JPS6258124B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、焼結した単一セラミツク体及び単一
セラミツク体コンデンサの製造方法に関するもの
である。この単一コンデンサは多層回路構造体の
ような電気部品の製造に重要である。

（従来の技術及びその問題点） 従来、複数の誘電体薄膜とこの誘電体薄膜と交
互に重畳する複数の導電薄膜とから形成される単
一コンデンサは、重畳する誘電体薄膜の一部をコ
ンデンサの異なる端面に露出させ、そこにおいて
例えば端末電極によつて電気的に接続するもの
で、このような単一コンデンサにおいて、単一セ
ラミツクコンデンサの製造の典型的なものは、貴
金属、例えば白金又はパラジウムの電極用ペース
トを、有機結合剤で結合した適当なセラミツク誘
電組成物の小形の、通常鋳造した薄板の上面に取
り付ける。次いで電極用ペースト取り付けの複数
の薄板を積み重ね、薄板の面に垂直な軸の周りで
回転させ、これによつて電極用ペーストを積層体
の対向端部へ延在させる。次いで積層体を圧縮固
着し加熱してセラミツク薄板と電極用ペーストと
の有機結合剤を揮発又は分解して除去し、セラミ
ツク誘電組成物を焼結して単一セラミツク多層体
とし、夫々の端部上の電極を公知の端末電極によ
り電気的に接続して単一セラミツクコンデンサを
得ている。

上述の方法では、セラミツク焼結時に導電層を
形成する為、高温に耐える高融点非酸化性の貴金
属の導電体を使用する必要がある。その為この単
一セラミツクコンデンサは高価とならざるを得な
い。より安価な銀電極は、融点がセラミツク焼結
温度より低いため使用に適さない。

特公昭44−14980号公報によると、未焼成セラ
ミツク薄板と濾紙やプラスチツクフイルム薄片を
交互に積層して焼結して、0.05mm程度の空隙を形
成した焼結単一セラミツク体を得、この空隙に酸
化銀を主体とする導電塗料を充填して加熱して還
元銀導電層を形成して焼結した単一セラミツクコ
ンデンサを得ることが開示されている。

上述の公報に開示される技術によると、貴金属
を使用することなく、通常のセラミツクコンデン
サに使用するより安価な良導電性の銀電極の利用
が可能とされるが、セラミツク薄片と濾紙などの
薄片の積層形成に手間が掛かり、生産性に難点が
あり、空隙も0.05mm程度が限界で、より薄い空隙
で性能の高いコンデンサを得るのに難点があつ
た。

本出願人が特許出願した特開昭47−34905号公
報によると、多孔性セラミツク薄層と交互に重畳
する密実な誘電材料の薄層と、この多孔性セラミ
ツク薄層内の低廉な金属である導電物質の沈着物
とを有するセラミツク体の形成と、このセラミツ
ク体の導電物質薄層の１つ置きの一方を連結する
端末電極を設けて単一セラミツクコンデンサを製
造する多数の方法が開示されている。前記多孔性
セラミツク薄層は、未焼結セラミツク薄片面に有
機結合剤とセラミツク組成物の微粉末とよりなる
インキにてスクリーン印刷したものを積層し、次
いで焼結して形成されたもので、有機結合剤が燃
焼揮発した空間層にセラミツク組成物の微粉末が
多孔性セラミツク薄層を形成している。次いでこ
の多孔性セラミツク薄層に低融点合金の熔融浴よ
り熔融合金を導入して金属導電層を形成して単一
セラミツクコンデンサを得る技術が開示される。

上述の特許公開公報に開示される技術による
と、前記特公昭44−14980号特許公報の技術とし
て指摘される欠点が総て解決できた。即ち、印刷
技刷による薄膜により空間層を形成する為、濾紙
などによる前記特許公報に比較して生産性は大幅
に向上し、また空間層の厚みも可及的に小さく出
来る。また、銀よりも更に安価な普通金属の合金
を導電体として使用可能とされる為、コストも低
減される。

