JPH07142383A - 現像用センサ装置 - Google Patents

現像用センサ装置

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JPH07142383A
JPH07142383A JP5315887A JP31588793A JPH07142383A JP H07142383 A JPH07142383 A JP H07142383A JP 5315887 A JP5315887 A JP 5315887A JP 31588793 A JP31588793 A JP 31588793A JP H07142383 A JPH07142383 A JP H07142383A
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JP
Japan
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light
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order diffracted
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Pending
Application number
JP5315887A
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English (en)
Inventor
Masaru Mukoda
勝 向田
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Priority to US08/337,526 priority patent/US5508808A/en
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Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/261Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0675Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using interferometry

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 回析光の光軸が変化しても常に同一条件で回
析光の受光ができ、これにより現像進行状態を正確にモ
ニタし得る現像用センサ装置を提供すること。 【構成】 パターンが露光された原盤1のパターン面上
の現像モニタポイント1aにレーザビームを照射する光
学系と、現像モニタポイント1aからの0次回析光及び
1次回析光を別々に受光する0次光検出部2,1次光検
出部3と、この各光検出部2,3から出力される回析光
検出信号a,bに基づいて0次回析光と1次回析光との
回析光比を算出する回折光比算出部10とを備え、レー
ザビームLの1次回析光L1 を1次光検出部3に向けて
反射する楕円面ミラー4を、現像モニタポイント1aと
1次光検出部3aとの間に装備したこと。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、現像用センサ装置に係
り、とくに、光ディスク原盤の現像に際してその進行状
況を把握するための現像用センサ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の現像用センサ装置は、例えば特開
昭59−171957号公報,特開昭60−21283
2号公報,特開平1−298356号公報,或いは文献
「第13回画像工学コンファレンス5−2p.105」
等で示されているように、現像中のフォトレジスト基板
上のパターン面にレーザビームを照射することにより得
られる0次,1次の各回析光を、パターン面上の照射点
との相対位置が固定された光検出部にて直接受光し、各
回析光の検出信号から回析光比を算出する構成になって
いた。
【0003】図2に、従来の現像装置の一例を構成する
主要部分の図である。
【0004】この図2において、現像時に、原盤51の
裏面より入射したモニタ用レーザビームLは現像の進行
によって原盤1上に形成されるフォトレジストパターン
で回析し、0次回析光L0 と1次回析光L1 とがそれぞ
れ光センサ52,53で受光される。
【0005】回析光比算出部60は、0次回析光L0
受光した光センサ52が出力する検出信号aと1次回析
光L1 を受光した光センサ53が出力するセンサ信号b
とから回析光比を算出し、現像モニタ信号cを出力す
る。これによって、外部では、光ディスク原盤の現像の
進行状況を把握することができるようになっている。こ
の場合、現像装置は、回析光比が所望の値になったとき
に現像を停止するようになっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、1次回
析光は、フォトレジスト基板上を流れる現像液の流れの
状態或いはフォトレジスト基板を基板回転部に設置する
ときの偏芯の状態等によって回析光の光軸方向が変化す
るのに対し、上記各従来例にあっては、モニタ用レーザ
ビームのフォトレジスト基板上への照射点に対して相対
位置が固定された光センサによって前述した1次回析光
を直接受光するため、光センサ面での受光位置が変化
し、光センサ面内の受光感度のバラツキが影響して現像
進行状態を正確にモニタできないという不都合が生じて
いた。
【0007】更に、フォトレジスト基板上に形成される
パターンのピッチが異なる場合には1次回析光の回析角
度が異なり、これがため1次回析光を受光する光センサ
の位置調整等に際しては多くの手間と熟練を要する、と
いう不都合があった。
【0008】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくに回析光の光軸方向が変化しても常に同
一条件で当該回析光を受光することができ、これによっ
て現像進行状態を正確にモニタすることができる現像用
センサ装置を提供することを、その目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明では、パターンが
露光されたフォトレジスト基板のパターン面上の現像モ
ニタポイントにレーザビームを照射する光学系と、現像
モニタポイントとレーザビームの1次回析光の検出ポイ
ントとを一方と他方の焦点とすると共に当該1次回析光
のみを反射する楕円面ミラーと、0次光及び1次回析光
を別々に受光する0次光検出部,1次光検出部とを備え
ている。
【0010】この各光検出部からの検出信号に基づいて
作動し,0次光と1次回析光との回析光比を算出する回
折光比算出部を具備する、という構成を採っている。こ
れによって前述した目的を達成しようとするものであ
る。
【0011】
【作 用】モニタ用レーザビームLは原盤1上の現像モ
ニタポイント1aに裏面より照射され、現像により形成
されるフォトレジストパターンによって回析する。
【0012】楕円面ミラー4の一方の焦点にある現像モ
ニタポイント1aから出射された回析光の内、0次回析
光L0 は光センサ2上で受光され、1次回析光L1 は楕
円面ミラー4で反射されたのち、当該楕円面ミラー4の
他方の焦点に位置する光センサ3の面上の1次回析光の
検出ポイント3aで受光される。
【0013】回析光比算出部10は、光センサ2,3の
出力する検出信号a,bから回析光比を算出し現像モニ
タ信号cとして出力する。
【0014】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1に基づいて説
明する。
【0015】この図1に示す実施例は、モニタ用のレー
ザビームLを原盤1の裏面より現像モニタポイント1a
に照射することによって得られる0次回析光L0 と1次
回析光L1 とを各々受光し回析光検出信号a,bを出力
する0次光検出部2,1次光検出部3と、回析光検出信
号a,bから回析光比を算出し現像モニタ信号cを出力
する回析光比算出部10と、現像モニタポイント1aと
1次回析光の検出ポイント3aとを焦点とし1次回析光
のみ反射するにたる大きさの楕円面ミラー4とを備えて
いる。
【0016】モニタ用レーザビームLは原盤1上の現像
モニタポイント1aに裏面より照射され、現像により形
成されるフォトレジストパターンによって回析する。
【0017】楕円面ミラー4の一方の焦点にある現像モ
ニタポイント1aから出射された回析光の内、0次回析
光L0 は0次光検出部2上で受光され、1次回析光L1
は楕円面ミラー4で反射されたのち、当該楕円面ミラー
4の他方の焦点に位置する1次光検出部3の面上の1次
回析光の検出ポイント3aで受光される。
【0018】回析光比算出部10は、0次光検出部2,
1次光検出部3の出力する検出信号a,bから回析光比
を算出し現像モニタ信号cとして出力する。そして、現
像モニタ信号cを入力した現像装置では、当該現像モニ
タ信号cで現像進行状態をモニタし、所望のレベルとな
ったときに当該原盤1上の現像作業を終了する。
【0019】ここで、図1の具体例を開示すると、例え
ば、モニタ用レーザビームLの波長を632.8〔n
m〕、現像モニタポイント1aと1次回析光の検出ポイ
ント3aとの距離を400〔mm〕とした場合、まず最
初に、長径250〔mm〕,短径150〔mm〕とする
楕円面ミラー4を、現像モニタポイント1aと1次回析
光の検出ポイント3aとに焦点が位置するように設置す
る。
【0020】このとき、楕円面ミラー4は、その両端点
と現像モニタポイントとを結ぶ直線とモニタ用レーザビ
ームLの光軸とのなす角度θ2 ,θ3 が各々20°,4
0°となる範囲の大きさに設定すると、例えばピッチ
0.8〜1.6〔μm〕の範囲内でのパターンを形成す
る原盤では、1次回析光の回析角θ1 が23°〜39°
となり、2次以上の高次の回析光の回析角度は50°以
上となるので、常に1次回析光のみを光センサ3の面上
の検出ポイント3aへ反射させて受光することができ
る。
【0021】また、ピッチ0.8〔μm〕以下のパター
ンの場合も、同様にして設定した大きさの楕円面ミラー
を用いて現像モニタを行うことができる。
【0022】
【発明の効果】本発明は以上のように構成され機能する
ので、これによると、フォトレジスタパターンにより生
ずる回析光の内,現像中にフォトレジスト基板上を流れ
る現像液の流れの状態やフォトレジスト基板を基板回転
部に設置するときの偏芯の状態で光軸方向が変化する1
次回析光を、現像モニタポイントと1次回析光の検出ポ
イントとを焦点とする楕円面ミラーによって反射させる
ことができ、このため、当該1次回析光を常に1次光検
出部面上に固定された検出ポイントで受光することがで
き、これがため1次回析光を1次光検出部面の極狭い領
域内で受光することができ、従って、1次光検出部のセ
ンサ面上の受光感度のバラツキや1次回析光の出力方向
に変化が生じてもこれを有効に許容して現像進行状態を
正確にモニタすることができ、更に、原盤であるフォト
レジスト基板上に形成されるパターンのピッチが異なる
場合でもピッチにあわせて1次回析光を受光する光セン
サの位置調整等を行う必要がなくなり、かかる点におい
て従来必要としていた光センサの位置調整にかかる時間
と労力が全く不要とすることができるという従来にない
優れた現像用センサ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す概略構成図である。
【図2】従来例を示す説明図である。
【符号の説明】
1 原盤 1a 現像モニタポイント 2 0次光検出部 3 1次光検出部 3a 検出ポイント 4 楕円面ミラー 10 回析光比算出部 L モニタ用レーザビーム L0 0次回析光 L1 1次回析光 a,b 回析光検出信号 c 現像モニタ信号 θ1 1次回析光の回析角度

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パターンが露光された原盤のパターン面
    上の現像モニタポイントにレーザビームを照射する光学
    系と、前記現像モニタポイントからの0次回析光及び1
    次回析光を別々に受光する0次光検出部,1次光検出部
    と、この各光検出部から出力される回析光検出信号に基
    づいて0次回析光と1次回析光との回析光比を算出する
    回折光比算出部とを備えた現像用センサ装置において、 前記レーザビームの1次回析光を前記1次光検出部に向
    けて反射する楕円面ミラーを、前記現像モニタポイント
    と前記1次光検出部との間に装備したことを特徴とする
    現像用センサ装置。
  2. 【請求項2】 前記楕円面ミラーの他方の焦点が、前記
    一方の焦点が設定された原盤の面の延長上に設定されて
    いることを特徴とした請求項1記載の現像用センサ装
    置。
JP5315887A 1993-11-22 1993-11-22 現像用センサ装置 Pending JPH07142383A (ja)

Priority Applications (2)

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JP5315887A JPH07142383A (ja) 1993-11-22 1993-11-22 現像用センサ装置
US08/337,526 US5508808A (en) 1993-11-22 1994-11-08 Development sensor apparatus for monitoring the progression of development of an optical disk master

Applications Claiming Priority (1)

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JPH07142383A true JPH07142383A (ja) 1995-06-02

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JP (1) JPH07142383A (ja)

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US5508808A (en) 1996-04-16

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970218