JPH0648553B2 - 光デイスク用原盤およびその製造方法 - Google Patents
光デイスク用原盤およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0648553B2 JPH0648553B2 JP20207185A JP20207185A JPH0648553B2 JP H0648553 B2 JPH0648553 B2 JP H0648553B2 JP 20207185 A JP20207185 A JP 20207185A JP 20207185 A JP20207185 A JP 20207185A JP H0648553 B2 JPH0648553 B2 JP H0648553B2
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- Japan
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- stamper
- film
- master
- trivalent chromium
- manufacturing
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はビデオディスク，ディジタルオーディオディス
ク（例えばコンパクトディスク）、静止画、文書ファイ
ルなどのディジタル信号を記録，再生または消去可能な
光ディスクを製造するための光ディスク用原盤およびそ
の製造方法に関するものである。
ク（例えばコンパクトディスク）、静止画、文書ファイ
ルなどのディジタル信号を記録，再生または消去可能な
光ディスクを製造するための光ディスク用原盤およびそ
の製造方法に関するものである。
従来の技術 この種の光ディスクは、その情報密度が極めて大きいこ
とや、S/N比が大きく、ノイズが少ないことなど情報媒
体として有望視され、ビデオディスクやディジタルオー
ディオディスクとして商品化され、ディジタル信号を記
録，再生，消去可能な光ディスクとしても近年研究開発
が行われている。
とや、S/N比が大きく、ノイズが少ないことなど情報媒
体として有望視され、ビデオディスクやディジタルオー
ディオディスクとして商品化され、ディジタル信号を記
録，再生，消去可能な光ディスクとしても近年研究開発
が行われている。
第３図に従来の一般的なディジタルオーディオディスク
であるコンパクトディスクの概要を示す。これはＰＣＭ
変換されたディジタル信号が樹脂基板にピット列状に記
録され、半導体レーザにより再生されるものである。
であるコンパクトディスクの概要を示す。これはＰＣＭ
変換されたディジタル信号が樹脂基板にピット列状に記
録され、半導体レーザにより再生されるものである。
第３図において、１はディスク、２は樹脂基板、３は樹
脂基板２に刻まれたピット列状のディジタル信号部、４
はその表面に形成された反射膜、５は反射膜４にコーテ
ィングされた保護膜、６は再生用の半導体レーザ光であ
る。
脂基板２に刻まれたピット列状のディジタル信号部、４
はその表面に形成された反射膜、５は反射膜４にコーテ
ィングされた保護膜、６は再生用の半導体レーザ光であ
る。
樹脂基板２は一般的に射出成形や射出・圧縮成形などの
成形法で量産される。光ディスク用厚盤は樹脂基板２を
成形法で製造するために必要なものであり成形金型に取
付けられる。
成形法で量産される。光ディスク用厚盤は樹脂基板２を
成形法で製造するために必要なものであり成形金型に取
付けられる。
第２図に従来の光ディスク用原盤およびその製造方法を
示す。第２図ａ〜ｆは各々の工程を示す断面図である。
ガラス基板７にフォトレジスト８が塗布され、レーザ光
９によりディジタル信号が記録され、現像処理によりデ
ィジタル信号部１０が形成される。次にニッケル（Ｎ
ｉ）や銀（Ａｇ）などの金属薄膜１１が蒸着等の方法で
形成され、その上にニッケル（Ｎｉ）メッキを施すこと
によりメッキ膜１２が形成される。その後、ガラス基板
７を剥離すれば光ディスク用原盤が形成される。
示す。第２図ａ〜ｆは各々の工程を示す断面図である。
ガラス基板７にフォトレジスト８が塗布され、レーザ光
９によりディジタル信号が記録され、現像処理によりデ
ィジタル信号部１０が形成される。次にニッケル（Ｎ
