JPS6262453U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6262453U JPS6262453U JP15342885U JP15342885U JPS6262453U JP S6262453 U JPS6262453 U JP S6262453U JP 15342885 U JP15342885 U JP 15342885U JP 15342885 U JP15342885 U JP 15342885U JP S6262453 U JPS6262453 U JP S6262453U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mos transistor
- transistor
- junction
- cross
- sectional area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案インバータの一実施例を示す断
面図、第２図は本考案の説明に供する線図、第３
図は従来のインバータの製造工程を示す線図、第
４図は第３図に示すインバータの等価回路を示す
接続図である。 １はＰ形シリコン基板、４はｎ―ＭＯＳトラン
ジスタのソース領域、５はｎ―ＭＯＳトランジス
タのドレイン領域、６はｎ―ＭＯＳトランジスタ
のチヤンネル領域、７はｎ―ＭＯＳトランジスタ
のゲート絶縁膜、８はｎ―ＭＯＳトランジスタの
ゲート電極、９はｎ―ＭＯＳトランジスタ、１０
はＰ―ＭＯＳトランジスタのドレイン領域、１１
はＰ―ＭＯＳトランジスタのソース領域、１２は
Ｐ―ＭＯＳトランジスタのチヤンネル領域、１３
はＰ―ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜、１４
はＰ―ＭＯＳトランジスタのゲート電極、１５は
Ｐ―ＭＯＳトランジスタである。
面図、第２図は本考案の説明に供する線図、第３
図は従来のインバータの製造工程を示す線図、第
４図は第３図に示すインバータの等価回路を示す
接続図である。 １はＰ形シリコン基板、４はｎ―ＭＯＳトラン
ジスタのソース領域、５はｎ―ＭＯＳトランジス
タのドレイン領域、６はｎ―ＭＯＳトランジスタ
のチヤンネル領域、７はｎ―ＭＯＳトランジスタ
のゲート絶縁膜、８はｎ―ＭＯＳトランジスタの
ゲート電極、９はｎ―ＭＯＳトランジスタ、１０
はＰ―ＭＯＳトランジスタのドレイン領域、１１
はＰ―ＭＯＳトランジスタのソース領域、１２は
Ｐ―ＭＯＳトランジスタのチヤンネル領域、１３
はＰ―ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜、１４
はＰ―ＭＯＳトランジスタのゲート電極、１５は
Ｐ―ＭＯＳトランジスタである。
Claims (1)
- 相補型トランジスタで構成されるインバータに
おいて、上記相補型トランジスタを共通の半導体
層で形成すると共に上記相補型トランジスタの負
荷トランジスタのＰＮ接合部の断面積を駆動トラ
ンジスタのＰＮ接合部の断面積より小さくしたこ
とを特徴とするインバータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15342885U JPH0432763Y2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15342885U JPH0432763Y2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262453U true JPS6262453U (ja) | 1987-04-17 |
| JPH0432763Y2 JPH0432763Y2 (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=31072299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15342885U Expired JPH0432763Y2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0432763Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-10-07 JP JP15342885U patent/JPH0432763Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0432763Y2 (ja) | 1992-08-06 |