JPS6262449A - 光デイスク用原盤およびその製造方法 - Google Patents
光デイスク用原盤およびその製造方法Info
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- JPS6262449A JPS6262449A JP20207185A JP20207185A JPS6262449A JP S6262449 A JPS6262449 A JP S6262449A JP 20207185 A JP20207185 A JP 20207185A JP 20207185 A JP20207185 A JP 20207185A JP S6262449 A JPS6262449 A JP S6262449A
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- trivalent chromium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はビデオディスク、ディジタルオーディオディス
ク(例えばコンパクトディスク)、静止画、文書ファイ
ルなどのディジタル信号を記録。
ク(例えばコンパクトディスク)、静止画、文書ファイ
ルなどのディジタル信号を記録。
再生または消去可能な光ディスクを製造するだめの光デ
ィスク用原盤およびその製造方法に関するものである。
ィスク用原盤およびその製造方法に関するものである。
従来の技術
この種の光ディスクは、その情報密度が極めて大きいこ
とや、S/N比が大きく、ノイズが少ないことなど情報
媒体として有望視され、ビデオディスクやディジタルオ
ーディオディスクとして商品化され、ディジタル信号を
記録、再生、消去可能な光ディスクとしても近年研究開
発が行われている。
とや、S/N比が大きく、ノイズが少ないことなど情報
媒体として有望視され、ビデオディスクやディジタルオ
ーディオディスクとして商品化され、ディジタル信号を
記録、再生、消去可能な光ディスクとしても近年研究開
発が行われている。
第3図に従来の一般的なディジタルオーディオディスク
であるコンパクトディスクの概要を示す。
であるコンパクトディスクの概要を示す。
これはPCM変換されたディジタル信号が樹脂基板にビ
ット列状に記録され、半導体レーザにより再生されるも
のである。
ット列状に記録され、半導体レーザにより再生されるも
のである。
第3図において、1はディスク、2は樹脂基板、3は樹
脂基板2に刻まれたピット列状のディジタル信号部、4
はその表面に形成された反射膜、5は反射膜4にコーテ
ィングされた保護膜、6は再生用の半導体レーザ光であ
る。
脂基板2に刻まれたピット列状のディジタル信号部、4
はその表面に形成された反射膜、5は反射膜4にコーテ
ィングされた保護膜、6は再生用の半導体レーザ光であ
る。
樹脂基板2は一般的に射出成形や射出・圧縮成形などの
成形法で量産される。光ディスク用厚盤は樹脂基板2を
成形法で製造するために必要なものであり成形金型に取
付けられる。
成形法で量産される。光ディスク用厚盤は樹脂基板2を
成形法で製造するために必要なものであり成形金型に取
付けられる。
第2図に従来の光ディスク用原盤およびその製造方法を
示す。第2図a −fは各々の工程を示す断面図である
。ガラス基板7にフォトレジスト8が塗布され、レーザ
光9によりディジタル信号が記録され、現像処理により
ディジタル信号部10が形成される。次にニッケル(N
1)や銀(Aq)などの金属薄膜11が蒸着等の方法で
形成され、その上にニッケル(Ni)メッキを施すこと
よりメッキ膜12が形成される。その後、ガラス基板7
を剥離すれば先ディスク用原盤が形成される。
示す。第2図a −fは各々の工程を示す断面図である
。ガラス基板7にフォトレジスト8が塗布され、レーザ
光9によりディジタル信号が記録され、現像処理により
ディジタル信号部10が形成される。次にニッケル(N
1)や銀(Aq)などの金属薄膜11が蒸着等の方法で
形成され、その上にニッケル(Ni)メッキを施すこと
よりメッキ膜12が形成される。その後、ガラス基板7
を剥離すれば先ディスク用原盤が形成される。
この場合スタンバ−表面にはニッケル(Ni)や銀(A
q )などの金属薄膜が蒸着法などにより設けられてい
るためポーラスで信頼性かや\劣り強度的にも弱いこと
や、耐食性がよくないためスタンパ−寿命が短かいなど
の問題点を有していた。
q )などの金属薄膜が蒸着法などにより設けられてい
るためポーラスで信頼性かや\劣り強度的にも弱いこと
や、耐食性がよくないためスタンパ−寿命が短かいなど
の問題点を有していた。
このためスタンパ−の表面処理として種々の方法が試み
られた。改良の一方法として、特開昭60−7629号
があげられる。これにはスタンパ−およびその製造方法
において、スタンパ−表面に厚さ500人のクロムメッ
キを施したスタンパ−および4.0〜35fl/lの無
水クロム酸(Cr Os )と0.O6〜0.5117
1 (7)硫酸(H2BO3)とを含むメッキ液で得ら
れた6価クロムメッキ膜を形成することが開示されてい
る。
られた。改良の一方法として、特開昭60−7629号
があげられる。これにはスタンパ−およびその製造方法
において、スタンパ−表面に厚さ500人のクロムメッ
キを施したスタンパ−および4.0〜35fl/lの無
水クロム酸(Cr Os )と0.O6〜0.5117
1 (7)硫酸(H2BO3)とを含むメッキ液で得ら
れた6価クロムメッキ膜を形成することが開示されてい
る。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成で得られた光ディスク用
原盤ではニッケル(Ni)や銀CAq )などの蒸着等
の方法で形成された金属薄膜は、金属薄膜自体が酸化な
どによシ膜質が不安定になシ易く機械的強度が劣下し、
スタンパ−寿命が短かくなること。また、特開昭60−
7629号公報に示された6価クロムメッキは一般にサ
ージェント溶と称する無水クロム酸(CrO2)と硫酸
(H2BO3)との混合液によるもので、6価クロムメ
ッキは液組成が単純で管理が容易であるが反面2作業環
境や排水処理などの公害面に問題があることや、6価ク
ロムメッキ膜の被覆力が弱いことや複雑な形状、特に光
ディスク用原盤である長さ数μm。
原盤ではニッケル(Ni)や銀CAq )などの蒸着等
の方法で形成された金属薄膜は、金属薄膜自体が酸化な
どによシ膜質が不安定になシ易く機械的強度が劣下し、
スタンパ−寿命が短かくなること。また、特開昭60−
7629号公報に示された6価クロムメッキは一般にサ
ージェント溶と称する無水クロム酸(CrO2)と硫酸
(H2BO3)との混合液によるもので、6価クロムメ
ッキは液組成が単純で管理が容易であるが反面2作業環
境や排水処理などの公害面に問題があることや、6価ク
ロムメッキ膜の被覆力が弱いことや複雑な形状、特に光
ディスク用原盤である長さ数μm。
幅0.5μm、高さ0.1μmの微小ピントに対して一
様にメッキされにくいなどの問題点を有していた。
様にメッキされにくいなどの問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、光ディスク用原盤の信頼性
を向上し、寿命を長くすることや、成形されたディスク
の外観特性や光学特性を良好にするための光ディスク用
原盤およびその製造方法を提供するものである。
を向上し、寿命を長くすることや、成形されたディスク
の外観特性や光学特性を良好にするための光ディスク用
原盤およびその製造方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の光ディスク用原盤
およびその製造方法は、スタンパ−表面に3価クロムイ
オン、錯化剤、電導性塩、緩衝剤。
およびその製造方法は、スタンパ−表面に3価クロムイ
オン、錯化剤、電導性塩、緩衝剤。
触媒、還元剤により構成されるメッキ液にて3価クロム
メッキ処理を施し、膜厚5oO〜700人の3価クロム
メッキ膜を形成したものである。
メッキ処理を施し、膜厚5oO〜700人の3価クロム
メッキ膜を形成したものである。
作 用
本発明は上記した構成にて、スタンパ−の信号表面また
はスタンパ−の信号表面と裏面との両面に、メッキ液と
して少なくとも、アンモニウム塩類10〜20%、錯化
剤5〜10%、硫酸クロム20〜50%の混合液にて構
成され、3価クロムイオン濃度を28〜30971とし
て3価クロムメッキ処理を施し、膜厚500〜700人
の3価クロムメッキ膜を形成したものであり、従来のス
タンパ−表面に信頼性のや\劣る蒸着等により形成され
た金属薄膜上に膜質の優れた3価クロムメッキ膜を設け
ることによシ信頼性の高い、長寿命の光ディスク用原盤
が得られる。
はスタンパ−の信号表面と裏面との両面に、メッキ液と
して少なくとも、アンモニウム塩類10〜20%、錯化
剤5〜10%、硫酸クロム20〜50%の混合液にて構
成され、3価クロムイオン濃度を28〜30971とし
て3価クロムメッキ処理を施し、膜厚500〜700人
の3価クロムメッキ膜を形成したものであり、従来のス
タンパ−表面に信頼性のや\劣る蒸着等により形成され
た金属薄膜上に膜質の優れた3価クロムメッキ膜を設け
ることによシ信頼性の高い、長寿命の光ディスク用原盤
が得られる。
実施例
本発明の一実施例の光ディスク用原盤およびその製造方
法について図面を参照しながら説明する。
法について図面を参照しながら説明する。
第1図a%qは本発明の光ディスク用原盤およびその製
造方法を示す工程の断面図である。第1図aはガラス基
板7を示し、第1図すはガラス基板γ上に7オトレジス
ト8を塗布したのちディジタル信号に対応したレーザ光
9を記録する工程を示す。第1図Cは現像工程にて上記
レーザ光9により形成されたディジタル信号部10が設
けられたガラス原盤を示す。第1図dは上記ガラス原盤
上にメッキ処理を施こすための電導膜であるニッケル(
Ni)の金属薄膜11を蒸着にて形成する工程を示す。
造方法を示す工程の断面図である。第1図aはガラス基
板7を示し、第1図すはガラス基板γ上に7オトレジス
ト8を塗布したのちディジタル信号に対応したレーザ光
9を記録する工程を示す。第1図Cは現像工程にて上記
レーザ光9により形成されたディジタル信号部10が設
けられたガラス原盤を示す。第1図dは上記ガラス原盤
上にメッキ処理を施こすための電導膜であるニッケル(
Ni)の金属薄膜11を蒸着にて形成する工程を示す。
第1図eは上記金属薄膜11上に電気メツキ法にてニッ
ケル(Ni)メッキ膜12を形成する工程であり、この
状態で上記ガラス原盤から剥離すれば第1図fに示すよ
うにその表面がニッケル(Ni)の金属薄膜11とニッ
ケル(Ni)メッキ膜12との複合層より構成させるス
タンパ−13が得られる。
ケル(Ni)メッキ膜12を形成する工程であり、この
状態で上記ガラス原盤から剥離すれば第1図fに示すよ
うにその表面がニッケル(Ni)の金属薄膜11とニッ
ケル(Ni)メッキ膜12との複合層より構成させるス
タンパ−13が得られる。
第1図qは、上記スタンパ−13の信号表面である金属
薄膜11上に、3価のクロムメッキ膜14を、膜厚50
0〜700八に形成した光ディスク用原盤16を示す。
薄膜11上に、3価のクロムメッキ膜14を、膜厚50
0〜700八に形成した光ディスク用原盤16を示す。
この場合、まずメタ/パー13を水酸化ナトリウム(N
a OH)の30%水溶液中にてスタンパ−13を陰
極にし、電流30Aを流し、スタンパ−表面の油脂など
を除去するため電解脱脂を施す。次に、アルカリ液の付
着したスタンパ−13を濃度5係の硫酸(H2BO3)
水溶液に浸漬し中和する。次に、アンモニウム塩類であ
る塩化アンモニウム(NH4Cl)15%、硫酸クロム
(Cr2(S04)3.18H20)4o%、錯化剤1
oチを主成分とし、その他緩衝剤、触媒、還元剤などに
よシ構成されるメッキ液で、3価クロムイオン濃度を2
8〜30 ji/l にし、温度6o〜60′C1電流
密度20A/dm2、時間30秒、3価クロムメッキ処
理を施すことによシ約eoo人の3価クロムメッキ膜1
4が形成される。
a OH)の30%水溶液中にてスタンパ−13を陰
極にし、電流30Aを流し、スタンパ−表面の油脂など
を除去するため電解脱脂を施す。次に、アルカリ液の付
着したスタンパ−13を濃度5係の硫酸(H2BO3)
水溶液に浸漬し中和する。次に、アンモニウム塩類であ
る塩化アンモニウム(NH4Cl)15%、硫酸クロム
(Cr2(S04)3.18H20)4o%、錯化剤1
oチを主成分とし、その他緩衝剤、触媒、還元剤などに
よシ構成されるメッキ液で、3価クロムイオン濃度を2
8〜30 ji/l にし、温度6o〜60′C1電流
密度20A/dm2、時間30秒、3価クロムメッキ処
理を施すことによシ約eoo人の3価クロムメッキ膜1
4が形成される。
この場合、錯化剤は安定な錯イオンを形成するため、電
導性塩はメッキ液に電導性を与えるため、緩衝剤はカソ
ードにおける水素イオン(H+)濃度を一定にするため
、触媒は安定性を上げ外観をよくするため、還元剤はア
ノードにおける6価クロムの発生を防止するため各々必
要である。
導性塩はメッキ液に電導性を与えるため、緩衝剤はカソ
ードにおける水素イオン(H+)濃度を一定にするため
、触媒は安定性を上げ外観をよくするため、還元剤はア
ノードにおける6価クロムの発生を防止するため各々必
要である。
このようにして形成された3価のクロムメッキ膜は、従
来のサージェント溶による6価のクロムメッキ膜に比較
して、スタンパ−表面に均一に一様な膜厚で形成され、
しかも被覆力が強いことなどにより、光ディスク用原盤
としては信頼性が向上し安定であるなどの効果がある。
来のサージェント溶による6価のクロムメッキ膜に比較
して、スタンパ−表面に均一に一様な膜厚で形成され、
しかも被覆力が強いことなどにより、光ディスク用原盤
としては信頼性が向上し安定であるなどの効果がある。
また、本発明の3価クロムメッキ膜を信号表面に形成し
たスタンパ−を射出成形機の金型に取付け、ポリカーボ
ネート樹脂にて直径φ120m、厚さ1.2tranの
コンパクトディスクを成形した場合と、3価クロムメッ
キを施さない従来のスタンパ−との成形結果の比較を第
1表に示す。
たスタンパ−を射出成形機の金型に取付け、ポリカーボ
ネート樹脂にて直径φ120m、厚さ1.2tranの
コンパクトディスクを成形した場合と、3価クロムメッ
キを施さない従来のスタンパ−との成形結果の比較を第
1表に示す。
本発明の3価クロムメッキ処理を施したメタ/パーは成
形立上がりが早く、スタンパ−寿命も伸びることや、成
形ディスクとしても外観特性、光学特性が優れているこ
と、安定性がよいことなどが判明した。
形立上がりが早く、スタンパ−寿命も伸びることや、成
形ディスクとしても外観特性、光学特性が優れているこ
と、安定性がよいことなどが判明した。
第1表: ディスク成形結果
発明の効果
以上のように本発明によれば、スタンパ−信号表面また
はスタンパ−信号表面と裏面との両面に膜厚500〜7
00人の3価クロムメッキ膜を設けた光ディスク用原盤
は、スタンパ−表面が硬質で耐食性の良い、経時変化の
ない3価クロムメッキ膜が形成され、しかも6価りロ友
メッキ膜を形成する場合の作業環境や排水処理などの公
害問題が無く、まだ、メッキ膜の被覆力が強く、ディジ
タル信号の微小ピットや案内溝などに均一にメッキ膜を
形成することができる。さらに本発明の3価クロムメッ
キ膜を形成したスタンパ−にて成形したディスクの外観
特性は良好で、複屈折率などの光学特性も優れ、成形立
上がりが早く、スタンパ−寿命も長くなり、ディスク生
産上の量産性の向上を図ることができるなど信頼性の高
い光ディスク用原盤を提供することができる。
はスタンパ−信号表面と裏面との両面に膜厚500〜7
00人の3価クロムメッキ膜を設けた光ディスク用原盤
は、スタンパ−表面が硬質で耐食性の良い、経時変化の
ない3価クロムメッキ膜が形成され、しかも6価りロ友
メッキ膜を形成する場合の作業環境や排水処理などの公
害問題が無く、まだ、メッキ膜の被覆力が強く、ディジ
タル信号の微小ピットや案内溝などに均一にメッキ膜を
形成することができる。さらに本発明の3価クロムメッ
キ膜を形成したスタンパ−にて成形したディスクの外観
特性は良好で、複屈折率などの光学特性も優れ、成形立
上がりが早く、スタンパ−寿命も長くなり、ディスク生
産上の量産性の向上を図ることができるなど信頼性の高
い光ディスク用原盤を提供することができる。
第1図i1 % qは本発明の一実施例における光ディ
スク用原盤およびその製造方法を示す工程の断面図、第
2図a −fは従来の光ディスク用原盤およびその製造
方法を示す工程の断面図、第3図a。 b、cは光ディスクの一種であるディジタルオーディオ
ディスクの平面図、断面図、および要部拡大図である。 1・・・・・・ディスク、2・・・・・・樹脂基板、7
・・・・・・ガラス基板、8・・・・・・フォトレジス
ト、9・・・・・・レーザ光、10・・・・・・ディジ
タル信号部、11・・・・・・金属薄膜、12・・・・
・・メッキ膜、13・・・・・・金属薄膜の設けられた
スタンパ−114・・・・・・3価クロムメッキ膜、1
6・・・・・・3価クロムメッキ膜の設けられたスタン
パ−0代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1
名一 状 6 − 〇灼 h 3 0 − い 第2図 第3図
スク用原盤およびその製造方法を示す工程の断面図、第
2図a −fは従来の光ディスク用原盤およびその製造
方法を示す工程の断面図、第3図a。 b、cは光ディスクの一種であるディジタルオーディオ
ディスクの平面図、断面図、および要部拡大図である。 1・・・・・・ディスク、2・・・・・・樹脂基板、7
・・・・・・ガラス基板、8・・・・・・フォトレジス
ト、9・・・・・・レーザ光、10・・・・・・ディジ
タル信号部、11・・・・・・金属薄膜、12・・・・
・・メッキ膜、13・・・・・・金属薄膜の設けられた
スタンパ−114・・・・・・3価クロムメッキ膜、1
6・・・・・・3価クロムメッキ膜の設けられたスタン
パ−0代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1
名一 状 6 − 〇灼 h 3 0 − い 第2図 第3図
Claims (3)
- (1)スタンパーの信号表面またはスタンパーの信号表
面と裏面との両面に、膜厚500〜700Åの3価クロ
ムメッキ膜を設けた光ディスク用原盤。 - (2)スタンパー表面をアルカリ溶液にて電解脱脂し、
硫酸処理にて中和したのち、3価クロムイオン、錯化剤
、電導性塩、緩衝剤、触媒、還元剤により構成されるメ
ッキ液にて厚さ500〜700Åの3価クロムメッキ膜
を形成してなる光ディスク用原盤の製造方法。 - (3)メッキ液として少くとも、アンモニウム塩類10
〜20%、錯化剤5〜10%、硫酸クロム20〜50%
の混合液で構成され、3価クロムイオン濃度が28〜3
0g/lであることを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載の光ディスク用原盤の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20207185A JPH0648553B2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 光デイスク用原盤およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20207185A JPH0648553B2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 光デイスク用原盤およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6262449A true JPS6262449A (ja) | 1987-03-19 |
JPH0648553B2 JPH0648553B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=16451465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20207185A Expired - Lifetime JPH0648553B2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 光デイスク用原盤およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0648553B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7515395B2 (en) | 2003-12-26 | 2009-04-07 | Panasonic Corporation | Material of case for storage cell |
CN103849908A (zh) * | 2014-02-17 | 2014-06-11 | 惠州大亚湾达志精细化工有限公司 | 一种三价铬镀液及在三价铬镀液中电沉积铬镀层的方法 |
-
1985
- 1985-09-12 JP JP20207185A patent/JPH0648553B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7515395B2 (en) | 2003-12-26 | 2009-04-07 | Panasonic Corporation | Material of case for storage cell |
CN103849908A (zh) * | 2014-02-17 | 2014-06-11 | 惠州大亚湾达志精细化工有限公司 | 一种三价铬镀液及在三价铬镀液中电沉积铬镀层的方法 |
CN103849908B (zh) * | 2014-02-17 | 2016-04-20 | 惠州大亚湾达志精细化工有限公司 | 一种三价铬镀液及在三价铬镀液中电沉积铬镀层的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0648553B2 (ja) | 1994-06-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |