JPS626495B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS626495B2 JPS626495B2 JP55074182A JP7418280A JPS626495B2 JP S626495 B2 JPS626495 B2 JP S626495B2 JP 55074182 A JP55074182 A JP 55074182A JP 7418280 A JP7418280 A JP 7418280A JP S626495 B2 JPS626495 B2 JP S626495B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- laminate
- selective light
- metal layer
- light transmitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 40
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 15
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- BTYUGHWCEFRRRF-UHFFFAOYSA-N [As].[K] Chemical compound [As].[K] BTYUGHWCEFRRRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTWCLRQKVPERIM-UHFFFAOYSA-N [Er].[Zr] Chemical compound [Er].[Zr] HTWCLRQKVPERIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000020971 citrus fruits Nutrition 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003214 poly(methacrylonitrile) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 235000013311 vegetables Nutrition 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
本発明は選択光透過性積層体に関する。更に詳
細には透明なシート状基材上に、金属薄膜層と高
屈折率反射防止層を積層して得られる選択光透過
性積層体に関する。 選択光透過性積層体は、例えば可視光域の光に
対して透明であるが、赤外光に対しては反射能を
有しているので、透明断熱膜として有用である。
従つて太陽エネルギー集熱器(温水器)太陽熱発
電、グリーンハウス、建築物の窓部、冷蔵冷凍シ
ヨーケースなどに使用され得る。特に近代建築物
において、壁面の大きな割合をしめる窓からの太
陽エネルギー利用及びエネルギー放散を防げる透
明断熱窓としての機能は今後ますます重要性を増
すと思われる。 又、例えば野さい、かんきつ類等の農業、果実
等の栽培に必要なグリーンハウス用フイルムとし
てその重要性は大きい。 この様に、選択光透過性積層体は太陽エネルギ
ー利用の観点から重要であり、均質で高性能な膜
が工業的に安価に且つ大量に供給されることが当
該業界から望まれていた。 選択光透過性積層体として、従来から知られて
いるものは、 金、銅、銀、パラジウム等の金属薄膜、 酸化インジウム、酸化スズ、ヨウ化銅等の化
合物半導体膜、および 金、銀、銅、パラジウム等の導電性金属膜を
ある波長領域にわたり選択的に透明にしたもの が知られている。赤外光反射能の高い選択透過膜
として、数千オングストロームの膜厚の酸化イン
ジウム膜又は酸化錫膜、および金属膜と透明導電
体膜の積層膜等が知られている。しかしながら、
すぐれた性能の透明導電性膜又は選択光透過膜が
工業的に安価に製造されるに至つていないのが現
状である。 即ち、上記の金属薄膜は、金属が広い波長領
域にわたり反射能又は吸収能が高いため、可視光
透過率の高いものが得られ難い。可視光透過率を
高めると、導電性又は赤外光反射能が著しく低下
する。導電性又は赤外光反射能を高めるために、
金属薄膜の膜厚を高めると、可視光透過率が著し
く低下するので、両者の性質がすぐれた透明導電
性被膜又は選択光透過膜が得られない。 上記の化合物半導体薄膜は、例えば真空蒸着