ｉ）や銀（Ａｇ）などの金属薄膜１１が蒸着等の方法で
形成され、その上にニッケル（Ｎｉ）メッキを施すこと
によりメッキ膜１２が形成される。その後、ガラス基板
７を剥離すれば光ディスク用原盤が形成される。
この場合スタンパー表面にはニッケル（Ｎｉ）や銀（Ａ
ｇ）などの金属薄膜が蒸着法などにより設けられている
ためポーラスで信頼性がやゝ劣り強度的にも弱いこと
や、耐食性がよくないためスタンパー寿命が短かいなど
の問題点を有していた。このためスタンパーの表面処理
として種々の方法が試みされた。改良の一方法として、
特開昭６０−７６２９号があげられる。これにはスタン
パーおよびその製造方法において、スタンパー表面に厚
さ５００Åのクロムメッキを施したスタンパーおよび
４．０〜35g/の無水クロム酸（CrO3）と０．０５〜
０．５g/の硫酸（H2SO4）とを含むメッキ液で得られ
た６価クロムメッキ膜を形成することが開示されてい
る。
ｇ）などの金属薄膜が蒸着法などにより設けられている
ためポーラスで信頼性がやゝ劣り強度的にも弱いこと
や、耐食性がよくないためスタンパー寿命が短かいなど
の問題点を有していた。このためスタンパーの表面処理
として種々の方法が試みされた。改良の一方法として、
特開昭６０−７６２９号があげられる。これにはスタン
パーおよびその製造方法において、スタンパー表面に厚
さ５００Åのクロムメッキを施したスタンパーおよび
４．０〜35g/の無水クロム酸（CrO3）と０．０５〜
０．５g/の硫酸（H2SO4）とを含むメッキ液で得られ
た６価クロムメッキ膜を形成することが開示されてい
る。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成で得られた光ディスク用
原盤ではニッケル（Ｎｉ）や銀（Ａｇ）などの蒸着等の
方法で形成された金属薄膜は、金属薄膜自体が酸化など
により膜質が不安定になり易く機械的強度が劣化し、ス
タンパー寿命が短かくなること。また，特開昭６０−７
６２９号公報に示された６価クロムメッキは一般にサー
ジェント溶と称する無水クロム酸（CrO3）と硫酸（H2SO
4）との混合液によるもので、６価クロムメッキは液組
成が単純で管理が容易であるが反面，作業環境や排水処
理などの公害面に問題があることや、６価クロムメッキ
膜の被覆力が弱いことや複雑な形状、特に光ディスク用
原盤である長さ数μｍ，幅０．５μｍ，高さ０．１μｍ
の微小ピットに対して一様にメッキされにくいないどの
問題点を有していた。
原盤ではニッケル（Ｎｉ）や銀（Ａｇ）などの蒸着等の
方法で形成された金属薄膜は、金属薄膜自体が酸化など
により膜質が不安定になり易く機械的強度が劣化し、ス
タンパー寿命が短かくなること。また，特開昭６０−７
６２９号公報に示された６価クロムメッキは一般にサー
ジェント溶と称する無水クロム酸（CrO3）と硫酸（H2SO
4）との混合液によるもので、６価クロムメッキは液組
成が単純で管理が容易であるが反面，作業環境や排水処
理などの公害面に問題があることや、６価クロムメッキ
膜の被覆力が弱いことや複雑な形状、特に光ディスク用
原盤である長さ数μｍ，幅０．５μｍ，高さ０．１μｍ
の微小ピットに対して一様にメッキされにくいないどの
問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、光ディスク用原盤の信頼性
を向上し、寿命を長くすることや、成形されたディスク
の外観特性や光学特性を良好にするための光ディスク用
原盤およびその製造方法を提供するものである。
を向上し、寿命を長くすることや、成形されたディスク
の外観特性や光学特性を良好にするための光ディスク用
原盤およびその製造方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の光ディスク用原盤
およびその製造方法は、スタンパー表面に３価クロムイ
オン，錯化剤，電導性塩，緩衝剤，触媒，還元剤により
構成されるメッキ液にて３価クロムメッキ処理を施し、
膜厚５００〜７００Åの３価クロムメッキ膜を形成した
ものである。
およびその製造方法は、スタンパー表面に３価クロムイ
オン，錯化剤，電導性塩，緩衝剤，触媒，還元剤により
構成されるメッキ液にて３価クロムメッキ処理を施し、
膜厚５００〜７００Åの３価クロムメッキ膜を形成した
