JP2626077B2 - 間隔測定方法 - Google Patents
間隔測定方法Info
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- JP2626077B2 JP2626077B2 JP1209926A JP20992689A JP2626077B2 JP 2626077 B2 JP2626077 B2 JP 2626077B2 JP 1209926 A JP1209926 A JP 1209926A JP 20992689 A JP20992689 A JP 20992689A JP 2626077 B2 JP2626077 B2 JP 2626077B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は２つの物体間の間隔を高精度に測定する間隔
測定方法に関し、例えば半導体製造装置において、マス
クとウエハとの間隔を測定し、所定の値に制御するとき
に好適なものである。
測定方法に関し、例えば半導体製造装置において、マス
クとウエハとの間隔を測定し、所定の値に制御するとき
に好適なものである。
（従来の技術） 従来より半導体製造装置においては、マスクとウエハ
との間隔を間隔測定装置等で測定し、所定の間隔となる
ように制御した後、マスク面上のパターンをウエハ面上
に露光転写している。これにより高精度な露光転写を行
っている。
との間隔を間隔測定装置等で測定し、所定の間隔となる
ように制御した後、マスク面上のパターンをウエハ面上
に露光転写している。これにより高精度な露光転写を行
っている。
本出願人は先の特願昭63−32206号において、マスク
等の第１物体とウエハ等の第２物体を対向配置し、該第
１物体と第２物体の間隔を１つの光束を用いて高精度に
検出することのできる間隔測定装置を提案した。
等の第１物体とウエハ等の第２物体を対向配置し、該第
１物体と第２物体の間隔を１つの光束を用いて高精度に
検出することのできる間隔測定装置を提案した。
第６図は特願昭63−33206号で提案した間隔測定装置
の要部概略図である。
の要部概略図である。
同図においては半導体レーザーLDからの光束１（波長
λ＝830nm）をマスク２面上の第１フレネルゾーンプレ
ート（以下FZPと略記する）４面上の点Ａに入射させて
いる。そして第１のFZP4からの角度θ１で回折する所定
次数の回折光をウエハ３面上の点Ｂ（ウエハ３が位置P2
にあるときは点Ｃ）で反射させている。このうち反射光
31はウエハ３がマスク２に近い位置P1に位置していると
きの反射光、反射光32はウエハ３が位置P1から距離dGだ
け変位した位置P2にあるときの反射光である。
λ＝830nm）をマスク２面上の第１フレネルゾーンプレ
ート（以下FZPと略記する）４面上の点Ａに入射させて
いる。そして第１のFZP4からの角度θ１で回折する所定
次数の回折光をウエハ３面上の点Ｂ（ウエハ３が位置P2
にあるときは点Ｃ）で反射させている。このうち反射光
31はウエハ３がマスク２に近い位置P1に位置していると
きの反射光、反射光32はウエハ３が位置P1から距離dGだ
け変位した位置P2にあるときの反射光である。
次いでウエハ３からの反射光を第１物体２面上の第２
のFZP5面上の点Ｄ（ウエハ３が位置P2にあるときは点
Ｅ）に入射させている。
のFZP5面上の点Ｄ（ウエハ３が位置P2にあるときは点
Ｅ）に入射させている。
尚、第２のFZP5は入射光束の入射位置に応じて出射回
折光の射出角を変化させる光学作用を有している。
折光の射出角を変化させる光学作用を有している。
そして第２のFZP5から角度θ２で回折した所定次数の
回折光61（ウエハ３が位置P2にあるときは回折光62）を
集光レンズ７を介して受光手段８面上に導光している。
回折光61（ウエハ３が位置P2にあるときは回折光62）を
集光レンズ７を介して受光手段８面上に導光している。
そして、このときの受光手段８面上における入射光束
61（ウエハ３が位置P2にあるときは入射光束62）の重心
位置を用いてマスク２とウエハ３との間隔を信号処理回
路９で演算し求めている。
61（ウエハ３が位置P2にあるときは入射光束62）の重心
位置を用いてマスク２とウエハ３との間隔を信号処理回
