JPS6259230A - エタノ−ルの製造方法 - Google Patents
エタノ−ルの製造方法Info
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- JPS6259230A JPS6259230A JP60197792A JP19779285A JPS6259230A JP S6259230 A JPS6259230 A JP S6259230A JP 60197792 A JP60197792 A JP 60197792A JP 19779285 A JP19779285 A JP 19779285A JP S6259230 A JPS6259230 A JP S6259230A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
本発明はエタノールの製造方法に関する。更に詳しくは
(a)ロジウム、スカンジウム、イリジウムおよび/又
はリチウムを担体担持してなる触媒と(b)(1)銅又
は(2)銅、亜鉛および/又はクロムからなる触媒の存
在下、一酸化炭素と水素とを反応させエタノールを製造
する方法に関する。
(a)ロジウム、スカンジウム、イリジウムおよび/又
はリチウムを担体担持してなる触媒と(b)(1)銅又
は(2)銅、亜鉛および/又はクロムからなる触媒の存
在下、一酸化炭素と水素とを反応させエタノールを製造
する方法に関する。
[従来の技術及び発明が解決しようとする問題点]エタ
ノール、アセトアルデヒド等の炭素数2の含酸素化合物
は従来ナフサを原料とする石油化学的方法によって製造
されてきた。しかし近年の原油の高騰により、製造価格
の著しく司−昇が起り、原料転換の必要性が生じている
。
ノール、アセトアルデヒド等の炭素数2の含酸素化合物
は従来ナフサを原料とする石油化学的方法によって製造
されてきた。しかし近年の原油の高騰により、製造価格
の著しく司−昇が起り、原料転換の必要性が生じている
。
一方豊富で且つ安価に人手可能な一酸化炭素及び水素の
混合ガスより炭素数2の含酸素化合物を製造する方法が
種々検討されている。
混合ガスより炭素数2の含酸素化合物を製造する方法が
種々検討されている。
即ち、一酸化炭素と水素の混合ガスを、ロジウムを主成
分とし、マンガン、チタン、ジルコン、鉄などの金属も
しくは金属酸化物などより成る触媒の存在下に反応させ
て炭素数2の含酸素化合物を選択的に製造する方法は公
知(例えば特開昭51−80806号、同52−147
06号、同56−147730号等)である。
分とし、マンガン、チタン、ジルコン、鉄などの金属も
しくは金属酸化物などより成る触媒の存在下に反応させ
て炭素数2の含酸素化合物を選択的に製造する方法は公
知(例えば特開昭51−80806号、同52−147
06号、同56−147730号等)である。
しかしながら、かかる方法は副生する炭化水素、例えば
メタン等の量が多く、含酸素化合物の選択率が低いもの
や、含酸素化合物の選択率が高い場合には、その生成量
は極めて低いものであった。
メタン等の量が多く、含酸素化合物の選択率が低いもの
や、含酸素化合物の選択率が高い場合には、その生成量
は極めて低いものであった。
にも完成された技術が提供されていないのが実情である
。
。
更に炭素数2の含酸素化合物を高収量で高選択的に製造
することを目的としたロジウムにリチウム(特開昭56
−8334号)、鉄(特開昭51−80807号)、ス
カンジウム(特開昭57−62233号)等が提案され
ているが、いずれの方法もアセトアルデヒド、酢酸又は
メタノールを主生成物とするものであり、エタノールの
収率、選択性などは著しく低い欠点を有している。
することを目的としたロジウムにリチウム(特開昭56
−8334号)、鉄(特開昭51−80807号)、ス
カンジウム(特開昭57−62233号)等が提案され
