JPS6260026U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6260026U JPS6260026U JP15124585U JP15124585U JPS6260026U JP S6260026 U JPS6260026 U JP S6260026U JP 15124585 U JP15124585 U JP 15124585U JP 15124585 U JP15124585 U JP 15124585U JP S6260026 U JPS6260026 U JP S6260026U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- large number
- electrodes
- wafer
- high frequency
- exhaust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例を示す断面側面図
、第２図はその―線における断面図、第３図
は従来のプラズマ処理装置を示す断面図である。 図中、１はチヤンバー、４及び５は電極、６は
高周波電源、７はウエハ、８はウエハ支持台、２
０は処理ガス導入部、２０ａは導入口、３０は排
気部、３０ａは排気口である。なお、図中同一符
号は同一、又は相当部分を示す。
、第２図はその―線における断面図、第３図
は従来のプラズマ処理装置を示す断面図である。 図中、１はチヤンバー、４及び５は電極、６は
高周波電源、７はウエハ、８はウエハ支持台、２
０は処理ガス導入部、２０ａは導入口、３０は排
気部、３０ａは排気口である。なお、図中同一符
号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 内部を排気減圧するための排気部と処理ガスを
導入する導入部を有するチヤンバ、このチヤンバ
内に互いに対向して設けられた一対の電極、この
電極間に高周波電圧を印加して一方の電極から他
方の電極へ荷電粒子を移動させる高周波電源、及
び上記一対の電極間に配列された多数のウエハを
備え、上記導入部には、上記ウエハの直径と同等
以上の幅で、且つ、上記ウエハの配列範囲内に多
数の導入口を有し、上記排気部には、上記ウエハ
の直径と同等以上の幅で、且つ、上記ウエハの配
列範囲内に多数の排気口を有することを特徴とし
たプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15124585U JPS6260026U (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15124585U JPS6260026U (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6260026U true JPS6260026U (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=31068137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15124585U Pending JPS6260026U (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6260026U (ja) |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP15124585U patent/JPS6260026U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW347553B (en) | Plasma treatment apparatus | |
| EP0364215A3 (en) | Plasma etching apparatus | |
| JPS6260026U (ja) | ||
| JPS5681678A (en) | Method and apparatus for plasma etching | |
| JPH0573051B2 (ja) | ||
| JPS6298727A (ja) | エツチング処理装置 | |
| JPS6025235A (ja) | エツチング装置 | |
| JPS62281427A (ja) | 放電加工用電極 | |
| JPS6255564U (ja) | ||
| JPS6413119U (ja) | ||
| JPS6182958U (ja) | ||
| JPS61188352U (ja) | ||
| JPS62148570U (ja) | ||
| JPS6358920A (ja) | プラズマ電極 | |
| JPS63142830U (ja) | ||
| JPH03255626A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS6026098Y2 (ja) | プラズマ重合装置の内部電極構造 | |
| JPS629324Y2 (ja) | ||
| JPS61121735U (ja) | ||
| JPS63170937U (ja) | ||
| JPS62152436U (ja) | ||
| JPH0719772B2 (ja) | 反応性イオンエツチング装置 | |
| JPS6337614A (ja) | プラズマ電極 | |
| JPH0211327U (ja) | ||
| JPS6273542U (ja) |