JPS6246265Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6246265Y2 JPS6246265Y2 JP1982170785U JP17078582U JPS6246265Y2 JP S6246265 Y2 JPS6246265 Y2 JP S6246265Y2 JP 1982170785 U JP1982170785 U JP 1982170785U JP 17078582 U JP17078582 U JP 17078582U JP S6246265 Y2 JPS6246265 Y2 JP S6246265Y2
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- Japan
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- sample
- gas
- measuring
- shield cap
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- Expired
Links
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は試料測定装置、特に半導体ウエフア等
外部の雰囲気、温度等によつて大きくその特性が
変化する試料の電気的特性を測定する装置に関す
る。
外部の雰囲気、温度等によつて大きくその特性が
変化する試料の電気的特性を測定する装置に関す
る。
従来、極低温時の半導体ウエフアの特性測定に
は、試料及びその周辺の露結を防止するために、
試料をマウントした試料台をクライオスタツト中
に入れ真空に引きつつ冷却し、その状態で試料の
測定を行なつていた。試料の交換に際しては、一
度常温に戻して、クライオスタツトから試料台を
取り出して再度新たな試料をセツトしクライオス
タツト内に入れて真空に引きつつ冷却している。
この試料交換操作は時間的にも、冷却用低温液体
の使用量から見ても大きな損失となつている。特
に大量の試料測定に対しては従来の装置ではさば
ききれない。又試料の取り換え作業中の水蒸気の
付着により低温状態時に露結が生じ、測定誤差の
原因となつている。
は、試料及びその周辺の露結を防止するために、
試料をマウントした試料台をクライオスタツト中
に入れ真空に引きつつ冷却し、その状態で試料の
測定を行なつていた。試料の交換に際しては、一
度常温に戻して、クライオスタツトから試料台を
取り出して再度新たな試料をセツトしクライオス
タツト内に入れて真空に引きつつ冷却している。
この試料交換操作は時間的にも、冷却用低温液体
の使用量から見ても大きな損失となつている。特
に大量の試料測定に対しては従来の装置ではさば
ききれない。又試料の取り換え作業中の水蒸気の
付着により低温状態時に露結が生じ、測定誤差の
原因となつている。
そこで、本考案は上記した従来の問題点を解決
した試料測定装置で、その目的は、低温時の測定
における試料の露結、試料の汚染の発生を防ぎ、
更に測定プロセスの自動化を可能にし、測定信号
に対するノイズを低減した試料測定装置を提供す
るにある。
した試料測定装置で、その目的は、低温時の測定
における試料の露結、試料の汚染の発生を防ぎ、
更に測定プロセスの自動化を可能にし、測定信号
に対するノイズを低減した試料測定装置を提供す
るにある。
本考案は試料台近辺に測定手段、例えばＸ−Ｙ
スキヤナーを配置し、試料台と測定手段とをシー
ルドキヤツプで囲むと共に内部をキヤリアガスで
充満させて外気と遮断し、更に試料の加熱及至冷
却手段として所定温度に加熱及至冷却した気体を
使用することを特徴とする試料測定装置である。
スキヤナーを配置し、試料台と測定手段とをシー
ルドキヤツプで囲むと共に内部をキヤリアガスで
充満させて外気と遮断し、更に試料の加熱及至冷
却手段として所定温度に加熱及至冷却した気体を
使用することを特徴とする試料測定装置である。
以下に、本考案の一実施例に基づき、本考案を
更に説明する。
更に説明する。
第１図は本考案に係わる試料測定装置の概要図
で、説明の都合上要部が拡大して示されている。
１は試料台で、２が測定用手段で、Ｘ−Ｙスキヤ
ナーである。１７はＸ−Ｙスキヤナーのモータ
部、１８が試料３の電極にコンタクトをとるプロ
ーブである。試料台１と測定手段２とはガスコン
デンサ１０とシールドキヤツプ１２によつて囲ま
れている。試料台の表面に半導体ウエフア等の測
定すべき試料３が載置される。試料はロータリポ
ンプ４によつて試料台に真空吸着され、固定され
る。試料台の下側には熱交換部５が備えられてい
る。
で、説明の都合上要部が拡大して示されている。
１は試料台で、２が測定用手段で、Ｘ−Ｙスキヤ
ナーである。１７はＸ−Ｙスキヤナーのモータ
部、１８が試料３の電極にコンタクトをとるプロ
ーブである。試料台１と測定手段２とはガスコン
デンサ１０とシールドキヤツプ１２によつて囲ま
れている。試料台の表面に半導体ウエフア等の測
定すべき試料３が載置される。試料はロータリポ
ンプ４によつて試料台に真空吸着され、固定され
る。試料台の下側には熱交換部５が備えられてい
る。
試料を加熱乃至冷却する気体系は試料台から離
れた所に設けられた加熱乃至冷却源、即ちガス加