ているが、いずれの方法もアセトアルデヒド、酢酸又は
メタノールを主生成物とするものであり、エタノールの
収率、選択性などは著しく低い欠点を有している。
以上述べた如く、一酸化炭素及び水素を含有する気体よ
りエタノールを主成分とする含酸素化合物を効率よく、
経済性よく製造する方法は提供されていない。
りエタノールを主成分とする含酸素化合物を効率よく、
経済性よく製造する方法は提供されていない。
本発明者らは一酸化炭素及び水素を含有する気体より、
含酸素化合物を製造する際に、上記炭素数2の含酸素化
合物の選択性を改良しつつ、該反応より生成される炭素
数2の含酸素化合物中の分布をエタノールに移動させ、
かつ炭化水素の生成を最少とすることを可能にした触媒
系を開示するものであり、多数の助触媒成分の組合せ試
験につき鋭意検討を重ねた結果、(a)ロジウム、スカ
ンジウム、イリジウムおよび/又はリチウムを担体担持
してなる触媒と、(b)(1)銅又は(2)銅、亜鉛お
よび/又はクロムからなる触媒とを組合せることにより
予期し得ない効果が発現し、エタノールが好ましい収量
と高選択性を有することを見い出し、本発明を完成する
に至った。
含酸素化合物を製造する際に、上記炭素数2の含酸素化
合物の選択性を改良しつつ、該反応より生成される炭素
数2の含酸素化合物中の分布をエタノールに移動させ、
かつ炭化水素の生成を最少とすることを可能にした触媒
系を開示するものであり、多数の助触媒成分の組合せ試
験につき鋭意検討を重ねた結果、(a)ロジウム、スカ
ンジウム、イリジウムおよび/又はリチウムを担体担持
してなる触媒と、(b)(1)銅又は(2)銅、亜鉛お
よび/又はクロムからなる触媒とを組合せることにより
予期し得ない効果が発現し、エタノールが好ましい収量
と高選択性を有することを見い出し、本発明を完成する
に至った。
[発明の概要]
本発明は前記した如く、(a)ロジウム、スカンジウム
、イリジウムおよび/又はリチウムを担体担持してなる
触媒と、(b)(1)銅又は(2)銅、亜鉛および/又
はクロムからなる触媒との存在下、一酸化炭素および水
素とを反応させエタノールを製造するものである。
、イリジウムおよび/又はリチウムを担体担持してなる
触媒と、(b)(1)銅又は(2)銅、亜鉛および/又
はクロムからなる触媒との存在下、一酸化炭素および水
素とを反応させエタノールを製造するものである。
以下、本発明を順次詳述する。
本発明において用いられる触媒は前述の如く、(a)ロ
ジウム、スカンジウム、イリジウムおよび/又はリチウ
ムを担体担持してなる触媒と、(b)(1)銅又は(2
)銅、亜鉛および/又はクロムからなる三者の触媒を主
たる構成成分とする。両者の触媒は各々別途に調製した
ものを使用することができ、使用に際しては混合あるい
は(a)の触媒の一つを上層に、(b)の触媒の一つを
下層に充填して使用することができる。
ジウム、スカンジウム、イリジウムおよび/又はリチウ
ムを担体担持してなる触媒と、(b)(1)銅又は(2
)銅、亜鉛および/又はクロムからなる三者の触媒を主
たる構成成分とする。両者の触媒は各々別途に調製した
ものを使用することができ、使用に際しては混合あるい
は(a)の触媒の一つを上層に、(b)の触媒の一つを
下層に充填して使用することができる。
貴金属を使用する場合に用いられる常法に従って□調製
することができる。例えば含浸法、浸漬法、:イオン交
換法、共沈法、混錬法等によって調製で□・きる。触媒
を構成する成分であるロジウム及びイリジウムにおいて
触媒調製のために使用できる原料化合物としては、塩化
物、臭化物等のハロゲン化物、硝酸塩、炭酸塩等の無機
塩、酢酸塩、シュウ酸塩、アセチルアセトナート塩、エ
チレンジアミン酢酸塩等の有機酸塩又はキレート化合物
、カルボニル化合物、アンミン錯体、金属アルコキシド
