JPH06267902A - イーシーアール装置 - Google Patents
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- JPH06267902A JPH06267902A JP1384694A JP1384694A JPH06267902A JP H06267902 A JPH06267902 A JP H06267902A JP 1384694 A JP1384694 A JP 1384694A JP 1384694 A JP1384694 A JP 1384694A JP H06267902 A JPH06267902 A JP H06267902A
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- H05H1/24—Generating plasma
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハの非等方性蝕刻と選択比間の相反的増
減現象を解消できるＥＣＲ装置を提供すること。 【構成】 ＥＣＲ装置は、ヘリウムラインと内部に冷却
水が流れる冷媒流管を有するウェハ支え台１を備え、こ
れをＲＦ端子と連結させている。リフティングピン６は
ウェハ支え台上に位置するウェハを垂直に持ち上げたり
安着させる。ＲＦがかかるウェハ支え台の側面と下部面
は絶縁体で絶縁される。ヘリウムチューブはヘリウム投
入口２５からウェハ基板の下に冷却用ヘリウムガスを注
入する。冷媒チューブは冷媒注入口３３から冷媒流出口
３４までウェハ支え台内部に冷却水を循環させる。反応
ガスは真空チャンネルとポンピングラインにより抜き出
される。ウェハの昇降は４足リフタ４により行う。
減現象を解消できるＥＣＲ装置を提供すること。 【構成】 ＥＣＲ装置は、ヘリウムラインと内部に冷却
水が流れる冷媒流管を有するウェハ支え台１を備え、こ
れをＲＦ端子と連結させている。リフティングピン６は
ウェハ支え台上に位置するウェハを垂直に持ち上げたり
安着させる。ＲＦがかかるウェハ支え台の側面と下部面
は絶縁体で絶縁される。ヘリウムチューブはヘリウム投
入口２５からウェハ基板の下に冷却用ヘリウムガスを注
入する。冷媒チューブは冷媒注入口３３から冷媒流出口
３４までウェハ支え台内部に冷却水を循環させる。反応
ガスは真空チャンネルとポンピングラインにより抜き出
される。ウェハの昇降は４足リフタ４により行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高集積半導体素子を製造
するに際し、蝕刻（エッチング）および蒸着工程で用い
られるＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ
Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ；以下、ＥＣＲという）装置に関
し、特に電極を極低温で冷却できるＥＣＲ装置に関す
る。
するに際し、蝕刻（エッチング）および蒸着工程で用い
られるＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ
Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ；以下、ＥＣＲという）装置に関
し、特に電極を極低温で冷却できるＥＣＲ装置に関す
る。
【０００２】なお、本明細書の記述は本件出願の優先権
の基礎たる韓国特許出願第１９９３−１６３７号の明細
書の記載に基づくものであって、当該韓国特許出願の番
号を参照することによって当該韓国特許出願の明細書の
記載内容が本明細書の一部分を構成するものとする。
の基礎たる韓国特許出願第１９９３−１６３７号の明細
書の記載に基づくものであって、当該韓国特許出願の番
号を参照することによって当該韓国特許出願の明細書の
記載内容が本明細書の一部分を構成するものとする。
【０００３】
【従来の技術】一般的にプラズマを用いるＥＣＲ蝕刻装
置は半導体素子の製造工程進行中に基板（ウェハ）を外
部から受けてウェハが工程に適切な状態で対応できるよ
う蝕刻に必要な変数（温度、高周波（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ
Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ））を制御して実際工程に参与す
るイオンやラジカルを均一に下降させて所望の工程目標
に合わせて反応するよう組合わせた構造でなっている。
これは蝕刻工程装置の優秀性を左右できる重要な要因を
含み、工程結果に重大な影響を及ぼすことになる。特
に、蝕刻装置の特性を示す蝕刻速度、選択比、非等方性
および均一性等を決定する主要変数は電極で主に影響を
受ける。
置は半導体素子の製造工程進行中に基板（ウェハ）を外
部から受けてウェハが工程に適切な状態で対応できるよ
う蝕刻に必要な変数（温度、高周波（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ
Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ））を制御して実際工程に参与す
るイオンやラジカルを均一に下降させて所望の工程目標
に合わせて反応するよう組合わせた構造でなっている。
これは蝕刻工程装置の優秀性を左右できる重要な要因を
含み、工程結果に重大な影響を及ぼすことになる。特
に、蝕刻装置の特性を示す蝕刻速度、選択比、非等方性
および均一性等を決定する主要変数は電極で主に影響を
受ける。
【０００４】さらに、電極はウェハ搬送と密接な関係が
ある部分でウェハが安着できるよう設計されていなけれ
ばならない。
ある部分でウェハが安着できるよう設計されていなけれ
ばならない。
【０００５】半導体素子の蝕刻工程は酸による湿式蝕刻
とプラズマを利用した乾式蝕刻に分けられるが、これら
のうち高集積半導体メモリ（ＲＡＭ）素子の超微細ゲー
トおよびトレンチを製造するためには高い非等方性、蝕
刻速度の均一性を有し、さらに選択的に蝕刻を遂行でき
る乾式蝕刻が用いられている。このような乾式蝕刻工程
は特にＥＣＲマイクロウェーブプラズマ蝕刻とイオン反
応性蝕刻（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃ
ｈｉｎｇ）が主流をなしている。
とプラズマを利用した乾式蝕刻に分けられるが、これら
のうち高集積半導体メモリ（ＲＡＭ）素子の超微細ゲー
トおよびトレンチを製造するためには高い非等方性、蝕
刻速度の均一性を有し、さらに選択的に蝕刻を遂行でき
る乾式蝕刻が用いられている。このような乾式蝕刻工程
は特にＥＣＲマイクロウェーブプラズマ蝕刻とイオン反
応性蝕刻（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃ
ｈｉｎｇ）が主流をなしている。
【０００６】高い蝕刻速度で高い非等方性蝕刻をなすと
いうことは、蝕刻速度と側壁蝕刻間に存在する相反的増
減効果が排除されたことを意味するが、そのうちＲＦを
用いるイオン反応性蝕刻は、イオンが有する方向性エネ
ルギーを利用して非等方性蝕刻を得るものであって、一
定の大きさのエネルギーを有するイオンが基板（ウェ
ハ）に衝突することによりウェハに形成された膜および
ウェハに結晶性損傷を起させる。従って、イオンエネル
ギーが高い状態では側壁蝕刻に対備して一定のガスを混
合してイオン性反応蝕刻から発生するアンダーカット
（ｕｎｄｅｒ ｃｕｔ）現象を減らすことが必須不可欠
である。
いうことは、蝕刻速度と側壁蝕刻間に存在する相反的増
減効果が排除されたことを意味するが、そのうちＲＦを
用いるイオン反応性蝕刻は、イオンが有する方向性エネ
ルギーを利用して非等方性蝕刻を得るものであって、一
定の大きさのエネルギーを有するイオンが基板（ウェ
ハ）に衝突することによりウェハに形成された膜および
ウェハに結晶性損傷を起させる。従って、イオンエネル
ギーが高い状態では側壁蝕刻に対備して一定のガスを混
合してイオン性反応蝕刻から発生するアンダーカット
（ｕｎｄｅｒ ｃｕｔ）現象を減らすことが必須不可欠
である。
【０００７】そして、ＲＩＥは蝕刻速度と選択比が充分
に高くないのみならず、側壁保護膜形成のために追加ガ
スを注入することにより工程が複雑になってウェハ汚染
を加重させて素子の電気的特性が悪くなり、結局収率を
低下せしめる問題点が生じるようになる。
に高くないのみならず、側壁保護膜形成のために追加ガ
スを注入することにより工程が複雑になってウェハ汚染
を加重させて素子の電気的特性が悪くなり、結局収率を
低下せしめる問題点が生じるようになる。
【０００８】ＥＣＲマイクロウェブプラズマ蝕刻は、上
述のごときイオン反応性蝕刻の限界を克服するために発
展してきた。何故ならば、ＥＣＲ蝕刻工程はＲＩＥより
低いガス圧力で施されるため、汚染が少なく結晶損傷が
少ないからである。
述のごときイオン反応性蝕刻の限界を克服するために発
展してきた。何故ならば、ＥＣＲ蝕刻工程はＲＩＥより
低いガス圧力で施されるため、汚染が少なく結晶損傷が
少ないからである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＥＣＲ
装置は側壁蝕刻と基板蝕刻は分離制御が不可能であり、
典型的に存在する非等方性蝕刻と選択比間の相反的増減
現象は、ＲＩＥやＥＣＲで共に存在する問題点があっ
た。
装置は側壁蝕刻と基板蝕刻は分離制御が不可能であり、
典型的に存在する非等方性蝕刻と選択比間の相反的増減
現象は、ＲＩＥやＥＣＲで共に存在する問題点があっ
た。
【００１０】上記の問題点を解決するために、本発明の
目的は、ウェハの温度を極低温に低下させて非等方性蝕
刻と選択比間の相反的増減現象を解消できるＥＣＲ装置
を提供することにある。
目的は、ウェハの温度を極低温に低下させて非等方性蝕
刻と選択比間の相反的増減現象を解消できるＥＣＲ装置
を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のイーシーアール（ＥＣＲ：Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ；以下
ＥＣＲという）装置は、ウェハを支えて工程が進行でき
るようにするが、前記ウェハの下に熱伝達ガスが注入さ
れてウェハの温度を低下させる手段と内部に冷却水が流
れる冷媒流管を有しているため、ウェハから伝達された
熱を冷やし、ＲＦ端子と連結させるウェハ支え台、前記
ウェハ支え台の内部を貫通してその内部で垂直運動をす
ることにより、上記ウェハ支え台上に位置するウェハを
垂直に持ち上げたり安着させるリフティング手段、ＲＦ
がかかるウェハ支え台の側面と下部面を絶縁する絶縁
体、前記ウェハ支え台下端に密着して設けられたＲＦ遮
断絶縁体を貫通してウェハ基板の下に冷却用ヘリウムガ
スを注入するヘリウムチューブ、前記ウェハ支え台内部
を循環して低温化させる冷却水を案内する冷媒チュー
ブ、およびウェハで反応を起こしたガスをポンピング動
作により抜き出す真空チャンネルとポンピングラインを
具備することを特徴とする。
めに、本発明のイーシーアール（ＥＣＲ：Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ；以下
ＥＣＲという）装置は、ウェハを支えて工程が進行でき
るようにするが、前記ウェハの下に熱伝達ガスが注入さ
れてウェハの温度を低下させる手段と内部に冷却水が流
れる冷媒流管を有しているため、ウェハから伝達された
熱を冷やし、ＲＦ端子と連結させるウェハ支え台、前記
ウェハ支え台の内部を貫通してその内部で垂直運動をす
ることにより、上記ウェハ支え台上に位置するウェハを
垂直に持ち上げたり安着させるリフティング手段、ＲＦ
がかかるウェハ支え台の側面と下部面を絶縁する絶縁
体、前記ウェハ支え台下端に密着して設けられたＲＦ遮
断絶縁体を貫通してウェハ基板の下に冷却用ヘリウムガ
スを注入するヘリウムチューブ、前記ウェハ支え台内部
を循環して低温化させる冷却水を案内する冷媒チュー
ブ、およびウェハで反応を起こしたガスをポンピング動
作により抜き出す真空チャンネルとポンピングラインを
具備することを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明のＥＣＲ装置は、ウェハ支え台の内部
に、ウェハの下に熱伝達ガスを注入してウェハの温度を
低下させる手段と内部に冷媒が流れる冷媒流管を有して
いるので、ウェハの温度が極低温となる。これにより側
壁蝕刻と基板蝕刻が分離される。
に、ウェハの下に熱伝達ガスを注入してウェハの温度を
低下させる手段と内部に冷媒が流れる冷媒流管を有して
いるので、ウェハの温度が極低温となる。これにより側
壁蝕刻と基板蝕刻が分離される。
【００１３】
【実施例】以下、添付図面の図１〜図６を参照して本発
明を詳細に説明する。
明を詳細に説明する。
【００１４】先ず、図１を参照して本発明に係る極低温
ＥＣＲ装置を考察する。図１はウェハ支え台の平面図で
あって、従来のウェハ支え台１と同一の形状を有してい
るが、本発明においては非等方性蝕刻と蝕刻均一度を向
上させるためにヘリウムラインと冷媒ラインを追加形成
したものである。ここで、ヘリウム投入口２５を通じて
入ってきた熱伝達媒体としてのヘリウム（Ｈｅ）は放射
状のヘリウムラインを通じてウェハの下に入りウェハの
温度を低下させる。冷媒ライン（冷媒流管）は高温プラ
ズマで温度が上昇するウェハ支え台１の温度を低下させ
るために、冷媒としての冷却水を冷媒注入口３３を経て
冷媒流出口３４から流出させながら、ウェハ支え台１内
部にヘリウムを循環させることにより、ウェハの熱を冷
媒が流れるウェハ支え台１に伝える。この冷媒ライン
は、図５に詳細に示している。そして、ウェハ移送装置
から移送を受けたウェハをウェハ支え台１に載置して工
程を進め、工程が終ったウェハを持ち上げてウェハアー
ムがウェハを他の移送装置に移すことができるようウェ
ハを持ち上げるリフティングピン６が示されている。さ
らに、ウェハが一定の位置に固定されるようウェハを堅
固に摘むクランプ（図２において詳細に示す）を上下移
動させる４足リフタ４の位置を示しているが、クランプ
と４足リフタ４の動作およびその構成は図２に詳細に示
している。
ＥＣＲ装置を考察する。図１はウェハ支え台の平面図で
あって、従来のウェハ支え台１と同一の形状を有してい
るが、本発明においては非等方性蝕刻と蝕刻均一度を向
上させるためにヘリウムラインと冷媒ラインを追加形成
したものである。ここで、ヘリウム投入口２５を通じて
入ってきた熱伝達媒体としてのヘリウム（Ｈｅ）は放射
状のヘリウムラインを通じてウェハの下に入りウェハの
温度を低下させる。冷媒ライン（冷媒流管）は高温プラ
ズマで温度が上昇するウェハ支え台１の温度を低下させ
るために、冷媒としての冷却水を冷媒注入口３３を経て
冷媒流出口３４から流出させながら、ウェハ支え台１内
部にヘリウムを循環させることにより、ウェハの熱を冷
媒が流れるウェハ支え台１に伝える。この冷媒ライン
は、図５に詳細に示している。そして、ウェハ移送装置
から移送を受けたウェハをウェハ支え台１に載置して工
程を進め、工程が終ったウェハを持ち上げてウェハアー
ムがウェハを他の移送装置に移すことができるようウェ
ハを持ち上げるリフティングピン６が示されている。さ
らに、ウェハが一定の位置に固定されるようウェハを堅
固に摘むクランプ（図２において詳細に示す）を上下移
動させる４足リフタ４の位置を示しているが、クランプ
と４足リフタ４の動作およびその構成は図２に詳細に示
している。
【００１５】図２は図１のＡ−Ａ′断面に沿う極低温Ｅ
ＣＲ装置の構造図であって、本発明の極低温ＥＣＲ装置
の内部は、互いに異なる３空間で隔離されている。すな
わち、ウェハと電極の熱伝達接触を高めるためのヘリウ
ム充満部Ａ、実際にウェハ加工工程が進行される工程チ
ャンバ部Ｂ、外部から工程チャンバ内部へ強制循環され
る極低温冷媒によりシステム内部に発生する結露現象を
無くすための緩衝の役割をする真空部Ｃに分けられる。
ヘリウム充満部Ａは、図２の部分詳細図である図３に詳
細に示されているが、この空間はウェハとウェハ支え台
１の間に存在する空間であり、ヘリウムが充満されてウ
ェハの熱をウェハ支え台１に伝達する部位である。
ＣＲ装置の構造図であって、本発明の極低温ＥＣＲ装置
の内部は、互いに異なる３空間で隔離されている。すな
わち、ウェハと電極の熱伝達接触を高めるためのヘリウ
ム充満部Ａ、実際にウェハ加工工程が進行される工程チ
ャンバ部Ｂ、外部から工程チャンバ内部へ強制循環され
る極低温冷媒によりシステム内部に発生する結露現象を
無くすための緩衝の役割をする真空部Ｃに分けられる。
ヘリウム充満部Ａは、図２の部分詳細図である図３に詳
細に示されているが、この空間はウェハとウェハ支え台
１の間に存在する空間であり、ヘリウムが充満されてウ
ェハの熱をウェハ支え台１に伝達する部位である。
【００１６】次いで、これら空間に位置する本発明の極
低温ＥＣＲ装置の構成要素等を詳細に考察する。
低温ＥＣＲ装置の構成要素等を詳細に考察する。
【００１７】先ず、ウェハを支えてプラズマによるウェ
ハ上の一定膜が蝕刻および／または蒸着されてウェハ加
工工程が進行されるようにするウェハ支え台１が形成さ
れる。そして、ウェハ支え台１内部には冷媒流管３７が
形成されてウェハ支え台１内部に冷却水が流れるよう図
５のような冷却ラインを有し、ＲＦ端子３５が連結され
ている。
ハ上の一定膜が蝕刻および／または蒸着されてウェハ加
工工程が進行されるようにするウェハ支え台１が形成さ
れる。そして、ウェハ支え台１内部には冷媒流管３７が
形成されてウェハ支え台１内部に冷却水が流れるよう図
５のような冷却ラインを有し、ＲＦ端子３５が連結され
ている。
【００１８】さらに、ウェハ支え台１の中央内部を貫通
してその貫通部を通じて垂直往復運動をするようリフテ
ィングピン６を形成することにより、ウェハ移送システ
ムのロボットアーム３９により移送されるウェハの移送
を円滑にするようリフティングピン６がウェハを持ち上
げたり安着させたりする。さらに、ウェハを工程中に動
けないようにして正確な位置を継続維持するようウェハ
の縁を押さえるクランプ７を形成してリフティングピン
６が上下運動をするとき、同一に運動せしめるが、クラ
ンプ７とリフティングピン６がウェハ支え台上に上がる
高さを互いに異なるように形成する。すなわち、リフテ
ィングピン６およびクランプ７が上昇するとき、クラン
プ７の高さがリフティングピン６より高い所に位置する
ようにして、ウェハを移送するロボットアーム３９がこ
の間隙間にウェハを伝達するようにするためのものであ
る。
してその貫通部を通じて垂直往復運動をするようリフテ
ィングピン６を形成することにより、ウェハ移送システ
ムのロボットアーム３９により移送されるウェハの移送
を円滑にするようリフティングピン６がウェハを持ち上
げたり安着させたりする。さらに、ウェハを工程中に動
けないようにして正確な位置を継続維持するようウェハ
の縁を押さえるクランプ７を形成してリフティングピン
６が上下運動をするとき、同一に運動せしめるが、クラ
ンプ７とリフティングピン６がウェハ支え台上に上がる
高さを互いに異なるように形成する。すなわち、リフテ
ィングピン６およびクランプ７が上昇するとき、クラン
プ７の高さがリフティングピン６より高い所に位置する
ようにして、ウェハを移送するロボットアーム３９がこ
の間隙間にウェハを伝達するようにするためのものであ
る。
【００１９】ここで、リフティングピン６とクランプ７
を上下移動させる動力はどのように形成されているのか
を考察する。
を上下移動させる動力はどのように形成されているのか
を考察する。
【００２０】リフティングピン６は上下移送軸２０と一
直線上に垂直に形成されており、この上下移送軸２０は
２段エアシリンダ２８に連結されているため、ウェハが
入ってくる時間に移送軸２０を上げてリフティングピン
６がウェハを受けるようにし、さらに工程が終ったウェ
ハを持ち上げてロボットアーム３９がウェハを他の工程
場所へ移送する。同様に、クランプ７は上下移送軸２０
に連結されているようになるが、クランプ７がウェハの
縁を固定させるようにするために、上下移送軸２０に四
つのアームを形成してなる４足リフタ４（図１の平面図
に示す点線）を形成してそれぞれの４足リフタ４の端部
にクランプ７を連結する。
直線上に垂直に形成されており、この上下移送軸２０は
２段エアシリンダ２８に連結されているため、ウェハが
入ってくる時間に移送軸２０を上げてリフティングピン
６がウェハを受けるようにし、さらに工程が終ったウェ
ハを持ち上げてロボットアーム３９がウェハを他の工程
場所へ移送する。同様に、クランプ７は上下移送軸２０
に連結されているようになるが、クランプ７がウェハの
縁を固定させるようにするために、上下移送軸２０に四
つのアームを形成してなる４足リフタ４（図１の平面図
に示す点線）を形成してそれぞれの４足リフタ４の端部
にクランプ７を連結する。
【００２１】上下移送軸２０の移動部位は、ベローズ１
６，１７，２３で囲み、ウェハ支え台１の全体構造を支
持するためにウェハ支え台支持プレート３１を上下移送
軸２０の中央を横切るように形成する。そして、ウェハ
支え台支持プレート３１と垂直に連結される円筒支持台
１１を形成し、その内部は４足リフタ４が動ける空間と
ヘリウムチューブ２４および冷却チューブ１８が存在す
る空間を除き、内部が充実しているリフティングハウジ
ング（リフティングブロック）１２が形成されており、
円筒支持台１１内部面には円筒クォーツ９が形成されて
いる。
６，１７，２３で囲み、ウェハ支え台１の全体構造を支
持するためにウェハ支え台支持プレート３１を上下移送
軸２０の中央を横切るように形成する。そして、ウェハ
支え台支持プレート３１と垂直に連結される円筒支持台
１１を形成し、その内部は４足リフタ４が動ける空間と
ヘリウムチューブ２４および冷却チューブ１８が存在す
る空間を除き、内部が充実しているリフティングハウジ
ング（リフティングブロック）１２が形成されており、
円筒支持台１１内部面には円筒クォーツ９が形成されて
いる。
【００２２】上下移送軸２０の円滑な移動を助けるため
に、ボールブッシュ２７を有しているＴ字形断面の直線
運動ユニット１９がウェハ支え台支持プレート３１の下
に連結されて形成される。そして、ウェハ支え台支持プ
レート３１と連結されている。そして、ウェハ支え台支
持プレート３１と連結されている直線運動ユニット１９
には支持棒４６が縦に連結されており、この支持棒４６
と横に連結されて支持棒４６に従って上下に移動できる
よう結合されているが、上下移送軸２０に固定される支
持バー３６が形成されている。この支持バー３６と直線
運動ユニット１９間とのにはスプリング２２が設けられ
両者を連結している。
に、ボールブッシュ２７を有しているＴ字形断面の直線
運動ユニット１９がウェハ支え台支持プレート３１の下
に連結されて形成される。そして、ウェハ支え台支持プ
レート３１と連結されている。そして、ウェハ支え台支
持プレート３１と連結されている直線運動ユニット１９
には支持棒４６が縦に連結されており、この支持棒４６
と横に連結されて支持棒４６に従って上下に移動できる
よう結合されているが、上下移送軸２０に固定される支
持バー３６が形成されている。この支持バー３６と直線
運動ユニット１９間とのにはスプリング２２が設けられ
両者を連結している。
【００２３】このスプリング２２はエアシリンダ２８の
エアが抜けた状態で工程チャンバが真空になると、上下
移送軸２０が下降しなくなるため、スプリング２２の復
元力により上下移送軸２０を下降させるようにする作用
をする。すなわち、エアシリンダ２８は上下移送軸２０
を上に移送（上昇）はさせるが、下に移送（下降）はさ
せず、軸カバー２１を間に置き上下移送軸２０に動力を
伝達するようになっている。
エアが抜けた状態で工程チャンバが真空になると、上下
移送軸２０が下降しなくなるため、スプリング２２の復
元力により上下移送軸２０を下降させるようにする作用
をする。すなわち、エアシリンダ２８は上下移送軸２０
を上に移送（上昇）はさせるが、下に移送（下降）はさ
せず、軸カバー２１を間に置き上下移送軸２０に動力を
伝達するようになっている。
【００２４】そして、ウェハを冷すためにウェハ後面に
入ったヘリウムがリフティングピン６の往復運動をする
ウェハ支え台１の貫通部位を通じて上下移送軸２０に従
って流出されることを防ぐために、上下移送軸２０とリ
フティングピン６の連結部位は符号１６のベローズに囲
まれている。さらに、４足リフタ４とウェハ支え台支持
プレート３１の間には符号１７のベローズが設けられて
おり、上下移送軸２０を囲んでいる。
入ったヘリウムがリフティングピン６の往復運動をする
ウェハ支え台１の貫通部位を通じて上下移送軸２０に従
って流出されることを防ぐために、上下移送軸２０とリ
フティングピン６の連結部位は符号１６のベローズに囲
まれている。さらに、４足リフタ４とウェハ支え台支持
プレート３１の間には符号１７のベローズが設けられて
おり、上下移送軸２０を囲んでいる。
【００２５】エアシリンダ２８は下部真空維持プレート
２８を通じて一定位置に固定し、下部真空維持プレート
２８とウェハ支え台支持プレート３１の間の上下移送軸
２０は符号２３のベローズに囲まれている。さらに、下
部真空維持プレート２６と全体電極を支持し、ＥＣＲ装
置の工程チャンバを区別する工程チャンバプレート３
２、そしてウェハ支え台支持プレート３１がなす空間は
結露を防止するために真空部Ｃを維持するようにする。
２８を通じて一定位置に固定し、下部真空維持プレート
２８とウェハ支え台支持プレート３１の間の上下移送軸
２０は符号２３のベローズに囲まれている。さらに、下
部真空維持プレート２６と全体電極を支持し、ＥＣＲ装
置の工程チャンバを区別する工程チャンバプレート３
２、そしてウェハ支え台支持プレート３１がなす空間は
結露を防止するために真空部Ｃを維持するようにする。
【００２６】ウェハ支え台１には工程チャンバプレート
３２、ウェハ支え台支持プレート３１およびウェハ支え
台１の熱を遮断する断熱材２９を貫通してウェハの下に
冷却用ヘリウムガスを注入するヘリウムウチューブ２４
とウェハ支え台１内部を循環して低温化させる冷却水を
案内する冷媒チューブ１８の連結部が形成されており、
所望の特定部位にのみＲＦが掛かるようにするために、
望まない部位は絶縁体でＲＦを防ぐようにする。本発明
においては次の通りＲＦを遮断した。
３２、ウェハ支え台支持プレート３１およびウェハ支え
台１の熱を遮断する断熱材２９を貫通してウェハの下に
冷却用ヘリウムガスを注入するヘリウムウチューブ２４
とウェハ支え台１内部を循環して低温化させる冷却水を
案内する冷媒チューブ１８の連結部が形成されており、
所望の特定部位にのみＲＦが掛かるようにするために、
望まない部位は絶縁体でＲＦを防ぐようにする。本発明
においては次の通りＲＦを遮断した。
【００２７】すなわち、本発明においてＲＦがかかる部
位は、上記ウェハ支え台１であるため、このウェハ支え
台１の側面と下部面を絶縁体で遮断するが、本発明にお
いては符号３，９，１５，２９で示す部材（絶縁体３，
１５、円筒クォーツ９、断熱材２９）が絶縁をする。
位は、上記ウェハ支え台１であるため、このウェハ支え
台１の側面と下部面を絶縁体で遮断するが、本発明にお
いては符号３，９，１５，２９で示す部材（絶縁体３，
１５、円筒クォーツ９、断熱材２９）が絶縁をする。
【００２８】そして、ウェハで反応を起こすガスを真空
チャンネル１４を通じてポンピングライン４７で抜き取
ることにより工程の円滑な遂行をする。
チャンネル１４を通じてポンピングライン４７で抜き取
ることにより工程の円滑な遂行をする。
【００２９】さらに、冷媒およびヘリウム冷却ガスの移
動において真空空間（図２のＣ）は熱伝達媒体がないた
め、断熱材で保護しなくても良いが、ウェハ支え台１に
ヘリウムおよび冷媒をそれぞれ注入するヘリウムチュー
ブ２４と冷媒チューブ１８と工程チャンバプレート３２
との接触部位は断熱材を通じて熱伝達を保護する。
動において真空空間（図２のＣ）は熱伝達媒体がないた
め、断熱材で保護しなくても良いが、ウェハ支え台１に
ヘリウムおよび冷媒をそれぞれ注入するヘリウムチュー
ブ２４と冷媒チューブ１８と工程チャンバプレート３２
との接触部位は断熱材を通じて熱伝達を保護する。
【００３０】次いで、図２のＥＣＲ装置の上部電極構造
の詳細図である図３および図４を参照してウェハの冷却
がどのように行われるのかを詳細に説明する。
の詳細図である図３および図４を参照してウェハの冷却
がどのように行われるのかを詳細に説明する。
【００３１】先ず、本発明に係るＥＣＲ装置の電極構造
においては、図３の通り、ウェハが円形点線内の図示通
りウェハ支え台１の縁に溝１ａを形成してこの溝１ａに
Ｏ−リング１０を形成するが、ウェハ４５が正にこのＯ
−リング１０上に位置し、ヘリウムチューブ２４を通じ
て注入されるヘリウムはヘリウムチューブ固定端子８を
通じてウェハ支え台１に流入されて多数のガス孔３８を
通じてウェハ４５後面に到達するが、ウェハ後面以外に
もヘリウムが流れ出ることを防ぐために溝の端部に栓４
０をすることにより、ウェハ支え台１の細かい溝に沿っ
てウェハ４５の後面にのみヘリウムが到達するようにし
ている。すなわち、図３のＢ−Ｂ′線に沿う断面図であ
る図４の通り、ヘリウム投入口２５を通じてヘリウムラ
イン４４に入ってきたヘリウムは、ウェハ支え台１内に
放射状に拡散する。多数のガス孔３８がウェハ支え台１
上部に向って形成されているので、低温ヘリウムがウェ
ハ４５の後面に接するようになる。さらに、Ｏ−リング
１０はヘリウムガスが工程室内に流れ出ることを最大限
防ぎ、梯形の構造にＯ−リング１０を形成したため、極
低温時にウェハ離脱によるＯ−リング１０の離脱を防止
することができる。そして、図４に示す通り、冷媒、例
えば冷却水は冷媒チューブ固定端子１３を通じてウェハ
支え台１内部に入って循環するようになるが、図面には
冷媒流出部は示されていない。
においては、図３の通り、ウェハが円形点線内の図示通
りウェハ支え台１の縁に溝１ａを形成してこの溝１ａに
Ｏ−リング１０を形成するが、ウェハ４５が正にこのＯ
−リング１０上に位置し、ヘリウムチューブ２４を通じ
て注入されるヘリウムはヘリウムチューブ固定端子８を
通じてウェハ支え台１に流入されて多数のガス孔３８を
通じてウェハ４５後面に到達するが、ウェハ後面以外に
もヘリウムが流れ出ることを防ぐために溝の端部に栓４
０をすることにより、ウェハ支え台１の細かい溝に沿っ
てウェハ４５の後面にのみヘリウムが到達するようにし
ている。すなわち、図３のＢ−Ｂ′線に沿う断面図であ
る図４の通り、ヘリウム投入口２５を通じてヘリウムラ
イン４４に入ってきたヘリウムは、ウェハ支え台１内に
放射状に拡散する。多数のガス孔３８がウェハ支え台１
上部に向って形成されているので、低温ヘリウムがウェ
ハ４５の後面に接するようになる。さらに、Ｏ−リング
１０はヘリウムガスが工程室内に流れ出ることを最大限
防ぎ、梯形の構造にＯ−リング１０を形成したため、極
低温時にウェハ離脱によるＯ−リング１０の離脱を防止
することができる。そして、図４に示す通り、冷媒、例
えば冷却水は冷媒チューブ固定端子１３を通じてウェハ
支え台１内部に入って循環するようになるが、図面には
冷媒流出部は示されていない。
【００３２】図５は冷媒チューブ１８を通じて案内され
た冷媒が循環する冷媒循環路およびヘリウム投入口２
５、そしてＲＦ端子３５形成の一例を示している。
た冷媒が循環する冷媒循環路およびヘリウム投入口２
５、そしてＲＦ端子３５形成の一例を示している。
【００３３】ここで、上記本発明の構成による作用状態
を詳細に考察する。
を詳細に考察する。
【００３４】本発明のＥＣＲ装置は、ウェハがウェハ支
え台１上に移送装置により移送されると、２段（１次：
２５ｍｍ、２次：１０ｍｍ）ストロークを有する上下移
送手段であるエアシリンダ２８により上下移送軸２０が
上下移動をし、これに従って４足リフタ４と円筒クォー
ツ９が上下移動し、クランプ７に上下移送力が伝達され
て上下に動くようになる。
え台１上に移送装置により移送されると、２段（１次：
２５ｍｍ、２次：１０ｍｍ）ストロークを有する上下移
送手段であるエアシリンダ２８により上下移送軸２０が
上下移動をし、これに従って４足リフタ４と円筒クォー
ツ９が上下移動し、クランプ７に上下移送力が伝達され
て上下に動くようになる。
【００３５】ウェハ移送装置からウェハを電極に進入さ
せる前にエアシリンダの１次ストロークだけ上昇させて
上下移送力伝達構造を通じてクランプ７を上昇（約２５
ｍｍ）させてウェハ進入路を作る。
せる前にエアシリンダの１次ストロークだけ上昇させて
上下移送力伝達構造を通じてクランプ７を上昇（約２５
ｍｍ）させてウェハ進入路を作る。
【００３６】上記のような動作が完了すると、ウェハ移
送装置によりウェハが工程室内の電極中心に水平を維持
し、正に２次ストロークが作動すると、ウェハ支え台１
内の中央に位置している三つのピンで構成されたリフト
ピン６が上昇しながら移送装置からウェハを受ける。
送装置によりウェハが工程室内の電極中心に水平を維持
し、正に２次ストロークが作動すると、ウェハ支え台１
内の中央に位置している三つのピンで構成されたリフト
ピン６が上昇しながら移送装置からウェハを受ける。
【００３７】ウェハを外部から工程室内部の電極に安着
させる要領は上記の通りであり、工程室で工程が完了さ
れたウェハは上記順序の逆に実施する。
させる要領は上記の通りであり、工程室で工程が完了さ
れたウェハは上記順序の逆に実施する。
【００３８】ウェハが置かれるウェハ支え台１内部に−
９０℃の冷媒がチューブ１８を通じて強制循環を繰り返
しながら一般常温状態で移送されてきたウェハの温度を
数分内に冷媒と同一の温度に低下させる。
９０℃の冷媒がチューブ１８を通じて強制循環を繰り返
しながら一般常温状態で移送されてきたウェハの温度を
数分内に冷媒と同一の温度に低下させる。
【００３９】チャンバ内部が真空になると、実際ウェハ
とウェハ支え台１は熱伝達現象がほとんどゼロになるた
め、これに対備してウェハ支え台１とウェハ接触部位に
微小空間を確保してここに熱伝達性が高いヘリウム（下
表１参照）を充満させて熱循環を促進するもので、ヘリ
ウムはチューブ２４を通じて放射状に分岐するヘリウム
ライン４４に沿って円盤に均一に分散し、表面の微小孔
（直径０．５ｍｍ）を通じてウェハとウェハ支え台１の
間の微小空間に拡散するようになる。
とウェハ支え台１は熱伝達現象がほとんどゼロになるた
め、これに対備してウェハ支え台１とウェハ接触部位に
微小空間を確保してここに熱伝達性が高いヘリウム（下
表１参照）を充満させて熱循環を促進するもので、ヘリ
ウムはチューブ２４を通じて放射状に分岐するヘリウム
ライン４４に沿って円盤に均一に分散し、表面の微小孔
（直径０．５ｍｍ）を通じてウェハとウェハ支え台１の
間の微小空間に拡散するようになる。
【００４０】そして、電極下部には隔離された室を設置
して極低温冷媒の流入および流出時に周囲温度低下によ
り露点以下になって空気中の水分が吸着されて結露する
現象を排除するために真空に維持したのである。
して極低温冷媒の流入および流出時に周囲温度低下によ
り露点以下になって空気中の水分が吸着されて結露する
現象を排除するために真空に維持したのである。
【００４１】外部冷却器から下部真空空間Ｃに入ってく
る冷媒の金属接触部位との熱損失を最小化するために断
熱効果が優れたＳＰポリイミドを用いて冷却ラインが他
の金属と接するのを防ぐようにする。この断熱部材とし
てはＳＰポリイミド以外にも断熱性，耐プラズマ性を有
する一般のセラミックも使用することができる。各媒質
による連結端係数を下表１に示した。
る冷媒の金属接触部位との熱損失を最小化するために断
熱効果が優れたＳＰポリイミドを用いて冷却ラインが他
の金属と接するのを防ぐようにする。この断熱部材とし
てはＳＰポリイミド以外にも断熱性，耐プラズマ性を有
する一般のセラミックも使用することができる。各媒質
による連結端係数を下表１に示した。
【００４２】
【表１】
【００４３】結局、本発明のＥＣＲ装置は高密度プラズ
マを形成させるために一般ＲＦを利用したＲＩＥより１
／１００程度低いガス圧力で１００倍程度高い電子密度
を得ることができるため、基板にかかるバイアス電圧を
数１０ボルト低く維持しても所望の蝕刻速度を得ること
ができる。
マを形成させるために一般ＲＦを利用したＲＩＥより１
／１００程度低いガス圧力で１００倍程度高い電子密度
を得ることができるため、基板にかかるバイアス電圧を
数１０ボルト低く維持しても所望の蝕刻速度を得ること
ができる。
【００４４】従って、本発明のＥＣＲ装置のウェハが置
かれる電極を極低温（−９０℃）に維持してラジカルの
活性を極小化（凍結）して側壁蝕刻を抑制するため、非
等方性を高め、方向性を有するイオンの活性を極大化さ
せて所望の蝕刻速度を非等方性に拘わらず得られるが、
これは次のように説明することができる。
かれる電極を極低温（−９０℃）に維持してラジカルの
活性を極小化（凍結）して側壁蝕刻を抑制するため、非
等方性を高め、方向性を有するイオンの活性を極大化さ
せて所望の蝕刻速度を非等方性に拘わらず得られるが、
これは次のように説明することができる。
【００４５】イオンとラジカルを利用した蝕刻工程は、
図６（Ａ）の通り、イオンは極性を有しているため、方
向性をもって運動するが、ラジカルは無極性であるた
め、外部的に制御が不可能である。従って、図６（Ｂ）
に示すようなラジカルに因る垂直壁の浸蝕を防ぐために
ラジカルの温度を極低温に落して活性を減らすことによ
り垂直の側壁を得ながら基板に対する満足な蝕刻速度を
得ることができるのである。
図６（Ａ）の通り、イオンは極性を有しているため、方
向性をもって運動するが、ラジカルは無極性であるた
め、外部的に制御が不可能である。従って、図６（Ｂ）
に示すようなラジカルに因る垂直壁の浸蝕を防ぐために
ラジカルの温度を極低温に落して活性を減らすことによ
り垂直の側壁を得ながら基板に対する満足な蝕刻速度を
得ることができるのである。
【００４６】そして、活性種（イオン、電子）がウェハ
上に均一に下降するよう導くためにバイアス電圧印加領
域をウェハに限定してプラズマ不安定性問題を克服し
た。
上に均一に下降するよう導くためにバイアス電圧印加領
域をウェハに限定してプラズマ不安定性問題を克服し
た。
【００４７】これにより次世代１６Ｍ，６４Ｍ級以上の
孔集積超微細パターン素子製造に必要な理想的な乾式蝕
刻を遂行することができる。
孔集積超微細パターン素子製造に必要な理想的な乾式蝕
刻を遂行することができる。
【００４８】
【発明の効果】上記の通りなる本発明は、次世代超微細
高集積パターンの蝕刻工程時にラジカルの放射性運動性
向により図６（Ｂ）に示すフォトレジスト（Ｐ／Ｒ）側
面蝕刻を防止することができ、一般的蝕刻装置の非等方
性と蝕刻速度、蝕刻速度と均一性間に存在する相反的増
減現象を完全に排除して所望の垂直蝕刻のみならず、早
い蝕刻速度を得ることができるので、従来の三層Ｐ／Ｒ
（ＴＬＲ）や多層Ｐ／Ｒ（ＭＬＲ）を用いる工程の複雑
化と収率および生産性を低下せしめる要因を除去する効
果がある。
高集積パターンの蝕刻工程時にラジカルの放射性運動性
向により図６（Ｂ）に示すフォトレジスト（Ｐ／Ｒ）側
面蝕刻を防止することができ、一般的蝕刻装置の非等方
性と蝕刻速度、蝕刻速度と均一性間に存在する相反的増
減現象を完全に排除して所望の垂直蝕刻のみならず、早
い蝕刻速度を得ることができるので、従来の三層Ｐ／Ｒ
（ＴＬＲ）や多層Ｐ／Ｒ（ＭＬＲ）を用いる工程の複雑
化と収率および生産性を低下せしめる要因を除去する効
果がある。
【図１】本発明に係るＥＣＲ装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′断面に沿うＥＣＲ装置の構造図
である。
である。
【図３】図２の部分詳細図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ′線に沿う断面図である。
【図５】図２のウェハ支え台の冷却水循環路を示す平面
図である。
図である。
【図６】（Ａ）は本発明に係るＥＣＲ装置の作用状態
図、（Ｂ）は基板蝕刻工程の側壁蝕刻の状態を示す図で
ある。
図、（Ｂ）は基板蝕刻工程の側壁蝕刻の状態を示す図で
ある。
１ ウェハ支え台 １ａ 溝 ３，１５ 絶縁体 ４ ４足リフタ ６ リフティングピン ７ クランプ ８ ヘリウムチューブ固定端子 ９ 円筒クォーツ １０ Ｏ−リング １１ 円筒支持台 １２ リフティングハウジング（リフティングブロッ
ク） １３ 冷媒チューブ固定端子 １４ 真空チャンネル １６，１７，２３ ベローズ １８ 冷媒チューブ １９ 直線運動ユニット ２０ 上下移送軸 ２１ 軸カバー ２２ スプリング ２４ ヘリウムチューブ ２５ ヘリウム投入口 ２６ 下部真空維持プレート ２７ ボールブッシュ ２８ エアシリンダ ２９ 断熱材 ３１ ウェハ支え台支持プレート ３２ 工程チャンバプレート ３３ 冷媒注入口 ３４ 冷媒流出口 ３５ ＲＦ端子 ３６ 支持バー ３７ 冷媒流管 ３８ ガス孔 ３９ ロボットアーム ４０ 栓 ４４ ヘリウムライン ４５ ウェハ ４６ 支持棒 ４７ ポンピングライン Ａ ヘリウム充満部 Ｂ 工程チャンバ部 Ｃ 真空部（真空空間）
ク） １３ 冷媒チューブ固定端子 １４ 真空チャンネル １６，１７，２３ ベローズ １８ 冷媒チューブ １９ 直線運動ユニット ２０ 上下移送軸 ２１ 軸カバー ２２ スプリング ２４ ヘリウムチューブ ２５ ヘリウム投入口 ２６ 下部真空維持プレート ２７ ボールブッシュ ２８ エアシリンダ ２９ 断熱材 ３１ ウェハ支え台支持プレート ３２ 工程チャンバプレート ３３ 冷媒注入口 ３４ 冷媒流出口 ３５ ＲＦ端子 ３６ 支持バー ３７ 冷媒流管 ３８ ガス孔 ３９ ロボットアーム ４０ 栓 ４４ ヘリウムライン ４５ ウェハ ４６ 支持棒 ４７ ポンピングライン Ａ ヘリウム充満部 Ｂ 工程チャンバ部 Ｃ 真空部（真空空間）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロ ヨン ソン 大韓民国 467−860，キュンキド，イチョ ンクン，ブバリウム，アミ−リ，サン 136−１ ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カムパニー リミテ ッド内 (72)発明者 チョン デ リー 大韓民国 467−860，キュンキド，イチョ ンクン，ブバリウム，アミ−リ，サン 136−１ ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カムパニー リミテ ッド内 (72)発明者 デ ヒ キム 大韓民国 467−860，キュンキド，イチョ ンクン，ブバリウム，アミ−リ，サン 136−１ ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カムパニー リミテ ッド内
Claims (11)
- 【請求項１】 イーシーアール（ＥＣＲ）装置におい
て、 ウェハを支えて工程が進行できるようにするが、前記ウ
ェハの下に熱伝達ガスが注入されてウェハの温度を低下
させる手段と内部に冷却水が流れる冷媒流管を有してい
るため、ウェハから伝達された熱を冷やし、高周波端子
と連結させるウェハ支え台、 前記ウェハ支え台の内部を貫通してその内部で垂直運動
をすることにより、上記ウェハ支え台上に位置するウェ
ハを垂直に持ち上げたり安着させるリフティング手段、 ＲＦがかかるウェハ支え台の側面と下部面を絶縁する絶
縁体、 前記ウェハ支え台下端に密着して設けられた高周波遮断
絶縁体を貫通してウェハ基板の下に冷却用ヘリウムガス
を注入するヘリウムチューブ、 前記ウェハ支え台内部を循環して低温化させる冷却水を
案内する冷媒チューブ、およびウェハで反応を起こした
ガスをポンピング動作により抜き出す真空チャンネルと
ポンピングラインを具備することを特徴とするイーシー
アール装置。 - 【請求項２】 前記リフティング手段は２段シリンダか
ら発生する動力を受けて垂直移送力を伝達する上下移送
軸と前記上下移送軸に連結されるリフティングピン、 前記上下移送軸に一つ以上が横に連結されて移送力を分
割するリフタ、 前記リフタと一体に連結されて上下移動しながらウェハ
を工程中に動くことなく正確な位置を継続維持するよう
ウェハの縁を押さえるクランプ、 前記リフタが形成された部位の下の前記上下移送軸を横
切って形成されるが、前記上下移送軸が直線運動するよ
うＴ字形断面を有する直線運動ユニットと一体になるよ
う形成されたウェハ支え台支持プレート、および前記直
線運動ユニットに縦に連結される支持部と前記支持部と
横に連結されるが、前記上下移送軸に固定される支持バ
ーが形成されて、前記支持バーと前記直線運動ユニット
との間に形成されて、前記上下移送軸が復元力を通じて
下降するようにするスプリングを具備することを特徴と
する請求項１記載のイーシーアール装置。 - 【請求項３】 前記冷却ガスが上下移送軸形成部に流れ
出ることを防ぐために、前記上下移送軸を囲むベローズ
を形成することを特徴とする請求項１記載のイーシーア
ール装置。 - 【請求項４】 前記ウェハ支え台は前記熱伝達ガスを案
内するガスラインと前記ガスラインを通じてウェハの下
に前記熱伝達ガスを送るガス孔を具備することを特徴と
する請求項１記載のイーシーアール装置。 - 【請求項５】 前記ウェハ支え台とウェハとの接触を最
小化して前記熱伝達ガスが工程チャンバに抜け出ること
を防ぐために、前記ウェハ支え台にＯ−リングを形成し
てウェハが置かれるようにしたことを特徴とする請求項
１記載のイーシーアール装置。 - 【請求項６】 前記冷媒チューブと前記ウェハ支え台以
外の金属接触部に断熱材を設けて熱伝達を防ぐことを特
徴とする請求項１記載のイーシーアール装置。 - 【請求項７】 熱伝達チューブと冷媒チューブの結露現
象を除去するために、前記熱伝達チューブおよび前記冷
媒チューブが引き込まれる電極部位が真空状態になるこ
とを特徴とする請求項１記載のイーシーアール装置。 - 【請求項８】 前記上下移送軸とシリンダの接触部位に
軸カバーを具備することを特徴とする請求項２記載のイ
ーシーアール装置。 - 【請求項９】 前記上下移送軸を正確に上下に移動させ
るために、前記直線運動ユニットはボールブッシュを有
することを特徴とする請求項２記載のイーシーアール装
置。 - 【請求項１０】 前記ガスラインは前記ウェハ支え台内
に放射状に形成されて、ガス孔から前記熱伝達ガスが流
れ出てウェハ後面に到達するようにしたことを特徴とす
る請求項４記載のイーシーアール装置。 - 【請求項１１】 前記Ｏ−リングが位置するウェハ支え
台は梯形状であることを特徴とする請求項５記載のイー
シーアール装置。
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