熱器６及び低温液体溜７と、それぞれの加熱乃至
冷却した気体を熱交換部５に導くパイプ８，９及
びこの等加熱乃至冷却した気体を搬送するキヤリ
アガスと、キヤリアガスをシールドキヤツプ１２
内に供給するガス搬送手段（ガスコンデンサ部１
０及びパイプ１１）とから成る。
れた所に設けられた加熱乃至冷却源、即ちガス加
熱器６及び低温液体溜７と、それぞれの加熱乃至
冷却した気体を熱交換部５に導くパイプ８，９及
びこの等加熱乃至冷却した気体を搬送するキヤリ
アガスと、キヤリアガスをシールドキヤツプ１２
内に供給するガス搬送手段（ガスコンデンサ部１
０及びパイプ１１）とから成る。
試料を測定するには、まず試料台に測定すべき
試料を載置しロータリポンプを運転して試料を試
料台に吸着、固定し、シールドキヤツプをかぶせ
て開閉弁１５を開放してN2の不活性気体をシー
ルドキヤツプ内に充満し、試料を外気から完全に
遮断する。
試料を載置しロータリポンプを運転して試料を試
料台に吸着、固定し、シールドキヤツプをかぶせ
て開閉弁１５を開放してN2の不活性気体をシー
ルドキヤツプ内に充満し、試料を外気から完全に
遮断する。
次に試料を加熱する場合には、３方向開閉弁１
３を操作し気体をガス加熱器６で加熱し、高温に
なつた気体を熱交換部５に導き、試料台を加熱す
ると同時に矢印１４で示す方向にガス吹き出し部
１９より高温ガスを試料周辺３の上面へ吹き出し
試料を直接加熱する。試料を冷却する場合には開
閉弁１６を開放し液体窒素ガスを熱交換部に導
き、更に試料に吹き付け試料を冷却する。試料の
温度はそれぞれ気体流量を開閉弁１３，１５，１
６を調整することによつて制御される。
３を操作し気体をガス加熱器６で加熱し、高温に
なつた気体を熱交換部５に導き、試料台を加熱す
ると同時に矢印１４で示す方向にガス吹き出し部
１９より高温ガスを試料周辺３の上面へ吹き出し
試料を直接加熱する。試料を冷却する場合には開
閉弁１６を開放し液体窒素ガスを熱交換部に導
き、更に試料に吹き付け試料を冷却する。試料の
温度はそれぞれ気体流量を開閉弁１３，１５，１
６を調整することによつて制御される。
試料の測定はシールドキヤツプ内のＸ−Ｙスキ
ヤナー２のプローブ１８を試料の各電極に接触し
実施される。
ヤナー２のプローブ１８を試料の各電極に接触し
実施される。
本実施例の装置に加え、試料の加熱乃至冷却効
果を高めるため熱交換器部内にフインを設けるこ
ともできる。更に、開閉弁１３，１５，１６を電
磁弁にすることによつて試料の温度制御乃至測定
プロセスを自動化することも可能である。
果を高めるため熱交換器部内にフインを設けるこ
ともできる。更に、開閉弁１３，１５，１６を電
磁弁にすることによつて試料の温度制御乃至測定
プロセスを自動化することも可能である。
本考案の実施例によつて明らかにされた如く、
本考案では低温時測定にクライオスタツトを用い
ておらず、あらゆる温度の下で自由にウエフアの
測定が可能となり、一回の操作で多数のウエフア
測定ができる。加うるに試料をセツトした後は外
気から完全に遮断した状態で測定が行なわれるの
で、低温時測定でも露結現象が生ぜず露結による
測定誤差は皆無となる。又従来困難とされていた
温度制御乃至測定プロセスの自動化も可能とな
る。
本考案では低温時測定にクライオスタツトを用い
ておらず、あらゆる温度の下で自由にウエフアの
測定が可能となり、一回の操作で多数のウエフア
測定ができる。加うるに試料をセツトした後は外
気から完全に遮断した状態で測定が行なわれるの
で、低温時測定でも露結現象が生ぜず露結による
測定誤差は皆無となる。又従来困難とされていた
温度制御乃至測定プロセスの自動化も可能とな
る。
更にシールドキヤツプ内にガスを搬送する手段
を備えたので、迅速に試料周囲の雰囲気の状態を
判定させることができる。
を備えたので、迅速に試料周囲の雰囲気の状態を
判定させることができる。
第１図は本考案の一実施態様を説明するための
試料測定装置の要部拡大断面図である。 １……試料台、２……Ｘ−Ｙスキヤナー、３…
…試料、４……ロータリポンプ、５……熱交換
部、６……ガス加熱器、７……低温液体溜、８，
９，１１……パイプ、１０……ガスコンデンサ、
１２……シールドキヤツプ、１３，１５，１６…
…開閉弁、１７……モータ、１８……プローブ。
試料測定装置の要部拡大断面図である。 １……試料台、２……Ｘ−Ｙスキヤナー、３…
…試料、４……ロータリポンプ、５……熱交換
部、６……ガス加熱器、７……低温液体溜、８，
９，１１……パイプ、１０……ガスコンデンサ、
１２……シールドキヤツプ、１３，１５，１６…
…開閉弁、１７……モータ、１８……プローブ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体試料が載置される試料台と、 冷却手段により冷却された気体と加熱手段によ
り加熱された気体とが選択的に供給されることに
より上記試料台の温度を調節する熱交換部と、 上記熱交換部より導出されたガスを試料周辺よ
り該試料上面へ吹き付けるガス吹き出し部と、 上記試料の電気的特性を計測する測定手段と、 上記試料及び上記測定手段を覆うように設けら
れたシールドキヤツプと、 上記シールドキヤツプに不活性ガスを供給する
ことによりシールドキヤツプ内に不活性ガスを充
満させるガス搬送手段と、 を備えたことを特徴とする試料測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17078582U JPS5974729U (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 試料測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17078582U JPS5974729U (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 試料測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5974729U JPS5974729U (ja) | 1984-05-21 |
| JPS6246265Y2 true JPS6246265Y2 (ja) | 1987-12-12 |
Family
ID=30372737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17078582U Granted JPS5974729U (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 試料測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5974729U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013118619A1 (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-15 | シャープ株式会社 | 半導体試験装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293629A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Nec Corp | 半導体装置の加速寿命試験方法 |
| JP2606602B2 (ja) * | 1993-11-30 | 1997-05-07 | 日本電気株式会社 | 冷却試験装置 |
| JP4789125B2 (ja) | 2000-12-07 | 2011-10-12 | 株式会社アドバンテスト | 電子部品試験用ソケットおよびこれを用いた電子部品試験装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5350982A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | Low-high temperature testing station |
| JPS5473578A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Toshiba Corp | Pattern exposure method of semiconductor substrate and pattern exposure apparatus |
| JPS5788344A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Fujitsu Ltd | Cryostat |
-
1982
- 1982-11-10 JP JP17078582U patent/JPS5974729U/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5350982A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | Low-high temperature testing station |
| JPS5473578A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Toshiba Corp | Pattern exposure method of semiconductor substrate and pattern exposure apparatus |
| JPS5788344A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Fujitsu Ltd | Cryostat |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013118619A1 (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-15 | シャープ株式会社 | 半導体試験装置 |
| JP2013162032A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Sharp Corp | 半導体試験装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5974729U (ja) | 1984-05-21 |
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