化合物、アルキル金属化合物等通常貴金属触媒−5= を調製する際に用いられる化合物を使用することができ
る。
することができる。例えば含浸法、浸漬法、:イオン交
換法、共沈法、混錬法等によって調製で□・きる。触媒
を構成する成分であるロジウム及びイリジウムにおいて
触媒調製のために使用できる原料化合物としては、塩化
物、臭化物等のハロゲン化物、硝酸塩、炭酸塩等の無機
塩、酢酸塩、シュウ酸塩、アセチルアセトナート塩、エ
チレンジアミン酢酸塩等の有機酸塩又はキレート化合物
、カルボニル化合物、アンミン錯体、金属アルコキシド
化合物、アルキル金属化合物等通常貴金属触媒−5= を調製する際に用いられる化合物を使用することができ
る。
助触媒として使用されるスカンジウム、リチウムに使用
できる原料化合物としてはハロゲン化物、ハロゲン酸塩
、硝酸塩、炭酸塩等の無機酸塩、水酸化物、ギ酸塩、酢
酸塩、シュウ酸塩等の有機酸塩等を使用することができ
る。
できる原料化合物としてはハロゲン化物、ハロゲン酸塩
、硝酸塩、炭酸塩等の無機酸塩、水酸化物、ギ酸塩、酢
酸塩、シュウ酸塩等の有機酸塩等を使用することができ
る。
(b)の触媒は(a)の触媒の調製法と同様に担体上に
上記の成分を分散担持して使用できるし、金属成分と担
体成分を沈殿法、混錬法等で調製したのち使用すること
もできる。
上記の成分を分散担持して使用できるし、金属成分と担
体成分を沈殿法、混錬法等で調製したのち使用すること
もできる。
1銅、亜鉛およびクロムとして使用できる原料化合:物
としては、ハロゲン化物、ノ10ゲン酸塩、硝酸塩、水
酸化物、ギ酸塩、酢酸塩、シュウ酸塩等の有機酸塩等よ
り適宜使用することができる。
としては、ハロゲン化物、ノ10ゲン酸塩、硝酸塩、水
酸化物、ギ酸塩、酢酸塩、シュウ酸塩等の有機酸塩等よ
り適宜使用することができる。
これらの触媒構成成分を担体上へ担持することを容易に
するためには、エタノール、水又は他の適当な溶媒に可
溶性の高い化合物が好ましくは用いられる。
するためには、エタノール、水又は他の適当な溶媒に可
溶性の高い化合物が好ましくは用いられる。
以下に含浸法を例にとり触媒の調製法を説明する。1′
−記の金属化合物を水、メタノール、エタノール、アセ
トン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ノルマルヘキ
サン、ベンゼン、トルエン等の単独または混合溶媒に溶
解し、その溶液に担体を加え浸漬し、溶媒を留去し、乾
燥し、必要とあれば加熱、ガス処理等の処理を行い、担
体に金属化合物を担持する。
−記の金属化合物を水、メタノール、エタノール、アセ
トン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ノルマルヘキ
サン、ベンゼン、トルエン等の単独または混合溶媒に溶
解し、その溶液に担体を加え浸漬し、溶媒を留去し、乾
燥し、必要とあれば加熱、ガス処理等の処理を行い、担
体に金属化合物を担持する。
(a)又は(b)触媒の担持の手法としては原料化合物
を同一溶媒に同時に溶解した混合溶液を作り、担体に同
時に担持する方法、各成分を逐次的にIU1持する方法
、あるいは各成分を必要に応じて還元、熱処理等の処理
を行いながら逐次的、段階的に担持する方法などの各手
法を用いることかで一゛も本発明方法に用いられる触媒
の調製手法として採用できる。
を同一溶媒に同時に溶解した混合溶液を作り、担体に同
時に担持する方法、各成分を逐次的にIU1持する方法
、あるいは各成分を必要に応じて還元、熱処理等の処理
を行いながら逐次的、段階的に担持する方法などの各手
法を用いることかで一゛も本発明方法に用いられる触媒
の調製手法として採用できる。
、1 」一連の手法によって調製された(a)および(
b)の触媒は通常還元処理を行うことにより活性化し次
いで反応に供せられる。還元を行うには水素を含有する
