板上に走査ビームを形成するための走査ビーム形成光学系と、
前記第1の基板上に形成された走査ビームを光学的に走査するための走査手段と、
前記第1の基板上に形成された走査ビームによる光学的走査によって生成される前記第1マークからの光および前記投影光学系を介して前記第2の基板上に形成された走査ビームによる光学的走査によって生成される前記第2マークからの光をそれぞれ光電検出するための光電検出手段とを備え、
前記光電検出手段において得られた電気信号に基づいて、前記第1の基板および前記第2の基板の前記アライメント光学系に対する合焦情報をそれぞれ検出することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 前記合焦情報検出手段は、
前記アライメント光に基づく照明光束を前記第1の基板上に照射するための照射光学系と、
前記照明光束に対する前記第1マークからの光および前記投影光学系を介した前記照明光束に対する前記第2マークからの光に基づいて、前記第1マークの像および前記第2マークの像をそれぞれ生成するための像生成手段とを備え、
前記像生成手段において得られた画像信号に基づいて、前記第1の基板および前記第2の基板の前記アライメント光学系に対する合焦情報をそれぞれ検出することを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。 - 前記合焦情報検出手段は、
前記第2の基板と同一平面内に形成された基準マークに基づいて予め検出された前記投影光学系の像高に応じた前記第2の基板の合焦情報を記憶する記憶手段と、
前記第2の基板上の所定位置における前記第2の基板の合焦情報を検出するためのフォーカス手段とを有し、
前記フォーカス手段で得られた前記所定位置における合焦情報と前記記憶手段に記憶された前記投影光学系の像高に応じた合焦情報とに基づいて、前記第2の基板の前記アライメント光学系に対する合焦情報を検出することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記投影光学系は、前記第1の基板に形成されたパターンの等倍正立像を前記第2の基板上に形成するために所定方向に沿って配列された複数の投影光学ユニットからなり、
前記アライメント光学系は、前記第1の基板および前記第2の基板を前記投影光学系に対して前記所定方向と直交する方向に沿って一方の向きに相対的に移動させつつ前記第1の基板と前記第2の基板との相対的な位置を検出し、
前記第1の基板および前記第2の基板を前記投影光学系に対して前記所定方向と直交する方向に沿って他方の向きに相対的に移動させつつ前記第1の基板に形成されたパターンの像を前記投影光学系を介して前記第2の基板上に投影露光することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。 - 第1の基板に形成されたパターンの像を投影光学系を介して第2の基板上に投影露光する露光装置において、
前記第1の基板の任意の位置に形成された第1マークと、前記第2の基板の任意の位置に形成された第2マークとに対して前記投影光学系で投影露光する際の露光光とは異なる波長のアライメント光を供給し、且つ前記第1および第2マークからの光に基づいて、前記第1および第2の基板の相対的な位置を検出する前記アライメント光学手段と、
前記第1マークの位置における前記第1の基板の前記アライメント光学手段に対する合焦情報を検出する合焦情報検出手段とを有し、
前記合焦情報に基づいて、前記アライメント光学系を前記第1および第2マークに合焦させた上で該第1および第2マークを検出し、該投影光学系の像高における前記露光光と前記アライメント光との波長の違いによる倍率色収差を補正して、前記第1および第2のマークの位置合わせすることを特徴とする露光装置。 - 前記アライメント光学手段は、前記第2マークに対して前記投影光学系を介して前記アライメント光を供給することを特徴とする請求項6に記載の露光装置。
- 前記合焦情報検出手段は、前記第2のマークの位置における前記第2の基板の前記アライメント光学手段に対する合焦情報を検出することを特徴とする請求項6または7に記載の露光装置。
- 第1の基板に形成されたパターンの像を投影光学系を介して第2の基板上に投影露光する露光方法において、
請求項1乃至8の何れか一項に記載の露光装置を用いて、前記第1の基板と前記第2の基板とをアライメントし、前記第1の基板上の前記パターンの像を前記第2の基板上に投影露光することを特徴とする露光方法。 - 第1の基板に形成されたパターンの像を投影光学系を介して第2の基板上に投影露光する露光方法において、
アライメント光学装置を用いて、前記第1の基板の任意の位置に形成された第1マークと、前記第2の基板の任意の位置に形成された第2マークとに対して前記投影光学系で投影露光する際の露光光とは異なる波長のアライメント光を供給する第1工程と、
前記第1および第2マークからの光に基づいて、前記第1および第2の基板の相対的な位置を前記アライメント光学装置を用いて検出する第2工程と、
前記第1マークの位置における前記第1の基板の前記アライメント光学装置に対する合焦情報を検出する第3工程と、
前記第3工程で求めた前記合焦情報に基づいて、前記アライメント光学系を前記第1および第2マークに合焦させた上で該第1および第2マークを検出し、該投影光学系の像高における前記露光光と前記アライメント光との波長の違いによる倍率色収差を補正して、前記第1および第2のマークの位置合わせする第4工程とを備えることを特徴とする露光方法。 - 前記第3工程では、前記第2マークの位置における前記第2の基板の前記アライメント光学装置に対する合焦情報を検出することを特徴とする請求項10に記載の露光方法。
- 前記第1工程では、前記投影光学系を介して前記第2のマークに前記アライメント光を供給することを特徴とする請求項10または11に記載の露光方法。
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