路９で演算し求めている。
ここで光束の光強度分布の重心とは光束断面内におい
て、断面内各点のその点からの位置ベクトルにその点の
光強度を乗算したものを断面全面で積分したときに積分
値が０ベクトルになる点のことであるが、代表点として
光強度がピークとなる点の位置をとってもよい。
て、断面内各点のその点からの位置ベクトルにその点の
光強度を乗算したものを断面全面で積分したときに積分
値が０ベクトルになる点のことであるが、代表点として
光強度がピークとなる点の位置をとってもよい。
本実施例ではマスク２面上に設けた第1,第２のFZP4,5
は予め設定された既知のピッチで構成されており、それ
らに入射した光束の所定次数（例えば±１次）の回折光
の回折角度θ1,θ２は予め求められている。
は予め設定された既知のピッチで構成されており、それ
らに入射した光束の所定次数（例えば±１次）の回折光
の回折角度θ1,θ２は予め求められている。
以上のような構成においてマスク（第１物体）とウエ
ハ（第２物体）の間隔を高精度に求めている。
ハ（第２物体）の間隔を高精度に求めている。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は本出願人が先に提案した特願昭63−33206号
の間隔測定装置において、第１物体面上に形成した第１
物理光学素子と第２物理光学素子の屈折力を適切に設定
することにより第１物体（マスク）と第２物体（ウエ
ハ）の間隔を更に高精度に測定することのできる間隔測
定方法の提供を目的とする。
の間隔測定装置において、第１物体面上に形成した第１
物理光学素子と第２物理光学素子の屈折力を適切に設定
することにより第１物体（マスク）と第２物体（ウエ
ハ）の間隔を更に高精度に測定することのできる間隔測
定方法の提供を目的とする。
（問題点を解決するための手段） 一部に第１物理光学素子と第２物理光学素子とを設け
た第１物体と第２物体とを対向配置し、該第１物体面上
の第１物理光学素子に光束を入射させ、該第１物理光学
素子からの所定次数の回折光を該第２物体面で反射させ
た後、該第１物体面上の該第２物理光学素子に入射さ
せ、該第２物理光学素子からの所定次数の回折光を受光
手段面上に導光し、該受光手段面上における回折光の入
射位置を検出することにより、該第１物体と該第２物体
との間隔を求める間隔測定方法において、該第２物理光
学素子からの射出光束が該受光手段面で幾何光学的に結
像するように該第１物理光学素子と該第２物理光学素子
の屈折力を設定したことである。
た第１物体と第２物体とを対向配置し、該第１物体面上
の第１物理光学素子に光束を入射させ、該第１物理光学
素子からの所定次数の回折光を該第２物体面で反射させ
た後、該第１物体面上の該第２物理光学素子に入射さ
せ、該第２物理光学素子からの所定次数の回折光を受光
手段面上に導光し、該受光手段面上における回折光の入
射位置を検出することにより、該第１物体と該第２物体
との間隔を求める間隔測定方法において、該第２物理光
学素子からの射出光束が該受光手段面で幾何光学的に結
像するように該第１物理光学素子と該第２物理光学素子
の屈折力を設定したことである。
（実施例） 第１図（Ａ）は本発明を半導体製造装置のマスクとウ
エハとの間隔を測定する装置に適用した場合の一実施例
の光学系の概略図、第１図（Ｂ）は同図（Ａ）の一部分
の光路を示す要部概略図である。
エハとの間隔を測定する装置に適用した場合の一実施例
の光学系の概略図、第１図（Ｂ）は同図（Ａ）の一部分
の光路を示す要部概略図である。
同図において１は例えばHe−Neレーザーや半導体レー
ザーLD等からの光束、２は第１物体で例えばマスク、３
は第２物体で例えばウエハであり、マスク２とウエハ３
は第２図に示すように最初に間隔d0を隔てた位置P1に対
向配置されている。4,5は各々マスク２面上の一部例え
ばクライブライン内に設けた第1,第２物理光学素子で、
これらの物理光学素子4,5は例えば回折格子やゾーンプ
レートフルネルレンズ等から成っている。
ザーLD等からの光束、２は第１物体で例えばマスク、３
は第２物体で例えばウエハであり、マスク２とウエハ３
は第２図に示すように最初に間隔d0を隔てた位置P1に対
向配置されている。4,5は各々マスク２面上の一部例え
ばクライブライン内に設けた第1,第２物理光学素子で、
これらの物理光学素子4,5は例えば回折格子やゾーンプ
レートフルネルレンズ等から成っている。
８は受光手段であり、例えばラインセンサーやPSD等
から成り、入射光束の重心位置を検出している。９は信
号処理回路であり、受光手段８からの信号を用いて受光
手段８面上に入射した光束の重心位置を求め、後述する
ようにマスク２とウエハ３との間隔を演算し求めてい
る。
から成り、入射光束の重心位置を検出している。９は信
号処理回路であり、受光手段８からの信号を用いて受光
手段８面上に入射した光束の重心位置を求め、後述する
ようにマスク２とウエハ３との間隔を演算し求めてい
る。
10は光プローブであり、受光手段８、そして必要に応
じて信号処理回路９を有しており、マスク２やウエハ３
とは相対的に移動可能となっている。
じて信号処理回路９を有しており、マスク２やウエハ３
とは相対的に移動可能となっている。
本実施例においては半導体レーザーLDからの光束１
（波長λ＝830nm）をマスク２面上の第１物理光学素子
であるフレネルゾーンプレート（以下FZPと略記する）
４面上の点Ａに入射させている。そして第１のFZP4から
の角度θ１で回折する所定次数の回折光をウエハ３面上
の点Ｂ（ウエハ３が位置P2にあるときは点Ｃ）で反射さ
せている。このうち反射光31はウエハ３がマスク２に近
い基準位置P1に位置しているときの反射光、反射光32は
ウエハ３が位置P1から距離dGだけ変位した位置P2にある
ときの反射光である。
（波長λ＝830nm）をマスク２面上の第１物理光学素子
であるフレネルゾーンプレート（以下FZPと略記する）
４面上の点Ａに入射させている。そして第１のFZP4から
の角度θ１で回折する所定次数の回折光をウエハ３面上
の点Ｂ（ウエハ３が位置P2にあるときは点Ｃ）で反射さ
せている。このうち反射光31はウエハ３がマスク２に近
い基準位置P1に位置しているときの反射光、反射光32は
ウエハ３が位置P1から距離dGだけ変位した位置P2にある
ときの反射光である。
次いでウエハ３からの反射光を第１物体２面上の第２
のFZP5面上の点Ｄ（ウエハ３が位置P2にあるときは点
Ｅ）に入射させている。
のFZP5面上の点Ｄ（ウエハ３が位置P2にあるときは点
Ｅ）に入射させている。
尚、第２のFZP5は入射光束の入射位置に応じて出射回
折光の射出角を変化させる光学作用を有している。
折光の射出角を変化させる光学作用を有している。
そして第２のFZP5から角度θ２で回折した所定次数の
回折光61（ウエハ３が位置P2にあるときは回折光62）を
受光手段８面上に導光している。
回折光61（ウエハ３が位置P2にあるときは回折光62）を
受光手段８面上に導光している。
そして、このときの受光手段８面上における入射光束
61（ウエハ３が位置P2にあるときは入射光62）の重心位
置を用いてマスク２とウエハ３との間隔を演算し求めて
いる。
61（ウエハ３が位置P2にあるときは入射光62）の重心位
置を用いてマスク２とウエハ３との間隔を演算し求めて
いる。
本実施例ではマスク２面上に設けた第1,第２のFZP4,5
は予め設定された既知のピッチで構成されており、それ
らに入射した光束の所定次数（例えば±１次）の回折光
の回折角度θ1,θ２は予め求められている。
は予め設定された既知のピッチで構成されており、それ
らに入射した光束の所定次数（例えば±１次）の回折光
の回折角度θ1,θ２は予め求められている。
今、第２のFZP5の焦点距離をfM2（μｍ）、（但しfM2
は正又は負のどちらとも適用可能）、第２のFZP5から受
光手段８面に相当する光束評価面（以下符号を便宜上
「８」と用いる。）までの距離をｌとすると、この場
合、基準位置P1からウエハ３が距離dGだけ変位したとき
の受光手段８面上での重心位置移動量Ｓは で与えられる。ウエハ３が基準位置P1にあるときの重心
位置（基準点）を予め求めておき、間隔測定時に重心位
置の基準点からのずれを求めて、これを重心位置移動量
Ｓとして上式に代入することにより、ウエハ３の位置P1
からの間隔ずれ量dGが求められる。
は正又は負のどちらとも適用可能）、第２のFZP5から受
光手段８面に相当する光束評価面（以下符号を便宜上
「８」と用いる。）までの距離をｌとすると、この場
合、基準位置P1からウエハ３が距離dGだけ変位したとき
の受光手段８面上での重心位置移動量Ｓは で与えられる。ウエハ３が基準位置P1にあるときの重心
位置（基準点）を予め求めておき、間隔測定時に重心位
置の基準点からのずれを求めて、これを重心位置移動量
Ｓとして上式に代入することにより、ウエハ３の位置P1
からの間隔ずれ量dGが求められる。
尚、位置P1にあるときのマスク・ウエハ間隔d0は予め
他の間隔測定手段により求めておく。
他の間隔測定手段により求めておく。
尚、本実施例において第２のFZP5と受光手段８との間
に集光レンズを配置して光束を受光手段８面上に集光す
るようにしても良く、又受光手段８の後方に集光レンズ
を配置し、集光レンズからの光束を受光手段８面上にリ
レー的に導光するようにしても良い。
に集光レンズを配置して光束を受光手段８面上に集光す
るようにしても良く、又受光手段８の後方に集光レンズ
を配置し、集光レンズからの光束を受光手段８面上にリ
レー的に導光するようにしても良い。
今、第１図（Ｂ）第２のFZP5の焦点距離をfM2（μ
ｍ）、（但しfM2は正又は負のどちらとも適用可能）、
第２のFZP5から受光手段８面に相当する光束評価面（以
下符号を便宜上「８」と用いる。）までの距離をｌ、第
２のFZP5面上での光束径をω１、光束評価面８上での光
束径をω２とし第２のFZP5に平行光束が入射したとする
と光束径ω２は幾何光学的には となる。ｌ≫fM2の場合には光束径ω２が非常に増大し
てくる。
ｍ）、（但しfM2は正又は負のどちらとも適用可能）、
第２のFZP5から受光手段８面に相当する光束評価面（以
下符号を便宜上「８」と用いる。）までの距離をｌ、第
２のFZP5面上での光束径をω１、光束評価面８上での光
束径をω２とし第２のFZP5に平行光束が入射したとする
と光束径ω２は幾何光学的には となる。ｌ≫fM2の場合には光束径ω２が非常に増大し
てくる。
そこで本実施例では光束評価面８上での光束径ω２が
なるべく小さくなり光束の重心位置が受光手段８により
高精度に検出するようにマスク２とウエハ３が予め設定
した間隔ｄとなったときに第１図（Ｃ）に示すように第
２のFZP5からの光束が光束評価面８上で一点に結像する
ように第1,第２のFZP4,5の屈折力を設定している。
なるべく小さくなり光束の重心位置が受光手段８により
高精度に検出するようにマスク２とウエハ３が予め設定
した間隔ｄとなったときに第１図（Ｃ）に示すように第
２のFZP5からの光束が光束評価面８上で一点に結像する
ように第1,第２のFZP4,5の屈折力を設定している。
具体的には第１のFZPの焦点位置をfM1（＜０）（μ
ｍ）としたとき となるように各要素を設定している。
ｍ）としたとき となるように各要素を設定している。
但し、光束径ω１が小さくなり、測定用の光束の波長
程度に小さくなる場合には光束径を波動光学的に取扱う
ことが必要となってくる。
程度に小さくなる場合には光束径を波動光学的に取扱う
ことが必要となってくる。
この場合は第３図に示すように第２のFZP5における光
束の波面の曲率半径をR1、FZP5から距離x1の位置Q1をビ
ームウエストとして、その径をω０、ビームウエストの
点Q1から光束評価面８までの距離をx2、光束評価面８上
の光束径をω２′、光束評価面８での波面の曲率半径を
R2とし、光束がガウシャン分布をしているとすると となる。（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）より曲率半径
R1を変化させて光束径ω２を求めるとR1＝ｌの場合、即
ち、略幾何光学的集光位置に光束評価面８がある場合に
光束径ω２は最小となる。
束の波面の曲率半径をR1、FZP5から距離x1の位置Q1をビ
ームウエストとして、その径をω０、ビームウエストの
点Q1から光束評価面８までの距離をx2、光束評価面８上
の光束径をω２′、光束評価面８での波面の曲率半径を
R2とし、光束がガウシャン分布をしているとすると となる。（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）より曲率半径
R1を変化させて光束径ω２を求めるとR1＝ｌの場合、即
ち、略幾何光学的集光位置に光束評価面８がある場合に
光束径ω２は最小となる。
例えばｌ＝20000μｍ、ω１＝20,50,100,200μｍのと
きの光束径ω２の値を表−１に示す。
きの光束径ω２の値を表−１に示す。
表−１から明らかのようにR1＝ｌのときに光束径ω２
が最小となる。そこで本実施例において受光手段８面上
での光束径ω２の拡がりを波動光学的に取扱う場合には
R1≒ｌとなるように焦点距離fM1を設定している。
が最小となる。そこで本実施例において受光手段８面上
での光束径ω２の拡がりを波動光学的に取扱う場合には
R1≒ｌとなるように焦点距離fM1を設定している。
第４図（Ａ），（Ｂ）は本発明の第２実施例の光路を
展開したときの要部概略図である。161は光束でる。尚
ウエハ３は省略している。同図（Ａ）は第１物体２の入
射側の第１のFZP4と出射側の第２のFZP5の双方を収斂性
の凸レンズ作用を有するように構成した場合を示してい
る。
展開したときの要部概略図である。161は光束でる。尚
ウエハ３は省略している。同図（Ａ）は第１物体２の入
射側の第１のFZP4と出射側の第２のFZP5の双方を収斂性
の凸レンズ作用を有するように構成した場合を示してい
る。
又、同図（Ｂ）は入射側の第１のFZP4を凸レンズ作
用、出射側の第２のFZP5を発散性の凹レンズ作用を有す
るように構成した場合を示している。いずれの場合も第
１図（Ａ）で示した実施例と同様の効果を得ることがで
きる。
用、出射側の第２のFZP5を発散性の凹レンズ作用を有す
るように構成した場合を示している。いずれの場合も第
１図（Ａ）で示した実施例と同様の効果を得ることがで
きる。
第５図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は本発明の第３実施例
の光路を展開したときの要部概略図である。本実施例は
第１物体２の入射側の第１のFZP4に種々の状態の光束が
入射した場合を示している。
の光路を展開したときの要部概略図である。本実施例は
第１物体２の入射側の第１のFZP4に種々の状態の光束が
入射した場合を示している。
同図（Ａ）は第１のFZP4に収斂性の光束が入射した場
合であり、このとき第１のFZP4は凹レンズの作用をし、
第２のFZP5は凸レンズの作用をしている。
合であり、このとき第１のFZP4は凹レンズの作用をし、
第２のFZP5は凸レンズの作用をしている。
同図（Ｂ）は第１のFZP4に発散性の光束が入射した場
合であり、このとき第１のFZP4は凹レンズの作用をし、
第２のFZP5は凸レンズの作用をしている。
合であり、このとき第１のFZP4は凹レンズの作用をし、
第２のFZP5は凸レンズの作用をしている。
同図（Ｃ）は第１のFZP4に平行光束が入射した場合で
あり、このとき第１のFZP4は凹レンズの作用をし、第２
のFZP5は凸レンズの作用をしている。ここで162は光束
の波面を表わしている。
あり、このとき第１のFZP4は凹レンズの作用をし、第２
のFZP5は凸レンズの作用をしている。ここで162は光束
の波面を表わしている。
尚、本実施例では同図（Ｃ）に示すように波面収差を
有した光束が入射してきた場合には、該波面収差を打ち
消すように第１又は第２のFZPの形状を設定している。
このようにFZPに入射光束の収差を補正させることも可
能である。
有した光束が入射してきた場合には、該波面収差を打ち
消すように第１又は第２のFZPの形状を設定している。
このようにFZPに入射光束の収差を補正させることも可
能である。
（発明の効果） 本発明によれば第１物体面に前述のような光学的作用
を有する第1,第２物理光学素子を設けることにより、受
光素子面における光束径を小さくし、受光素子による入
射光束の重心位置の検出の際のS/N比を向上させること
ができ、第１物体と第２物体との間隔を高精度に測定す
ることのできる、特に半導体製造装置に好適な間隔測定
方法を達成することができる。
を有する第1,第２物理光学素子を設けることにより、受
光素子面における光束径を小さくし、受光素子による入
射光束の重心位置の検出の際のS/N比を向上させること
ができ、第１物体と第２物体との間隔を高精度に測定す
ることのできる、特に半導体製造装置に好適な間隔測定
方法を達成することができる。
第１図（Ａ）は本発明の実施例の要部概略図、第１図
（Ｂ），（Ｃ）は第１図（Ａ）の一部分との拡大模式
図、第２図は第１図（Ａ）の第１物体面上の第1,第２物
理光学素子の説明図、第３図は本発明において第１物体
面上の第２物理光学素子から射出する光束を物理光学的
に取扱ったときの説明図、第４図（Ａ），（Ｂ），第５
図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は各々本発明に係る物理光学
素子の他の実施例の説明図、第６図は本発明と関連する
他の発明の要部概略図である。 図中、１は光束、LDはレーザ、２は第１物体、３は第２
物体、４は第１物理光学素子、５は第２物理光学素子、
８は受光手段、９は信号処理回路、10は光ブローブであ
る。
（Ｂ），（Ｃ）は第１図（Ａ）の一部分との拡大模式
図、第２図は第１図（Ａ）の第１物体面上の第1,第２物
理光学素子の説明図、第３図は本発明において第１物体
面上の第２物理光学素子から射出する光束を物理光学的
に取扱ったときの説明図、第４図（Ａ），（Ｂ），第５
図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は各々本発明に係る物理光学
素子の他の実施例の説明図、第６図は本発明と関連する
他の発明の要部概略図である。 図中、１は光束、LDはレーザ、２は第１物体、３は第２
物体、４は第１物理光学素子、５は第２物理光学素子、
８は受光手段、９は信号処理回路、10は光ブローブであ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】一部に第１物理光学素子と第２物理光学素
子とを設けた第１物体と第２物体とを対向配置し、該第
１物体面上の第１物理光学素子に光束を入射させ、該第
１物理光学素子からの所定次数の回折光を該第２物体面
で反射させた後、該第１物体面上の該第２物理光学素子
に入射させ、該第２物理光学素子からの所定次数の回折
光を受光手段面上に導光し、該受光手段面上における回
折光の入射位置を検出することにより、該第１物体と該
第２物体との間隔を求める間隔測定方法において、該第
２物理光学素子からの射出光束が該受光手段面で幾何光
学的に結像するように該第１物理光学素子と該第２物理
光学素子の屈折力を設定したことを特徴とする間隔測定
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1209926A JP2626077B2 (ja) | 1988-09-09 | 1989-08-14 | 間隔測定方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-225810 | 1988-09-09 | ||
| JP22581088 | 1988-09-09 | ||
| JP1209926A JP2626077B2 (ja) | 1988-09-09 | 1989-08-14 | 間隔測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02167414A JPH02167414A (ja) | 1990-06-27 |
| JP2626077B2 true JP2626077B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=26517755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1209926A Expired - Fee Related JP2626077B2 (ja) | 1988-09-09 | 1989-08-14 | 間隔測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2626077B2 (ja) |
-
1989
- 1989-08-14 JP JP1209926A patent/JP2626077B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02167414A (ja) | 1990-06-27 |
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