JPS6262887A - 液晶材料 - Google Patents
液晶材料Info
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- JPS6262887A JPS6262887A JP20378085A JP20378085A JPS6262887A JP S6262887 A JPS6262887 A JP S6262887A JP 20378085 A JP20378085 A JP 20378085A JP 20378085 A JP20378085 A JP 20378085A JP S6262887 A JPS6262887 A JP S6262887A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は液晶材料１こ関する。
液晶材料は、低消費電力、受光型、薄型としった特性を
持つ表示装置をつくることを可能にし、その市場は大さ
く広がった。現在の表示素子に使用されている液晶材料
はネマチック中間相を形成しており、表示素子はこの相
状態を利用するものである。
持つ表示装置をつくることを可能にし、その市場は大さ
く広がった。現在の表示素子に使用されている液晶材料
はネマチック中間相を形成しており、表示素子はこの相
状態を利用するものである。
従来のツイスト−ネマティック（ＴＮと略す）型液晶表
示素子の断面構成図を第３図に示す。図において、（Ｉ
）は液晶分子、（２）は偏光板、（３）は配向膜、（４
）はガラス基板、（５）は透明電極である。即ち、図に
示されるように、液晶分子（Ｉ）は電圧が印加されてい
ない場合には一方の基板から他方の基板間で約９０°ね
じれており偏光板（２）により直線偏光された入射光は
、液晶分子（Ｉ）にそって９０°ねじれる。
示素子の断面構成図を第３図に示す。図において、（Ｉ
）は液晶分子、（２）は偏光板、（３）は配向膜、（４
）はガラス基板、（５）は透明電極である。即ち、図に
示されるように、液晶分子（Ｉ）は電圧が印加されてい
ない場合には一方の基板から他方の基板間で約９０°ね
じれており偏光板（２）により直線偏光された入射光は
、液晶分子（Ｉ）にそって９０°ねじれる。
この透過光が他方の偏光板（２）によりさえぎられる。
電圧を印加した場合には液晶層のねじれが解消されて直
線偏光された入射光は、そのままで液晶層を通り、偏光
板にさえぎられなくなり表示が可能になるがこの場合の
応答速度は下記の式より決まる。
線偏光された入射光は、そのままで液晶層を通り、偏光
板にさえぎられなくなり表示が可能になるがこの場合の
応答速度は下記の式より決まる。
立ち上がり時間（以下τ、とする）は
τ、＝ηｄ２／（ε０ΔεＶ２−にπ２）であり、立ち
下がり時間（以下τｄとする）はτｄ＝ηｄ２／にπ２ である。これらの式においてηは液晶材料の粘度、ｄは
セル厚、ε。は真空誘電率、Δεは液晶の誘電率異方性
、■はセルに印加されたｔは圧、Ｋは液晶の弾性定数で
ある。これらの式かられかるように液晶の応答速度は液
晶の粘度とセル厚に最も大きく依存し、特にτｄの場合
には、印加電圧の依存性がないために液晶の粘度、セル
厚の影響が大きい。
下がり時間（以下τｄとする）はτｄ＝ηｄ２／にπ２ である。これらの式においてηは液晶材料の粘度、ｄは
セル厚、ε。は真空誘電率、Δεは液晶の誘電率異方性
、■はセルに印加されたｔは圧、Ｋは液晶の弾性定数で
ある。これらの式かられかるように液晶の応答速度は液
晶の粘度とセル厚に最も大きく依存し、特にτｄの場合
には、印加電圧の依存性がないために液晶の粘度、セル
厚の影響が大きい。
さらにセル厚は、プロセス上及び表示品位（セル厚が薄
すぎると光をさえぎった状態においても干渉色によって
着色してしまう。）の観点から６μｍ以下にすることが
困難で、そのため液晶材料の理論的限界から考えても立
ち下がりを１０ｍ５以下にすることが困難なことが、例
えばモレキュラクリスタルズアンドリキッドクリスタル
ズ（Ｍｏ１ｅｃｕｌｅｒＣｒｙｓｔａｌｓ ａｎｄ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ）第９４巻第１５５
〜第１６５頁に示されている。又、現在使用されている
液晶材料では、τｄが２０〜８０ｍｓ程度のものが最も
速い部類であって液晶プリンターヘッドなどで要求され
ている１ｍｓ以下の応答は望めない。
すぎると光をさえぎった状態においても干渉色によって
着色してしまう。）の観点から６μｍ以下にすることが
困難で、そのため液晶材料の理論的限界から考えても立
ち下がりを１０ｍ５以下にすることが困難なことが、例
えばモレキュラクリスタルズアンドリキッドクリスタル
ズ（Ｍｏ１ｅｃｕｌｅｒＣｒｙｓｔａｌｓ ａｎｄ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ）第９４巻第１５５
〜第１６５頁に示されている。又、現在使用されている
液晶材料では、τｄが２０〜８０ｍｓ程度のものが最も
速い部類であって液晶プリンターヘッドなどで要求され
ている１ｍｓ以下の応答は望めない。
このようにネマティック液晶を用いた表示素子では、応
答時間が遅いという欠点があるため、近年、高速応答、
メモリー性を有する強誘電性液晶の開発が盛んになって
いる８強誘電性液晶として最初に開発されたものは、 ｎ Ｃ１１ｌ Ｈ２１０＠ ＣＨ＝Ｎ＋ ＣＨ＝？Ｈ・ ＣＨ−ＣＯＯ−ＣＩ（２ＣＨＣＨ，、ＣＨｉ＊ ＊ （式中Ｃは不斉炭素を示す。） （以下ＤＯＢＡＭＢＣと略す）で、これを用いをことに
より１μｓまでの応答ができる表示素子が得られること
がアール・ビ・メイヤー（Ｒ，Ｂ、 Ｍｅｙｅｒ ）
らによりジャーナルオブフイシックス（フランス）（
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｆｒａｎｃｅ
）第３６巻、第６９頁（Ｉ９７５年発行）に示された
。強誘電性液晶の応答は、 τ＝η／Ｐ−Ｅ で表わされる。ここでＰは自発分極、Ｅは液晶セルにか
かる電界を表わす。強誘電性液晶の場合、明るい状態か
ら暗い状態またその逆であっても応答時間は同じである
。この式から明らかなように、Ｐ及びＥが大きいと高速
応答が期待できる。
答時間が遅いという欠点があるため、近年、高速応答、
メモリー性を有する強誘電性液晶の開発が盛んになって
いる８強誘電性液晶として最初に開発されたものは、 ｎ Ｃ１１ｌ Ｈ２１０＠ ＣＨ＝Ｎ＋ ＣＨ＝？Ｈ・ ＣＨ−ＣＯＯ−ＣＩ（２ＣＨＣＨ，、ＣＨｉ＊ ＊ （式中Ｃは不斉炭素を示す。） （以下ＤＯＢＡＭＢＣと略す）で、これを用いをことに
より１μｓまでの応答ができる表示素子が得られること
がアール・ビ・メイヤー（Ｒ，Ｂ、 Ｍｅｙｅｒ ）
らによりジャーナルオブフイシックス（フランス）（
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｆｒａｎｃｅ
）第３６巻、第６９頁（Ｉ９７５年発行）に示された
。強誘電性液晶の応答は、 τ＝η／Ｐ−Ｅ で表わされる。ここでＰは自発分極、Ｅは液晶セルにか
かる電界を表わす。強誘電性液晶の場合、明るい状態か
ら暗い状態またその逆であっても応答時間は同じである
。この式から明らかなように、Ｐ及びＥが大きいと高速
応答が期待できる。
上記のような従来のＤＯＢＡＭＢＣの強誘電性液晶では
、Ｐは３〜４ ｎＣ７ｃｍ”を示しており、十分な大き
さのＰとは云えないという問題点がある。又、表示素子
にＤＯＢＡｊｓｌＢＣを用いた場合、ＤＯＢＡＭＢＣは
配向させるのが困難であるといった問題点を有する。即
ちネマティック液晶の場合はポリイミドの薄膜をガラス
基返上に形成し、アクリルの布などでラビングすること
により良好な配向を得られる。しかしＤＯＢＡＭＢＣは
等方性液体からスメクチックＡ相を経て強誘電性を示す
スメクチックＣ相になるため、スメクチックＡ相におけ
る配向の乱れがそのまま反映されてしまう。そのため磁
場を用いてゆっくりと（Ｉ〜２ｈｒ）、等方性液体から
冷却したり高い電界（５０〜１００Ｖ） を印加して
配向させるという手法を用いていた。このようなスメク
チックＣ相における配向制御の困難さは、実用的な液晶
セルを作製する際の問題点である。
、Ｐは３〜４ ｎＣ７ｃｍ”を示しており、十分な大き
さのＰとは云えないという問題点がある。又、表示素子
にＤＯＢＡｊｓｌＢＣを用いた場合、ＤＯＢＡＭＢＣは
配向させるのが困難であるといった問題点を有する。即
ちネマティック液晶の場合はポリイミドの薄膜をガラス
基返上に形成し、アクリルの布などでラビングすること
により良好な配向を得られる。しかしＤＯＢＡＭＢＣは
等方性液体からスメクチックＡ相を経て強誘電性を示す
スメクチックＣ相になるため、スメクチックＡ相におけ
る配向の乱れがそのまま反映されてしまう。そのため磁
場を用いてゆっくりと（Ｉ〜２ｈｒ）、等方性液体から
冷却したり高い電界（５０〜１００Ｖ） を印加して
配向させるという手法を用いていた。このようなスメク
チックＣ相における配向制御の困難さは、実用的な液晶
セルを作製する際の問題点である。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、より高い応答性を有し、配向性良好な液晶材料を
得ることを目的とする。
ので、より高い応答性を有し、配向性良好な液晶材料を
得ることを目的とする。
この発明の液晶材料は、一般式（Ｉ）
式中、古は不斉炭素、Ｘは炭素数７〜１４の直鎖状アル
コキシ基である。
コキシ基である。
で示される液晶化合物を少なくとも一種含有するもので
ある。
ある。
この発明における液晶化合物は、光学活性の末端基に特
徴を有する。従来の強誘電性液晶はＤＯＢＡＭＢＣで見
られるように光学活性の末端基は下式に示す構造のもの
が多い。
徴を有する。従来の強誘電性液晶はＤＯＢＡＭＢＣで見
られるように光学活性の末端基は下式に示す構造のもの
が多い。
（ｉ：Ｈｉ 。
Ｃ，Ｈ，ＣＨＣＨ２Ｕ−Ｃ−
＊ （Ｉｆ）このも
のは、強誘電性を示す液晶相が出現しやすいが、自発分
極がやや小さいという欠点を有する。このことは分子間
の相互作用をかなり支配している不斉炭素と、双極子モ
ーメントを発現しているカルボニル基の位置が遠いため
と考えられる。
のは、強誘電性を示す液晶相が出現しやすいが、自発分
極がやや小さいという欠点を有する。このことは分子間
の相互作用をかなり支配している不斉炭素と、双極子モ
ーメントを発現しているカルボニル基の位置が遠いため
と考えられる。
そのためこの発明では下式に示すように不斉炭素とカル
ボニル基を隣接させることにより、自発分極を大きくし
た。
ボニル基を隣接させることにより、自発分極を大きくし
た。
ＣＨ，０
Ｃ２Ｈ５ＣＨＣＯ−
＊
〔実施例〕
この発明に係わる一般式（Ｉ）
で示される液晶化合物の例とその液晶転移点を表に示す
。
。
上表に於てＣｒは結晶相を、ＳＧ”？よスメクチックＧ
相を、Ｓ！ はスメクチックＧ相を、ＳＧ本はスメ＊ クチツクＣ相を、ＳＡはスメクチックＡ相を、■は等方
性液体相をそれぞれ表わし各相の欄の・及びその右側の
数字は、その相から右側の相への相転移温度を示し、−
はその相を示さないことを表わし、（）はモノトロピッ
クに液晶相が出現することを示す。又、上記一般式（Ｉ
）で示される液晶化合物の製造は下記工程により行なわ
れる。
相を、Ｓ！ はスメクチックＧ相を、ＳＧ本はスメ＊ クチツクＣ相を、ＳＡはスメクチックＡ相を、■は等方
性液体相をそれぞれ表わし各相の欄の・及びその右側の
数字は、その相から右側の相への相転移温度を示し、−
はその相を示さないことを表わし、（）はモノトロピッ
クに液晶相が出現することを示す。又、上記一般式（Ｉ
）で示される液晶化合物の製造は下記工程により行なわ
れる。
ＨＯ−（ζ巨）−Ｎｏ２
（ロ）即ち、Ｐ−ニト
ロフェノール（［０を（ト）２−メチルブチルカルボン
酸と反応させて（２）を得る。（２）をパラジウム炭素
を用いて還元し、（［Ｖ）を得る。さらに（■）を弱酸
性下Ｐ−アルコキシベンズアルデヒドと反応させ一般式
（Ｉ）の液晶化合物を得る。この方法で合成される一般
式（Ｉ）の液晶化合物は、Ｘがへブチロキシからテトラ
デシロキシまでのものである。
（ロ）即ち、Ｐ−ニト
ロフェノール（［０を（ト）２−メチルブチルカルボン
酸と反応させて（２）を得る。（２）をパラジウム炭素
を用いて還元し、（［Ｖ）を得る。さらに（■）を弱酸
性下Ｐ−アルコキシベンズアルデヒドと反応させ一般式
（Ｉ）の液晶化合物を得る。この方法で合成される一般
式（Ｉ）の液晶化合物は、Ｘがへブチロキシからテトラ
デシロキシまでのものである。
又、この発明の液晶材料を用いて表示素子を作成する場
合、その表示方式として、例えば２種類考えられ、第１
図に偏光板を２枚使用した複屈折型、および第８図に二
色性色素を使用したゲスト−ホスト型の表示素子の原理
図を示す１図において、（６ンは偏光板の偏光方向、（
７）は色素分子、Ｏは紙面に垂直で下から上の双極子、
■は紙面に垂直で上から下の双極子、十Ｅは紙面に垂直
で下から上の電界方向、−Ｅは紙面に垂直で上から下の
電界方向を示す。即ち、液晶分子の双極子は、電界と同
じ方向に配向する。そのため電界を反転させ・ることに
より双極子も反転し液晶分子の傾き方向が変わる。これ
により複屈折型では屈折率が、ゲスト−ホスト型では色
素の吸光度が変化し明瞭なコントラストを得ることがで
きる。
合、その表示方式として、例えば２種類考えられ、第１
図に偏光板を２枚使用した複屈折型、および第８図に二
色性色素を使用したゲスト−ホスト型の表示素子の原理
図を示す１図において、（６ンは偏光板の偏光方向、（
７）は色素分子、Ｏは紙面に垂直で下から上の双極子、
■は紙面に垂直で上から下の双極子、十Ｅは紙面に垂直
で下から上の電界方向、−Ｅは紙面に垂直で上から下の
電界方向を示す。即ち、液晶分子の双極子は、電界と同
じ方向に配向する。そのため電界を反転させ・ることに
より双極子も反転し液晶分子の傾き方向が変わる。これ
により複屈折型では屈折率が、ゲスト−ホスト型では色
素の吸光度が変化し明瞭なコントラストを得ることがで
きる。
これらの方向を用いることにより、従来のＴＮ素子より
も１／１００以下の応答時間で、メモリ効果を利用して
時分割駆動が容易な素子を作ることができる。
も１／１００以下の応答時間で、メモリ効果を利用して
時分割駆動が容易な素子を作ることができる。
以下実施例によりこの発明の液晶材料について更に詳し
く説明する。
く説明する。
実施例１
〔４′−デシロキシベンジリデン−４−（２−メチルブ
チロイルオキシ）アニリンの製造）（（Ｉ）式％式％） フラスコに、（＋）−２−メチルブチルカフボン酸１０
９ （０，０９８モル）とベンゼン８０ｍ１！を入れ、
攪拌したところへトリフルオロ酢酸無水物２５ｍ１（０
，１８モル）を加え、室温で約３０分間攪拌を続ける。
チロイルオキシ）アニリンの製造）（（Ｉ）式％式％） フラスコに、（＋）−２−メチルブチルカフボン酸１０
９ （０，０９８モル）とベンゼン８０ｍ１！を入れ、
攪拌したところへトリフルオロ酢酸無水物２５ｍ１（０
，１８モル）を加え、室温で約３０分間攪拌を続ける。
この溶液にＰ−ニトロフェノール１３．８９ （０，０
９８モル）を加える。Ｐ−ニトロフェノールが完全に溶
解した後、１０分間攪拌する。このベンゼン溶液を、１
０％の水酸化ナトリウム水溶液で３回洗浄した後、蒸溜
水でさらに洗浄し乾燥した。溶媒を留去し、カラムクロ
マトグラフィーにより精製し、１５．６ノの（２）を得
た。
９８モル）を加える。Ｐ−ニトロフェノールが完全に溶
解した後、１０分間攪拌する。このベンゼン溶液を、１
０％の水酸化ナトリウム水溶液で３回洗浄した後、蒸溜
水でさらに洗浄し乾燥した。溶媒を留去し、カラムクロ
マトグラフィーにより精製し、１５．６ノの（２）を得
た。
化合物（［ｌｌ）の沸点は１４０°Ｏ／ ８ ｔｏｒｒ
であった。
であった。
第２段階
フラスコにパラジウム炭素（Ｉル）を１ｆ入れ、そこに
化合物（２）１０ｇ（０，０４５モル）をエタノール３
０ｍ１！に溶解したものを加え、水素ガス雰囲気下、５
０″Ｃで２時間攪拌した。パラジウム炭素を日別し、溶
媒を留去すると白色固形物を得た。ヘキサンより再結晶
し、化合物（菌を４ｌ得た。化合物（ｒｖ）の融点は５
２．４°Ｃであった。
化合物（２）１０ｇ（０，０４５モル）をエタノール３
０ｍ１！に溶解したものを加え、水素ガス雰囲気下、５
０″Ｃで２時間攪拌した。パラジウム炭素を日別し、溶
媒を留去すると白色固形物を得た。ヘキサンより再結晶
し、化合物（菌を４ｌ得た。化合物（ｒｖ）の融点は５
２．４°Ｃであった。
第３段階
フラスコにＰ−デシロキシベンズアルデヒド１．３６ノ
（０，００５モル）、エタノール１０ｍ１！酢酸２滴を
入れ、攪拌したところへ化合物（ＩＩ’）（ｏ、ｏｏ５
モル）をエタノール１０ｍ１！に溶解した溶液を室温で
滴下した。滴下した滴下後、析出した結晶を日別し、エ
タノールより再結晶し、最終目的物である４′−デシロ
キシベンジリデン−４−（２−メチルブチロイルオキシ
）アニリンを１．６ノ得た。この化合物の元累分析値は
次の如く計算値とよく一致した。
（０，００５モル）、エタノール１０ｍ１！酢酸２滴を
入れ、攪拌したところへ化合物（ＩＩ’）（ｏ、ｏｏ５
モル）をエタノール１０ｍ１！に溶解した溶液を室温で
滴下した。滴下した滴下後、析出した結晶を日別し、エ
タノールより再結晶し、最終目的物である４′−デシロ
キシベンジリデン−４−（２−メチルブチロイルオキシ
）アニリンを１．６ノ得た。この化合物の元累分析値は
次の如く計算値とよく一致した。
実測値（重量％） 計算値（車量％） Ｃ２＆ Ｈ＊ｇ
ＯｑＮ としてＣ９，１４８，９８ Ｈ７６，５４７６，８４ Ｎ ａ、４５ ８．２０の化
合物はＳｃ＊相、Ｓ５相及びＳＣ＊相を示す化合物であ
り、その転移温度は表に示したとおりである。また自発
分極は４０ｎｃ〆扉とかなり大きい。
ＯｑＮ としてＣ９，１４８，９８ Ｈ７６，５４７６，８４ Ｎ ａ、４５ ８．２０の化
合物はＳｃ＊相、Ｓ５相及びＳＣ＊相を示す化合物であ
り、その転移温度は表に示したとおりである。また自発
分極は４０ｎｃ〆扉とかなり大きい。
実施例２〜８
実施例１に於ける第８段階のＰ−デシロキシベンズアル
デヒドの代りにＰ−へブチロキシベンズアルデヒドから
Ｐ−ヘキサデニルオキシペンズアルデヒドを使用する他
は実施例１に準じて操作を行い表に示す（Ｉ）式の液晶
化合物を合成した それらの相転移点は表に示した通り
である。又、これらの自発分極値は実施例１と同程度で
ある。
デヒドの代りにＰ−へブチロキシベンズアルデヒドから
Ｐ−ヘキサデニルオキシペンズアルデヒドを使用する他
は実施例１に準じて操作を行い表に示す（Ｉ）式の液晶
化合物を合成した それらの相転移点は表に示した通り
である。又、これらの自発分極値は実施例１と同程度で
ある。
ＨＯＣ１ｌ。
で表わされる化合物６７重量％及び表の実施力４の化合
物３３３ｆ入％からなる液晶混合物は、−１８℃〜２５
’Ｏｆ テＳ−相を示し、２５°ｃ〜７ｏ°ｃでｓｍｃ
＊を示す。この液晶組成物をポリイミドを塗布し、表面
をラビングにより平行処理を施した透明電極を備えた５
μｍ厚のセルに注入し、等方性液体相から２０Ｖ６０Ｈ
ｚの交流を加えながら、ＳＣ＊相になるまで徐冷したと
ころ、均一な配向状態が得られた。
物３３３ｆ入％からなる液晶混合物は、−１８℃〜２５
’Ｏｆ テＳ−相を示し、２５°ｃ〜７ｏ°ｃでｓｍｃ
＊を示す。この液晶組成物をポリイミドを塗布し、表面
をラビングにより平行処理を施した透明電極を備えた５
μｍ厚のセルに注入し、等方性液体相から２０Ｖ６０Ｈ
ｚの交流を加えながら、ＳＣ＊相になるまで徐冷したと
ころ、均一な配向状態が得られた。
この液晶セルを直交ニコル状態に配置した２枚の偏光子
の間にはさみ、５Ｖの周波数（Ｉ０１（ｚ）の交流を印
加みたところ、明瞭なスイッチング動作が観察され、非
常にコントラストもよく応答速度が速い（ｘｍｓｅｃ）
液晶表示素子が得られた。なく、この液晶の自発分極は
１２ ｎ ｃ ／ｃｒｔｌであった。
の間にはさみ、５Ｖの周波数（Ｉ０１（ｚ）の交流を印
加みたところ、明瞭なスイッチング動作が観察され、非
常にコントラストもよく応答速度が速い（ｘｍｓｅｃ）
液晶表示素子が得られた。なく、この液晶の自発分極は
１２ ｎ ｃ ／ｃｒｔｌであった。
なお、上記実施例では一般式（Ｉ）で示される液晶化合
物を１皿類用いた場合について示したが、２種類以上お
よびその低添加物を用いた場合も所期の目的を達成する
ことができる。
物を１皿類用いた場合について示したが、２種類以上お
よびその低添加物を用いた場合も所期の目的を達成する
ことができる。
この発明は以上説明したとおり、一般式（Ｉ）式中５は
不斉炭素、Ｘは炭素数７〜１４の直鎖状アルコキシ基で
ある。
不斉炭素、Ｘは炭素数７〜１４の直鎖状アルコキシ基で
ある。
で示される液晶化合物を少なくとも一種含有するものを
用いることにより、より高い応答性を有し、配向性良好
な液晶材料を得ることができる、
用いることにより、より高い応答性を有し、配向性良好
な液晶材料を得ることができる、
第１図および第２図はこの発明の実施例の液晶材料を用
いた表示素子の原理図、第８図は従来のＴＮ型液晶表示
素子の断面構成図である。 図において、（Ｉ）は液晶分子、（６）は偏光板の偏光
方向、（７）は色素分子、Ｏは紙面に垂直で下から上の
双極子、■は紙面に垂直で上から下の双極子、十Ｅは紙
面に垂直で下から上の電界方向、−Ｅは紙面に垂直で上
から下の電界方向を示す。 なお図中同一符号は、同−又は相当部分を示す。
いた表示素子の原理図、第８図は従来のＴＮ型液晶表示
素子の断面構成図である。 図において、（Ｉ）は液晶分子、（６）は偏光板の偏光
方向、（７）は色素分子、Ｏは紙面に垂直で下から上の
双極子、■は紙面に垂直で上から下の双極子、十Ｅは紙
面に垂直で下から上の電界方向、−Ｅは紙面に垂直で上
から下の電界方向を示す。 なお図中同一符号は、同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中Ｃ＾＊は不斉炭素、Ｘは炭素数７〜１４の直鎖状
アルコキシ基である。） で示される液晶化合物を少なくとも一種含有する液晶材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20378085A JPS6262887A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 液晶材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20378085A JPS6262887A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 液晶材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262887A true JPS6262887A (ja) | 1987-03-19 |
Family
ID=16479652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20378085A Pending JPS6262887A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 液晶材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6262887A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS515354A (ja) * | 1974-07-02 | 1976-01-17 | Showa Denko Kk | Jushisoseibutsu |
| JPS61231082A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-15 | Chisso Corp | 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物 |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP20378085A patent/JPS6262887A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS515354A (ja) * | 1974-07-02 | 1976-01-17 | Showa Denko Kk | Jushisoseibutsu |
| JPS61231082A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-15 | Chisso Corp | 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物 |
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