法、スパツタリング法等の真空中における薄膜形
成法で形成されるが、真空中における化合物の蒸
発による方法では、蒸発化合物の分解にともなう
問題、被膜特性を均一に制御するために膜形成速
度が実際上遅いこと、蒸発源の大きさが制限され
るため、大面積基板への適用が制約される問題
等、工業生産性に欠け、安価な製品となり得な
い。酸化インジウム等の半導体で、すぐれた透明
導電性又は選択透過性膜を得るために、数千オン
グストローム程度の膜厚の酸化インジウム等の半
導体被膜が提案されているが、膜の生産速度が著
しく遅くなるばかりでなく、貴重なインジウム等
の資源を多く消費することになり、その結果、膜
の製造コストが著しく高くなる。更に又この膜で
は赤外光反射能又は導電性の充分に高いものが得
られていない。 上記の透明導電性膜又は選択光透過性膜の代
表的な構成は、金属薄膜を透明高屈折率薄膜では
さんだ積層体であり、例えば真空蒸着、反応性蒸
着又はスパツタリングで形成させたBi2O2/Au/
Bi2O2,Zns/Ag/Zns又はTiO2/Ag/TiO2等の
サンドイツチ状構造の積層体が提案されている。
金属層として銀を用いたものは、銀自体がもつ光
学的特性により、可視光領域における透明性及び
赤外光に対する反射特性が特に優れていること、
また導電性においても好ましい特性を有している
こと等の点から材料として特に優れている。 しかしながら、透明高屈折率薄膜層によりおお
われた銀薄膜層からなる積層体は、熱・光・ガス
等により性能の劣化がおこり、環境安定性におい
て問題があつた。この劣化の原因の多くは、環境
因子による銀の表面拡散による為、この改善は非
常に重要な問題となつていた。そこで鋭意研究し
た結果、炭素から主として構成される層を、銀を
主として構成された金属層とともに設けることに
より、耐久性が大巾に向上することを知り、本発
明に到達した。 すなわち、本発明は、 透明なシート状基材の少なくとも片面に、金属
層A及び高屈折率反射防止層Bを積層してなる積
層体において、該金属層Aが厚さ3〜100Åの炭
素から主として構成される層C及び厚さ50〜350
Åの銀から主として構成される金属層Dの積層体
である選択光透過性積層体である。 本発明で用いる透明なシート状基材としては例
えばポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチ
レンナフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、
アクリル樹脂、ABS樹脂、ポリスチレン樹脂、
ポリアセタール樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、フツ素樹脂など
の熱可塑性樹脂、更には例えばエポキシ樹脂、シ
アリルフタレート樹脂、フエノール系樹脂、尿素
樹脂などの熱硬化性樹脂更にはポリビニルアルコ
ール、ポリアクリルニトリル、ポリウレタン、芳
香族、ポリアミド、ポリイミド樹脂などの溶剤可
溶型樹脂などのシート状成型物があげられる。こ
れらは単独重合物、又は共重合物として単独又は
2種以上の混合物として用いられる。 無機成型物としては、ソーダ・ガラス、ホウ珪
酸ガラス、珪酸ガラスなどのガラス質、アルミ
ナ、マグネシア、ジルコニア、シリカ系などの金
属酸化物、カリウム―ヒ素、インジウム―リン等
の化合物半導体、シリコン、ゲルマニウム等の半
導体等の成型物があげられる。 本発明で用いられる金属層Aは、炭素から主と
して構成される層Cおよび銀から主として構成さ
れる金属層Dから成る。 層Cは炭素を主成分としているが、本発明の目
的とする効果を損なわない範囲で、他の金属又は
金属化合物が含まれていても良い。 この層Cの膜厚は3〜100Åである。 この範囲より薄すぎると耐久性に与える効果が
小さく、また100Åをこえると可視光領域の透過
率が著じるしく低下して、選択光透過性積層体の
目的に適さなくなる。 層Cは真空蒸着、またはスパツタリングなどで
容易に形成することができる。 金属層Dは銀を主成分としているが、本発明の
目的とする効果を損なわない範囲で他の金属又は
金属化合物が含まれていても良い。例えば銅を
0.1〜30重量%、好ましくは0.3〜15重量%銀に含
有させることにより、得られる積層体の耐光性が
著しく改良され、また金を3〜30重量%添加する
ことにより、耐熱性が改良される。 この金属層Dの膜厚は50〜350Å好ましくは70