気体により昇温下で行うことか簡便であって好ましい。
b)の触媒は通常還元処理を行うことにより活性化し次
いで反応に供せられる。還元を行うには水素を含有する
気体により昇温下で行うことか簡便であって好ましい。
(a)の触媒の還元温度として、ロジウムの還元温度と
して、ロジウムの還元される温度、即ち100°C程度
の温度条件下でも還元処理ができるが、好ましくは20
0°C〜600℃の温度下で還元処理を行う。この際触
媒の各成分の分散を充分に行わせる]」的で低温より徐
々に、あるいは段階的に昇温しなから水素還元を行って
もよい。また還元剤を用いて、化学的に還元を行うこと
もできる。
して、ロジウムの還元される温度、即ち100°C程度
の温度条件下でも還元処理ができるが、好ましくは20
0°C〜600℃の温度下で還元処理を行う。この際触
媒の各成分の分散を充分に行わせる]」的で低温より徐
々に、あるいは段階的に昇温しなから水素還元を行って
もよい。また還元剤を用いて、化学的に還元を行うこと
もできる。
たとえは一酸化炭素と水を用いたり、ヒドラジン、水素
化ホウ素化合物、水素化アルミニウム化合物などの還元
剤を用いた還元処理を行ってもよい。
化ホウ素化合物、水素化アルミニウム化合物などの還元
剤を用いた還元処理を行ってもよい。
また(b)の触媒は(a)の触媒と同様な方法で還元処
理を行うことができる。
理を行うことができる。
本発明において用いられる1目体は、好ましくは比表面
積10〜1,000イ/g、細孔径10入以−にを有す
るものであれば通常担体として知られているものを使用
することができる。具体的な担体としては、シリカ、各
種の珪酸塩、アルミナ、活性炭、各種金属の酸化物(例
えば酸化シルコニ□ウム、酸化チタン、マグネシアなど
)、モレキュラーシーブ、ケイソウ上などがあげられる
が、シリカ系の711体が好ましい。
積10〜1,000イ/g、細孔径10入以−にを有す
るものであれば通常担体として知られているものを使用
することができる。具体的な担体としては、シリカ、各
種の珪酸塩、アルミナ、活性炭、各種金属の酸化物(例
えば酸化シルコニ□ウム、酸化チタン、マグネシアなど
)、モレキュラーシーブ、ケイソウ上などがあげられる
が、シリカ系の711体が好ましい。
、I−記(a)の触媒における各構成成分の比率は以下
の様である。
の様である。
ロジウムと担体に対する比率は、担体の比表面積を考慮
して重量比でo、、o o o i〜0,5、好ましく
は0.001〜0.3である。スカンジウムとロジウム
の比率はスカンジウム/ロジウム(原子比)で0.00
01〜10、好ましくは0.005〜3の範囲である。
して重量比でo、、o o o i〜0,5、好ましく
は0.001〜0.3である。スカンジウムとロジウム
の比率はスカンジウム/ロジウム(原子比)で0.00
01〜10、好ましくは0.005〜3の範囲である。
イリジウムとロジウムの比率はイリジウム/ロジウム(
原子比)で0.001〜6、好ましくは0.005〜3
の範囲である。リチウムとロジウムの比率はリチウム/
ロジウム(原子1いで0.001〜3、好ましくは0゜
001〜2の範囲である。更に上記(b)の触媒におけ
る各構成成分の比率は以下の様である。銅と担体に対す
る比率は、重量比で0.001〜50、好ましくは0.
01〜20である。銅と亜鉛の比率は亜鉛/銅(原子比
)で0.01〜50、好ましくは0.1〜5の範囲であ
る。銅とクロムの比率はクロム/銅(原子比)で0.0
1〜50、好ましくは0. 1〜5の範囲である。
原子比)で0.001〜6、好ましくは0.005〜3
の範囲である。リチウムとロジウムの比率はリチウム/
ロジウム(原子1いで0.001〜3、好ましくは0゜
001〜2の範囲である。更に上記(b)の触媒におけ
る各構成成分の比率は以下の様である。銅と担体に対す
る比率は、重量比で0.001〜50、好ましくは0.
01〜20である。銅と亜鉛の比率は亜鉛/銅(原子比
)で0.01〜50、好ましくは0.1〜5の範囲であ
る。銅とクロムの比率はクロム/銅(原子比)で0.0
1〜50、好ましくは0. 1〜5の範囲である。
本発明はたとえば固定床の流通式反応装置に適用するこ
とができる。すなわち反応器内に−[1記(b)の触媒
のうちの一つの−にに、(a)の触媒のうちの一つを充
填するか、(a)の触媒のうちの一つと(b)の触媒の
うちの一つを混合して充填し、原料ガスを送入して反応
を行わせる。
とができる。すなわち反応器内に−[1記(b)の触媒
のうちの一つの−にに、(a)の触媒のうちの一つを充
填するか、(a)の触媒のうちの一つと(b)の触媒の
うちの一つを混合して充填し、原料ガスを送入して反応
を行わせる。
生成物は分離し、未反応の原料ガスは必要に応じて精製
したのち循環再使用することも可能である。
したのち循環再使用することも可能である。
また本発明は流動床式の反応装置にも適用できる。すな
わち、原料ガスと−L記(a)の触媒のうちの一つと(
b)の触媒のうちの一つを混合、流動化した触媒を同伴
させて反応を行わせることもできる。更に本発明は溶媒
中に触媒を分散させ、原料ガスを送入し反応を行うこと
からなる液相不均−反応にも適用できる。
わち、原料ガスと−L記(a)の触媒のうちの一つと(
b)の触媒のうちの一つを混合、流動化した触媒を同伴
させて反応を行わせることもできる。更に本発明は溶媒
中に触媒を分散させ、原料ガスを送入し反応を行うこと
からなる液相不均−反応にも適用できる。
本発明方法を実施するに際して採用される条件はエタノ
ールを主成分とする含酸素化合物を高収率、高選択率で
、かつ炭化水素の生成を最少にし泰 きるのであるが、
空時収率を高める目的で加圧下す ;において反応を行うことができる。従って反応圧′5
)力としてはOkg/cJゲージ〜350kg/cfゲ
ージ好ましくはOkg/cJゲージ〜250kg/cd
ゲージの圧力下で行う。反応温度は150℃〜450°
C1好ましくは180℃〜350℃である。反応温度が
高い場合には、炭化水素の副生量が増加するための原料
の送入速度を早くしたり、水素、一酸化炭素の組成比を
変える必要がある。従って、空間速度(原料ガス送入M
/触媒容量)は標準状態(0℃、1気圧)換算で10h
〜107h−’の一■ 範囲より、反応圧力、反応温度、原料ガス組成と= 1
1− の関係より適宜選択される。
ールを主成分とする含酸素化合物を高収率、高選択率で
、かつ炭化水素の生成を最少にし泰 きるのであるが、
空時収率を高める目的で加圧下す ;において反応を行うことができる。従って反応圧′5
)力としてはOkg/cJゲージ〜350kg/cfゲ
ージ好ましくはOkg/cJゲージ〜250kg/cd
ゲージの圧力下で行う。反応温度は150℃〜450°
C1好ましくは180℃〜350℃である。反応温度が
高い場合には、炭化水素の副生量が増加するための原料
の送入速度を早くしたり、水素、一酸化炭素の組成比を
変える必要がある。従って、空間速度(原料ガス送入M
/触媒容量)は標準状態(0℃、1気圧)換算で10h
〜107h−’の一■ 範囲より、反応圧力、反応温度、原料ガス組成と= 1
1− の関係より適宜選択される。
当該原料ガスの組成は、主として一酸化炭素と水素を含
有しているガスであって、窒素、アルゴン、ヘリウム、
メタン等のガス、あるいは反応条件下において、気体の
状態であれば炭化水素、二酸化炭素、生成した含酸素化
合物や水を含有していてもよい。水素と一酸化炭素の混
合比率は水素/−一酸化炭素容積比)で0.1〜10、
好ましくは0.25〜5であり、原料ガス中の一酸化炭
素と水素の合計割合は20〜100容積%、好ましくは
60〜100容積%である。
有しているガスであって、窒素、アルゴン、ヘリウム、
メタン等のガス、あるいは反応条件下において、気体の
状態であれば炭化水素、二酸化炭素、生成した含酸素化
合物や水を含有していてもよい。水素と一酸化炭素の混
合比率は水素/−一酸化炭素容積比)で0.1〜10、
好ましくは0.25〜5であり、原料ガス中の一酸化炭
素と水素の合計割合は20〜100容積%、好ましくは
60〜100容積%である。
以下実施例によって、本発明をさらに詳細に説明するが
、これらの例は本発明の理解を容易にするためにあえて
同一反応条件で示すものであり、本発明はこれによりな
んら限定されるものでないことは言うまでもない。
、これらの例は本発明の理解を容易にするためにあえて
同一反応条件で示すものであり、本発明はこれによりな
んら限定されるものでないことは言うまでもない。
実施例1
塩化ロジウム(RhCI ・3H,、O)1.2og
、塩化スカンジウム(ScC13舎6H20)0.0’
59g、塩化リチウム(L t Cl −H20)0,
055gをメタノール11.5mlに溶解させ、これに
シリカゲル(FUJ I−DAVI 5ONGR−91
112) 25mlを加えた後、室温、減圧下で15時
間乾燥した。この担持触媒をパイレックスガラス製反応
管に充填し、水素40m1/毎分下、450℃で5時間
還元してRh−8c−Li触媒を調製した。
、塩化スカンジウム(ScC13舎6H20)0.0’
59g、塩化リチウム(L t Cl −H20)0,
055gをメタノール11.5mlに溶解させ、これに
シリカゲル(FUJ I−DAVI 5ONGR−91
112) 25mlを加えた後、室温、減圧下で15時
間乾燥した。この担持触媒をパイレックスガラス製反応
管に充填し、水素40m1/毎分下、450℃で5時間
還元してRh−8c−Li触媒を調製した。
また硝酸銅(Cu (No ) ” 3 H20
) 1 。
) 1 。
89gを水5mlに溶解させ、これにシリカゲル(DA
V I SON $57 ) 10mlを加えた後
、加熱、減圧下で乾燥し、還元温度を400℃とした以
外は上記と同様の操作で還元処理してCu触媒を調製し
た。
V I SON $57 ) 10mlを加えた後
、加熱、減圧下で乾燥し、還元温度を400℃とした以
外は上記と同様の操作で還元処理してCu触媒を調製し
た。
活性試験及び結果
外径8+wの熱電対保護管を有する内径18mmのチタ
ン製反応管に上記のCu触媒10m1を充填し、ついで
上記のRh−8c−Li触媒10m1を上記に記載のシ
リカゲル30m1で希釈して充填した。
ン製反応管に上記のCu触媒10m1を充填し、ついで
上記のRh−8c−Li触媒10m1を上記に記載のシ
リカゲル30m1で希釈して充填した。
反応管内を窒素で置換し、常圧下、窒素希釈水素200
℃、1時間再還元した後、水素/−一酸化炭素2/1
(容積比)の混合ガスを21ON1/毎時送入し、反応
圧力20kg/cJ、反応温度275℃において反応を
行った。反応流出物のうち、液状生成物は水に吸収させ
て捕集し、また流出ガス組成はガスクロ法により分析し
、その結果を第1表に示す。
℃、1時間再還元した後、水素/−一酸化炭素2/1
(容積比)の混合ガスを21ON1/毎時送入し、反応
圧力20kg/cJ、反応温度275℃において反応を
行った。反応流出物のうち、液状生成物は水に吸収させ
て捕集し、また流出ガス組成はガスクロ法により分析し
、その結果を第1表に示す。
実施例2
実施例1と同様にして、同様の組成比でRh−8c−L
i触媒を調製した。また硝酸銅1.89g。
i触媒を調製した。また硝酸銅1.89g。
硝酸亜鉛(Zn(No ) ・6HO)2.33g
を水5mlに溶解させ、これに前記に記載のシリカゲル
10m1を加えた後、加熱減圧下で乾燥した後、実施例
1と同様の操作で還元処理してCu−Zn触媒を調製し
た。
を水5mlに溶解させ、これに前記に記載のシリカゲル
10m1を加えた後、加熱減圧下で乾燥した後、実施例
1と同様の操作で還元処理してCu−Zn触媒を調製し
た。
実施例1と同様の反応装置に上記のCu−Zn触媒10
m1を充填し、ついで上記のRh−8c−Li触媒10
m1を前記に記載のシリカゲル30m1で希釈して充填
した後、実施例1と同様にして反応を行った。結果を第
1表に示す。
m1を充填し、ついで上記のRh−8c−Li触媒10
m1を前記に記載のシリカゲル30m1で希釈して充填
した後、実施例1と同様にして反応を行った。結果を第
1表に示す。
実施例3
実施例1と同様にして、同様の組成比でRh−8c−L
i触媒を調製した。
i触媒を調製した。
また実施例2と同様にして、同様の41成比でRe−Z
n触媒を調製した。また硝酸銅1.89g。
n触媒を調製した。また硝酸銅1.89g。
硝酸クロム(Cr (No ) ・9 H20)
i。
i。
46gを水5mlに溶解させ、これに前記に記載のシリ
カゲル10m1を加えた後、加熱、減圧下で乾燥した後
、実施例1と同様の操作で還元処理してCu−Cr触媒
を調製した。
カゲル10m1を加えた後、加熱、減圧下で乾燥した後
、実施例1と同様の操作で還元処理してCu−Cr触媒
を調製した。
実施例1と同様の反応装置Nに上記のCu−Cr触媒1
0m1を充填し、ついで上記のRh−8c−Li触媒1
0m1を前記に記載のシリカゲル30m1で希釈して充
填した後、実施例1と同様にして反応を行った。結果を
第1表に示す。
0m1を充填し、ついで上記のRh−8c−Li触媒1
0m1を前記に記載のシリカゲル30m1で希釈して充
填した後、実施例1と同様にして反応を行った。結果を
第1表に示す。
実施例4
実施例1と同様にして、同様の組成比でRh−8c −
L i触媒を調製した。
L i触媒を調製した。
また実施例2と同様にして、同様の組成比でRe−Zn
触媒を調製した。
触媒を調製した。
また硝酸銅1.89g、硝酸亜鉛2.33g、硝酸クロ
ム1.46g・を水10m1に溶解させ、これに前記に
記載のシリカゲル10m1を加えた後、加熱、減圧下で
乾燥した後、実施例1と同様の操作で還)[処理してC
u−Zn−Cr触媒を調製した。
ム1.46g・を水10m1に溶解させ、これに前記に
記載のシリカゲル10m1を加えた後、加熱、減圧下で
乾燥した後、実施例1と同様の操作で還)[処理してC
u−Zn−Cr触媒を調製した。
実施例1と同様の反応装置に−1−記のCu −Z n
−Cr触媒10m1を充填し、ついで上記のRh−8
c−Li−1r触媒10m1を前記に記載のシリカゲル
30m1で希釈して充填した後、実施例1と同様にして
反応を行った。
−Cr触媒10m1を充填し、ついで上記のRh−8
c−Li−1r触媒10m1を前記に記載のシリカゲル
30m1で希釈して充填した後、実施例1と同様にして
反応を行った。
結果を第1表に示す。
実施例5
塩化ロジウム1.20g、塩化スカンジウム0゜059
g、塩化リチウム0.055 g、塩化イリジウム(
I rC14−H20) 0゜064gをメタノール1
1.5mlに溶解させ、これに実施例1に記載のシリカ
ゲル25m1を加えた後、実施例1と同様の操作で乾燥
、還元処P1;シてRh−8c−Li−Tr触媒を調製
した。
g、塩化リチウム0.055 g、塩化イリジウム(
I rC14−H20) 0゜064gをメタノール1
1.5mlに溶解させ、これに実施例1に記載のシリカ
ゲル25m1を加えた後、実施例1と同様の操作で乾燥
、還元処P1;シてRh−8c−Li−Tr触媒を調製
した。
実施例2と同様にして、同様の組成比でCu−Zn触媒
を調製した。
を調製した。
実施例1と同様の反応装置に上記のCu−Zn触媒10
m1を充填し、ついで上記のRh−8c−Li−1r触
媒10m1を前記に記載のシリカゲル30m1で希釈し
て充填した後、実施例1と同様にして反応を行った。結
果を第1表に示す。
m1を充填し、ついで上記のRh−8c−Li−1r触
媒10m1を前記に記載のシリカゲル30m1で希釈し
て充填した後、実施例1と同様にして反応を行った。結
果を第1表に示す。
実施例6
実施例5と同様にして、同様の組成比でRh−8c−L
i−1r触媒を調製した。
i−1r触媒を調製した。
また実施例4と同様にして、同様の組成比でCu−Zn
−Cr触媒を調製した。
−Cr触媒を調製した。
実施例1と同様の反応装置に」−記のCu−Z nCr
触媒10m1を充填し、ついで−1−記のRh−8c−
Ll−Ir触媒10m1を前記に記載のシリカゲル30
m1で希釈して充填した後、実施例1と同様にして反応
を行った。結果を第1表に示す。
触媒10m1を充填し、ついで−1−記のRh−8c−
Ll−Ir触媒10m1を前記に記載のシリカゲル30
m1で希釈して充填した後、実施例1と同様にして反応
を行った。結果を第1表に示す。
比較例1
実施例1と同様にして同様の組成比でRh−8c−Li
触媒を調製し、その10m1を前記に記載のシリカゲル
30m1で希釈して充填した以外は、 17 一 実施例1と同様にして反応を行った。結果を@1表に示
す。
触媒を調製し、その10m1を前記に記載のシリカゲル
30m1で希釈して充填した以外は、 17 一 実施例1と同様にして反応を行った。結果を@1表に示
す。
比較例2
実施例5と同様にして同様の組成比でRh−3c−Li
−1r触媒を調製し、その10m1を前記に記載のシリ
カゲル30m1で希釈して充填した以外は、実施例1と
同様にして反応を行った。結果を第1表に示す。
−1r触媒を調製し、その10m1を前記に記載のシリ
カゲル30m1で希釈して充填した以外は、実施例1と
同様にして反応を行った。結果を第1表に示す。
−18=
−19=
消費された一酸化炭素のモル数
転化率= X100供給
した一酸化炭素のモル数 選択率=消費された一酸化炭素基準 EtllO:エタノール+酢酸エチル中のエタノール分
Ac11 :アセトアルデヒド
した一酸化炭素のモル数 選択率=消費された一酸化炭素基準 EtllO:エタノール+酢酸エチル中のエタノール分
Ac11 :アセトアルデヒド
Claims (1)
- ロジウム、スカンジウム、イリジウムおよび/又はリチ
ウムを担体担持してなる触媒と、(1)銅又は(2)銅
、亜鉛および/又はクロムからなる触媒の存在下、一酸
化炭素と水素とを反応させることからなるエタノールの
製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60197792A JPS6259230A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | エタノ−ルの製造方法 |
GB08602390A GB2171925B (en) | 1985-02-02 | 1986-01-31 | Process for the manufacture of ethanol based, oxygen-containing carbon compounds |
US06/941,072 US4758600A (en) | 1985-02-02 | 1986-12-12 | Process for the manufacture of ethanol |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60197792A JPS6259230A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | エタノ−ルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6259230A true JPS6259230A (ja) | 1987-03-14 |
JPS63414B2 JPS63414B2 (ja) | 1988-01-07 |
Family
ID=16380425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60197792A Granted JPS6259230A (ja) | 1985-02-02 | 1985-09-09 | エタノ−ルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6259230A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100706191B1 (ko) * | 2006-04-25 | 2007-04-13 | 김성식 | 호이스트가 설치된 단조 조업용 오토 통 |
-
1985
- 1985-09-09 JP JP60197792A patent/JPS6259230A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63414B2 (ja) | 1988-01-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |