JPS6256844B2 - - Google Patents
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- JPS6256844B2 JPS6256844B2 JP12328879A JP12328879A JPS6256844B2 JP S6256844 B2 JPS6256844 B2 JP S6256844B2 JP 12328879 A JP12328879 A JP 12328879A JP 12328879 A JP12328879 A JP 12328879A JP S6256844 B2 JPS6256844 B2 JP S6256844B2
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Description
本発明は1・3−ブタジエン、アセチレン類炭
化水素を含むC4炭化水素を主体とした炭化水素
流より1・3−ブタジエンを選択的に分離回収す
る方法において、1・3−ブタジエンの回収率を
向上させた回収方法に関する。 1・3−ブタジエンを含有するC4炭化水素混
合物より1・3−ブタジエンを分離回収する方法
としては選択的溶剤を使用する抽出蒸留法が広く
知られており、工業的にも実施されている。例え
ば特公昭47−6283、特公昭45−17407などには選
拓溶剤の使用下にまず1・3−ブタジエンより溶
剤に難溶性のブタン類、ブテン類を第一抽出蒸留
帯域より留出物として得、次いで第二抽出蒸留帯
域で1・3−ブタジエンより溶剤に可溶性のC4
アセチレン類を分離して1・3−ブタジエンを留
出物として得、塔底の溶剤よりC4アセチレン類
を分離する方法が開示されている。 そしてアセチレン類は爆発敏感性があり、且つ
装置内で重合しやすく装置の閉塞を来しやすいな
ど、その取扱いが極めて特殊であり、慎重を要
し、特別な予防策を必要としている。即ち前述の
如き危険を回避するため、ブタジエン回収装置か
ら分離されるアセチレン類を富有する流は取扱上
危険を生じない程度にまで不活性炭化水素で希釈
された後、通常焼却されていた。 このことは特開昭51−127006にも触れられてお
り、希釈は、アセチレン類炭化水素を富有する流
がブタジエン回収装置から排出される時点で、最
後の抽出蒸留帯域中において1・3−ブタジエン
とアセチレン類炭化水素との分離を不完全に行
い、1・3−ブタジエンで希釈された形で取り出
すことによつて行われている。従つてこの希釈に
使用された1・3−ブタジエンは有効に利用され
ることなく焼却され、1・3−ブタジエンの回収
率は低下するので不満足な方法であると指摘して
いる。よつて特開昭51−127006ではアセチレン類
炭化水素は接触的水素添加により該アセチレン類
を大部分他の物質に転化せしめた後、1・3−ブ
タジエン回収装置に循環することにより1・3−
ブタジエンの回収率を高めたとしている。この際
アセチレン類の水素添加には第1抽出蒸留の留出
物である飽和及び(又は)一重オレフイン系不飽
和炭化水素を希釈剤として用いるか、選択溶剤を
含有したまま水素添加するのが好ましいとしてい
る。 しかしながら上記希釈方法はブタジエン回収装
置との関連状態をより詳細に検討すれば必ずしも
十分満足出来るものとは云えない。即ちブタジエ
ン回収装置から副生するアセチレン類を富有する
流を前記抽出蒸留帯域から留出する1・3−ブタ
ジエンを実質的に含まない飽和及び(又は)一重
オレフイン系不飽和炭化水素で希釈した後に水添
反応に供して得られた反応生成物をブタジエン回
収装置へ循環するということは、希釈剤として使
用される炭化水素は1・3−ブタジエンを含有す
るC4炭化水素から1・3−ブタジエンを分離し
たものであるので、これを再びブタジエン回収装
置の原料として戻すことを意味し、ブタジエン回
収装置に新たに供給される原料C4炭化水素混合
物中の1・3−ブタジエン濃度を下げることにな
る。ブタジエン回収装置に供給される原料C4炭
化水素混合物中の1・3−ブタジエン濃度の低下
はブタジエン回収装置の生産能力を低下させるの
みならず、処理コストを増大させるという点で好
ましくない。1・3−ブタジエンの分離回収装置
から副生するアセチレン類を富有する流の中には
一般に20〜80%、ことに30〜70%のアセチレン類
を含んでいる。この流はそのまま水素添加反応に
供することも可能であるが、水添反応は高度の発
熱反応であるので熱除去の問題及び安全上の配慮
から不活性溶剤で希釈するのが好ましい。 さすれば希釈剤としては、反応生成物をブタジ
エン回収装置へ循環することを考慮するならば、
ブタジエン回収装置で何ら特別の措置を施こすこ
となく処理出来る炭化水素を用いることが実用上
からは好ましいことになる。 以上の様な従来技術の問題点について、ブタジ
エン回収装置との関連を十分考慮しつつ鋭意検討
を行つた結果、ブタジエン回収装置から副生する
アセチレン類を富有する留分の希釈剤として、従
来は“不活性”でないため使用することが好まし
くないと考えられていた1・3−ブタジエンを高
濃度に含むC4炭化水素混合物であつても、その
濃度及びアセチレン類濃度に留意すれば希釈効果
に何ら悪影響を及ぼすことなく、またブタジエン
の損失を実質的に伴うことなく希釈剤として使用
できることを見出し、かかる知見に基づいて本発
明に到達した。即ち本発明はブタジエン抽出工程
から副生アセチレン類を有する留分を、ブタジエ
ンを高濃度に含んだ原料C4炭化水素混合物の一
部で希釈した後、接触的水添反応に供し、しかる
後生成物を原料C4炭化水素混合物の残部ととも
にブタジエン抽出工程へ循環する工程から構成さ
れる。本発明で希釈剤として用いる原料C4炭化
水素混合物はブタジエンを高濃度で含む一方、ア
セチレン類濃度は被希釈留分に比し十分に低いの
で、本発明によれば水添生成物中の1・3−ブタ
ジエン濃度は高濃度に維持され、且つアセチレン
類濃度の希釈効果を実質的に何ら損うことがな
い。 本発明を従来技術と比較して見るならば、一旦
ブタジエン回収装置で分離した1・3−ブタジエ
ンを実質的に含まぬ留分すなわち〔飽和及び(又
は)一重オレフイン系不飽和炭化水素〕を希釈剤
として用い、これを再びブタジエン回収装置に戻
す従来方法より、本発明の希釈剤である原料C4
炭化水素混合物は本来ブタジエン回収装置へ直接
供給されるべきものを一部抜き出して希釈剤とし
て使用し、接触水添反応後ブタジエン回収装置に
戻すのであるから、プロセス的に全く無駄がな
く、しかもブタジエン回収装置の生産能力に悪影
響を与えることのない、極めて合理的なものであ
ることは容易に理解されるであらう。 以下に本発明を詳細に説明する。 希釈剤として使用するC4炭化水素混合物中の
1・3−ブタジエン濃度は通常20〜60重量%程度
であるが、本発明の実施にあたつて、この程度で
あれば希釈剤として使用するのに特に制約はな
い。しかしあまり高濃度の1・3−ブタジエンを
含んだものは水添反応工程で失われる1・3−ブ
タジエンの量が無視できなくなるので好ましくな
い。一方アセチレン類の濃度は重要であり、C4
炭化水素混合物中のアセチレン類の濃度は10重量
%以下のもの、好ましくは5重量%以下のものが
使用される。これ以上に高濃度のアセチレン類を
含んだものを使用することは水添反応の希釈剤と
しては不向きか、また希釈効果があつたとしても
同一希釈効果を得るのに大量のC4炭化水素混合
物を必要とし、実用性が著しく損われてしまう。
他の成分については通常のブタジエン回収装置で
処理可能なものであれば、その種類、含量に特に
制約はない。 希釈剤の具体的な例としてはブタジエン回収装
置に供給される原料C4炭化水素混合物の一部を
そのまま使用する方法が挙げられる。 希釈剤の使用量は希釈されるべきアセチレン類
を富有する炭化水素流中のアセチレン濃度により
異るが通常被希釈炭化水素に対して0.1〜10重量
倍、とくに0.3〜5重量倍量が用いられる。 接触的水添反応に用いられる水素は触媒を被毒
するような成分を含んでいない通常の工業用水素
が用いられる。本発明の接触的水添反応は気相又
は液相で行うことができるが、液相で実施するの
が好ましい。水添触媒としては周期律表第族の
金属及びその化合物を担体に担持させた触媒を使
用するのが適当である。 接触的水添反応は0〜70℃、特に5〜50℃が適
当である。圧力は2〜15気圧、特に3〜10気圧が
適当である。反応原料である水素及び炭化水素流
は並流で反応器に導入されるのが好ましく、上昇
流、下向流のいずれも用い得るが、上昇流とする
のがとくに好ましい。 アセチレン類の水素添加反応は高度の発熱反応
であり、且つアセチレン類炭化水素は高温ほどそ
の爆発の危険性が増大し、さらに重合物の生成が
容易となるので、反応熱の除去には十分考慮が拡
われねばならない。好ましい反応器の形態として
は多管式反応器があり、管外に冷却水を通し、管
内に充填した触媒層を冷却することで生成物温度
の過度の上昇を防ぐことができる。他の好ましい
反応器の形態としては断熱型の反応器を用いる方
法である。この場合、水素添加された生成物の一
部を分流して熱交換器で冷却した後、反応器の入
口に戻し反応器1回通過当りの水素添加率を低く
抑えることにより反応器内での温度上昇を防ぐこ
とができる。 次に図面により本発明を詳細に説明する。 図は簡明にするため、主要部分のみを示し、ポ
ンプ、熱交換器等は大部分省略してある。第1図
の破線で囲つた部分はブタジエン分離精製プロセ
スの一例(Hydro−carbon Processing Vol、46.
No.5 P166から引用)を示したものであるが、
無論本発明はこれに限定されるものではなく、
C4炭化水素混合物よりアセチレン類炭化水素を
富有する留分を副生するプロセスであれば差支え
ない。 1・3−ブタジエン、C4アセチレン類等を含
んだ原料C4炭化水素混合物は導管1を経て供給
されるが、本発明によりその一部が希釈剤として
導管22より抜き出され、又水添反応生成物が導
管29により加えられてブタジエン回収装置の第
一抽出蒸留帯域(蒸留塔2と放散塔7で構成され
る)の蒸留塔2へ供給される。蒸留塔2の塔頂付
近には極性溶媒で構成される抽出蒸留溶剤が導管
3を経て供給され、塔底部には溶剤放散塔7の塔
頂蒸気流の一部が導管4を経て供給され、かくし
て1・3−ブタジエンよりも溶剤に対する親和力
の少ないブタン類、ブテン類が導管5を経て塔頂
から排出される。一方塔底からは少量のブテン類
を含んだ1・3−ブタジエン、1・2−ブタジエ
ン、C4アセチレン類等溶剤に対する親和力の強
い成分が溶剤と共に排出され、導管6を経て溶剤
放散塔7に供給される。放散塔7では塔底部に設
けられた再沸器(図示せず)により溶剤より炭化
水素類が放散されて塔頂より留出し一部は蒸留塔
2へ循環し残りは導管8により第二抽出蒸留帯域
(蒸留塔9と放散塔14で構成される)の蒸留塔
9へ供給される。一方放散塔7の塔底部からは炭
化水素類を実質的に含んでいない溶剤が排出さ
れ、この流は導管3を経て蒸留塔2に循環され
る。 蒸留塔9の塔頂付近には通常第一抽出蒸留帯域
で使われるのと同一の溶剤が導管10により供給
され、塔底部には溶剤放散塔14の塔頂蒸気流の
一部が導管11を経て供給され、かくして比較的
溶剤に親和力の少ない1・3−ブタジエンを主と
した留分が導管12を経て塔頂より排出し、一方
塔底からはより溶剤に親和力の強いアセチレン類
を富有した留分が溶剤とともに排出され導管13
を経て放散塔14に供給される。放散塔14では
塔底部に設けられた再沸器(図示せず)により溶
剤から炭化水素類が放散されて塔頂より留出し、
一部は蒸留塔9へ循環し、残りは導管15を経て
接触水添反応器24に供給される。この流はビニ
ルアセチレン、エチルアセチレン、1・3−ブタ
ジエン、1・2−ブタジエン等から構成される。
一方放散塔14の塔底部からは炭化水素類を実質
的に含んでいない溶剤が排出され、この流は導管
10を経て蒸留塔9に循環される。 蒸留塔9の塔頂から導管12を経て得られる粗
1・3−ブタジエン留分は最終精製帯域(蒸留塔
16と蒸留塔19で構成される)の蒸留塔16に
供給される。蒸留塔16の塔頂よりは粗1・3−
ブタジエン中に少量混入して来るメチルアセチレ
ンが実質的に全部留出して来るが、1・3−ブタ
ジエンを同時に留出させ、留分中のアセチレン濃
度が過度に高まるのを防いでいる。導管17から
排出される留分中のメチルアセチレン濃度は通常
60%以上にコントロールされるが、残りは実質的
に1・3−ブタジエンであるので、この留分も接
触水添反応に供することにより、1・3−ブタジ
エンの回収率を高めることとなるので好ましい
(点線17a)。一方蒸留塔16の塔底部からは実
質的にメチルアセチレンを除いた1・3−ブタジ
エンを主とした留分が排出され、導管18により
蒸留塔19へ供給される。ここで1・3−ブタジ
エンは最終的に精製されて塔頂より導管20を経
て得られ、重質物が塔底部より導管21を経て排
出される。 ブタジエン回収装置から排出されるアセチレン
類を富有する留分(導管15及び導管17aの
流)は導管22を経て供給される原料C4炭化水
素混合物で希釈された後、接触水添反応器24に
液状で供給される。導管23からは水素ガスが供
給される。反応器24は断熱型の反応器でPd系
の触媒が充填されている。水添反応は高度の発熱
反応であるため、反応器出口の温度が過度に上昇
せぬ様に反応生成物の一部を導管28により反応
器へ循環している。反応生成物は導管25により
反応器より排出され、冷却器26で冷却された
後、受器27に供給される。受器から出た炭化水
素流の一部は導管28を経て反応器に循環され、
残りは水添生成物として導管29を経てブタジエ
ン回収装置に送り返される。受器27よりは導管
30により未反応水素が排出されるが、これは必
要に応じ反応器24へ圧縮機により循環すること
もできる。 第1図では反応器は1基しか示してないが、出
口温度の制御が困難のときには反応器24、冷却
器26の組合せを複数個直列に配置し、反応器1
基当りの発熱量を抑えることも可能である。通常
は3基以下で十分である。 第2図は第1図に示したブタジエン分離精製プ
ロセスと接触水添プロセスの組合せにおいて、水
添プロセスの他の実施態様を示したものである。
アセチレン類を富有している留分は第1図の導管
15(及び又は導管17a)を経て供給され導管
22から供給される原料C4炭化水素混合物で希
釈された後、反応器32へ供給される。一方水素
ガス導管31を経て供給される。反応器32は多
管式のものであり、管内にはPd系の触媒が充填
され管外には水添反応により生じた反応熱を除去
するために冷却水が導管33より供給され、導管
34より排出されている。導管35により反応器
より排出された反応生成物は一旦受器に蓄えられ
て水素ガスが分離された後、導管29を経てブタ
ジエン回収装置に循環される。 なお、導管29の流の中には少量のC5炭化水
素、1・2−ブタジエンが混入して来るのが普通
であり、ブタジエン分離プロセスによつては循環
中に蓄積して来ることがあるので、その様な場合
には導管29の流れからC5炭化水素及び1・2
−ブタジエンを蒸留により分離するのが適当なこ
とがある。 次に実施例を挙げて本発明を説明する。 実施例 1 第二抽出蒸留帯域から排出されるアセチレン類
炭化水素を富有した第1表に示す組成のC4留分
を水素添加反応に供した。水添反応器の型式は第
1図によつた。反応管は内径42.7mmのSUS304製
のもので、Pd系の触媒が850ml充填してある。第
1図の冷却器26のかわりに反応管は二重管式と
し外管内に冷却を通して冷却する。希釈剤として
は第1表に示した組成のC4炭化水素混合物を用
いた。 アセチレン類炭化水素富有留分168.9g/Hを
希釈炭化水素177.9g/Hで希釈した後、接触水
添反応器に供給した。同時に反応生成物の一部を
循環流として6793.2g/Hの割合で反応器に供給
した。水素ガスは59H/Hの割合で反応器に供
給した。反応は35℃、5.5Kg/cm2Gの条件で行つ
た。反応が定常状態に達した後の水添生成物の組
成を第1表に示した。
化水素を含むC4炭化水素を主体とした炭化水素
流より1・3−ブタジエンを選択的に分離回収す
る方法において、1・3−ブタジエンの回収率を
向上させた回収方法に関する。 1・3−ブタジエンを含有するC4炭化水素混
合物より1・3−ブタジエンを分離回収する方法
としては選択的溶剤を使用する抽出蒸留法が広く
知られており、工業的にも実施されている。例え
ば特公昭47−6283、特公昭45−17407などには選
拓溶剤の使用下にまず1・3−ブタジエンより溶
剤に難溶性のブタン類、ブテン類を第一抽出蒸留
帯域より留出物として得、次いで第二抽出蒸留帯
域で1・3−ブタジエンより溶剤に可溶性のC4
アセチレン類を分離して1・3−ブタジエンを留
出物として得、塔底の溶剤よりC4アセチレン類
を分離する方法が開示されている。 そしてアセチレン類は爆発敏感性があり、且つ
装置内で重合しやすく装置の閉塞を来しやすいな
ど、その取扱いが極めて特殊であり、慎重を要
し、特別な予防策を必要としている。即ち前述の
如き危険を回避するため、ブタジエン回収装置か
ら分離されるアセチレン類を富有する流は取扱上
危険を生じない程度にまで不活性炭化水素で希釈
された後、通常焼却されていた。 このことは特開昭51−127006にも触れられてお
り、希釈は、アセチレン類炭化水素を富有する流
がブタジエン回収装置から排出される時点で、最
後の抽出蒸留帯域中において1・3−ブタジエン
とアセチレン類炭化水素との分離を不完全に行
い、1・3−ブタジエンで希釈された形で取り出
すことによつて行われている。従つてこの希釈に
使用された1・3−ブタジエンは有効に利用され
ることなく焼却され、1・3−ブタジエンの回収
率は低下するので不満足な方法であると指摘して
いる。よつて特開昭51−127006ではアセチレン類
炭化水素は接触的水素添加により該アセチレン類
を大部分他の物質に転化せしめた後、1・3−ブ
タジエン回収装置に循環することにより1・3−
ブタジエンの回収率を高めたとしている。この際
アセチレン類の水素添加には第1抽出蒸留の留出
物である飽和及び(又は)一重オレフイン系不飽
和炭化水素を希釈剤として用いるか、選択溶剤を
含有したまま水素添加するのが好ましいとしてい
る。 しかしながら上記希釈方法はブタジエン回収装
置との関連状態をより詳細に検討すれば必ずしも
十分満足出来るものとは云えない。即ちブタジエ
ン回収装置から副生するアセチレン類を富有する
流を前記抽出蒸留帯域から留出する1・3−ブタ
ジエンを実質的に含まない飽和及び(又は)一重
オレフイン系不飽和炭化水素で希釈した後に水添
反応に供して得られた反応生成物をブタジエン回
収装置へ循環するということは、希釈剤として使
用される炭化水素は1・3−ブタジエンを含有す
るC4炭化水素から1・3−ブタジエンを分離し
たものであるので、これを再びブタジエン回収装
置の原料として戻すことを意味し、ブタジエン回
収装置に新たに供給される原料C4炭化水素混合
物中の1・3−ブタジエン濃度を下げることにな
る。ブタジエン回収装置に供給される原料C4炭
化水素混合物中の1・3−ブタジエン濃度の低下
はブタジエン回収装置の生産能力を低下させるの
みならず、処理コストを増大させるという点で好
ましくない。1・3−ブタジエンの分離回収装置
から副生するアセチレン類を富有する流の中には
一般に20〜80%、ことに30〜70%のアセチレン類
を含んでいる。この流はそのまま水素添加反応に
供することも可能であるが、水添反応は高度の発
熱反応であるので熱除去の問題及び安全上の配慮
から不活性溶剤で希釈するのが好ましい。 さすれば希釈剤としては、反応生成物をブタジ
エン回収装置へ循環することを考慮するならば、
ブタジエン回収装置で何ら特別の措置を施こすこ
となく処理出来る炭化水素を用いることが実用上
からは好ましいことになる。 以上の様な従来技術の問題点について、ブタジ
エン回収装置との関連を十分考慮しつつ鋭意検討
を行つた結果、ブタジエン回収装置から副生する
アセチレン類を富有する留分の希釈剤として、従
来は“不活性”でないため使用することが好まし
くないと考えられていた1・3−ブタジエンを高
濃度に含むC4炭化水素混合物であつても、その
濃度及びアセチレン類濃度に留意すれば希釈効果
に何ら悪影響を及ぼすことなく、またブタジエン
の損失を実質的に伴うことなく希釈剤として使用
できることを見出し、かかる知見に基づいて本発
明に到達した。即ち本発明はブタジエン抽出工程
から副生アセチレン類を有する留分を、ブタジエ
ンを高濃度に含んだ原料C4炭化水素混合物の一
部で希釈した後、接触的水添反応に供し、しかる
後生成物を原料C4炭化水素混合物の残部ととも
にブタジエン抽出工程へ循環する工程から構成さ
れる。本発明で希釈剤として用いる原料C4炭化
水素混合物はブタジエンを高濃度で含む一方、ア
セチレン類濃度は被希釈留分に比し十分に低いの
で、本発明によれば水添生成物中の1・3−ブタ
ジエン濃度は高濃度に維持され、且つアセチレン
類濃度の希釈効果を実質的に何ら損うことがな
い。 本発明を従来技術と比較して見るならば、一旦
ブタジエン回収装置で分離した1・3−ブタジエ
ンを実質的に含まぬ留分すなわち〔飽和及び(又
は)一重オレフイン系不飽和炭化水素〕を希釈剤
として用い、これを再びブタジエン回収装置に戻
す従来方法より、本発明の希釈剤である原料C4
炭化水素混合物は本来ブタジエン回収装置へ直接
供給されるべきものを一部抜き出して希釈剤とし
て使用し、接触水添反応後ブタジエン回収装置に
戻すのであるから、プロセス的に全く無駄がな
く、しかもブタジエン回収装置の生産能力に悪影
響を与えることのない、極めて合理的なものであ
ることは容易に理解されるであらう。 以下に本発明を詳細に説明する。 希釈剤として使用するC4炭化水素混合物中の
1・3−ブタジエン濃度は通常20〜60重量%程度
であるが、本発明の実施にあたつて、この程度で
あれば希釈剤として使用するのに特に制約はな
い。しかしあまり高濃度の1・3−ブタジエンを
含んだものは水添反応工程で失われる1・3−ブ
タジエンの量が無視できなくなるので好ましくな
い。一方アセチレン類の濃度は重要であり、C4
炭化水素混合物中のアセチレン類の濃度は10重量
%以下のもの、好ましくは5重量%以下のものが
使用される。これ以上に高濃度のアセチレン類を
含んだものを使用することは水添反応の希釈剤と
しては不向きか、また希釈効果があつたとしても
同一希釈効果を得るのに大量のC4炭化水素混合
物を必要とし、実用性が著しく損われてしまう。
他の成分については通常のブタジエン回収装置で
処理可能なものであれば、その種類、含量に特に
制約はない。 希釈剤の具体的な例としてはブタジエン回収装
置に供給される原料C4炭化水素混合物の一部を
そのまま使用する方法が挙げられる。 希釈剤の使用量は希釈されるべきアセチレン類
を富有する炭化水素流中のアセチレン濃度により
異るが通常被希釈炭化水素に対して0.1〜10重量
倍、とくに0.3〜5重量倍量が用いられる。 接触的水添反応に用いられる水素は触媒を被毒
するような成分を含んでいない通常の工業用水素
が用いられる。本発明の接触的水添反応は気相又
は液相で行うことができるが、液相で実施するの
が好ましい。水添触媒としては周期律表第族の
金属及びその化合物を担体に担持させた触媒を使
用するのが適当である。 接触的水添反応は0〜70℃、特に5〜50℃が適
当である。圧力は2〜15気圧、特に3〜10気圧が
適当である。反応原料である水素及び炭化水素流
は並流で反応器に導入されるのが好ましく、上昇
流、下向流のいずれも用い得るが、上昇流とする
のがとくに好ましい。 アセチレン類の水素添加反応は高度の発熱反応
であり、且つアセチレン類炭化水素は高温ほどそ
の爆発の危険性が増大し、さらに重合物の生成が
容易となるので、反応熱の除去には十分考慮が拡
われねばならない。好ましい反応器の形態として
は多管式反応器があり、管外に冷却水を通し、管
内に充填した触媒層を冷却することで生成物温度
の過度の上昇を防ぐことができる。他の好ましい
反応器の形態としては断熱型の反応器を用いる方
法である。この場合、水素添加された生成物の一
部を分流して熱交換器で冷却した後、反応器の入
口に戻し反応器1回通過当りの水素添加率を低く
抑えることにより反応器内での温度上昇を防ぐこ
とができる。 次に図面により本発明を詳細に説明する。 図は簡明にするため、主要部分のみを示し、ポ
ンプ、熱交換器等は大部分省略してある。第1図
の破線で囲つた部分はブタジエン分離精製プロセ
スの一例(Hydro−carbon Processing Vol、46.
No.5 P166から引用)を示したものであるが、
無論本発明はこれに限定されるものではなく、
C4炭化水素混合物よりアセチレン類炭化水素を
富有する留分を副生するプロセスであれば差支え
ない。 1・3−ブタジエン、C4アセチレン類等を含
んだ原料C4炭化水素混合物は導管1を経て供給
されるが、本発明によりその一部が希釈剤として
導管22より抜き出され、又水添反応生成物が導
管29により加えられてブタジエン回収装置の第
一抽出蒸留帯域(蒸留塔2と放散塔7で構成され
る)の蒸留塔2へ供給される。蒸留塔2の塔頂付
近には極性溶媒で構成される抽出蒸留溶剤が導管
3を経て供給され、塔底部には溶剤放散塔7の塔
頂蒸気流の一部が導管4を経て供給され、かくし
て1・3−ブタジエンよりも溶剤に対する親和力
の少ないブタン類、ブテン類が導管5を経て塔頂
から排出される。一方塔底からは少量のブテン類
を含んだ1・3−ブタジエン、1・2−ブタジエ
ン、C4アセチレン類等溶剤に対する親和力の強
い成分が溶剤と共に排出され、導管6を経て溶剤
放散塔7に供給される。放散塔7では塔底部に設
けられた再沸器(図示せず)により溶剤より炭化
水素類が放散されて塔頂より留出し一部は蒸留塔
2へ循環し残りは導管8により第二抽出蒸留帯域
(蒸留塔9と放散塔14で構成される)の蒸留塔
9へ供給される。一方放散塔7の塔底部からは炭
化水素類を実質的に含んでいない溶剤が排出さ
れ、この流は導管3を経て蒸留塔2に循環され
る。 蒸留塔9の塔頂付近には通常第一抽出蒸留帯域
で使われるのと同一の溶剤が導管10により供給
され、塔底部には溶剤放散塔14の塔頂蒸気流の
一部が導管11を経て供給され、かくして比較的
溶剤に親和力の少ない1・3−ブタジエンを主と
した留分が導管12を経て塔頂より排出し、一方
塔底からはより溶剤に親和力の強いアセチレン類
を富有した留分が溶剤とともに排出され導管13
を経て放散塔14に供給される。放散塔14では
塔底部に設けられた再沸器(図示せず)により溶
剤から炭化水素類が放散されて塔頂より留出し、
一部は蒸留塔9へ循環し、残りは導管15を経て
接触水添反応器24に供給される。この流はビニ
ルアセチレン、エチルアセチレン、1・3−ブタ
ジエン、1・2−ブタジエン等から構成される。
一方放散塔14の塔底部からは炭化水素類を実質
的に含んでいない溶剤が排出され、この流は導管
10を経て蒸留塔9に循環される。 蒸留塔9の塔頂から導管12を経て得られる粗
1・3−ブタジエン留分は最終精製帯域(蒸留塔
16と蒸留塔19で構成される)の蒸留塔16に
供給される。蒸留塔16の塔頂よりは粗1・3−
ブタジエン中に少量混入して来るメチルアセチレ
ンが実質的に全部留出して来るが、1・3−ブタ
ジエンを同時に留出させ、留分中のアセチレン濃
度が過度に高まるのを防いでいる。導管17から
排出される留分中のメチルアセチレン濃度は通常
60%以上にコントロールされるが、残りは実質的
に1・3−ブタジエンであるので、この留分も接
触水添反応に供することにより、1・3−ブタジ
エンの回収率を高めることとなるので好ましい
(点線17a)。一方蒸留塔16の塔底部からは実
質的にメチルアセチレンを除いた1・3−ブタジ
エンを主とした留分が排出され、導管18により
蒸留塔19へ供給される。ここで1・3−ブタジ
エンは最終的に精製されて塔頂より導管20を経
て得られ、重質物が塔底部より導管21を経て排
出される。 ブタジエン回収装置から排出されるアセチレン
類を富有する留分(導管15及び導管17aの
流)は導管22を経て供給される原料C4炭化水
素混合物で希釈された後、接触水添反応器24に
液状で供給される。導管23からは水素ガスが供
給される。反応器24は断熱型の反応器でPd系
の触媒が充填されている。水添反応は高度の発熱
反応であるため、反応器出口の温度が過度に上昇
せぬ様に反応生成物の一部を導管28により反応
器へ循環している。反応生成物は導管25により
反応器より排出され、冷却器26で冷却された
後、受器27に供給される。受器から出た炭化水
素流の一部は導管28を経て反応器に循環され、
残りは水添生成物として導管29を経てブタジエ
ン回収装置に送り返される。受器27よりは導管
30により未反応水素が排出されるが、これは必
要に応じ反応器24へ圧縮機により循環すること
もできる。 第1図では反応器は1基しか示してないが、出
口温度の制御が困難のときには反応器24、冷却
器26の組合せを複数個直列に配置し、反応器1
基当りの発熱量を抑えることも可能である。通常
は3基以下で十分である。 第2図は第1図に示したブタジエン分離精製プ
ロセスと接触水添プロセスの組合せにおいて、水
添プロセスの他の実施態様を示したものである。
アセチレン類を富有している留分は第1図の導管
15(及び又は導管17a)を経て供給され導管
22から供給される原料C4炭化水素混合物で希
釈された後、反応器32へ供給される。一方水素
ガス導管31を経て供給される。反応器32は多
管式のものであり、管内にはPd系の触媒が充填
され管外には水添反応により生じた反応熱を除去
するために冷却水が導管33より供給され、導管
34より排出されている。導管35により反応器
より排出された反応生成物は一旦受器に蓄えられ
て水素ガスが分離された後、導管29を経てブタ
ジエン回収装置に循環される。 なお、導管29の流の中には少量のC5炭化水
素、1・2−ブタジエンが混入して来るのが普通
であり、ブタジエン分離プロセスによつては循環
中に蓄積して来ることがあるので、その様な場合
には導管29の流れからC5炭化水素及び1・2
−ブタジエンを蒸留により分離するのが適当なこ
とがある。 次に実施例を挙げて本発明を説明する。 実施例 1 第二抽出蒸留帯域から排出されるアセチレン類
炭化水素を富有した第1表に示す組成のC4留分
を水素添加反応に供した。水添反応器の型式は第
1図によつた。反応管は内径42.7mmのSUS304製
のもので、Pd系の触媒が850ml充填してある。第
1図の冷却器26のかわりに反応管は二重管式と
し外管内に冷却を通して冷却する。希釈剤として
は第1表に示した組成のC4炭化水素混合物を用
いた。 アセチレン類炭化水素富有留分168.9g/Hを
希釈炭化水素177.9g/Hで希釈した後、接触水
添反応器に供給した。同時に反応生成物の一部を
循環流として6793.2g/Hの割合で反応器に供給
した。水素ガスは59H/Hの割合で反応器に供
給した。反応は35℃、5.5Kg/cm2Gの条件で行つ
た。反応が定常状態に達した後の水添生成物の組
成を第1表に示した。
【表】
この流はC5炭化水素を蒸留して除くことによ
りブタジエン回収装置の原料として適当なもので
あつた。反応器に供給した希釈剤中の1・3−ブ
タジエン78、1g/H対して生成物のそれは
152、0g/Hであつた。又生成物の組成から明
らかな如く、1・3−ブタジエンの濃度は希釈剤
として用いた原料C4炭化水素混合物中のそれと
殆ど同じであつた。 比較例 実施例において希釈剤として第2表に示した組
成のもの173、3g/Hで希釈した(希釈後のア
セチレン類炭化水素の濃度が実施例と同じになる
ように調製した)以外は全く同じ条件で反応を行
つた。反応が定常状態に達した後の生成物の組成
を第2表に示した。
りブタジエン回収装置の原料として適当なもので
あつた。反応器に供給した希釈剤中の1・3−ブ
タジエン78、1g/H対して生成物のそれは
152、0g/Hであつた。又生成物の組成から明
らかな如く、1・3−ブタジエンの濃度は希釈剤
として用いた原料C4炭化水素混合物中のそれと
殆ど同じであつた。 比較例 実施例において希釈剤として第2表に示した組
成のもの173、3g/Hで希釈した(希釈後のア
セチレン類炭化水素の濃度が実施例と同じになる
ように調製した)以外は全く同じ条件で反応を行
つた。反応が定常状態に達した後の生成物の組成
を第2表に示した。
【表】
この流はC5炭化水素を蒸留で除くことにより
ブタジエン回収装置の原料として供給可能なもの
であつたが、1・3−ブタジエンの濃度は22.1重
量%にしかならなかつた。このように実施例と比
較例では水添生成物中の1・3−ブタジエン濃度
が大幅に異つており、本発明の優位性は明らかで
ある。
ブタジエン回収装置の原料として供給可能なもの
であつたが、1・3−ブタジエンの濃度は22.1重
量%にしかならなかつた。このように実施例と比
較例では水添生成物中の1・3−ブタジエン濃度
が大幅に異つており、本発明の優位性は明らかで
ある。
第1図及び第2図は本発明の実施態様を示すフ
ローシートである。 2,9……抽出蒸留塔、7,14……放散塔、
16,19……蒸留塔、24,32……接触水添
反応器、26……冷却器、27,36……受器。
ローシートである。 2,9……抽出蒸留塔、7,14……放散塔、
16,19……蒸留塔、24,32……接触水添
反応器、26……冷却器、27,36……受器。
Claims (1)
- 1 C4炭化水素混合物より選択的抽出溶剤を用
いて1・3−ブタジエンを分離回収する方法にお
いて、抽出工程で副生するC4アセチレン類炭化
水素を富有する留分及び/又はメチルアセチレン
を富有する留分を、1・3−ブタジエン回収装置
に供給可能なC4炭化水素混合物の一部で希釈し
た後、接触水素添加反応に供し、その水添生成物
を、1・3−ブタジエン回収装置に供給可能な前
記C4炭化水素混合物の残部とともに該1・3−
ブタジエン抽出工程に循環せしめることを特徴と
する1・3−ブタジエンの回収方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12328879A JPS5646824A (en) | 1979-09-27 | 1979-09-27 | Recovery of 1,3-butadiene |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12328879A JPS5646824A (en) | 1979-09-27 | 1979-09-27 | Recovery of 1,3-butadiene |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5646824A JPS5646824A (en) | 1981-04-28 |
JPS6256844B2 true JPS6256844B2 (ja) | 1987-11-27 |
Family
ID=14856840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12328879A Granted JPS5646824A (en) | 1979-09-27 | 1979-09-27 | Recovery of 1,3-butadiene |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5646824A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5839377Y2 (ja) * | 1979-09-17 | 1983-09-05 | 横河電機株式会社 | 記録紙保持装置 |
JP5246027B2 (ja) * | 2009-05-12 | 2013-07-24 | Jsr株式会社 | ブタジエンの製造方法 |
CN104812726B (zh) * | 2012-10-04 | 2019-04-30 | 鲁姆斯科技公司 | 丁二烯提取方法 |
KR102393861B1 (ko) | 2016-03-31 | 2022-05-02 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 1,3-부타디엔의 제조 방법 및 제조 장치 |
CN108779045A (zh) | 2016-03-31 | 2018-11-09 | 日本瑞翁株式会社 | 氢化方法 |
-
1979
- 1979-09-27 JP JP12328879A patent/JPS5646824A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5646824A (en) | 1981-04-28 |
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