〜200Åであり、薄すぎると赤外線反射率及び耐
熱性が低くなりすぎ、厚すぎると可視光の透過率
が低下し、実用に供しない。 金属層Dは真空蒸着またはスパツタリングなど
で容易に形成することができる。 高屈折率反射防止層Bは例えばチタン・インジ
ウム、亜鉛、錫、イツトリウム、エルビウムジル
コニウム、セリウム、タンタル及びハフニウムな
どから選ばれた一種以上の金属の酸化物の層であ
る。これらは可視光に透明でかつ可視光における
屈折率が高いものであり、屈折率が1.8以上特に
2.0以上が好ましい。 高屈折率反射防止層Bの膜厚は50〜500Å好ま
しくは150〜400Åである。この範囲よりはずれる
と可視光の透過率が低下する。 高屈折率反射防止層Bは真空蒸着、イオンプレ
ーテイング、スパツタリング、湿式塗工などの方
法によつて設けることができる。 有機チタン化合物から形成され、有機基を0.1
〜5重量%含有する酸化チタン膜も反射防止膜と
して用いることができ、生産性が高い利点を有し
ている。 次にこれら各属の積層方法について説明する。
透明なシート状基材の少なくとも片面に、金属層
Aおよび高屈折率反射防止層Bを順次積層させ
る。これによつて可視光領域の光に対して透明
で、かつ赤外光に対しては反射能を有する積層体
を得ることができる。 透明なシート状基材上に高屈折率反射防止層B
金属層A、高屈折率反射防止層Bでサンドイツチ
状にはさんだ積層体では可視光領域の透過率がさ
らに向上し、好ましい。 金属層Aは、層Cおよび金属層Dの積層体であ
り、その積層順は (1) 層C\金属層D (2) 金属層D\層C (3) 層C\金属層D\層C (4) 金属層D\層C\金属層D のいづれでもよく、また上記(3),(4)の構成で層
C、金属層Dを数回くり返してサンドイツチさせ
ても良い。 この中で、金属層Dを層Cでサンドイツチした
前記(3)の積層体は耐久性が特に優れており、より
好ましい。 本発明の積層体の上に、本発明の目的とする効
果を損なわない範囲で更に他の層を積層して例え
ば表面硬度、耐光性、耐ガス、耐水性等の性質を
改良することができる。この場合に用いられる材
料としてはポリメタアクリル酸メチルなどのアク
リル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリメタ
アクリルニトリル樹脂、エチルシリケートより得
られる重合体などの珪素樹脂、ポリエステル樹
脂、フツ素樹脂などの有機物質の他に酸化珪素な
どの無機物質をあげることができる。 かくして得られた選択光透過性積層体は耐久性
に優れており、熱線反射用用途に有利に使われる
が、それ以外にその導電性を利用した用途例えば
液晶デイスプレー用電極電場発光体用電極、光導
電性感光体用電極、帯電防止層面発熱体等のエレ
クトロニクス等の分野にも利用される。 次に可視光透過率、平均赤外反射率の計算方法
について説明する。 可視光透過率を求めるには、まず可視光領域
450〜700mμの透過率を測定し、50mμ毎に太陽
エネルギー強度と透過率の積を計算する。その総
和を450〜700mμでの太陽エネルギー強度の総和
で割ることにより規格化したものが可視光透過率
である。 一方平均赤外反射率を求めるにはまず、赤外反
射率を3〜25μの範囲で測定する。一方300〓
(27℃)の黒体から輻射されるエネルギーを0.2μ
m毎に求め、それぞれの波長に応じた輻射エネル
ギーと赤外線反射率の積を0.2μm毎に計算し、
3〜25μmの波長領域で総和を求める。そしてそ
の総和を3〜25μm領域の輻射エネルギー強度の
総和で割ることにより規格化したものである。こ
の値は300〓の黒体から輻射されるエネルギー
(3〜25μm領域)の反射率を表わしている。 3〜25μm領域の輻射エネルギーは300〓の黒
体輻射エネルギー全体の約85%に相当する。 以下、本発明のより具体的な説明を実施例で示
す。 実施例中の「部」は、すべて重量に基づくもの
である。 実施例1〜3 比較例1〜2 光透過率86%、膜厚50μmの二軸延伸ポリエチ
レンテレフタレートフイルム上に、厚さ300Åの
酸化チタン薄膜層、炭素膜層さ150Åの銀及び銅
の合金よりなる薄膜層(銀92重量%、銅8重量
%)、炭素層及び280Åの酸化チタン薄膜層を順次
積層し、選択光透過性積層体を得た。 酸化チタン薄膜層はいずれもテトラブチルチタ
ネートの4量体3部、イソプロピルアルコール97
部からなる溶液をパーコーターで塗布し、120℃
3分間加熱して設けた。 銀―銅合金層は、銀―銅合金(銀92重量%銅8
重量%)をターゲツトにし、直流スパツタリング
で設けた。 炭素層は、電子ビーム加熱による真空蒸着方式
で設け、膜厚は表―1に示した。 その選択光透過性積層体を90℃に設定した熱風
乾燥機に入れて耐熱劣化促進試験を行ない、赤外
光反射率(10μ)が初期値の85%になるまでの時
間を劣化時間として測定した。 表1には、それらの結果と、耐熱劣化促進試験
前の可視光透過率、平均赤外反射率を示した。 また炭素層のない場合の積層体についても同様
に比較例として示した。
細には透明なシート状基材上に、金属薄膜層と高
屈折率反射防止層を積層して得られる選択光透過
性積層体に関する。 選択光透過性積層体は、例えば可視光域の光に
対して透明であるが、赤外光に対しては反射能を
有しているので、透明断熱膜として有用である。
従つて太陽エネルギー集熱器(温水器)太陽熱発
電、グリーンハウス、建築物の窓部、冷蔵冷凍シ
ヨーケースなどに使用され得る。特に近代建築物
において、壁面の大きな割合をしめる窓からの太
陽エネルギー利用及びエネルギー放散を防げる透
明断熱窓としての機能は今後ますます重要性を増
すと思われる。 又、例えば野さい、かんきつ類等の農業、果実
等の栽培に必要なグリーンハウス用フイルムとし
てその重要性は大きい。 この様に、選択光透過性積層体は太陽エネルギ
ー利用の観点から重要であり、均質で高性能な膜
が工業的に安価に且つ大量に供給されることが当
該業界から望まれていた。 選択光透過性積層体として、従来から知られて
いるものは、 金、銅、銀、パラジウム等の金属薄膜、 酸化インジウム、酸化スズ、ヨウ化銅等の化
合物半導体膜、および 金、銀、銅、パラジウム等の導電性金属膜を
ある波長領域にわたり選択的に透明にしたもの が知られている。赤外光反射能の高い選択透過膜
として、数千オングストロームの膜厚の酸化イン
ジウム膜又は酸化錫膜、および金属膜と透明導電
体膜の積層膜等が知られている。しかしながら、
すぐれた性能の透明導電性膜又は選択光透過膜が
工業的に安価に製造されるに至つていないのが現
状である。 即ち、上記の金属薄膜は、金属が広い波長領
域にわたり反射能又は吸収能が高いため、可視光
透過率の高いものが得られ難い。可視光透過率を
高めると、導電性又は赤外光反射能が著しく低下
する。導電性又は赤外光反射能を高めるために、
金属薄膜の膜厚を高めると、可視光透過率が著し
く低下するので、両者の性質がすぐれた透明導電
性被膜又は選択光透過膜が得られない。 上記の化合物半導体薄膜は、例えば真空蒸着
法、スパツタリング法等の真空中における薄膜形
成法で形成されるが、真空中における化合物の蒸
発による方法では、蒸発化合物の分解にともなう
問題、被膜特性を均一に制御するために膜形成速
度が実際上遅いこと、蒸発源の大きさが制限され
るため、大面積基板への適用が制約される問題
等、工業生産性に欠け、安価な製品となり得な
い。酸化インジウム等の半導体で、すぐれた透明
導電性又は選択透過性膜を得るために、数千オン
グストローム程度の膜厚の酸化インジウム等の半
導体被膜が提案されているが、膜の生産速度が著
しく遅くなるばかりでなく、貴重なインジウム等
の資源を多く消費することになり、その結果、膜
の製造コストが著しく高くなる。更に又この膜で
は赤外光反射能又は導電性の充分に高いものが得
られていない。 上記の透明導電性膜又は選択光透過性膜の代
表的な構成は、金属薄膜を透明高屈折率薄膜では
さんだ積層体であり、例えば真空蒸着、反応性蒸
着又はスパツタリングで形成させたBi2O2/Au/
Bi2O2,Zns/Ag/Zns又はTiO2/Ag/TiO2等の
サンドイツチ状構造の積層体が提案されている。
金属層として銀を用いたものは、銀自体がもつ光
学的特性により、可視光領域における透明性及び
赤外光に対する反射特性が特に優れていること、
また導電性においても好ましい特性を有している
こと等の点から材料として特に優れている。 しかしながら、透明高屈折率薄膜層によりおお
われた銀薄膜層からなる積層体は、熱・光・ガス
等により性能の劣化がおこり、環境安定性におい
て問題があつた。この劣化の原因の多くは、環境
因子による銀の表面拡散による為、この改善は非
常に重要な問題となつていた。そこで鋭意研究し
た結果、炭素から主として構成される層を、銀を
主として構成された金属層とともに設けることに
より、耐久性が大巾に向上することを知り、本発
明に到達した。 すなわち、本発明は、 透明なシート状基材の少なくとも片面に、金属
層A及び高屈折率反射防止層Bを積層してなる積
層体において、該金属層Aが厚さ3〜100Åの炭
素から主として構成される層C及び厚さ50〜350
Åの銀から主として構成される金属層Dの積層体
である選択光透過性積層体である。 本発明で用いる透明なシート状基材としては例
えばポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチ
レンナフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、
アクリル樹脂、ABS樹脂、ポリスチレン樹脂、
ポリアセタール樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、フツ素樹脂など
の熱可塑性樹脂、更には例えばエポキシ樹脂、シ
アリルフタレート樹脂、フエノール系樹脂、尿素
樹脂などの熱硬化性樹脂更にはポリビニルアルコ
ール、ポリアクリルニトリル、ポリウレタン、芳
香族、ポリアミド、ポリイミド樹脂などの溶剤可
溶型樹脂などのシート状成型物があげられる。こ
れらは単独重合物、又は共重合物として単独又は
2種以上の混合物として用いられる。 無機成型物としては、ソーダ・ガラス、ホウ珪
酸ガラス、珪酸ガラスなどのガラス質、アルミ
ナ、マグネシア、ジルコニア、シリカ系などの金
属酸化物、カリウム―ヒ素、インジウム―リン等
の化合物半導体、シリコン、ゲルマニウム等の半
導体等の成型物があげられる。 本発明で用いられる金属層Aは、炭素から主と
して構成される層Cおよび銀から主として構成さ
れる金属層Dから成る。 層Cは炭素を主成分としているが、本発明の目
的とする効果を損なわない範囲で、他の金属又は
金属化合物が含まれていても良い。 この層Cの膜厚は3〜100Åである。 この範囲より薄すぎると耐久性に与える効果が
小さく、また100Åをこえると可視光領域の透過
率が著じるしく低下して、選択光透過性積層体の
目的に適さなくなる。 層Cは真空蒸着、またはスパツタリングなどで
容易に形成することができる。 金属層Dは銀を主成分としているが、本発明の
目的とする効果を損なわない範囲で他の金属又は
金属化合物が含まれていても良い。例えば銅を
0.1〜30重量%、好ましくは0.3〜15重量%銀に含
有させることにより、得られる積層体の耐光性が
著しく改良され、また金を3〜30重量%添加する
ことにより、耐熱性が改良される。 この金属層Dの膜厚は50〜350Å好ましくは70
〜200Åであり、薄すぎると赤外線反射率及び耐
熱性が低くなりすぎ、厚すぎると可視光の透過率
が低下し、実用に供しない。 金属層Dは真空蒸着またはスパツタリングなど
で容易に形成することができる。 高屈折率反射防止層Bは例えばチタン・インジ
ウム、亜鉛、錫、イツトリウム、エルビウムジル
コニウム、セリウム、タンタル及びハフニウムな
どから選ばれた一種以上の金属の酸化物の層であ
る。これらは可視光に透明でかつ可視光における
屈折率が高いものであり、屈折率が1.8以上特に
2.0以上が好ましい。 高屈折率反射防止層Bの膜厚は50〜500Å好ま
しくは150〜400Åである。この範囲よりはずれる
と可視光の透過率が低下する。 高屈折率反射防止層Bは真空蒸着、イオンプレ
ーテイング、スパツタリング、湿式塗工などの方
法によつて設けることができる。 有機チタン化合物から形成され、有機基を0.1
〜5重量%含有する酸化チタン膜も反射防止膜と
して用いることができ、生産性が高い利点を有し
ている。 次にこれら各属の積層方法について説明する。
透明なシート状基材の少なくとも片面に、金属層
Aおよび高屈折率反射防止層Bを順次積層させ
る。これによつて可視光領域の光に対して透明
で、かつ赤外光に対しては反射能を有する積層体
を得ることができる。 透明なシート状基材上に高屈折率反射防止層B
金属層A、高屈折率反射防止層Bでサンドイツチ
状にはさんだ積層体では可視光領域の透過率がさ
らに向上し、好ましい。 金属層Aは、層Cおよび金属層Dの積層体であ
り、その積層順は (1) 層C\金属層D (2) 金属層D\層C (3) 層C\金属層D\層C (4) 金属層D\層C\金属層D のいづれでもよく、また上記(3),(4)の構成で層
C、金属層Dを数回くり返してサンドイツチさせ
ても良い。 この中で、金属層Dを層Cでサンドイツチした
前記(3)の積層体は耐久性が特に優れており、より
好ましい。 本発明の積層体の上に、本発明の目的とする効
果を損なわない範囲で更に他の層を積層して例え
ば表面硬度、耐光性、耐ガス、耐水性等の性質を
改良することができる。この場合に用いられる材
料としてはポリメタアクリル酸メチルなどのアク
リル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリメタ
アクリルニトリル樹脂、エチルシリケートより得
られる重合体などの珪素樹脂、ポリエステル樹
脂、フツ素樹脂などの有機物質の他に酸化珪素な
どの無機物質をあげることができる。 かくして得られた選択光透過性積層体は耐久性
に優れており、熱線反射用用途に有利に使われる
が、それ以外にその導電性を利用した用途例えば
液晶デイスプレー用電極電場発光体用電極、光導
電性感光体用電極、帯電防止層面発熱体等のエレ
クトロニクス等の分野にも利用される。 次に可視光透過率、平均赤外反射率の計算方法
について説明する。 可視光透過率を求めるには、まず可視光領域
450〜700mμの透過率を測定し、50mμ毎に太陽
エネルギー強度と透過率の積を計算する。その総
和を450〜700mμでの太陽エネルギー強度の総和
で割ることにより規格化したものが可視光透過率
である。 一方平均赤外反射率を求めるにはまず、赤外反
射率を3〜25μの範囲で測定する。一方300〓
(27℃)の黒体から輻射されるエネルギーを0.2μ
m毎に求め、それぞれの波長に応じた輻射エネル
ギーと赤外線反射率の積を0.2μm毎に計算し、
3〜25μmの波長領域で総和を求める。そしてそ
の総和を3〜25μm領域の輻射エネルギー強度の
総和で割ることにより規格化したものである。こ
の値は300〓の黒体から輻射されるエネルギー
(3〜25μm領域)の反射率を表わしている。 3〜25μm領域の輻射エネルギーは300〓の黒
体輻射エネルギー全体の約85%に相当する。 以下、本発明のより具体的な説明を実施例で示
す。 実施例中の「部」は、すべて重量に基づくもの
である。 実施例1〜3 比較例1〜2 光透過率86%、膜厚50μmの二軸延伸ポリエチ
レンテレフタレートフイルム上に、厚さ300Åの
酸化チタン薄膜層、炭素膜層さ150Åの銀及び銅
の合金よりなる薄膜層(銀92重量%、銅8重量
%)、炭素層及び280Åの酸化チタン薄膜層を順次
積層し、選択光透過性積層体を得た。 酸化チタン薄膜層はいずれもテトラブチルチタ
ネートの4量体3部、イソプロピルアルコール97
部からなる溶液をパーコーターで塗布し、120℃
3分間加熱して設けた。 銀―銅合金層は、銀―銅合金(銀92重量%銅8
重量%)をターゲツトにし、直流スパツタリング
で設けた。 炭素層は、電子ビーム加熱による真空蒸着方式
で設け、膜厚は表―1に示した。 その選択光透過性積層体を90℃に設定した熱風
乾燥機に入れて耐熱劣化促進試験を行ない、赤外
光反射率(10μ)が初期値の85%になるまでの時
間を劣化時間として測定した。 表1には、それらの結果と、耐熱劣化促進試験
前の可視光透過率、平均赤外反射率を示した。 また炭素層のない場合の積層体についても同様
に比較例として示した。
【表】
これからわかるように炭素層のない場合には、
耐熱性が悪く、劣化時間が非常に短かい。一方炭
素層が100Åを超えると可視光透過率が著しく低
下し実用に供しない。 実施例4〜6 比較例3,4 実施例1と同じ方法で、二軸延伸ポリエチレン
テレフタレートフイルム上に、300Åの酸化チタ
ン薄膜層、炭素層150Åの銀及び銅の合金よりな
る薄膜層、種々の厚さの炭素層及び280Åの酸化
チタン薄膜層を順次積層し、選択光透過性を有す
る積層体を得た。 ただし、この場合には酸化チタン薄膜層を、市
販の高純度の二酸化チタン粉末を成型したターゲ
ツトを用いて低温スパツタリングで設けた。。ス
パツタリング条件は真空槽を高真空(5×
10-6torr)まで排気した後Arガスを5×10-3torr
の圧力になるまで導入し、高周波電場によつて酸
化チタン薄膜層を設けた。高周波スパツタリング
出力は500W被スパツタ部とターゲツト間の距離
は10cmとし、スパツタリング時間20分で300Å、
18分で280Åの膜厚を有する酸化チタン薄膜層を
得た。 炭素層の膜厚を変えた時の、可視光透過率、平
均赤外反射率、赤外光反射率初期値(10μ)劣化
時間を表―2に示す。
耐熱性が悪く、劣化時間が非常に短かい。一方炭
素層が100Åを超えると可視光透過率が著しく低
下し実用に供しない。 実施例4〜6 比較例3,4 実施例1と同じ方法で、二軸延伸ポリエチレン
テレフタレートフイルム上に、300Åの酸化チタ
ン薄膜層、炭素層150Åの銀及び銅の合金よりな
る薄膜層、種々の厚さの炭素層及び280Åの酸化
チタン薄膜層を順次積層し、選択光透過性を有す
る積層体を得た。 ただし、この場合には酸化チタン薄膜層を、市
販の高純度の二酸化チタン粉末を成型したターゲ
ツトを用いて低温スパツタリングで設けた。。ス
パツタリング条件は真空槽を高真空(5×
10-6torr)まで排気した後Arガスを5×10-3torr
の圧力になるまで導入し、高周波電場によつて酸
化チタン薄膜層を設けた。高周波スパツタリング
出力は500W被スパツタ部とターゲツト間の距離
は10cmとし、スパツタリング時間20分で300Å、
18分で280Åの膜厚を有する酸化チタン薄膜層を
得た。 炭素層の膜厚を変えた時の、可視光透過率、平
均赤外反射率、赤外光反射率初期値(10μ)劣化
時間を表―2に示す。
【表】
これからわかるように、炭素層のない場合には
耐熱性が悪く、炭素層が100Åをこえると、可視
光透過率がいちじるしく低下することがわかる。 実施例7〜10 比較例5〜7 反射防止層をテトラブルチタネートの4量体か
ら形成される酸化チタン薄膜層のかわりに、イオ
ンプレーテイング法によつて形成された酸化チタ
ン、酸化ジルコニウムおよび酸化タンタルの薄膜
層で置換え、炭素層の膜厚を表―3に示した値に
する以外は同じにして、実施例1を繰返した。 イオンプレーテイングは以下の条件で行なつ
た。 酸素ガス分圧 5×10-4torr 高周波電力 200W (13.56MHz) 膜厚はすべて300Å設けた。 その結果は表―3に示す。
耐熱性が悪く、炭素層が100Åをこえると、可視
光透過率がいちじるしく低下することがわかる。 実施例7〜10 比較例5〜7 反射防止層をテトラブルチタネートの4量体か
ら形成される酸化チタン薄膜層のかわりに、イオ
ンプレーテイング法によつて形成された酸化チタ
ン、酸化ジルコニウムおよび酸化タンタルの薄膜
層で置換え、炭素層の膜厚を表―3に示した値に
する以外は同じにして、実施例1を繰返した。 イオンプレーテイングは以下の条件で行なつ
た。 酸素ガス分圧 5×10-4torr 高周波電力 200W (13.56MHz) 膜厚はすべて300Å設けた。 その結果は表―3に示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 透明なシート状基材の少なくとも片面に、金
属層Aおよび高屈折率反射防止層Bを積層してな
る積層体において、該金属層Aが厚さ3〜100Å
の炭素から主として構成される層Cおよび厚さ50
〜350Åの銀から主として構成される金属層Dの
積層体である選択光透過性積層体。 2 当該金属層Aが層C、金属層D、層Cの順に
積層してなる特許請求の範囲第1項記載の選択光
透過性積層体。 3 当該金属層Dが銅を0.1〜30重量%含む銀か
ら主として構成されている特許請求の範囲第1項
又は第2項記載の選択光透過性積層体。 4 当該高屈折率反射防止層Bが、チタン、イン
ジウム、亜鉛、錫、イツトリウム、エルビウム、
ジルコニウム、セリウム、タンタルおよびハフニ
ウムから選ばれた一種以上の金属の酸化物である
特許請求の範囲第1項乃至第3項記載のいずれか
の選択光透過性積層体。 5 当該金属層Aが当該高屈折率反射防止層Bで
サンドイツチ状にはさまれたものである特許請求
の範囲第1項乃至第4項記載のいずれかの選択光
透過性積層体。 6 当該高屈折率反射防止層Bが有機チタン化合
物から形成され且つ有機物を0.1〜5重量%含有
する酸化チタンである特許請求の範囲第1項乃至
第3項記載のいずれかの選択光透過性積層体。 7 可視光透過率が50%以上、平均赤外反射率が
70%以上である特許請求の範囲第1項乃至第6項
記載のいずれかの選択光透過性積層体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7418280A JPS571754A (en) | 1980-06-04 | 1980-06-04 | Laminate |
EP81300985A EP0035906B2 (en) | 1980-03-10 | 1981-03-10 | Selectively light-transmitting laminated structure |
DE8181300985T DE3160998D1 (en) | 1980-03-10 | 1981-03-10 | Selectively light-transmitting laminated structure |
US06/438,535 US4413877A (en) | 1980-03-10 | 1982-11-01 | Selectively light-transmitting laminated structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7418280A JPS571754A (en) | 1980-06-04 | 1980-06-04 | Laminate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS571754A JPS571754A (en) | 1982-01-06 |
JPS626495B2 true JPS626495B2 (ja) | 1987-02-12 |
Family
ID=13539765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7418280A Granted JPS571754A (en) | 1980-03-10 | 1980-06-04 | Laminate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS571754A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ZA836920B (en) * | 1982-09-21 | 1985-04-24 | Pilkington Brothers Plc | Low emissivity coatings on transparent substrates |
AU561315B2 (en) * | 1984-10-29 | 1987-05-07 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Sputtering films of metal alloy oxide |
-
1980
- 1980-06-04 JP JP7418280A patent/JPS571754A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS571754A (en) | 1982-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4413877A (en) | Selectively light-transmitting laminated structure | |
EP0049083B1 (en) | Laminated film | |
US5225273A (en) | Transparent electroconductive laminate | |
JPS5944993B2 (ja) | 積層体 | |
JPH02194943A (ja) | 透明導電性積層体 | |
JPS6036940B2 (ja) | 被膜の形成方法 | |
JPS6134384B2 (ja) | ||
JPS6250294B2 (ja) | ||
JPH0116671B2 (ja) | ||
JPS635263B2 (ja) | ||
JPS6151762B2 (ja) | ||
JPS626495B2 (ja) | ||
JP2000108244A (ja) | 透明導電膜とその製造方法および透明導電膜付き基体 | |
JPS626497B2 (ja) | ||
JPS6362846B2 (ja) | ||
JPS6226310B2 (ja) | ||
JPS6238432B2 (ja) | ||
JPS634507B2 (ja) | ||
KR880000988B1 (ko) | 선택적 빛 투과 적층체 | |
JPH02208627A (ja) | 調光フィルム | |
JP3048656B2 (ja) | 透明導電性積層体 | |
JPS5810228B2 (ja) | 積層体 | |
CN220986086U (zh) | 一种钙钛矿电池组件 | |
JP2874978B2 (ja) | 透明導電性積層体 | |
JPS6059147B2 (ja) | 積層体 |