JPS6265215A - 磁気ヘツド用コアのギヤツプ部接合方法 - Google Patents
磁気ヘツド用コアのギヤツプ部接合方法Info
- Publication number
- JPS6265215A JPS6265215A JP20430685A JP20430685A JPS6265215A JP S6265215 A JPS6265215 A JP S6265215A JP 20430685 A JP20430685 A JP 20430685A JP 20430685 A JP20430685 A JP 20430685A JP S6265215 A JPS6265215 A JP S6265215A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- groove
- film
- core
- softening point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、オーディオやハードディスク用の磁気ヘッド
或いはフロッピーディスク用のディジタル磁気ヘッド等
の製造方法に関し、特に。
或いはフロッピーディスク用のディジタル磁気ヘッド等
の製造方法に関し、特に。
磁気ヘッドの製造段階の中で、フェライトよりなる１対
のコア？所定のギャップ長？有して接合する方法に関す
る。
のコア？所定のギャップ長？有して接合する方法に関す
る。
近来、磁気記録の高密度化に伴い、磁気〜ラドの狭トラ
ツク狭ギャップ化が進んでいる。特に、フロッピーディ
スク用のディジタル磁気ヘッドにおいては、９６ＴＰＩ
（トラック／インチ）。
ツク狭ギャップ化が進んでいる。特に、フロッピーディ
スク用のディジタル磁気ヘッドにおいては、９６ＴＰＩ
（トラック／インチ）。
１３５ ＴＰＩと高密度化することによって、そのギャ
ップ長公差も±０．２〜±０．３μの高精度のギャップ
を有する磁気ヘッドを製造することが必要となってきて
いる。
ップ長公差も±０．２〜±０．３μの高精度のギャップ
を有する磁気ヘッドを製造することが必要となってきて
いる。
この高精度のギャップを形成する場合、ガラス流し込み
方式では、ギャップ形成面にギャップ制御膜がない。そ
のため、ガラスポンディングの際、加圧と加熱によるフ
ェライトの熱変形及びフェライト素材の平面度平坦度が
制御できず、ギャップ長のバラツキが犬となる欠点を有
している。
方式では、ギャップ形成面にギャップ制御膜がない。そ
のため、ガラスポンディングの際、加圧と加熱によるフ
ェライトの熱変形及びフェライト素材の平面度平坦度が
制御できず、ギャップ長のバラツキが犬となる欠点を有
している。
これに対して、フェライトからなる１対のコアのギャッ
プ形成面に、それぞれスパッタリングにより５００２の
薄膜を、さらにその上にけい酸を主成分とするガラス膜
を形成し、アペックス部に補強用のガラスをおいて加圧
、加熱接着する方法、いわゆるスパッタリング方式が提
案されている（例えば、特公昭５９−１０７４１４号公
報、特公昭５９−１０７４１５号公報、特公昭５９−１
０７４１６号公報参照）。この方式は、スパッタ膜がギ
ヤノブ制御をかねるため、また加熱及び加圧下でフェラ
イトからなるコア同士を接合する際、コアがこのスパッ
タ膜に沿って矯正されるという効果があるため、高精度
のギャップ長が得られるという利点がある。
プ形成面に、それぞれスパッタリングにより５００２の
薄膜を、さらにその上にけい酸を主成分とするガラス膜
を形成し、アペックス部に補強用のガラスをおいて加圧
、加熱接着する方法、いわゆるスパッタリング方式が提
案されている（例えば、特公昭５９−１０７４１４号公
報、特公昭５９−１０７４１５号公報、特公昭５９−１
０７４１６号公報参照）。この方式は、スパッタ膜がギ
ヤノブ制御をかねるため、また加熱及び加圧下でフェラ
イトからなるコア同士を接合する際、コアがこのスパッ
タ膜に沿って矯正されるという効果があるため、高精度
のギャップ長が得られるという利点がある。
しかしながら、このような従来のスパッタリング方式で
は、コアの材料であるフェライトの平坦度があまりよく
ないために、アペックス部にのみ補強用のガラスをおく
と、アペックス部の反対側の方より２つのコアがそりか
えるという現東が発生する。そのため、ギャップディブ
スが長くなると、ひずみやちいさなヒビが接合部にはい
りやすくなり、不要部分の切断、ボンディングパーの幅
方向のスライス、ポリンング（鏡面仕上げ加工）と、加
工の段階が進むにつれて、そのヒビがアペックス側へと
成長し、最終的な強度試験で不合格となってしまう。
は、コアの材料であるフェライトの平坦度があまりよく
ないために、アペックス部にのみ補強用のガラスをおく
と、アペックス部の反対側の方より２つのコアがそりか
えるという現東が発生する。そのため、ギャップディブ
スが長くなると、ひずみやちいさなヒビが接合部にはい
りやすくなり、不要部分の切断、ボンディングパーの幅
方向のスライス、ポリンング（鏡面仕上げ加工）と、加
工の段階が進むにつれて、そのヒビがアペックス側へと
成長し、最終的な強度試験で不合格となってしまう。
また、特公昭５９−１０７４１６号公報では、補強用の
ガラスとして軟化温度の高いものを使用している。この
場合、できあがりのギャップ長が減少するおそれがでて
くるが接着力が増すので、はじめから減少分を見こんで
スパッタ膜の厚みを決定すれば、ギャップ長の精度の点
ではさほど問題はないと思われる。しかし、高温になる
と、フェライトとガラスの反応が進むために、アペック
ス部にくわれ等が生じて好ましくない。
ガラスとして軟化温度の高いものを使用している。この
場合、できあがりのギャップ長が減少するおそれがでて
くるが接着力が増すので、はじめから減少分を見こんで
スパッタ膜の厚みを決定すれば、ギャップ長の精度の点
ではさほど問題はないと思われる。しかし、高温になる
と、フェライトとガラスの反応が進むために、アペック
ス部にくわれ等が生じて好ましくない。
本発明による磁気ヘッド用コアのギャップ部接合方法は
、フェライトよりなる１対の直方体ブロックの少なくと
も一方に長手方向にコイル窓用の第１の溝と９本来の磁
気記録再生に関係しない部分に前記第１の溝と平行に第
２の溝とが形成され、互いの接合面が鏡面仕上げしてあ
る１対の磁気ヘッド用コアを所定のギャップ長を保持し
て接合する方法であって、前記接合面の本来の磁気記録
再生に関する部分にのみ、それぞれスパッタ法により所
定の厚さのＳｉＯ２膜を形成する工程と、さらに前記５
００２膜上に、スパッタ法により所定の厚さのガラス膜
を形成する工程と９両コアのスパッタ膜を互いに圧接し
。
、フェライトよりなる１対の直方体ブロックの少なくと
も一方に長手方向にコイル窓用の第１の溝と９本来の磁
気記録再生に関係しない部分に前記第１の溝と平行に第
２の溝とが形成され、互いの接合面が鏡面仕上げしてあ
る１対の磁気ヘッド用コアを所定のギャップ長を保持し
て接合する方法であって、前記接合面の本来の磁気記録
再生に関する部分にのみ、それぞれスパッタ法により所
定の厚さのＳｉＯ２膜を形成する工程と、さらに前記５
００２膜上に、スパッタ法により所定の厚さのガラス膜
を形成する工程と９両コアのスパッタ膜を互いに圧接し
。
アペックス部に前記ガラス膜よりも低軟化点を有する第
１のガラス片？載置し、前記第２の溝にアペックス部に
載置した前記第１のガラス片よりも低軟化点を有する第
２のガラス片を載置し、前記ガラス膜に使用したガラス
の軟化点以上に加熱する工程を含む。
１のガラス片？載置し、前記第２の溝にアペックス部に
載置した前記第１のガラス片よりも低軟化点を有する第
２のガラス片を載置し、前記ガラス膜に使用したガラス
の軟化点以上に加熱する工程を含む。
以下１本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
先ず、第１図を参照して、フェライトよりなる直方体ブ
ロックなるコア１の鏡面仕上げしてある面の本来の磁気
記録再生に関する部分、すさにスパッタリングにより形
成し、更にそのＳｉＯ２＠２上に、ＳｉＯ２．Ｂ２Ｏ３
，Ａｔ２０３．に２０゜ＺｎＯ，ＭｇＯ等よるなる軟化
点（１０−７６Ｐ）が７００℃のガラス膜３を約０．０
５μｍの厚さにスパッタリングにより形成する。
ロックなるコア１の鏡面仕上げしてある面の本来の磁気
記録再生に関する部分、すさにスパッタリングにより形
成し、更にそのＳｉＯ２＠２上に、ＳｉＯ２．Ｂ２Ｏ３
，Ａｔ２０３．に２０゜ＺｎＯ，ＭｇＯ等よるなる軟化
点（１０−７６Ｐ）が７００℃のガラス膜３を約０．０
５μｍの厚さにスパッタリングにより形成する。
第２図を参照して、同様に、フェライトよりなる直方体
ブロックの長手方向にコイル窓用溝４ａと９本来の磁気
記録再生に関係せず、後で切断される不要部分にコイル
窓用溝４ａと平行に補強用溝４ｂが形成されたコア４の
鏡面仕上げしてある面のうち、補強用溝４ｂより下の部
分を除いた部分に、軟化点が１５００℃位のＳｉＯ２膜
５？約１μｍの厚さにスパッタリングにより形成し、更
にそのＳｉＯ２膜５上に、ＳｉＯ２ ＋ ”２０５ ＋
Ａｚ２ｏ３． Ｋ２Ｏ，ＺｏＯ，ＭｇＯ等よりなる軟化
点（１Ｏ−７６Ｆ ）が７００℃のガラス膜６を約０．
０５μｍの厚さにスパッタリングにより形成する。
ブロックの長手方向にコイル窓用溝４ａと９本来の磁気
記録再生に関係せず、後で切断される不要部分にコイル
窓用溝４ａと平行に補強用溝４ｂが形成されたコア４の
鏡面仕上げしてある面のうち、補強用溝４ｂより下の部
分を除いた部分に、軟化点が１５００℃位のＳｉＯ２膜
５？約１μｍの厚さにスパッタリングにより形成し、更
にそのＳｉＯ２膜５上に、ＳｉＯ２ ＋ ”２０５ ＋
Ａｚ２ｏ３． Ｋ２Ｏ，ＺｏＯ，ＭｇＯ等よりなる軟化
点（１Ｏ−７６Ｆ ）が７００℃のガラス膜６を約０．
０５μｍの厚さにスパッタリングにより形成する。
次に、第３図に示されるように、ＳｉＯ２膜とガラス膜
からなるスパッタ膜の形成されたコア１゜４を、そのス
パッタ膜側の面が互いに接触された状態で、アペックス
部７に、Ｂ２Ｏ５，ＳｉＯ２等よりなる軟化点（１Ｏ−
７６Ｐ）が６７０℃のガラスパー８を設置すると共に、
補強用溝４ｂに、ＰｂＯ。
からなるスパッタ膜の形成されたコア１゜４を、そのス
パッタ膜側の面が互いに接触された状態で、アペックス
部７に、Ｂ２Ｏ５，ＳｉＯ２等よりなる軟化点（１Ｏ−
７６Ｐ）が６７０℃のガラスパー８を設置すると共に、
補強用溝４ｂに、ＰｂＯ。
５１０２ 、 Ｎａ２ＣＯ’５ ＋ Ｂ２Ｏ５＋ Ａｌ
２Ｏ５＋ Ｆｅ２Ｏ３１ｚｎ。
２Ｏ５＋ Ｆｅ２Ｏ３１ｚｎ。
よりなる軟化点（１Ｏ−７６Ｐ）が５４０℃のガラスパ
ー９に設置する。
ー９に設置する。
次に、コア１．４を、互いに密着される方向へ約３００
Ｋｇ／α２の圧力で加圧しながら、８００℃の温度で約
２時間加熱して、ポンディングする。
Ｋｇ／α２の圧力で加圧しながら、８００℃の温度で約
２時間加熱して、ポンディングする。
これにより、第４図に示されるように、ガラス膜３．６
が軟化し、コア１．４の両側から加圧されるので、ギャ
ップ長Ｇｌの減少がほとんどなく、アペックス部７の補
強用ガラスパー８が半溶融し、補強用溝４ｂ内のガラス
パー９はって正確なギャップ長Ｇｚが形成できる。
が軟化し、コア１．４の両側から加圧されるので、ギャ
ップ長Ｇｌの減少がほとんどなく、アペックス部７の補
強用ガラスパー８が半溶融し、補強用溝４ｂ内のガラス
パー９はって正確なギャップ長Ｇｚが形成できる。
このとき、ガラス流しこみ部分とスパッタ膜接着部分の
厚みが変わって応力が発生するようなことはなく、必要
なギャップディツプスｏ６の両端（アペックス部と不要
切断部）がしっかりと接合されるので、その後の加工に
よるひずみの発生をかなり防止できる。
厚みが変わって応力が発生するようなことはなく、必要
なギャップディツプスｏ６の両端（アペックス部と不要
切断部）がしっかりと接合されるので、その後の加工に
よるひずみの発生をかなり防止できる。
本発明者らは１本実施例により接着したコアと従来法で
接着したコアの強度試験全テンションゲージを使用して
測定したところ、従来法のものは１．２５Ｋｇ／ｗ２で
あるのに対し１本実施例のものは１．８１Ｋｇ／１Ｉｊ
Ｅ２であり９本発明の方が従来のものよりかなり強固に
接合されていることを確認した。
接着したコアの強度試験全テンションゲージを使用して
測定したところ、従来法のものは１．２５Ｋｇ／ｗ２で
あるのに対し１本実施例のものは１．８１Ｋｇ／１Ｉｊ
Ｅ２であり９本発明の方が従来のものよりかなり強固に
接合されていることを確認した。
なお、上記実施例では９片方のコアのみにコイル窓用溝
及び補強用溝を形成しているが９両方のコアにその対向
する部分にコイル窓用溝及び補強用溝を形成しても良い
のは勿論である。
及び補強用溝を形成しているが９両方のコアにその対向
する部分にコイル窓用溝及び補強用溝を形成しても良い
のは勿論である。
又、ガラス膜やガラスパーの軟化点も上記の値に限定さ
れず、ガラス膜の軟化点は７００℃以上。
れず、ガラス膜の軟化点は７００℃以上。
アペックス部に設置されるがラスパーの軟化点は６００
〜７００℃、補強用溝に設置されるガラスパーの軟化点
は５００〜６００℃の範囲のものが選ばれる。又、接着
するための加熱温度、加圧圧力についても、加熱温度は
ガラス膜の軟化点と同じかそれより高めの８００〜８５
０℃、加圧圧力は１００〜５００Ｋｇ／ｃｍ２の範囲に
選択される。
〜７００℃、補強用溝に設置されるガラスパーの軟化点
は５００〜６００℃の範囲のものが選ばれる。又、接着
するための加熱温度、加圧圧力についても、加熱温度は
ガラス膜の軟化点と同じかそれより高めの８００〜８５
０℃、加圧圧力は１００〜５００Ｋｇ／ｃｍ２の範囲に
選択される。
以上の説明で明らかなように９本発明によれば、コイル
窓用溝と平行に補強用溝を切り、必要なギャップディツ
プスより少し長めにスパッタをし、補強用溝より下はス
パッタをしないで。
窓用溝と平行に補強用溝を切り、必要なギャップディツ
プスより少し長めにスパッタをし、補強用溝より下はス
パッタをしないで。
補強用溝にアペックス部に載置したガラスパーよりも軟
化点の低いがラスパーを置き、加圧加熱して、補強用溝
内のガラスパーｋａしこんでいるので、必要なギャップ
ディツプスの両端をしっかりと接合した高精度のギャッ
プ長を形成できるという効果がある。
化点の低いがラスパーを置き、加圧加熱して、補強用溝
内のガラスパーｋａしこんでいるので、必要なギャップ
ディツプスの両端をしっかりと接合した高精度のギャッ
プ長を形成できるという効果がある。
第１図乃至第４図は本発明の方法を工程順に示した図で
ある。 １・・・コア、２・・・ＳｉＯ２膜、３・・・ガラス膜
、４・・コア、 ４ａ・・・コイル窓用溝、４ｂ・・
・補強用溝。 ５・・・ＳｉＯ２膜、６・・・ガラス膜、７・・・アペ
ックス部。 ８．９・・・ガラスパー。 第２図 第１図
ある。 １・・・コア、２・・・ＳｉＯ２膜、３・・・ガラス膜
、４・・コア、 ４ａ・・・コイル窓用溝、４ｂ・・
・補強用溝。 ５・・・ＳｉＯ２膜、６・・・ガラス膜、７・・・アペ
ックス部。 ８．９・・・ガラスパー。 第２図 第１図
Claims (1)
- １、フェライトよりなる１対の直方体ブロックの少なく
とも一方に長手方向にコイル窓用の第１の溝と、本来の
磁気記録再生に関係しない部分に前記第１の溝と平行に
第２の溝とが形成され、互いの接合面が鏡面仕上げして
ある１対の磁気ヘッド用コアを所定のギャップ長を保持
して接合する方法であって、前記接合面の本来の磁気記
録再生に関係する部分にのみ、それぞれスパッタ法によ
り所定の厚さのＳｉＯ＿２膜を形成する工程と、さらに
前記ＳｉＯ＿２膜上に、スパッタ法により所定の厚さの
ガラス膜を形成する工程と、両コアのスパッタ膜を互い
に圧接し、アペックス部に前記ガラス膜よりも低軟化点
を有する第１のガラス片を載置し、前記第２の溝にアペ
ックス部に載置した前記第１のガラス片よりも低軟化点
を有する第２のガラス片を載置し、前記ガラス膜に使用
したガラスの軟化点以上に加熱する工程を含む磁気ヘッ
ド用コアのギャップ部接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20430685A JPS6265215A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 磁気ヘツド用コアのギヤツプ部接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20430685A JPS6265215A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 磁気ヘツド用コアのギヤツプ部接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265215A true JPS6265215A (ja) | 1987-03-24 |
Family
ID=16488296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20430685A Pending JPS6265215A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 磁気ヘツド用コアのギヤツプ部接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6265215A (ja) |
-
1985
- 1985-09-18 JP JP20430685A patent/JPS6265215A/ja active Pending
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