しかるに、上述の特許公開公報の技術におい
て、多孔性セラミツク空間層に熔融合金を導入し
た場合、全面均一に連続した導電金属層の形成が
困難で、セラミツク体の障害物による以外に、金
属の充填されない空隙の存在が確認された。この
ため得られるコンデンサ電極に対し高抵抗乃至低
コンダクタンスの原因となり、この為得られるコ
ンデンサに高いコンデンサ損を結果し、高周波コ
ンデンサとしての使用に極めて不利な欠点とな
る。更に製品規格外の不良品も多くなる難点があ
つた。前記特許公開公報の発明時において、極め
て薄いセラミツク誘電体層と空間層からなる均一
セラミツク体の空間層を熔融金属で充填してコン
デンサを形成するまでの空間の完全保持のため多
孔性セラミツク層の構成は不可欠要件とされてい
た。

それ故、本発明の目的は上述の欠点を除去し
て、可及的に薄いセラミツク誘電体層と連続均一
な金属導電体層からなる小型高性能のコンデンサ
の製造方法を提供するにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明者は、上述の多孔性セラミツク層の欠点
を除去して小型高性能の単一セラミツクコンデン
サの製造を可能とし、製品不良率をなくすべく、
導電層の為の空間層形成の為の印刷インキに添加
したセラミツク微粉末を無くして、セラミツク焼
結時に完全に分解揮発する有機体のみで構成し
て、実質的に障害物のない空間層を形成して試作
研究を重ねた結果、空間層の厚さ約0.007〜0.04
mmに亘つて、かつセラミツク誘電層は約0.05〜
0.25mmに亘る単一セラミツクコンデンサの製造可
能なことを突き止めて本発明を完成した。このよ
うに微小厚みのセラミツク層の間に形成された超
微小厚み空間層からなる単一セラミツク体におい
て、この空間層内に支柱となる補強多孔性セラミ
ツク体なしに熔融金属を導入して単一セラミツク
コンデンサが構成出来たことは、前記従来技術よ
りは全く予期出来ないことであつた。

即ち、本発明は第一に、焼結した密実な誘電性
セラミツク材料の複数の多辺形セラミツク薄層
と、セラミツク薄層の焼結前の面に印刷したイン
キ薄膜の熱揮発により形成された空間層との相互
重畳によりセラミツク体が形成され、空間層の上
側と下側とのセラミツク薄層をその複数端部にお
いて一体的に連結すると共に前記端部以外では実
質的に連結しないようにしてセラミツク体の外側
面に空間層の一つの開口を形成し、順次の空間層
はセラミツク体の異なる外側面に前記開口を有す
る焼結した単一セラミツク体において、前記印刷
インキは炭素又は炭化可能な物質の微粒子を含有
する実質的に完全に熱揮発して障害物のない厚さ
0.007〜0.04mmの空間層を形成することとを特徴
とするコンデンサ製造用の焼結した単一セラミツ
ク体の製造方法からなる。

更に、本発明は第二に、焼結した密実な誘電性
セラミツク材料の複数の多辺形セラミツク薄層
と、セラミツク薄層の焼結前の面に印刷したイン
キ薄膜の熱揮発により形成された空間層との相互
重畳によりセラミツク体が形成され、空間層の上
側と下側との前記セラミツク薄層をその複数端部
において一体的に連結すると共に前記端部以外で
は実質的に連結しないようにしてセラミツク体の
外側面に空間層の一つの開口を形成し、順次の空
間層はセラミツク体の異なる外側面に前記開口を
有する焼結した単一セラミツク体に対し、前記誘
電性セラミツク材料を焼結する際に用いられる最
高温度よりも低い融点を有する熔融金属合金浴よ
り前記開口を介して前記空間層に熔融金属合金を
導入して金属層を形成してなるコンデンサにおい
て、前記印刷インキは炭素又は炭化可能な物質の
微粒子を含有する実質的に完全に熱揮発して障害
物のない厚さ0.007〜0.04mmの空間層を形成する
ことにより前記空間層と同じ厚さの金属層が形成
されてなることを特徴とする前記金属層に対する
電気的接続を有する単一セラミツクコンデンサの
製造方法からなる。

一般に単一セラミツクコンデンサを製造するに
は次ぎの方法が使用される。

微粉砕セラミツク組成物の複数の薄片を適当な
熱揮発性物質、例えば樹脂又はセルロース誘電体
を使用して形成する。このセラミツク組成物は焼
結した際に密実な誘電体薄膜を形成するようなも
のである。このような組成物の多くは公知であ
り、誘電率や他の特性の調節剤を混合し又は混合
してないチタン酸バリウムと、多くの他の種類の
セラミツク組成物である。

次いで夫々の複数の前記薄片に熱揮発性物質よ
りなる薄膜を付加する。これらの薄膜は液状又は
ペースト状組成物を薄片上に、例えば塗装、吹き
付け、又はスクリーン印刷によつて塗布させて形
成する。前記薄膜を形成する熱揮発性物質は適当
な可燃性又は揮発性の薄膜形成物質でよいが、こ
のような薄膜形成物質で結合した微細な粒子で、
可燃性又は揮発性で、かつセラミツク組成物の焼
結されて固化するまで支持して空間となる薄膜層
を保持する炭素又は炭化可能な微粒子の混合物を
添加する。炭化可能な物質としては、澱粉及びセ
ルロースが好適である。

熱揮発性物質の薄膜の表面積はこれを付加する
薄片より小さく、厚みも薄く、夫々の薄膜の形状
は関連する薄片の余白部が薄膜の周辺の主要部分
の周りに延在し、一方薄膜の一部分が塗布される
薄片の一端部に延在するようにする。

次いで、結合したセラミツク組成物の複数の薄
片を介在する熱揮発性薄膜と共に積み重ねて固着
する。固着は使用する個々の材料に好適な方法で
行い、これは加圧、加熱、溶剤の使用よりなる。
積層体内の熱揮発性物質の合い隣る薄膜層は対向
する積層体の端部外面へ延在して露出されてお
り、セラミツク薄片端部はは相互に結合して積層
体外側面を形成している。

次いで、積層体を焼成して熱揮発性物質を除去
し、セラミツク組成物を焼結する。これにより、
密実な誘電材料の複数の薄層を有し、隣接する薄
層が隣接する表面の実質部分に亘つて分離してお
り、かつその端部においてのみ連結している一体
的な焼結セラミツク体が形成される。

熱揮発性物質の薄膜が延在しているセラミツク
体の外側面部に、隣接するセラミツク薄膜層間の
空間の開口部が存在する。この開口部を介して導
電物質としてセラミツクを焼結する際に用いる最
高温度よりも低い融点を有する熔融金属合金浴を
この空間内へ、例えば前記特開昭47−34905号公
報に開示される方法の一つによつて導入すること
が出来る。次いで、端末電極を適当な方法により
取り付け、更に導線を端末電極に取り付けて単一
セラミツクコンデンサを得る。

本発明に係るコンデンサの寸法は広範囲に亘つ
ている。例えば、寸法が2.0mm×3.0mm×0.9mmで、
20個の誘電薄膜層を有し、夫々が約0.03mmの厚さ
であり、19個の内部電極を有し夫々の厚さが約
0.01mmであるコンデンサも容易に製造でき、大き
いものも当然製造可能である。コンデンサの寸法
を変え得るのみでなく、その中の薄膜の数と厚さ
も変え得る。一般にセラミツク体薄膜層の厚さは
約0.05mm〜約0.25mmに亘つており、熱揮発性物質
の薄膜層又は導電金属層の厚みは約0.007mm〜約
0.04mmに亘つている。前記特開昭47−34905号公
報の場合、多孔性セラミツク薄膜層形成のためそ
の厚みは0.038mmの場合しか開示されずその厚み
の選択は制限されたが、本発明の場合は大幅に選
択の幅が拡大された。セラミツク体薄膜の片面に
熱揮発性物質薄膜を形成するのが好適であるが、
両面に形成することも可能であり、この場合セラ
ミツク体薄膜の積み重ねの際にその上側及び下側
のセラミツク体薄膜の熱揮発性物質薄膜の形成は
省略できる。

本発明に係るコンデンサの断面は、即ちセラミ
ツク体薄膜又は熱揮発性物質薄膜の形状は、一般
的に又は実施例において矩形と考えられる。しか
しながら、これに限定されず、必要により他の多
辺形をも包含出来る。

単一セラミツクコンデンサ体内の空間に導入さ
れる金属は、単一金属、合金を意味し、ある場合
には半金属または非金属、例えばゲルマニウムを
意味する。好適な金属は、鉛、錫、亜鉛、アルミ
ニウム、銀及び銅である。使用する金属の融点
は、セラミツク体を焼結する際に使用する最高温
度より低くなければならず、かつ使用する金属は
セラミツク体の成分と反応して悪影響を与えては
ならない。前記特開昭47−34905号公報に開示さ
れる合金は50％Bi，25％Pb，12.5％Sn、及び12.5
％Cdで100℃〜125℃の熔融浴として使用される
もので好適に適用できる。

（作 用） 熱揮発性物質薄膜の作用は、セラミツク体薄膜
が自立するまで、これを支持し分離させておき、
その結果セラミツク体の有機結合剤を除去するた
めに使用する加熱サイクルの間、所望の空間又は
通路を焼結した単一セラミツク体内に残留させる
ことにあるので、熱揮発性物質薄膜は焼結前にセ
ラミツク体薄膜に悪影響を与えてはならず、かつ
このセラミツク体薄膜の可塑性が減少して薄膜が
堅くなり、変形即ち垂下して空間又は通路を閉塞
しないようになるまで残留させる必要がある。熱
揮発性物質薄膜の印刷に使用する薄膜形成物質が
この条件に合致しない場合は、粒状熱揮発性物質
を加える必要があり、これは十分にこの所望の効
果をもたらすものである。しかしながら、このよ
うな粒状熱揮発性物質の選択にあたつて、セラミ
ツク薄膜内に使用する誘電性、即ち絶縁性組成物
に有害な元素を含有する相当量の灰分を燃焼揮発
の際に残すものを回避することが重要である。一
般に、この目的に適合するものは炭素又は炭化可
能な物質、例えば、澱粉及びセルローズの微細粒
である。熱揮発性物質薄膜の印刷においてこのよ
うな粒状物質との共用に好適な極めて多数の薄膜
形成物質には、エチルセルローズ、アクリル樹脂
及びポリビニルアルコールがある。これらに好適
な溶剤を適量使用して、この組成物に所望の粘度
を付与する。

本発明は、前記特開昭47−34905号公報の技術
と比較すると、多孔性セラミツク薄膜層形成の為
に印刷インキにセラミツク微粉末を使用するのに
対して、本願発明は炭素又は炭化可能な物質の微
粒子を使用する点で異なる。このような微粒子は
上述の通りセラミツク焼結中に空間薄膜層となる
べき薄膜を保持した後、障害物となることなく揮
発若しくは燃焼して消出して実質的に連続し均一
な空間を与え、これにより前記特開昭47−34905
号公報による単一セラミツクコンデンサでは達成
出来ない0.007mmに達する空間薄膜層又は金属薄
膜層を可能とし、高周波コンデンサのコンデンサ
損の小さい高性能の小形単一セラミツクコンデン
サを可能とする予期出来なかつた顕著な効果を奏
するものである。

（発明の効果） 本発明に係る単一セラミツク体及び単一セラミ
ツクコンデンサの製造方法によると、同一出願人
に係る特開昭47−34905号公報のものに比で、導
電体層形成の空間に障害物が無くされた点で改良
されたが、その為、先願発明の欠点であつた導電
体電極が不連続かつ空隙の生成存在による不均一
性に基づく高抵抗乃至コンダクタンス性のためコ
ンデンサは高いコンデンサ損を結果し、高周波コ
ンデンサとしての使用の難点が解決される。更に
前記空隙のばらつきは製品規格外の不良品率も高
かつたが、この欠点も解決された。また前記障害
物の形成のため導電体形成の空間の厚みの選択制
限があり、約0.04mmであつたが、障害物を無くし
たためこの厚みは0.007mm〜0.04mmと選択の幅が
拡大でき、コンデンサの小型化に有利となつた。

また、従来技術の特公昭44−14980号公報の発
明に比べ、印刷技術の採用による熱揮発性薄膜の
形成は極めて生産性が高められ、かつ薄膜の厚み
を顕著に薄くしかつその選択の幅が高められる。

（実施例） 本発明の目的及び利点は添付図面と以下の説明
から明らかとなるであろう。

図面では所定の寸法を相対的に強調して示され
ている。

実施例 １ 次ぎの組成物をボールミルで４時間破砕して分
散体を製造する。

400ｇ 誘電体粉末＊ ４ｇ ジエチル グリコール ローレイト 30ｇ ブチルベンジル フタレイト 120ml トルエン ＊ 9.6量のBaTiO₃、４量のCeO₂・ZrO₂平均粒
子寸法は総て１〜２μの範囲 上記組成物をミリングの後、この分散体を、37
ｇのエチルセルロースを180mlのトルエン内に溶
解して製造した溶液に添加し撹拌して均一な混合
物を得る。次いで、混合物の空気を除去し、寸法
が約100mm×1500mmであるこの混合物の薄膜をド
クターブレードによつて滑らかなガラス板上に形
成する。乾燥後、約0.045mm厚のこの薄膜が剥が
し、切断して夫々が約10mm×20mmである小さい矩
形薄板、即ち、薄片とする。

形成した薄片上に熱揮発性物質を塗布するた
め、例えば３―ロールミル上で、25ｇの微粉砕炭
素を、カウリーブタノール値33.8を有する高沸点
脂肪族石油ナフサ（No.460溶剤）を溶剤とするフ
エノールで処理したロジンエステル樹脂
（PENTALYN858）の50％溶液50ｇと共に混合す
る。組成物の粘度をナフサ溶剤を加えて混合して
スクリーン印刷に適合させる。325メツシユのス
クリーンで使用するには約2.5mlが必要である。
この組成物をしばしばインキと呼ぶが、この組成
物を誘電性組成物の夫々の複数の薄片の片側上
に、乾燥時の厚さが約0.01mmの薄膜となるように
スクリーン印刷する。誘電材料の薄片内の結合物
質を溶解したり不要に柔軟にしたりしないこれら
組成物内の成分を使用するよう留意する。使用溶
剤は、カウリーブタノール値が低く（約35）かつ
蒸発速度が十分に遅くて印刷サイクルの間に使用
する印刷スクリーンに目詰りを生じさせない脂肪
族石油ナフサが好ましい。熱揮発性物質薄膜を誘
電体薄片に適当に塗布して薄膜が薄片の１端部へ
延在するが、他の側部においてその周りに実質的
余白部を有するようにする。

次いで、印刷済薄片に見出しをつけ10を１グル
ープに積み重ねて、夫々のグループ内の１つ置き
の薄片上に、印刷した薄膜が延在する薄片の端部
が一列に並び、介在する薄片を水平面内で180度
回転し、これによつてその上に印刷した薄膜が積
層体の対向する端部区域に露出するようにする。
印刷してない薄片を積層体の頂部及び低部に取り
付ける。次いで、約104Kg／cm²の圧力を約80℃の
温度で１分間加圧して前記積層体を固着してチツ
プを得る。このチツプを次いで加熱してその中の
熱揮発性物質を除去し、セラミツク組成物を焼結
する。焼成中に見込まれるチツプの破損を回避す
るため、これらを先ず空気中でゆつくりと加熱し
て熱揮発性物質を除去し、次いで高温で焼成して
チツプを形成し、この夫々は密実な誘電材料の複
数の薄膜層を有し、この薄膜層は複数の端部のみ
で一体的に連結され、薄膜層の間に薄くて実質的
に障害物を有さない空間が存在し、この空間は本
質的に平坦である。夫々の空間はチツプの１つの
端部区域からの開口部を有する。

熱揮発性物質の除去に好適な加熱プログラムは
次ぎの通りである。

160℃まで ２時間 160℃より220℃ 10時間 220℃より225℃ 12時間 225℃より310℃ 20時間 310℃より314℃ ４時間 400℃にて １時間 500℃にて １時間 600℃にて １時間 このプログラムが完了してから、温度を1370℃
まで上昇させ1.25時間保持してチツプを焼結す
る。

焼結済チツプの冷却後、その中の空間を導電物
質、好ましくは金属で充填するが、先に述べた特
開昭47−34905号公報に記載される方法が好適に
使用される。次いで、末端電極を適当な手段によ
り取り付けるが、この電極の取り付けは公知であ
る。更に別の方法として、末端電極を取り付け、
次いで空間を前記特開昭47−34905号公報に記載
されるように金属で充填する。

添付の第１図及び第２図は前記方法によつて製
造する単一セラミツクコンデンサ体を拡大し、寸
法を強調して示したものである。参照符号１１は
総括的にコンデンサを示し、これはセラミツク誘
電物質の薄層１３を有し、その間に導電物質の薄
膜１５を備え、この薄膜は内部電極として作用す
る。薄膜は導電物質を導入した空間の寸法及び位
置によつて形成するので、これは１つ置きにコン
デンサの同一端部面に延在し、夫々の端部面に露
出する一群の電極を端末電極１７によつて電気的
に結合する介在する導電物質がない場合では誘電
体薄膜は参照符号１９に示す通り結合する。

第３図において、有機結合物質で結合したセラ
ミツク誘電物質の２つの薄板、即ち薄片３１及び
３３を拡大して示し、夫々の薄片はその上に有機
結合物質よりなる薄膜３５を有する。薄板３１上
の薄膜３５は薄板の前端部へ延在し、その側部及
び後部の周りに余白部を有するが、薄板３３上の
薄膜３５は薄板の後端部へ延在し薄板の側部及び
前部の周りに余白部を有する。従つて、その上に
薄膜３５を有する複数の基板の薄板３１及び３３
を１つ置きに積み重ね固着し焼成すると、有機結
合物質の薄膜３５の除去によつて焼結済物体内に
形成される空間は１つ置きにこの物体の対向端部
へ開放している。

第５図は、この発明によつて構成された単一セ
ラミツクコンデンサの製造に好適なコンデンサ体
としての焼成済セラミツク体、即ちチツプの構造
を更に拡大して示す。薄層３７は誘電物質製であ
り、熱揮発性物質薄膜３５の除去によつて薄層間
に生ずる空間３９は実質的に障害物を有さない。

本発明に係る単一セラミツクコンデンサを個々
に製造しても良いが、相当数のコンデンサを製造
する場合、又は個々のコンデンサが極めて小さい
場合、複数の未焼成チツプを同時に形成し、同時
に焼結する方法を使用するのが好ましい。このよ
うな方法を次の実施例において説明する。

実施例 ２ 実施例１の方法と同一なセラミツク誘電組成物
とそのための有機揮発性結合剤とを使用し、乾燥
後の寸法が50mm×75mm、厚さ約0.05mmの薄片を実
施例１の方法で製造する。実施例１で使用したと
同一の熱揮発性結合組成物、即ちインキを使用し
て熱揮発性薄膜を形成し、次いで循環模様を夫々
の前記薄片上にスクリーン印刷によつて塗布させ
た。塗布膜の乾燥後、厚さ約0.01mmの薄膜が形成
され、印刷済薄片に見出しを付け、10個を１グル
ープにし、夫々の連続薄片上の印刷した薄膜模様
が１つ前の模様に対して反対方向になるように積
み重ねる。次いで、ブロツクをこの積み重ねた薄
片を固着して形成し、１つ又はそれ以上の印刷し
てない薄片をこの積層体の頂部又び底部に配置す
るのが好ましく、固着は約104Kg／cm²の圧力を温
度約85℃で約１分間圧縮して行う。従つて、未焼
成の中空でないブロツクが得られ、これを適当な
手段、例えばナイフで切断して小さい未焼成ブロ
ツク、即ちチツプを得た。

以上の方法は、添付図面中第４図を参照すれば
一層容易に理解される。図面において参照符号５
１は熱揮発性結合物質で結合したセラミツク誘電
材料の大きい薄片を示す（幾分拡大した概略図で
ある）。その上の間隙を空けた矩形の要素５３
は、例えばスクリーン印刷によつて薄片上に塗布
した熱揮発性結合物質の薄膜である。このような
印刷済薄片の積層体を組み立て固着して大ブロツ
クにするに際し、総ての薄片に見出しを付けて、
その上の要素５３が２つの対向端部に沿つて垂直
に整然と並ぶが、連続する薄片上の要素を反対方
向にし、１つ置きの薄片上の要素５３が完全に垂
直方向に整然と並ぶようにする。これを第４図に
おいて区域５５（破線で示す）によつて示し、こ
の区域は積層体内において図示する薄片５１の上
側及び下側の薄片５１上の要素５３の反対方向の
延在する部分を表す。印刷済薄片を固着して未焼
成の大ブロツク（図示せず）にした後、このブロ
ツクを線分５７及び５９に沿つて切断して多数の
小さい未焼成セラミツクブロツク、即ちチツプを
形成し、このチツプにおいて要素５３は一つ置き
にチツプの対向端部に露出する。

これらのチツプを実施例１に記載の方法と同一
方法で加熱して熱揮発性結合物質を除去し、夫々
の誘電組成物を焼結して、薄いセラミツク誘電薄
膜層とその間に平坦な空間を有する単一体にす
る。次いで、適当な方法によつて導電物質好まし
くは金属をこの空間内へ導入し、夫々の端部に端
末電極を設けて夫々の前記端部に露出する導電薄
膜を電気的に連結する。従つて極めて良好な単一
セラミツクコンデンサが製造される。

多数のチツプを同時に形成する幾分改変した方
法を次ぎに示す。

実施例 ３ 実施例２に記載したと同一の材料と方法を使用
して、熱揮発性物質の薄膜、即ち要素を備えた誘
電組成物の薄片からブロツクを形成する。次い
で、ブロツクを切断して多数の未焼成チツプにす
る代わりに、ブロツクをそのまま加熱して熱揮発
性物質を除去し、セラミツク材料を焼結する。加
熱条件及び焼結条件は先に述べたものと実質上同
一でよい。しかしながら大ブロツクの質量が大き
いので、幾分長いねらし時間が適当な焼結を達成
するために必要である。ブロツクの焼結後これら
を、例えばダイヤモンド鋸によつて切断して、第
４図における線分５７及び５９に対応する線に沿
つて切断して所望の単一セラミツク体チツプにす
る。

前述した実施例において使用した誘電材料は何
等かの処理したチタン酸バリウム組成物である
が、使用可能な多くの他の公知なセラミツク誘電
組成物が存在することは明らかである。例えば
TiO₂，ガラス、ステアタイト、バリウム、スト
ロンチウム、ニオベイト、同じくチタン酸バリウ
ムのみも使用可能であり、焼成方法等において適
当な焼結を達成するために必要な公知の適当な改
変を行う。明らかに、得られるコンデンサの容量
は、使用する材料が有する誘電率の高低によつて
変化する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明により製造するコンデンサの断
面図、第２図は第１図の２―２線断面図、第３図
は結合したセラミツク誘電性組成物の多数の薄片
の拡大斜視図で夫々の薄片上に熱揮発性物質の薄
膜を備えた状態を示し、第４図はセラミツク誘電
性組成物の結合した薄片、即ち薄板の断片平面図
でこの薄板上に熱揮発性物質の模様状薄膜を備え
た状態を示し、第５図は第３図に示す多数の塗布
した薄片を組み立て固着し焼結した後のこの発明
に係るセラミツク物体の更に拡大した断片断面図
である。 １１……コンデンサ、１３……薄層、１５……
薄膜、１７……末端電極、１９……固着部、３
１，３３……薄片、３５……薄膜、３７……薄
層、３９……空間、５１……薄板、５３……要
素、５５……区域、５７，５９……線分。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 焼結した密実な誘電性セラミツク材料の複数
   の多辺形セラミツク薄層と、セラミツク薄層の焼
   結前の面に印刷したインキ薄膜の熱揮発により形
   成された空間層との相互重畳によりセラミツク体
   が形成され、空間層の上側と下側とのセラミツク
   薄層をその複数端部において一体的に連結すると
   共に前記端部以外では実質的に連結しないように
   してセラミツク体の外側面に空間層の一つの開口
   を形成し、順次の空間層はセラミツク体の異なる
   外側面に前記開口を有する焼結した単一セラミツ
   ク体において、前記印刷インキは炭素又は炭化可
   能な物質の微粒子を含有する実質的に完全に熱揮
   発して障害物のない厚さ0.007〜0.04mmの空間層
   を形成することを特徴とするコンデンサ製造用の
   焼結した単一セラミツク体の製造方法。 ２ 焼結した密実な誘電性セラミツク材料の複数
   の多辺形セラミツク薄層と、セラミツク薄層の焼
   結前の面に印刷したインキ薄膜の熱揮発により形
   成された空間層との相互重畳によりセラミツク体
   が形成され、空間層の上側と下側との前記セラミ
   ツク薄層をその複数端部において一体的に連結す
   ると共に前記端部以外では実質的に連結しないよ
   うにしてセラミツク体の外側面に空間層の一つの
   開口を形成し、順次の空間層はセラミツク体の異
   なる外側面に前記開口を有する焼結した単一セラ
   ミツク体に対し、前記誘電性セラミツク材料を焼
   結する際に用いられる最高温度よりも低い融点を
   有する熔融金属合金浴より前記開口を介して前記
   空間層に熔融金属合金を導入して金属層を形成し
   てなるコンデンサにおいて、前記印刷インキは炭
   素又は炭化可能な物質の微粒子を含有する実質的
   に完全に熱揮発して障害物のない厚さ0.007〜
   0.04mmの空間層を形成することにより前記空間層
   と同じ厚さの金属層が形成されてなることを特徴
   とする前記金属層に対する電気的接続を有する単
   一セラミツクコンデンサの製造方法。