ものである。
作 用 本発明は上記した構成にて、スタンパーの信号表面また
はスタンパーの信号表面と裏面との両面に、メッキ液と
して少なくとも、アンモニウム塩類１０〜２０％、錯化
剤５〜１０％、硫酸クロム２０〜５０％の混合液にて構
成され、３価クロムイオン濃度を２８〜３０g/として
３価クロムメッキ処理を施し５００〜７００Åの３価ク
ロムメッキ膜を形成したものであり、従来のスタンパー
表面に信頼性のやゝ劣る蒸着時により形成された金属薄
膜上に膜質の優れた３価クロムメッキ膜を設けることに
より信頼性の高い、長寿命の光ディスク用原盤が得られ
る。
はスタンパーの信号表面と裏面との両面に、メッキ液と
して少なくとも、アンモニウム塩類１０〜２０％、錯化
剤５〜１０％、硫酸クロム２０〜５０％の混合液にて構
成され、３価クロムイオン濃度を２８〜３０g/として
３価クロムメッキ処理を施し５００〜７００Åの３価ク
ロムメッキ膜を形成したものであり、従来のスタンパー
表面に信頼性のやゝ劣る蒸着時により形成された金属薄
膜上に膜質の優れた３価クロムメッキ膜を設けることに
より信頼性の高い、長寿命の光ディスク用原盤が得られ
る。
実施例 本発明の一実施例の光ディスク用原盤およびその製造方
法について図面を参照しながら説明する。
法について図面を参照しながら説明する。
第１図ａ〜ｇは本発明の光ディスク用原盤およびその製
造方法を示す工程の断面図である。第１図ａはガラス基
板７を示し、第１図ｂはガラス基板７上にフォトレジス
ト８を塗布したのちディジタル信号に対応したレーザ光
９を記録する工程を示す。第１図ｃは現像工程にて上記
レーザ光９により形成されたディジタル信号部１０が設
けられたガラス原盤を示す。第１図ｄは上記ガラス原盤
上にメッキ処理を施こすための電導膜であるニッケル
（Ｎｉ）の金属薄膜１１を蒸着にて形成する工程を示
す。第１図ｅは上記金属薄膜１１上に電気メッキ法にて
ニッケル（Ｎｉ）メッキ膜１２を形成する工程であり、
この状態で上記ガラス原盤から剥離すれば第１図ｆに示
すようにその表面がニッケル（Ｎｉ）の金属薄膜１１と
ニッケル(Ni)メッキ膜１２との複合層により構成される
スタンパー１３が得られる。
造方法を示す工程の断面図である。第１図ａはガラス基
板７を示し、第１図ｂはガラス基板７上にフォトレジス
ト８を塗布したのちディジタル信号に対応したレーザ光
９を記録する工程を示す。第１図ｃは現像工程にて上記
レーザ光９により形成されたディジタル信号部１０が設
けられたガラス原盤を示す。第１図ｄは上記ガラス原盤
上にメッキ処理を施こすための電導膜であるニッケル
（Ｎｉ）の金属薄膜１１を蒸着にて形成する工程を示
す。第１図ｅは上記金属薄膜１１上に電気メッキ法にて
ニッケル（Ｎｉ）メッキ膜１２を形成する工程であり、
この状態で上記ガラス原盤から剥離すれば第１図ｆに示
すようにその表面がニッケル（Ｎｉ）の金属薄膜１１と
ニッケル(Ni)メッキ膜１２との複合層により構成される
スタンパー１３が得られる。
第１図ｇは、上記スタンパー１３の信号表面である金属
薄膜１１上に、３価のクロムメッキ膜１４を、膜厚５０
０〜７００Åに形成した光ディスク用原盤１５を示す。
薄膜１１上に、３価のクロムメッキ膜１４を、膜厚５０
０〜７００Åに形成した光ディスク用原盤１５を示す。
この場合、まずスタンパー１３を水酸化ナトリウム（Na
OH）の３０％水溶液中にてスタンパー１３を陰極にし、
電流３０Ａを流し、スタンパー表面の油脂などを除去す
るため電解脱脂を施す。次に、アルカリ液の付着したス
タンパー１３を濃度５％の硫酸(H2SO2)水溶液に浸漬し
中和する。次に、アンモニウム塩類である塩化アンモニ
ウム（NH4Cl）15％、硫酸クロム(Cr2(SO4)3・18H2O)４０
％、錯化剤１０％を主成分とし、その他緩衝剤、触媒、
還元剤などにより構成されるメッキ液で、３価クロムイ
オン濃度を２８〜３０g/にし、温度５０〜６０℃、電
流密度20A/dm2、時間３０秒、３価クロムメッキ処理を
施すことにより約６００Åの３価クロムメッキ膜１４が
形成される。
OH）の３０％水溶液中にてスタンパー１３を陰極にし、
電流３０Ａを流し、スタンパー表面の油脂などを除去す
るため電解脱脂を施す。次に、アルカリ液の付着したス
タンパー１３を濃度５％の硫酸(H2SO2)水溶液に浸漬し
中和する。次に、アンモニウム塩類である塩化アンモニ
ウム（NH4Cl）15％、硫酸クロム(Cr2(SO4)3・18H2O)４０
％、錯化剤１０％を主成分とし、その他緩衝剤、触媒、
還元剤などにより構成されるメッキ液で、３価クロムイ
オン濃度を２８〜３０g/にし、温度５０〜６０℃、電
流密度20A/dm2、時間３０秒、３価クロムメッキ処理を
施すことにより約６００Åの３価クロムメッキ膜１４が
形成される。
この場合、錯化剤は安定な錯イオンを形成するため、電
導性塩はメッキ液に電導性を与えるため、緩衝剤はカソ
ードにおける水素イオン（H+）濃度を一定にするため、
触媒は安定性を上げ外観をよくするため、還元剤はアノ
ードにおける６価クロムの発生を防止するため各々必要
である。
導性塩はメッキ液に電導性を与えるため、緩衝剤はカソ
ードにおける水素イオン（H+）濃度を一定にするため、
触媒は安定性を上げ外観をよくするため、還元剤はアノ
ードにおける６価クロムの発生を防止するため各々必要
である。
このようにして形成された３価のクロムメッキ膜は、従
来のサージェント溶による６価クロムメッキ膜に比較し
て、スタンパー表面に均一に一様な膜厚で形成され、し
かも被覆力が強いことなどにより、光ディスク用原盤と
しては信頼性が向上し安定であるなどの効果がある。
来のサージェント溶による６価クロムメッキ膜に比較し
て、スタンパー表面に均一に一様な膜厚で形成され、し
かも被覆力が強いことなどにより、光ディスク用原盤と
しては信頼性が向上し安定であるなどの効果がある。
また、本発明の３価クロムメッキ膜を信号表面に形成し
たスタンパーを射出成形機の金型に取付け、ポリカーボ
ネート樹脂にて直径φ１２０mm、厚さ１．２mmのコンパ
クトディスクを成形した場合と、３価クロムメッキを施
さない従来のスタンパーとの成形結果の比較を第１表に
示す。
たスタンパーを射出成形機の金型に取付け、ポリカーボ
ネート樹脂にて直径φ１２０mm、厚さ１．２mmのコンパ
クトディスクを成形した場合と、３価クロムメッキを施
さない従来のスタンパーとの成形結果の比較を第１表に
示す。
本発明の３価クロムメッキ処理を施したスタンパーは成
形立上がりが早く、スタンパー寿命も伸びることや、成
形ディスクとしても外観特性，光学特性が優れているこ
と，安定性がよいことなどが判明した。
形立上がりが早く、スタンパー寿命も伸びることや、成
形ディスクとしても外観特性，光学特性が優れているこ
と，安定性がよいことなどが判明した。
発明の効果 以上のように本発明によれば、スタンパー信号表面また
はスタンパー信号表面と裏面との両面に膜厚５００〜７
００Åの３価クロムメッキ膜を設けた光ディスク用原盤
は、スタンパー表面が硬質で耐食性の良い、経時変化の
ない３価クロムメッキ膜が形成され、しかも６価クロム
メッキ膜を形成する場合の作業環境や排水処理などの公
害問題が無く、また、メッキ膜の被覆力が強く、ディジ
タル信号の微小ピットや案内溝などに均一にメッキ膜を
形成することができる。さらに本発明の３価クロムメッ
キ膜を形成したスタンパーにて成形したディスクの外観
特性は良好で、複屈折率などの光学特性も優れ、成形立
上がりが早く、スタンパー寿命も長くなり、ディスク生
産上の量産性の向上を図ることができるなど信頼性の高
い光ディスク用原盤を提供することができる。
はスタンパー信号表面と裏面との両面に膜厚５００〜７
００Åの３価クロムメッキ膜を設けた光ディスク用原盤
は、スタンパー表面が硬質で耐食性の良い、経時変化の
ない３価クロムメッキ膜が形成され、しかも６価クロム
メッキ膜を形成する場合の作業環境や排水処理などの公
害問題が無く、また、メッキ膜の被覆力が強く、ディジ
タル信号の微小ピットや案内溝などに均一にメッキ膜を
形成することができる。さらに本発明の３価クロムメッ
キ膜を形成したスタンパーにて成形したディスクの外観
特性は良好で、複屈折率などの光学特性も優れ、成形立
上がりが早く、スタンパー寿命も長くなり、ディスク生
産上の量産性の向上を図ることができるなど信頼性の高
い光ディスク用原盤を提供することができる。
第１図ａ〜ｇは本発明の一実施例における光ディスク用
原盤およびその製造方法を示す工程の断面図、第２図ａ
〜ｆは従来の光ディスク用原盤およびその製造方法を示
す工程の断面図、第３図ａ，ｂ，ｃは光ディスクの一種
であるディジタルオーディオデイスクの表面図、断面
図、および要部拡大図である。 １……ディスク、２……樹脂基板、７……ガラス基板、
８……フォトレジスト、９……レーザ光、１０……ディ
ジタル信号部、１１……金属薄膜、１２……メッキ膜、
１３……金属薄膜の設けられたスタンパー、１４……３
価クロムメッキ膜、１５……３価クロムメッキ膜の設け
られたスタンパー。
原盤およびその製造方法を示す工程の断面図、第２図ａ
〜ｆは従来の光ディスク用原盤およびその製造方法を示
す工程の断面図、第３図ａ，ｂ，ｃは光ディスクの一種
であるディジタルオーディオデイスクの表面図、断面
図、および要部拡大図である。 １……ディスク、２……樹脂基板、７……ガラス基板、
８……フォトレジスト、９……レーザ光、１０……ディ
ジタル信号部、１１……金属薄膜、１２……メッキ膜、
１３……金属薄膜の設けられたスタンパー、１４……３
価クロムメッキ膜、１５……３価クロムメッキ膜の設け
られたスタンパー。
Claims (3)
- 【請求項１】スタンパーの信号表面またはスタンパーの
信号表面と裏面との両面に、膜厚５００〜７００Åの３
価クロムメッキ膜を設けた光ディスク用原盤。 - 【請求項２】スタンパー表面をアルカリ溶液にて電解脱
脂し、硫酸処理にて中和したのち、３価クロムイオン、
錯化剤、電導性塩、緩衝剤、触媒、還元剤により構成さ
れるメッキ液にて厚さ５００〜７００Åの３価クロムメ
ッキ膜を形成してなる光ディスク用原盤の製造方法。 - 【請求項３】メッキ液として少くとも、アンモニウム塩
類１０〜２０％、錯化剤５〜１０％、硫酸クロム２０〜
５０％の混合液で構成され、３価クロムイオン濃度が２
８〜３０ｇ／であることを特徴とする特許請求の範囲
第２項記載の光ディスク用原盤の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20207185A JPH0648553B2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 光デイスク用原盤およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20207185A JPH0648553B2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 光デイスク用原盤およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262449A JPS6262449A (ja) | 1987-03-19 |
| JPH0648553B2 true JPH0648553B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=16451465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20207185A Expired - Lifetime JPH0648553B2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 光デイスク用原盤およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648553B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4437036B2 (ja) | 2003-12-26 | 2010-03-24 | パナソニック株式会社 | 蓄電セル用ケース材料 |
| CN103849908B (zh) * | 2014-02-17 | 2016-04-20 | 惠州大亚湾达志精细化工有限公司 | 一种三价铬镀液及在三价铬镀液中电沉积铬镀层的方法 |
-
1985
- 1985-09-12 JP JP20207185A patent/JPH0648553B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6262449A (ja) | 1987-03-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |