JPS6258660B2 - - Google Patents
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- JPS6258660B2 JPS6258660B2 JP57151299A JP15129982A JPS6258660B2 JP S6258660 B2 JPS6258660 B2 JP S6258660B2 JP 57151299 A JP57151299 A JP 57151299A JP 15129982 A JP15129982 A JP 15129982A JP S6258660 B2 JPS6258660 B2 JP S6258660B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子の超低温における諸特性
の測定を、ウエハー状態で行うことができ、しか
も測定すべき素子の選択を冷却状態を保ちつつ行
うことができる低温用プローバに関する。
の測定を、ウエハー状態で行うことができ、しか
も測定すべき素子の選択を冷却状態を保ちつつ行
うことができる低温用プローバに関する。
従来、ジヨセフソン素子等の低温動作デバイス
の特性測定やDLTS(Deep Level Transient
Spectroscopy)法を始めとする半導体材料・素
子の評価を行う場合には、クライオスタツトが用
いられていた。ところが、クライオスタツトは一
般に冷却空間が狭く、しかも被測定物と直接電気
的コンタクトをとるためのプローブを通常備えて
いない。従つて、このクライオスタツトを用いて
半導体素子の低温における諸測定を行うために
は、被測定素子をウエハーから切り出した後、パ
ツケージに入れてボンデイング・封入するか、あ
るいは適当な治具を用いて導電性接着剤により電
気的コンタクトをとり、クライオスタツトに入れ
て冷却するという手順がとられていた。しかしな
がら、このような方法では、素子の良否の判定を
ウエハー段階で行うことができない、素子の切り
出し等に多大の手間が掛るとともに、歩留りが悪
化する、多数の素子を1回の冷却で測定すること
とが困難である関係上、被測定素子の交換毎に冷
却しなければならず、多量の冷媒、電力を必要と
し、不経済である等、多くの問題があつた。
の特性測定やDLTS(Deep Level Transient
Spectroscopy)法を始めとする半導体材料・素
子の評価を行う場合には、クライオスタツトが用
いられていた。ところが、クライオスタツトは一
般に冷却空間が狭く、しかも被測定物と直接電気
的コンタクトをとるためのプローブを通常備えて
いない。従つて、このクライオスタツトを用いて
半導体素子の低温における諸測定を行うために
は、被測定素子をウエハーから切り出した後、パ
ツケージに入れてボンデイング・封入するか、あ
るいは適当な治具を用いて導電性接着剤により電
気的コンタクトをとり、クライオスタツトに入れ
て冷却するという手順がとられていた。しかしな
がら、このような方法では、素子の良否の判定を
ウエハー段階で行うことができない、素子の切り
出し等に多大の手間が掛るとともに、歩留りが悪
化する、多数の素子を1回の冷却で測定すること
とが困難である関係上、被測定素子の交換毎に冷
却しなければならず、多量の冷媒、電力を必要と
し、不経済である等、多くの問題があつた。
そこで最近、プローブを備え、ウエハー状態で
低温における素子特性の測定を行うことができる
装置が提案されている。ところが、この装置にあ
つては、プローブと被測定素子との電気的コンタ
クトの調整、あるいは、測定すべき素子の選択を
冷却室外から行うことができない。このため、素
子の切り出しおよびパツケージ封入の手間を省け
るものの、電気的コンタクトの調整、あるいは測
定すべき素子の選択を行う必要がある場合には、
その都度冷却、昇温を繰り返さなければならず、
クライオスタツトによる測定と同様、きわめて不
経済であつた。
低温における素子特性の測定を行うことができる
装置が提案されている。ところが、この装置にあ
つては、プローブと被測定素子との電気的コンタ
クトの調整、あるいは、測定すべき素子の選択を
冷却室外から行うことができない。このため、素
子の切り出しおよびパツケージ封入の手間を省け
るものの、電気的コンタクトの調整、あるいは測
定すべき素子の選択を行う必要がある場合には、
その都度冷却、昇温を繰り返さなければならず、
クライオスタツトによる測定と同様、きわめて不
経済であつた。
このように、従来の技術では、半導体材料・素
子の低温における諸特性の簡単な測定、特性のウ
エハー面内分布、ウエハー段階における素子の良
否の判定等、進歩を続ける半導体材料・素子技術
からの要求に対処することができなくなつてい
る。
子の低温における諸特性の簡単な測定、特性のウ
エハー面内分布、ウエハー段階における素子の良
否の判定等、進歩を続ける半導体材料・素子技術
からの要求に対処することができなくなつてい
る。
本発明は、これらの欠点を除去し、半導体デバ
イスの試験、評価等をウエハー状態で効率よく行
うため、試料台と低温熱源とをそれぞれ別個の真
空室内に設置し、しかも、プローブの電気的コン
タクトの調整および被測定物の選択を試料台が設
置された真空室の外部から行うことができる構造
を実現したものである。
イスの試験、評価等をウエハー状態で効率よく行
うため、試料台と低温熱源とをそれぞれ別個の真
空室内に設置し、しかも、プローブの電気的コン
タクトの調整および被測定物の選択を試料台が設
置された真空室の外部から行うことができる構造
を実現したものである。
以下、本発明の一実施例について第1図ないし
第4図を参照して説明する。なお、第1図は本発
明に係る低温用プローバの一部を切欠いて示す正
面図である。
第4図を参照して説明する。なお、第1図は本発
明に係る低温用プローバの一部を切欠いて示す正
面図である。
図中符号1は基台で、その上部には断熱構造の
箱体2が固定されている。この箱体2の内部空間
が第1の真空室3になつている。この第1の真空
室3の内部には、冷却装置4によつて冷却される
低温熱源5が設置されている。この低温熱源5
は、伝熱ワイヤ6を介して箱体2の上壁中央部に
形成された孔2aから上方へ突出した移動片7に
熱的に接続されている。この移動片7は、油圧シ
リンダ等の駆動源8によつて上下方向に移動し得
るようになつている。また、箱体2の上壁には、
孔2aを囲むようにして筒状の支柱9が立設され
ている。この支柱9の上端部の内側には、試料台
10が固定されている。この試料台10は、熱伝
導体によつて構成されており、その内部にはヒー
タ11が設けられている。なお、符号12は被測
定物としての半導体ウエハーである。また、試料
台10の下端部には、前記移動片7とで熱スイツ
チSを構成する固定片13が固定されている。こ
の固定片13の外周部にはベローズ14の上端部
が固定されている。このベローズ14の下端部
は、孔2aを囲むようにして箱体2の上壁に固定
されている。従つて、孔2aは固定片13および
ベローズ14によつて外部から密封され、ひいて
は第1の真空室3が外部から密封されている。
箱体2が固定されている。この箱体2の内部空間
が第1の真空室3になつている。この第1の真空
室3の内部には、冷却装置4によつて冷却される
低温熱源5が設置されている。この低温熱源5
は、伝熱ワイヤ6を介して箱体2の上壁中央部に
形成された孔2aから上方へ突出した移動片7に
熱的に接続されている。この移動片7は、油圧シ
リンダ等の駆動源8によつて上下方向に移動し得
るようになつている。また、箱体2の上壁には、
孔2aを囲むようにして筒状の支柱9が立設され
ている。この支柱9の上端部の内側には、試料台
10が固定されている。この試料台10は、熱伝
導体によつて構成されており、その内部にはヒー
タ11が設けられている。なお、符号12は被測
定物としての半導体ウエハーである。また、試料
台10の下端部には、前記移動片7とで熱スイツ
チSを構成する固定片13が固定されている。こ
の固定片13の外周部にはベローズ14の上端部
が固定されている。このベローズ14の下端部
は、孔2aを囲むようにして箱体2の上壁に固定
されている。従つて、孔2aは固定片13および
ベローズ14によつて外部から密封され、ひいて
は第1の真空室3が外部から密封されている。
また、箱体2を跨ぐようにして基台15が設置
されている。この基台15の上面中央部には、孔
15aが明けられている。この孔15aの内周部
には、ベローズ16の上端部が固定されており、
ベローズ16の下端部は箱体2の上壁に固定され
ている。また、基台15の上面には、断熱構造の
箱体17が固定されている。この箱体17の内部
空間が第2の真空室18とされている。箱体17
の底壁の孔15aに対応する部分には、孔17a
が明けられている。そして、この孔17aを貫通
して前記支柱9が第2の真空室18内に延在して
いる。従つて、試料台10は第1の真空室3側に
固定されているものの、第2の真空室18内に位
置するようになつている。また、箱体17の上壁
には、試料台10に対向する観察窓17bが設け
られている。この観察窓17bには、顕微鏡19
が設置されている。なお、図中符号20は被測定
物を交換する際に使用する交換窓である。
されている。この基台15の上面中央部には、孔
15aが明けられている。この孔15aの内周部
には、ベローズ16の上端部が固定されており、
ベローズ16の下端部は箱体2の上壁に固定され
ている。また、基台15の上面には、断熱構造の
箱体17が固定されている。この箱体17の内部
空間が第2の真空室18とされている。箱体17
の底壁の孔15aに対応する部分には、孔17a
が明けられている。そして、この孔17aを貫通
して前記支柱9が第2の真空室18内に延在して
いる。従つて、試料台10は第1の真空室3側に
固定されているものの、第2の真空室18内に位
置するようになつている。また、箱体17の上壁
には、試料台10に対向する観察窓17bが設け
られている。この観察窓17bには、顕微鏡19
が設置されている。なお、図中符号20は被測定
物を交換する際に使用する交換窓である。
また基台15の上面の図中左右両側部には、X
―Yステージ21,21が設置されている。この
X―Yステージ21の上面には、位置合わせ構成
22が設置されており、この位置合わせ機構22
は、X―Yステージ21を操作することにより、
図の表裏方向および左右方向に移動可能になつて
いる。しかも、位置合せ機構22は、ねじ機構等
によつて図の左右方向に移動可能で、かつ上下方
向に揺動可能なプーロブアーム22aを備えてい
る。このプローブアーム22aは、箱体17の側
壁に明けられた孔17cを貫通し、第2の真空室
18内に延在しており、その先端部には被測定物
12に接触させられるプローブ23が取り付けら
れている。このプローブ23は、リード線24お
よび気密コネクタ25を介して図示しない測定器
に接続されている。なお、図中符号26はベロー
ズで、一端が孔17dを囲むようにして箱体17
の側壁に固定され、他端がプローブアーム22a
に固定されている。このベローズ26により、プ
ローブアーム22aは第2の真空室18の内部状
態を保持したままで、その長さ方向に移動できる
ようになつている。
―Yステージ21,21が設置されている。この
X―Yステージ21の上面には、位置合わせ構成
22が設置されており、この位置合わせ機構22
は、X―Yステージ21を操作することにより、
図の表裏方向および左右方向に移動可能になつて
いる。しかも、位置合せ機構22は、ねじ機構等
によつて図の左右方向に移動可能で、かつ上下方
向に揺動可能なプーロブアーム22aを備えてい
る。このプローブアーム22aは、箱体17の側
壁に明けられた孔17cを貫通し、第2の真空室
18内に延在しており、その先端部には被測定物
12に接触させられるプローブ23が取り付けら
れている。このプローブ23は、リード線24お
よび気密コネクタ25を介して図示しない測定器
に接続されている。なお、図中符号26はベロー
ズで、一端が孔17dを囲むようにして箱体17
の側壁に固定され、他端がプローブアーム22a
に固定されている。このベローズ26により、プ
ローブアーム22aは第2の真空室18の内部状
態を保持したままで、その長さ方向に移動できる
ようになつている。
次に、上記のように構成された低温用プローバ
の動作について説明する。
の動作について説明する。
まず本発明を起動するにあたつて、第1の真空
室3の排気を行つた後、冷却装置4を動作させ、
低温熱源5を冷却して超低温に保持する。一方、
第2の真空室18に設けられた交換窓20からウ
エハー状の被測定物12を試料台10上に載せ
る。その後、交換窓20を閉じ、第2の真空室1
8内を排気して真空にする。次に、熱スイツチS
をON状態にし、試料台10および被測定物12
を冷却する。被測定物12が所定の温度に到達し
た後、観察窓17bを通して顕微鏡19で観察し
ながら、位置合せ機構22によつてプローブ23
の位置合せを行い、所望の素子に電気的コンタク
トをとる。そして、プローブ23にリード線24
および気密コネクタ25を介して接続された測定
器により、所定の温度ないし温下掃引条件の下で
測定を行う。さらに、測定点を変更する場合に
は、X―Yステージ21を駆動してプローブ23
の概略の位置合せを行い、その後位置合せ機構2
2により、プローブ23の正確な位置合せを行
う。
室3の排気を行つた後、冷却装置4を動作させ、
低温熱源5を冷却して超低温に保持する。一方、
第2の真空室18に設けられた交換窓20からウ
エハー状の被測定物12を試料台10上に載せ
る。その後、交換窓20を閉じ、第2の真空室1
8内を排気して真空にする。次に、熱スイツチS
をON状態にし、試料台10および被測定物12
を冷却する。被測定物12が所定の温度に到達し
た後、観察窓17bを通して顕微鏡19で観察し
ながら、位置合せ機構22によつてプローブ23
の位置合せを行い、所望の素子に電気的コンタク
トをとる。そして、プローブ23にリード線24
および気密コネクタ25を介して接続された測定
器により、所定の温度ないし温下掃引条件の下で
測定を行う。さらに、測定点を変更する場合に
は、X―Yステージ21を駆動してプローブ23
の概略の位置合せを行い、その後位置合せ機構2
2により、プローブ23の正確な位置合せを行
う。
このように、本装置においては、第2の真空室
18の外部からプローブ23の位置合せを行うこ
とができるので、プローブ23と被測定物12と
の電気的コンタクト不良の調整や、同一の被測定
物12上の他の素子の選択を、第2の真空室18
内を大気圧に戻したり、被測定物12を常温に戻
したりすることなく簡単に行うことができ、特性
のウエハー面内分布等も容易にかつ短時間で求め
ることができる等の利点がある。
18の外部からプローブ23の位置合せを行うこ
とができるので、プローブ23と被測定物12と
の電気的コンタクト不良の調整や、同一の被測定
物12上の他の素子の選択を、第2の真空室18
内を大気圧に戻したり、被測定物12を常温に戻
したりすることなく簡単に行うことができ、特性
のウエハー面内分布等も容易にかつ短時間で求め
ることができる等の利点がある。
また、被測定物12を交換する場合には、熱ス
イツチSをOFF状態にし、結露を避けるために
ヒータ11により試料台10および被測定物12
を加熱して常温に戻す。その後、第2の真空室1
8内を大気圧にし、そして交換窓20を通して被
測定物12の交換を行う。その後、第1の真空室
18内の排気、試料台10および被測定物12の
冷却、被測定素子の選定など、前述の手順を繰り
返す。
イツチSをOFF状態にし、結露を避けるために
ヒータ11により試料台10および被測定物12
を加熱して常温に戻す。その後、第2の真空室1
8内を大気圧にし、そして交換窓20を通して被
測定物12の交換を行う。その後、第1の真空室
18内の排気、試料台10および被測定物12の
冷却、被測定素子の選定など、前述の手順を繰り
返す。
このように、本装置においては、試料交換に伴
なう昇温、冷却を熱容量の小さい試料台10と被
測定物12についてのみ行えばよく、しかも第1
の真空室3を常に真空状態に保持しておくととも
に、低温熱源5を超低温に保つているので、被測
定物交換毎に装置全体の昇温、冷却を繰り返す従
来の装置に比べると、冷却に要するエネルギーが
格段に少なくて済み、しかも、交換時間も短かく
て済む効果がある。また、本実施例においては、
位置合せ機構22をX―Yステージ21により試
料台10に対して移動し得るように構成している
から、プローブ23の位置決め自由度が位置合せ
機構22のみで行う場合よりも高く、測定点の選
択および変更をより迅速にかつ正確に行うことが
できる利点がある。
なう昇温、冷却を熱容量の小さい試料台10と被
測定物12についてのみ行えばよく、しかも第1
の真空室3を常に真空状態に保持しておくととも
に、低温熱源5を超低温に保つているので、被測
定物交換毎に装置全体の昇温、冷却を繰り返す従
来の装置に比べると、冷却に要するエネルギーが
格段に少なくて済み、しかも、交換時間も短かく
て済む効果がある。また、本実施例においては、
位置合せ機構22をX―Yステージ21により試
料台10に対して移動し得るように構成している
から、プローブ23の位置決め自由度が位置合せ
機構22のみで行う場合よりも高く、測定点の選
択および変更をより迅速にかつ正確に行うことが
できる利点がある。
以上が本装置の操作手順であるが、さらに、本
実施例においては、誤操作をさけて実験を安全に
行うとともに、操作を単純化する等の目的から、
プローブ23の操作以外の全ての操作をマイクロ
プロセツサー内蔵の装置コントローラにより自動
シーケンス制御している。次に、そのような自動
シーケンス制御について第2図を参照して説明す
る。
実施例においては、誤操作をさけて実験を安全に
行うとともに、操作を単純化する等の目的から、
プローブ23の操作以外の全ての操作をマイクロ
プロセツサー内蔵の装置コントローラにより自動
シーケンス制御している。次に、そのような自動
シーケンス制御について第2図を参照して説明す
る。
制御シーケンスとしては、冷却装置起動、被測
定物冷却、温度保持、掃引(正、負)および被測
定物交換の4種類があり、さらにコントローラー
自身のシーケンスとして自己診断、キーボード割
込、外部インターフエース割込みの3種類があ
る。各シーケンスは、読出し専用メモリーROM
に書き込まれており、マイクロプロセツサー
CPUがこのシーケンスに従つてI/Oバス経由
のポートL1〜L6により排気バルブ、真空ポンプ
および冷却装置等を駆動制御し、センサーS1〜S3
およびA/Dコンバータにより真空度、温度を読
み込みメモリーRAMに記憶させるとともに、
ROMと比較しながらD/Aコンバータを介して
ヒータHを制御する等の動作を実行するように構
成されている。パネルPANELキーボードからの
マニユアル操作も無論可能である。さらに、外部
インターフエースIFが設けられており、外部コ
ントローラーによる本装置の制御も可能で、他の
測定器類と組合せて低温自動計測システムを構成
することもできる。
定物冷却、温度保持、掃引(正、負)および被測
定物交換の4種類があり、さらにコントローラー
自身のシーケンスとして自己診断、キーボード割
込、外部インターフエース割込みの3種類があ
る。各シーケンスは、読出し専用メモリーROM
に書き込まれており、マイクロプロセツサー
CPUがこのシーケンスに従つてI/Oバス経由
のポートL1〜L6により排気バルブ、真空ポンプ
および冷却装置等を駆動制御し、センサーS1〜S3
およびA/Dコンバータにより真空度、温度を読
み込みメモリーRAMに記憶させるとともに、
ROMと比較しながらD/Aコンバータを介して
ヒータHを制御する等の動作を実行するように構
成されている。パネルPANELキーボードからの
マニユアル操作も無論可能である。さらに、外部
インターフエースIFが設けられており、外部コ
ントローラーによる本装置の制御も可能で、他の
測定器類と組合せて低温自動計測システムを構成
することもできる。
次に上記のような冷却装置を実際に動作させた
際のデータを示すことにより、本発明をより明ら
かにする。
際のデータを示すことにより、本発明をより明ら
かにする。
第3図は、冷却装置として2KW程度の能力の
クライオポンプを用い、直径3インチのシリコン
ウエハーを冷却したときの温度時間特性の一例で
ある。この図から明らかなように、本装置におい
ては、比較的小さな能力の冷却装置を用いても、
室温から40〜77゜Kの低温までの冷却を、約1〜
2時間の短時間のうちに行うことができる。
クライオポンプを用い、直径3インチのシリコン
ウエハーを冷却したときの温度時間特性の一例で
ある。この図から明らかなように、本装置におい
ては、比較的小さな能力の冷却装置を用いても、
室温から40〜77゜Kの低温までの冷却を、約1〜
2時間の短時間のうちに行うことができる。
また、第4図は温度シーケンスを実行した例
で、掃引レートは1、0.01k/secであつて良好な
直線性を得ることができる。
で、掃引レートは1、0.01k/secであつて良好な
直線性を得ることができる。
なお、上記実施例においては、位置合せ機構2
2を試料台10に対して水平方向に移動可能にし
ているが、これとは逆に試料台10を位置合せ機
構22に対して水平方向に移動可能にしてもよ
い。また、位置合せ機構22と試料台10とは互
いに上下方向に相対移動可能な構成としてもよ
い。
2を試料台10に対して水平方向に移動可能にし
ているが、これとは逆に試料台10を位置合せ機
構22に対して水平方向に移動可能にしてもよ
い。また、位置合せ機構22と試料台10とは互
いに上下方向に相対移動可能な構成としてもよ
い。
また、上記実施例においては、第2の真空室1
8と試料台10との位置を移動し得ない構成とし
ているが、これらを互いに水平方向および上下方
向に相対移動可能な構成としてもよい。このよう
な構成とすることにより、顕微鏡19の被測定物
に対する位置を常に適正なものとすることができ
る。
8と試料台10との位置を移動し得ない構成とし
ているが、これらを互いに水平方向および上下方
向に相対移動可能な構成としてもよい。このよう
な構成とすることにより、顕微鏡19の被測定物
に対する位置を常に適正なものとすることができ
る。
以上説明したように、本発明の低温用プローバ
によれば、ウエハー状態の被測定物を切断した
り、パツケージに封入したりする手間を省くこと
ができるのは、勿論のこと、プローブの位置合せ
機構を第2の真空室に設置しているから、冷却状
態において、つまり第2の真空室内の昇温、冷却
を繰り返すことなく半導体素子へのプロービング
が可能となり、ひいては、特性のウエハー内分
布、ウエハー段階でのデバイスの良否判断等を短
時間で行うことができる。また、試料台と低温熱
源とをそれぞれ第2の真空室と第1の真空室とに
分離しているから、昇温、冷却に要する時間の短
縮を計ることができ、冷却エネルギを節約するこ
とができる。さらに、試料台にヒータを設けてい
るから、被測定物を交換する際に、測定を完了し
た被測定物の結露を防止することができる。さら
にまた、用途に応じて冷却装置の種類、能力を選
べるので融通性に富んだ装置を実現することがで
きる等の効果が得られる。
によれば、ウエハー状態の被測定物を切断した
り、パツケージに封入したりする手間を省くこと
ができるのは、勿論のこと、プローブの位置合せ
機構を第2の真空室に設置しているから、冷却状
態において、つまり第2の真空室内の昇温、冷却
を繰り返すことなく半導体素子へのプロービング
が可能となり、ひいては、特性のウエハー内分
布、ウエハー段階でのデバイスの良否判断等を短
時間で行うことができる。また、試料台と低温熱
源とをそれぞれ第2の真空室と第1の真空室とに
分離しているから、昇温、冷却に要する時間の短
縮を計ることができ、冷却エネルギを節約するこ
とができる。さらに、試料台にヒータを設けてい
るから、被測定物を交換する際に、測定を完了し
た被測定物の結露を防止することができる。さら
にまた、用途に応じて冷却装置の種類、能力を選
べるので融通性に富んだ装置を実現することがで
きる等の効果が得られる。
第1図は本発明の一実施例を示す一部切欠き正
面図、第2図はそのコントローラーを示す構成
図、第3図は本装置を用いた3インチシリコンウ
エハーの冷却特性例を示す図、第4図は温度、掃
引特性を示す図である。 3…第1の真空室、5…低温熱源、10…試料
台、11…ヒータ、12…被測定物(半導体ウエ
ハー)、17b…観察窓、18…第2の真空室、
21…X―Yステージ、22…位置合せ機構、2
2a…プローブアーム、23…プローブ、S…熱
スイツチ。
面図、第2図はそのコントローラーを示す構成
図、第3図は本装置を用いた3インチシリコンウ
エハーの冷却特性例を示す図、第4図は温度、掃
引特性を示す図である。 3…第1の真空室、5…低温熱源、10…試料
台、11…ヒータ、12…被測定物(半導体ウエ
ハー)、17b…観察窓、18…第2の真空室、
21…X―Yステージ、22…位置合せ機構、2
2a…プローブアーム、23…プローブ、S…熱
スイツチ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 低温熱源を内蔵する第1の真空室と、観察窓
が設けられた第2の真空室と、この第2の真空室
内の前記観察窓から見える部分に設置され、前記
低温熱源と熱スイツチを介して熱的に接続され、
かつヒーターを有する熱伝導体製の試料台と、前
記第2の真空室の外部に設けられ、前記試料台に
載せられた半導体ウエハーに接触せしめられるプ
ローブを、一端部が前記第2の真空室内に内部状
態を保持して挿入されかつ移動自在なプローブア
ームを介して位置決め移動させる位置合わせ機構
とを備えてなることを特徴とする低温用プロー
バ。 2 前記第2の真空室は、前記試料台に対して相
対移動自在であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項に記載の低温用プローバ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57151299A JPS5941846A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 低温用プロ−バ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57151299A JPS5941846A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 低温用プロ−バ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5941846A JPS5941846A (ja) | 1984-03-08 |
JPS6258660B2 true JPS6258660B2 (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=15515642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57151299A Granted JPS5941846A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 低温用プロ−バ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5941846A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62190737A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-20 | Fujitsu Ltd | 低温用オ−トプロ−バ− |
US5084671A (en) * | 1987-09-02 | 1992-01-28 | Tokyo Electron Limited | Electric probing-test machine having a cooling system |
JPH01308087A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 極低温プローバ・トリマ |
DE102005015334B4 (de) * | 2005-04-01 | 2017-02-09 | Cascade Microtech, Inc. | Prober zum Testen von Substraten bei Temperaturen im Bereich der Siedetemperatur von Helium |
US11927621B2 (en) | 2019-11-19 | 2024-03-12 | High Precision Devices, Inc. | Cryogenic wafer testing system |
CN111811939B (zh) * | 2020-07-21 | 2022-08-02 | 上海交通大学 | 超低温环境下的高精度纳米力学检测系统 |
CN112630620A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-04-09 | 清华大学 | 用于半导体样品的测试装置、测试系统及其测试方法 |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP57151299A patent/JPS5941846A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5941846A (ja) | 1984-03-08 |
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